1.磁凝胶填充微纳光纤传感头的环形衰荡磁场传感器，其特征在于：它包括DFB光源（1）、脉冲信号发生系统（2）、磁场感应系统（3）、信号处理系统（4）；
脉冲信号发生系统（2），所述的脉冲信号发生系统（2）内包含有偏振光控制器（2-1）、光强度调制器（2-2）、函数发生器（2-3），其中，偏振光控制器（2-1）一端连接DFB光源（1）另一端连接光强度调制器（2-2），光强度调制器（2-2）另两个端口分别与函数发生器（2-3）和一号耦合器（3-1）连接；
磁场感应系统（3），所述的磁场感应系统（3）内包含一号耦合器（3-1）、延迟光纤（3-2）、掺铒光纤放大器（3-3）、二号耦合器（3-4）、传感头（3-5），其中，一号耦合器（3-1）一侧的两端口分别连接光强度调制器（2-2）和传感头（3-5），另一侧与延迟光纤（3-2）相连，掺铒光纤放大器一侧与延迟光纤（3-2）相连，另一侧与二号耦合器（3-4）相连，二号耦合器的另一侧两端口分别连接传感头（3-5）和光电转换器（4-1）；
信号处理系统（4），所述的信号处理系统（4）内包含光电转换器（4-1）、示波器（4-2）、计算机（4-3）、其中，示波器（4-2）的一侧连接光电转换器（4-1），另一侧连接计算机（4-3）；
传感头（3-5），所述的传感头（3-5）内包含磁性凝胶（3-5-1）。
2.根据权利要求1所述的磁凝胶填充微纳光纤传感头的环形衰荡磁场传感器，其特征在于：所述的DFB光源（1）的输出波长为1550nm。
3.根据权利要求1所述的磁凝胶填充微纳光纤传感头的环形衰荡磁场传感器，其特征在于：所述的函数发生器（2-3）发出的函数信号为脉冲信号，且脉宽为1μs。
4.根据权利要求1所述的磁凝胶填充微纳光纤传感头的环形衰荡磁场传感器，其特征在于：所述的一号耦合器（3-1）的耦合比为50%：50%，二号耦合器（3-4）的耦合比为99.5%：0.5%，二号耦合器（3-4）的0.5%的端口与传感头（3-5）连接，且一号耦合器（3-1）和二号耦合器（3-4）的插入损耗均为3dB。
5.根据权利要求1所述的磁凝胶填充微纳光纤传感头的环形衰荡磁场传感器，其特征在于：所述的延迟光纤（3-2）长度为2km且为普通单模光纤。
6.根据权利要求1所述的磁凝胶填充微纳光纤传感头的环形衰荡磁场传感器，其特征在于：所述的传感头（3-5）外壳为磁性不敏感材料，可对其内部进行固定和保护，传感头（3-5）内的光纤是经氢氟酸腐蚀掉部分包层的单模光纤，腐蚀深度为40μm，且传感头（3-5）的方向与磁场方向垂直。
7.根据权利要求1所述的磁凝胶填充微纳光纤传感头的环形衰荡磁场传感器，其特征在于：所述的磁性凝胶（3-5-1）其基质为Fe3O4纳米颗粒，其颗粒直径为10nm，基液为聚硅氧烷和硅酸盐稳定剂，且基质能自由分散于基液中，且磁性凝胶（3-5-1）通过物理方法粘覆到腐蚀掉部分包层的单模光纤上。
8.根据权利要求1所述的磁凝胶填充微纳光纤传感头的环形衰荡磁场传感器，其特征在于：所述的所有器件的链接处均采用熔融连接的方法。