一种石墨烯层间隔的银纳米粒子U型光纤LSPR传感器的制作方法

文档序号:18932204发布日期:2019-10-22 20:45阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种石墨烯层间隔的银纳米粒子U型光纤LSPR传感器,其特征是,包括U型光纤,所述U型光纤为一根形状为U形的光纤,所述U型光纤的中间部分为弯曲形状的弯曲段,其余部分为直线段,直线段包括直线段纤芯和直线段包层,直线段包层包覆直线段纤芯,弯曲段包括弯曲段纤芯,弯曲段的纤芯表面由内向外依次设置至少3层敏感膜,每层敏感膜由内向外依次为银纳米颗粒层和石墨烯层。

2.如权利要求1所述的传感器,其特征是,U型光纤为多模光纤或大芯径光纤,大芯径光纤的纤芯直径为0.3~1.0mm。

3.如权利要求1所述的传感器,其特征是,弯曲段的曲率半径为2~4mm。

4.如权利要求1所述的传感器,其特征是,弯曲段的纤芯表面由内向外依次设置敏感膜的层数为3~8层。

5.如权利要求4所述的传感器,其特征是,弯曲段的纤芯表面由内向外依次设置敏感膜的层数为4层。

6.如权利要求1所述的传感器,其特征是,银纳米颗粒层的厚度为5~30nm。

7.如权利要求6所述的传感器,其特征是,银纳米颗粒层的厚度为10nm。

8.如权利要求1所述的传感器,其特征是,石墨烯层的厚度为1~5nm。

9.如权利要求8所述的传感器,其特征是,石墨烯层的厚度为3nm。

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