光谱椭偏测量中厚度不均匀致退偏效应的修正方法及装置与流程

本发明实施例涉及椭偏测量
技术领域：
，尤其涉及一种光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模方法及装置。
背景技术：
：椭偏测量法是一种利用光的偏振特性进行纳米参数测量的方法，其测量过程简单，快速，可以有效表征薄膜材料的几何和光学参数，具有快速、准确和无损等优点，是柔性电子、平板显示、太阳能电池等产业不可或缺的技术手段。其基本原理是将一束已知偏振态的光束入射到待测样品表面，通过样品的反射或者透射前后的偏振态的改变(振幅比和相位差)来获取薄膜的光学常数和厚度。沿着薄膜衬底的不均匀区域是在实践中经常遇到的缺陷。例如，各种等离子体化学技术产生表现出这种缺陷的薄膜。加上工艺参数的可能变化，如输入功率，气体流量，工作压力，衬底温度稳定性等，以及其他基本效应，以及基板边缘和角落附近的电场色散都会导致薄膜在生长过程中厚度不均匀。对于透明和弱吸收的薄膜，从光学角度来看，这种不均匀区域是一个重要的缺陷。与薄膜非均匀性区域相关的主要影响在于光的相干性，即测量光学量的最大值和最小值之间的差异。如果基板上的照射点的尺寸很小，则减小了不均匀区域对测量的光学量的影响。然而，在实践中采用的商业光学装置中，照射点相对较大。另外，为了实现可接受的信噪比，减小光点尺寸可能需要增加探测器采集光强积分时间，这通常是不希望的。现有方法一般对楔形厚度不均匀性的特殊情况下进行分析，例如美国shakilpittal等人对硅基底上的生长的氧化锌(zno)利用楔形厚度分布模型分析。一般厚度较大的薄膜在生长过程中，厚度度不均匀是不可避免的。因此在复杂的厚度不均匀和工业大面积快速测量的情况下，使用上述特殊假设是不合理的。技术实现要素：本发明实施例提供一种光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模方法及装置，用以解决现有的椭偏分析方法对楔形厚度不均匀性的特殊情况下进行分析，在复杂的厚度不均匀和工业大面积快速测量的情况下，使用上述特殊假设不合理的问题。第一方面，本发明实施例提供一种光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模方法，包括：step1，利用穆勒光谱椭偏仪测量待测样品，获得待测样品的反射穆勒矩阵。step2，根据待测样品的反射穆勒矩阵，推导不同厚度待测样品反射的平均穆勒矩阵；step3，基于不同厚度待测样品反射的平均穆勒矩阵，建立多层薄膜堆栈厚度不均匀光学模型，获得厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵；step4，针对所述厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵进行高斯数值积分，获得厚度不均匀光学模型穆勒矩阵数值解。step5，基于所述厚度不均匀光学模型穆勒矩阵数值解，利用4×4传输矩阵方法正向建模，计算厚度不均匀光学模型每个节点琼斯矩阵，进而转化为样品正向建模平均穆勒矩阵；step6，利用非线性回归算法对分离散射退偏效应后的测量光谱与建模光谱进行匹配，提取待测样品的光学参数和几何参数。进一步，step1中，利用穆勒光谱椭偏仪测量待测样品，获得待测样品的反射穆勒矩阵，具体包括：通过双旋转穆勒矩阵椭偏仪测量所述待测样品，获得待测样品的反射穆勒矩阵，从而获得待测样品的退偏信息。进一步，step2中，所述根据待测样品的反射穆勒矩阵，推导不同厚度待测样品反射的平均穆勒矩阵，具体包括：假设穆勒光谱椭偏仪的入射光是完全偏振光，在椭圆光斑下的薄膜的纵向高度起伏特征尺寸差异明显，经样品反射出不同偏振态的光束，最后穆勒光谱椭偏仪的检偏端收集得到样品的平均穆勒矩阵为：式中，<r>为平均光强反射率；<ψ>为平均偏振比角；<δ>为平均相位差角。进一步，step3中，基于不同厚度待测样品反射的平均穆勒矩阵，建立多层薄膜堆栈厚度不均匀光学模型，具体包括：假设待测样品为m层薄膜堆栈结构，其每一层的厚度都有一个平均厚度和不均匀标准差σi(i＝1,2…m)；假设其分布密度函数为w(t)，则其厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵为：式中，s为椭圆光斑区域，m(t)为理想厚度堆栈t的穆勒矩阵；为第i层薄膜厚度ti关于第i层薄膜平均厚度分布标准差为σi的分布密度函数；σi％为第i层薄膜厚度分布标准差占第i层薄膜平均厚度的百分比；进一步，step4中，所述针对所述厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵进行高斯数值积分，得到的高斯型积分公式为：式中，s为椭圆光斑区域；n1为第一层薄膜的厚度的积分节点个数；n2为第二层薄膜的厚度的积分节点个数；nm为第m层薄膜的厚度的积分节点个数；当m层厚度选择相同的节点个数和分布形式时，n为简化后的积分节点个数；m(ti)为第i个节点对应厚度向量ti下的理想样品穆勒矩阵；wi为第i个节点的权重；为m层薄膜平均厚度向量；σ％为m层薄膜厚度分布的标准差百分比的向量。