一种湿法硅片再生机台静电容传感器保护装置的制作方法

本实用新型涉及湿法硅片再生领域，其特别涉及一种湿法硅片再生机台静电容传感器保护装置。

背景技术：

用于湿法硅片再生的机台，其药液混合槽使用的是静电容传感器来控制混酸时的液位，液位传感器用半开放式固定块固定在槽体上。由于机台内部有酸气形成结晶导致液位传感器经常发生误报警，同时酸气对液位传感器腐蚀影响传感器使用寿命。

技术实现要素：

本实用新型提出一种湿法硅片再生机台静电容传感器保护装置，减少误侦测导致设备宕机，提升产量，并且延长传感器使用寿命，降低维修费用成本。

为了达到上述目的，本实用新型提出一种湿法硅片再生机台静电容传感器保护装置，包括：

封闭式固定块，其内部中空设置；

静电容传感器，设置于所述封闭式固定块内部。

进一步的，所述封闭式固定块两端通过盖板密封。

进一步的，所述封闭式固定块侧边连接有气体吹扫管路，将气体通入所述封闭式固定块内部。

进一步的，所述气体吹扫管路为氮气吹扫管路，将氮气通入所述封闭式固定块内部。

进一步的，所述氮气吹扫管路连接于距离机台最近的氮气管路。

进一步的，所述封闭式固定块设置于药液混合槽最低液面、最高液面和停止液面处。

本实用新型提出的湿法硅片再生机台静电容传感器保护装置，将靠螺丝连接的半开放式固定块做成全封闭式固定块，同时增加氮气吹扫管路，确保固定块内形成正压防止酸气进入，减少酸气的干扰和腐蚀。这样减少设备异常宕机，提升产量，并且延长传感器使用寿命，降低维修费用。本实用新型可以有效解决酸气结晶造成的传感器误侦测以及传感器因腐蚀造成的损坏，有效地降低了设备故障率，提高设备的使用寿命，节省了更换传感器的维修费用，同时在同类型的机台可以方便的进行展开应用。

附图说明

图1所示为本实用新型较佳实施例的湿法硅片再生机台静电容传感器保护装置结构示意图。

图2所示为本实用新型较佳实施例的静电容传感器在药液混合槽上的安装结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图给出本实用新型的具体实施方式，但本实用新型不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参考图1，图1所示为本实用新型较佳实施例的湿法硅片再生机台静电容传感器保护装置结构示意图。本实用新型提出一种湿法硅片再生机台静电容传感器保护装置，包括：封闭式固定块100，其内部中空设置；静电容传感器200，设置于所述封闭式固定块100内部。

根据本实用新型较佳实施例，所述封闭式固定块100两端通过盖板300密封。

所述封闭式固定块100侧边连接有气体吹扫管路400，将气体通入所述封闭式固定块100内部。

进一步的，所述气体吹扫管路400为氮气吹扫管路，将氮气通入所述封闭式固定块100内部。确保封闭式固定块100内形成正压防止酸气进入，防止酸气从缝隙渗入对静电容传感器200造成腐蚀。所述氮气吹扫管路400连接于距离机台最近的氮气管路，改造出一路用于接到封闭式固定块100。

请参考图2，图2所示为本实用新型较佳实施例的静电容传感器在药液混合槽上的安装结构示意图。所述封闭式固定块100设置于药液混合槽500的最低液面600、最高液面700和停止液面800处。

本实用新型提出的湿法硅片再生机台静电容传感器保护装置，将靠螺丝连接的半开放式固定块做成全封闭式固定块，同时增加氮气吹扫管路，确保固定块内形成正压防止酸气进入，减少酸气的干扰和腐蚀。这样减少设备异常宕机，提升产量，并且延长传感器使用寿命，降低维修费用。本实用新型可以有效解决酸气结晶造成的传感器误侦测以及传感器因腐蚀造成的损坏，有效地降低了设备故障率，提高设备的使用寿命，节省了更换传感器的维修费用，同时在同类型的机台可以方便的进行展开应用。

虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型。本实用新型所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。