技术特征：
技术总结
一种BMS的校准及测试方法，包括：内、外总压校准步骤：S11：将待测BMS产品处于第一预设内、外总压条件下，读取当前第一预设内、外总压条件下待测BMS产品的AD值VAD1和Real值VReal1；S12：将待测BMS产品处于第二预设内、外总压条件下，读取当前第二预设内、外总压条件下待测BMS产品的AD值VAD2和Real值VReal2；S13：计算电压增益值：Gainv＝|VReal2‑VReal1|*10000/|VAD2‑VAD1|；S14：计算电压偏置值：Offsetv＝((VReal2*10000‑VAD2*Gainv)+(VReal1*10000‑VAD1*Gainv))/2；S15：将电压增益值Gainv和电压偏置值Offsetv写入待测BMS产品的存储器。本次技术方案可以对待测BMS产品进行全范围的校准测试，提高待测BMS产品的安全性。
技术研发人员：郑庆芳
受保护的技术使用者：惠州市蓝微新源技术有限公司
技术研发日：2017.06.29
技术公布日：2018.02.13