一种单片集成的MEMS气体传感器的制作方法

文档序号:12548752阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于,包括含有读出电路的衬底,所述衬底上依次设有碳化硅层、二氧化硅薄膜、绝缘层,所述绝缘层上设有若干个均匀分布的加热电极,所述加热电极贯穿所述碳化硅层、二氧化硅薄膜、绝缘层的连接金属与所述衬底中的读出电路电连接,所述两相邻加热电极上依次设有热敏层、气体敏感层和气敏型金属氧化物薄膜,所述热敏层与所述加热电极电连接,所述气体敏感层上的气敏型金属氧化物薄膜材质不同或相同。

2.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于,所述衬底、碳化硅层、二氧化硅薄膜、绝缘层、加热电极、热敏层及气体敏感层之间分别通过粘结层相连接。

3.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于,所述衬底上蚀刻有隔热腔。

4.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于,所述碳化硅层、二氧化硅薄膜、绝缘层设有垂直的通孔,所述连接金属通过所述通孔与所述衬底上的读出电路连接。

5.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于,所述气体敏感层材料为二氧化锡或三氧化钨。

6.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于,所述热敏层为硅或锗掺杂的聚乙烯薄膜或掺杂Al的聚乙烯薄膜。

7.根据权利要求1所述的一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于,所述连接金属为Al、Cu或钨、TiN。

8.根据权利要求2所述的一种单片集成的MEMS气体传感器,其特征在于,所述粘结层为Cr金属薄膜或Ti/Cr合金薄膜。

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