1.一种基于硅硅键合的高精度压力传感器，它包括有敏感硅片层及衬底硅片层，其特征是：敏感硅片层结构如下：凹形敏感硅片层的上表面设置有隔离层，隔离层上表面设置有焊盘、金属引线、屏蔽层、衬底焊盘，隔离层下表面设置有N+隔离区、P+连结区和压敏电阻，屏蔽层与N+隔离区通过引线孔连通，焊盘与金属引线连结在一起，金属引线与P+连结区通过引线孔连通，P+连结区之间设置有压敏电阻，凹形敏感硅片层的底部设置有截面为倒凹字形的硅杯，该硅杯区域为压力膜片；敏感硅片层的硅杯杯口与衬底硅片层键合在一起，衬底硅片层的中心位置制备有导压通孔。
2.根据权利要求1所述的基于硅硅键合的高精度压力传感器，其特征在于：所述压敏电阻和P+连接区外侧隔离有一圈N+隔离区层。