进一步，step5中，利用4×4传输矩阵方法正向建模，计算厚度不均匀光学模型每个节点琼斯矩阵，进而转化为样品正向建模平均穆勒矩阵，具体包括：式中，t为薄膜传输矩阵；m为薄膜堆栈的层数；jones为琼斯矩阵；p为平行入射面的偏振光振动方向，s为垂直入射面的偏振光振动方向；rpp为pp方向的菲涅尔反射系数；rps为ps方向的菲涅尔反射系数；rsp为sp方向的菲涅尔反射系数；rss为ss方向的菲涅尔反射系数；为环境层入射矩阵；tjp(-dj)为第j层薄膜部分传输矩阵；lt为基底初设矩阵；为克罗内克积；j*为琼斯矩阵j的复共轭矩阵，a-1为矩阵a的逆矩阵；m为样品正向建模平均穆勒矩阵；矩阵a为：第二方面，本发明实施例提供一种光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模装置，包括：测量模块，用于利用穆勒光谱椭偏仪测量待测样品，获得待测样品的反射穆勒矩阵。平均穆勒矩阵推导模块，用于根据待测样品的反射穆勒矩阵，推导不同厚度待测样品反射的平均穆勒矩阵；模型建立模块，用于基于不同厚度待测样品反射的平均穆勒矩阵，建立多层薄膜堆栈厚度不均匀光学模型，获得厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵；高斯数值积分模块，用于针对所述厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵进行高斯数值积分，获得厚度不均匀光学模型穆勒矩阵数值解。椭偏参数计算模块，用于基于所述厚度不均匀光学模型穆勒矩阵数值解，利用4×4传输矩阵方法正向建模，计算厚度不均匀光学模型每个节点琼斯矩阵，进而转化为样品正向建模平均穆勒矩阵；参数提取模块，用于利用非线性回归算法对分离散射退偏效应后的测量光谱与建模光谱进行匹配，提取待测样品的光学参数和几何参数。第三方面，本发明实施例提供一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如本发明第二方面实施例所述多源数据传输方法的步骤。第四方面，本发明实施例提供一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如本发明第一方面实施例所述多源数据传输方法的步骤。本发明实施例提供一种光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模方法及装置，传统的椭偏分析方法，是简单的楔形厚度分布假设，或者利用微光斑将厚度不均匀的退偏影响减小甚至不考虑其退偏效应，或者将样品表面机械抛光处理，引入新的表面层。在复杂的厚度不均匀和工业大面积快速测量的情况下，使用上述特殊假设是不合理的。本发明在传统椭偏分析方法的基础上，提出了每一层厚度不均匀建模的方法，充分考虑了薄膜厚度不均匀的退偏影响，从而更合理地提取薄膜的光学和几何参数。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明实施例提供的光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模方法的结构示意图；图2为本发明实施例提供的多层薄膜堆栈厚度不均匀光学模型图；图3为本发明实施例提供的高斯分布、矩形分布和三角形分布的节点权重图；图4为单层薄膜实例的退偏指数光谱图；图5为本发明实施例提供的光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模装置的结构框图；图6为本发明实施例提供的电子设备结构示意图。具体实施方式为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。传统的椭偏分析方法，是简单的楔形厚度分布假设，或者利用微光斑将厚度不均匀的退偏影响减小甚至不考虑其退偏效应，或者将样品表面机械抛光处理，引入新的表面层。在复杂的厚度不均匀和工业大面积快速测量的情况下，使用上述特殊假设是不合理的。