本实用新型涉及一种X光管荧光仪，尤其涉及一种二次靶结构的投射式X光管荧光仪，其属于测控技术领域。
背景技术：
在使用X光管作为激发光源对样品进行多元素同时定量定性分析时，目前国内和国际均用单靶输出作为光源，测量不同元素并达到一定的分析灵敏度需要不同的X光管进行分析。
现有技术使用侧靶作为激发源(如Mo靶)对重元素如Mo、Tc、Rh、Pd、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te等无法激发其K线系，而对其L线系激发效率又很低，而且又有从S到V的常量元素的干扰，使其探测灵敏度较低。使用端窗靶则利用轫致辐射连续射线其谱形中本底必然很大，探测灵敏度必然不高，例如现在国内一些厂家的仪器，使用很高的激发电压，相当长的测量时间，而效果并不理想。例如探测环境样品中重金属污染元素Cd、Sn、Sb，对粮食作物中污染元素，例如大米中Cd的测量，用常规小型台式X射线荧光仪在探测灵敏度上就很难测量。
技术实现要素：
本实用新型针对上述现有技术中存在的不足，提供一种二次靶结构的投射式X光管荧光仪。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：
一种二次靶结构的投射式X光管荧光仪，包括探测器和可发射X射线的、端部设有铍窗的X光管，在铍窗内侧设有一次靶、外侧设有样品台和两个以上的二次靶，所述二次靶采用Te靶，所述X射线经过二次靶激发后投射到样品台上；在样品台与一次靶的间隙处设有光栏。
在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。
进一步，所述铍窗的外侧设有两个分别为二次靶A和二次靶B的二次靶，所述二次靶A与一次靶平行设置，所述二次靶B和样品台与二次靶A围成三角形结构、且使得X射线透过二次靶A照射到二次靶B上并可以反射到样品托上；所述一次靶和二次靶的靶厚均≤50μm、至铍窗距离均≤5mm。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：利用轫致辐射和适当的二次靶材和结构设计；透射靶管加二次靶技术的激发系统，电流≤5Ma,电压≤50Kv，为提高X射线探测器灵敏度，大幅减小光管散射和轫致辐射对谱本底的贡献。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
在图中，1、X光管；2、X射线；3、一次靶；4、二次靶A；5、二次靶B；6、样品台；7、光栏；8、探测器；9、铍窗。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。
一种二次靶结构的投射式X光管荧光仪，包括探测器8和可发射X射线2的、端部设有铍窗9的X光管1，在铍窗9内侧设有一次靶3、外侧设有样品台6和两个以上的二次靶，所述二次靶采用Te靶，所述X射线2经过二次靶激发后投射到样品台6上；在样品台6与一次靶3的间隙处设有光栏7。
本实用新型在制作时，所述铍窗9的外侧设有两个分别为二次靶A4和二次靶B5的二次靶，所述二次靶A4与一次靶3平行设置，所述二次靶B5和样品台6与二次靶A4围成三角形结构、且使得X射线2透过二次靶A4照射到二次靶B5上并可以反射到样品台6上。
所述一次靶3和二次靶的靶厚≤50μm、离铍窗距离≤5mm。
本实用新型的根据探测需求配不同元素的二次靶，但并不限于双二次靶。
在常规X荧光分析中增大样品中元素特征峰与本底的比值对重元素测量即利用轫致辐射的激发，又利用光电截面与相干散射和非相干散射有一二个量级的差别提高探测灵敏度，又使初级轫致辐射不进入探测器系统形成本底干扰，有效提高探测灵敏度又比用晶体衍射单色化或多层膜单色化简单造价低廉。二次靶材更换方便。因此对测量K线系能量较高的元素有利，如Te、Sn、Sb、Cd、Ag、Rh、Pd等。
实施例针对大米中Cd元素的测量：
一次靶选用Ta，利用韧致辐射电子激发出X射线，并穿过铍窗射到二次靶。二次靶选用Te，其X射线非电子激发出二次靶的特征X射线，打到样品托上的样品大米上，从而激发出样品大米中的特征X射线，达到高灵敏度测量大米中Cd的目的。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。