所述阵列电极I每个电极5之间的空隙的宽度为2.5 μπι。
[0025]所述阵列电极I由铜、银或者金形成。
[0026]所述金属纳米颗粒的尺寸为lnm。
[0027]所述金属纳米颗粒是由先形成于碳纳米管管内的金属氧化物还原形成。所述还原反应是在氢气存在时500°C下或者在惰性气氛下700°C下与碳纳米管上碳进行的。
[0028]本发明实施例中，通过将铁金属纳米颗粒可控地形成在碳纳米管管内并制作成气体传感器，能够提高碳纳米管基气体传感器的灵敏度。
[0029]实施例二:
[0030]如图1所示，本发明提供了一种碳纳米管金属复合物气体传感器，其中所述碳纳米管金属复合物2气体传感器包括基板、碳纳米管金属复合物2、电极5、芯片3、电源及信号输出部4。所述电极5为阵列式电极；所述芯片3与阵列式电极相连，用于处理信号；所述信号输出部4连接至芯片3，用于输出芯片3中处理过的信号；所述电极5用于向芯片3输送电信号；所述碳纳米管金属复合物2覆盖与阵列电极I每个电极5之间的空隙中，使阵列电极I的每个电极5之间由所述碳纳米管金属复合物2连接，所述碳纳米管金属复合物2为碳纳米管与镍金属纳米颗粒的复合物，如图3所示，其中，所述镍金属纳米颗粒形成在碳纳米管管内。
[0031]所述碳纳米管金属复合物2的厚度为500nm。
[0032]所述阵列电极I每个电极5之间的空隙的宽度为5 μπι。
[0033]所述阵列电极I由铜、银或者金形成。
[0034]所述金属纳米颗粒的尺寸为5nm。
[0035]所述金属纳米颗粒是由先形成于碳纳米管管内的金属氧化物还原形成。所述还原反应是在氢气存在时700°C下或者在惰性气氛下800°C下与碳纳米管上碳进行的。
[0036]本发明实施例中，通过将镍金属纳米颗粒可控地形成在碳纳米管管内并制作成气体传感器，能够提高碳纳米管基气体传感器的灵敏度。
[0037]实施例三:
[0038]如图1所示，本发明提供了一种碳纳米管金属复合物气体传感器，其中所述碳纳米管金属复合物2气体传感器包括基板、碳纳米管金属复合物2、电极5、芯片3、电源及信号输出部4。所述电极5为阵列式电极；所述芯片3与阵列式电极相连，用于处理信号；所述信号输出部4连接至芯片3，用于输出芯片3中处理过的信号；所述电极5用于向芯片3输送电信号；所述碳纳米管金属复合物2覆盖与阵列电极I每个电极5之间的空隙中，使阵列电极I的每个电极5之间由所述碳纳米管金属复合物2连接，所述碳纳米管金属复合物2为碳纳米管与FeCo合金金属纳米颗粒的复合物，其中，所述FeCo合金金属纳米颗粒形成在碳纳米管管内。
[0039]所述碳纳米管金属复合物2的厚度为2.5 μ m。
[0040]所述阵列电极I每个电极5之间的空隙的宽度为10 μπι。
[0041]所述阵列电极I由铜、银或者金形成。
[0042]所述金属纳米颗粒的尺寸为10nm。
[0043]所述金属纳米颗粒是由先形成于碳纳米管管内的金属氧化物还原形成。所述还原反应是在氢气存在时900°C下或者在惰性气氛下900°C下与碳纳米管上碳进行的。
[0044]本发明实施例中，通过将FeCo合金金属纳米颗粒可控地形成在碳纳米管管内并制作成气体传感器，能够提高碳纳米管基气体传感器的灵敏度。
[0045]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种碳纳米管金属复合物气体传感器，包括基板、碳纳米管金属复合物(2)、电极(5)、芯片(3)、电源及信号输出部(4)，其特征在于， 所述电极(5)为阵列式电极(5); 所述芯片(3)与阵列式电极(5)相连，用于处理信号； 所述信号输出部(4)连接至芯片(3)，用于输出芯片(3)中处理过的信号； 所述电极(5)用于向芯片(3)输送电信号； 所述碳纳米管金属复合物⑵覆盖与阵列电极⑴每个电极(5)之间的空隙中，使阵列电极(I)的每个电极(5)之间由所述碳纳米管金属复合物(2)连接，所述碳纳米管金属复合物(2)为碳纳米管与金属纳米颗粒的复合物，其中所述金属纳米颗粒形成在碳纳米管管内。
2.如权利要求1所述的碳纳米管金属复合物气体传感器，其特征在于所述碳纳米管金属复合物(2)的厚度为50nm?2.5 μπι。
3.如权利要求1所述的碳纳米管金属复合物气体传感器，其特征在于所述阵列电极(I)每个电极(5)之间的空隙的宽度为2.5ym?lOym。
4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的碳纳米管金属复合物气体传感器，其特征在于所述阵列电极(I)由铜、银或者金形成。
5.如权利要求1所述的碳纳米管金属复合物气体传感器，其特征在于所述金属纳米颗粒的尺寸为I?10nm。
6.如权利要求5所述的碳纳米管金属复合物气体传感器，其特征在于所述金属纳米颗粒是由先形成于碳纳米管管内的金属氧化物还原形成。
7.如权利要求6所述的碳纳米管金属复合物气体传感器，其特征在于所述还原反应是在氢气存在时500?900°C下进行的。
8.如权利要求6所述的碳纳米管金属复合物气体传感器，其特征在于所述还原反应是在惰性气氛下700?900°C下与碳纳米管上碳进行反应的。
9.如权利要求6至8中任一权利要求所述的碳纳米管金属复合物气体传感器，其特征在于所述金属为铁、钴、镍、锰、铌、钼中的一种或上述多种金属组成的合金。
【专利摘要】本发明公开了一种碳纳米管金属复合物气体传感器，其中所述碳纳米管金属复合物气体传感器包括基板、碳纳米管金属复合物、电极、芯片、电源及信号输出部，所述电极为阵列式电极；所述芯片与阵列式电极相连，用于处理信号；所述信号输出部连接至芯片，用于输出芯片中处理过的信号；所述电极用于向芯片输送电信号；所述碳纳米管金属复合物覆盖与阵列电极每个电极之间的空隙中，使阵列电极的每个电极之间由所述碳纳米管金属复合物连接，所述碳纳米管金属复合物为碳纳米管与金属纳米颗粒的复合物，其中所述金属纳米颗粒形成在碳纳米管管内。通过将金属纳米颗粒可控地形成在碳纳米管管内并制作成气体传感器，能够提高碳纳米管基气体传感器的灵敏度。
【IPC分类】G01N27-407
【公开号】CN104792847
【申请号】CN201510144720
【发明人】许坚, 骆艺, 蒋红光
【申请人】广西智通节能环保科技有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2015年3月31日