因此，本发明实施例提供一种光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模方法，本发明在传统椭偏分析方法的基础上，提出了每一层厚度不均匀建模的方法，充分考虑了薄膜厚度不均匀的退偏影响，从而更合理地提取薄膜的光学和几何参数。以下将通过多个实施例进行展开说明和介绍。图1为本发明实施例提供的光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模方法的结构示意图，如图1所示，该方法包括：本发明实施例提供一种光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模方法，包括：step1，利用穆勒光谱椭偏仪测量待测样品，获得待测样品的反射穆勒矩阵。具体地，光谱型椭偏仪可以分为旋转器件型和相位调制型。其中只有双旋转穆勒矩阵椭偏仪可以一次测量得到所有的穆勒矩阵元素，从而获得样品的退偏信息。因此，本发明实施例选择双旋转穆勒矩阵椭偏仪测量待测样品，一次获得待测样品的全部穆勒矩阵元素，进而获得待测样品的退偏信息。其中，退偏指数di为：式(1)中，di为退偏指数，di＝0，表征完全非偏振穆勒矩阵，di＝1，表征完全偏振穆勒矩阵。step2，根据待测样品的反射穆勒矩阵，推导不同厚度样品反射的平均穆勒矩阵。本发明实施例中，样品即是指待测样品。本实施例中，出射光束的斯托克斯向量sout为：式(2)中，sin和sout分别为入射光束和出射光束的斯托克斯向量；msample为样品反射的平均穆勒矩阵；iin和iout分别为入射和出射光束总光强；qin和qout分别为入射和出射p光束和s光束光强差；uin和uout分别为入射和出射+45度线偏振光束和-45度线偏振光束光强差；vin和vout分别为入射和出射右旋圆偏振光束和左旋圆偏振光束光强差；m11、m21……m44分别表示样品穆勒矩阵16个元素。式(3)中，m为各向同性样品反射或者透射穆勒矩阵；ψ为振幅比角，δ为相位差角。假设穆勒光谱椭偏仪的入射光是完全偏振光，在椭圆光斑下的薄膜的纵向高度起伏特征尺寸差异明显，经样品反射出不同偏振态的光束，最后穆勒光谱椭偏仪的检偏端收集得到样品的平均穆勒矩阵为：式中，<r>为平均光强反射率；<ψ>为平均振幅比角；<δ>为平均相位差角。step3，基于不同厚度待测样品反射的平均穆勒矩阵，建立多层薄膜堆栈厚度不均匀光学模型，获得厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵。具体地，厚度不均匀是纳米薄膜生长过程中的常见的缺陷，是椭偏测量中常见的退偏源。图2是本发明实施例提供的多层薄膜堆栈厚度不均匀光学模型图，本实施例中，假设待测样品为多层薄膜堆栈结构，其每一层薄膜的厚度(d1～dm)都有一个平均厚度和不均匀标准差σi；假设其分布密度函数为w(t)，则其厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵为：式中，s为椭圆光斑区域，m(t)为理想厚度堆栈t的穆勒矩阵；为第i层薄膜厚度ti关于第i层薄膜平均厚度分布标准差为σi的分布密度函数；σi％为第i层薄膜厚度分布标准差占第i层薄膜平均厚度的百分比；图3为本发明实施例提供的高斯分布、矩形分布和三角形分布的节点权重图。一般常见的厚度不均匀分布形式有矩形、三角形、抛物线形和高斯型分布。本实施例中，对于随机分布的厚度而言，选择高斯型分布密度函数。为了方便确定厚度不均匀大小，将厚度不均匀的标准差归一化为平均厚度的百分比。step4，针对所述厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵进行高斯数值积分，获得厚度不均匀光学模型穆勒矩阵数值解。利用高精度的高斯数值积分，得到准确的厚度不均匀光学模型穆勒矩阵数值解；插值型数值积分采用的是n个等距节点，所以代数精度为n-1。高斯型积分取消了这个限制，代数精度为2n-1，所以选择高斯型积分公式。假设薄膜的的厚度均满足同一种厚度分布且为高斯分布，对应的正交多项式为hermit多项式，便可以得到不同的高斯积分节点和权重。式中，s为椭圆光斑区域；n1为第一层薄膜的厚度的积分节点个数；n2为第二层薄膜的厚度的积分节点个数；nm为第m层薄膜的厚度的积分节点个数；当m层厚度选择相同的节点个数和分布形式时，n为简化后的积分节点个数；m(ti)为第i个节点对应厚度向量ti下的理想样品穆勒矩阵；wi为第i个节点的权重；为m层薄膜平均厚度向量；σ％为m层薄膜厚度分布的标准差百分比的向量。step5，基于所述厚度不均匀光学模型穆勒矩阵数值解，利用4×4传输矩阵方法正向建模，计算厚度不均匀光学模型每个节点琼斯矩阵，进而转化为样品正向建模平均穆勒矩阵。本发明实施例不局限于各项同性的材料，各向异性材料建模方法同样适用，因此，本实施例选择4×4传输矩阵方法，一次得到琼斯矩阵4个元素。选择合理的厚度初值t0、分布标准差初值σ0和材料复折射率n＝n+ik(n为折射率，k为消光系数)代入4×4传输矩阵方法正向建模计算待测样品每个节点琼斯矩阵，然后转化成穆勒矩阵。式(12)中，t为薄膜传输矩阵；m为薄膜堆栈的层数；jones为琼斯矩阵；p为平行入射面的偏振光振动方向，s为垂直入射面的偏振光振动方向；rpp为pp方向的菲涅尔反射系数；rps为ps方向的菲涅尔反射系数；rsp为sp方向的菲涅尔反射系数；rss为ss方向的菲涅尔反射系数；li-1为环境层入射矩阵；tjp(-dj)为第j层薄膜部分传输矩阵；lt为基底初设矩阵；式(13)中，为克罗内克积；j*为琼斯矩阵j的复共轭矩阵，a-1为矩阵a的逆矩阵；m为样品正向建模平均穆勒矩阵；矩阵a为：step6，利用非线性回归算法对分离散射退偏效应后的测量光谱与建模光谱进行匹配，提取待测样品的光学参数和几何参数。其中，测量光谱是step1利用双旋转穆勒矩阵椭偏仪测量待测样品得到的，建模光谱是step3～step5中厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵。ψ和δ分别为样品p光和s光反射或透射菲涅尔系数的振幅比和相位差。式(17)中，m为拟合光谱个数，k为拟合参数的个数，ycorrect(λi,θ,φ)为单波长下固定入射角和方位角的实验修正数据，ycal(p,λi,θ,φ)为单波长下模型计算值。p为纳米结构薄膜待测参数组成的k维向量，ω为待测参数取值范围，为最终的待测参数提取值；δy表示椭偏测量数据的标准差。本发明的目的在于对表面粗糙且不均匀的光学薄膜退偏光学建模并分析，提取其光学和几何参数。通过合理的厚度分布函数的假设，利用数值积分对椭圆光斑上部分偏振光的累加，得到平均样品穆勒矩阵，再通过数值反演的方式对光学和几何参数迭代得到最优解。本发明通过穆勒矩阵椭偏仪测量待测样品，一次获得待测样品的全部穆勒矩阵元素，进而获得样品的退偏信息。厚度不均匀是纳米薄膜生长过程中的常见的缺陷，是椭偏测量中常见的退偏源。通过合理假设厚度不均匀的分布函数，充分考虑每层厚度的不均匀，选择合理的节点和权重累加得到样品正向建模平均穆勒矩阵。当样品每层厚度分布随机，均采用高斯分布的节点和权重，将多维计算简化成一维计算，大大提高计算效率。最后通过非线性回归算法拟合提取待测样品参数的光学常数和厚度值等信息。本发明可以实现光谱椭偏测量厚度不均匀退偏效应的修正，对各种光学薄膜器件，以及各种纳米制造过程中在线测量的快速数据分析，提取纳米材料光学和几何参数。在本发明的一个单层薄膜实例(si+sio2)中，本发明通过穆勒矩阵椭偏仪测量得到退偏光谱。接着，我们分别通过上述实施例中的方法，对理想模型和厚度不均匀模型建模拟合，得到了图4中退偏指数光谱图。考虑到厚度不均匀分布的随机性，采用图3中高斯分布的节点和权重。不考虑厚度不均匀的退偏影响，图像拟合的并不理想。考虑上述实施例中的厚度不均匀光学模型后，测量光谱和建模光谱匹配的很好。从而证明了本发明的合理性和实用性。表1拟合值idealthicknessnon-uniformitysio2-thickness/nm3156.662988.13a1.450551.5012b0.005133310.00529c0.000064320.000112913σt％02.5019χ2122.28629.86表1示出了单层薄膜实例(si+sio2)拟合结果，表1和图4中，ideal表示理想模型，thicknessnon-uniformity表示厚度不均匀光学模型；di表示退偏指数。表1中的a，b，c为cauchy模型的折射率的三个参数，σt为厚度不均匀分布的标准差。式(18)中，n为折射率；λ为波长。图5为本发明实施例提供的光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模装置的结构框图，参照图5，本发明实施例提供一种光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模装置，包括：测量模块501，用于利用穆勒光谱椭偏仪测量待测样品，获得待测样品的反射穆勒矩阵。平均穆勒矩阵推导模块502，用于根据待测样品的反射穆勒矩阵，推导不同厚度待测样品反射的平均穆勒矩阵；模型建立模块503，用于基于不同厚度待测样品反射的平均穆勒矩阵，建立多层薄膜堆栈厚度不均匀光学模型，获得厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵；高斯数值积分模块504，用于针对所述厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵进行高斯数值积分，获得厚度不均匀光学模型穆勒矩阵数值解。椭偏参数计算模块505，用于基于所述厚度不均匀光学模型穆勒矩阵数值解，利用4×4传输矩阵方法正向建模，计算厚度不均匀光学模型每个节点琼斯矩阵，进而转化为样品正向建模平均穆勒矩阵；参数提取模块506，用于利用非线性回归算法对分离散射退偏效应后的测量光谱与建模光谱进行匹配，提取待测样品的光学参数和几何参数。具体地，本发明实施例提供的光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模装置，具体用于执行上述方法实施例中的光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模方法的步骤，由于上述实施例中已对光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模方法进行详细介绍，此处不对光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模装置的功能模块进行赘述。图6示例了一种电子设备结构示意图，如图6所示，该服务器可以包括：处理器(processor)601、通信接口(communicationsinterface)602、存储器(memory)603和通信总线604，其中，处理器601，通信接口602，存储器603通过通信总线604完成相互间的通信。处理器601可以调用存储器603中的逻辑指令，以执行如下方法：利用穆勒光谱椭偏仪测量待测样品，获得待测样品的反射穆勒矩阵。根据待测样品的反射穆勒矩阵，推导不同厚度待测样品反射的平均穆勒矩阵。基于不同厚度待测样品反射的平均穆勒矩阵，建立多层薄膜堆栈厚度不均匀光学模型，获得厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵。针对所述厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵进行高斯数值积分，获得厚度不均匀光学模型穆勒矩阵数值解。基于所述厚度不均匀光学模型穆勒矩阵数值解，利用4×4传输矩阵方法正向建模，计算厚度不均匀光学模型每个节点琼斯矩阵，进而转化为样品正向建模平均穆勒矩阵。利用非线性回归算法对分离散射退偏效应后的测量光谱与建模光谱进行匹配，提取待测样品的光学参数和几何参数。本实施例还提供了一种非暂态计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该计算机程序被处理器执行时实现如上述各实施例中所述方法的步骤。例如包括：利用穆勒光谱椭偏仪测量待测样品，获得待测样品的反射穆勒矩阵。根据待测样品的反射穆勒矩阵，推导不同厚度待测样品反射的平均穆勒矩阵。基于不同厚度待测样品反射的平均穆勒矩阵，建立多层薄膜堆栈厚度不均匀光学模型，获得厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵。针对所述厚度不均匀光学模型对应的穆勒矩阵进行高斯数值积分，获得厚度不均匀光学模型穆勒矩阵数值解。基于所述厚度不均匀光学模型穆勒矩阵数值解，利用4×4传输矩阵方法正向建模，计算厚度不均匀光学模型每个节点琼斯矩阵，进而转化为样品正向建模平均穆勒矩阵。利用非线性回归算法对分离散射退偏效应后的测量光谱与建模光谱进行匹配，提取待测样品的光学参数和几何参数。综上所述，本发明实施例提供一种光谱椭偏测量厚度不均匀源退偏效应修正建模方法及装置，传统的椭偏分析方法，是简单的楔形厚度分布假设，或者利用微光斑将厚度不均匀的退偏影响减小甚至不考虑其退偏效应，或者将样品表面机械抛光处理，引入新的表面层。在复杂的厚度不均匀和工业大面积快速测量的情况下，使用上述特殊假设是不合理的。本发明在传统椭偏分析方法的基础上，提出了每一层厚度不均匀建模的方法，充分考虑了薄膜厚度不均匀的退偏影响，从而更合理地提取薄膜的光学和几何参数。以上所描述的方法实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如rom/ram、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。当前第1页12