温度传感器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及一种适合测定复印机或打印机等的加热漉的温度的温度传感器。
【背景技术】
[0002] 通常，复印机或打印机中所使用的加热漉中，为了测定其温度，温度传感器设置成 接触状态。作为该种温度传感器，例如专利文献1及2中提出一种温度传感器，其具有：一 对引线框架；热敏元件，配设在该些引线框架之间并连接；保持部，形成在一对引线框架的 端部；及薄膜片，设置在引线框架及热敏元件的单面并与加热漉接触。
[0003] 该种温度传感器利用引线框架的弹力与加热漉的表面接触，由此进行温度检测。
[0004] 另外，上述专利文献1中，采用球状热敏电阻或巧片热敏电阻作为热敏元件，而专 利文献2中，采用在氧化侣等绝缘基板的一面形成热敏膜的薄膜热敏电阻作为热敏元件。 该薄膜热敏电阻由形成在绝缘基板的一面上的热敏膜、连接该热敏膜与一对引线框架的一 对引线部、及覆盖热敏膜的保护膜构成。
[0005] 专利文献1 ;日本专利公开平6-29793号公报
[0006] 专利文献2 ;日本专利公开2000-74752号公报
[0007] 专利文献3 ;日本专利公开2004-319737号公报 [000引上述现有技术中留有W下课题。
[0009] 目P，专利文献1所记载的技术中，虽然使用球状热敏电阻等作为热敏元件，但在该 种情况下，由于其为约1mm左右的球状或楠圆状，因此与加热漉进行点接触，很难进行准确 的温度检测。并且，热敏元件具有较大的体积，因此存在响应性差的不良情况。而且，由于 进行点接触，因此还可能会损伤旋转的漉表面。
[0010] 并且，专利文献2所记载的技术中，由于使用薄膜热敏电阻作为热敏元件，因此能 够与加热漉进行面接触，但是若包括构成薄膜热敏电阻的绝缘基板和引线部，则还是具有 体积，因此存在响应性差的问题。
【发明内容】
[0011] 本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种与加热漉等接触来检测温 度时，高精度且响应性优异的同时不容易扭曲的温度传感器。
[0012] 本发明为了解决上述课题，采用W下结构。目P，第1发明所设及的温度传感器具 备：一对引线框架；传感器部，与所述一对引线框架连接；及绝缘性的保持部，固定在所述 一对引线框架上并保持所述引线框架，所述传感器部具备；带状的绝缘性薄膜；薄膜热敏 电阻部，在所述绝缘性薄膜的表面W热敏电阻材料形成图案；一对梳状电极，在所述薄膜热 敏电阻部的上方及下方的至少一方具有多个梳齿部并相互对置地形成图案；及一对图案电 极，一端与所述一对梳状电极连接，并且另一端与所述一对引线框架连接，并在所述绝缘性 薄膜的表面形成图案，所述引线框架具有：沿着所述绝缘性薄膜延伸的主引线部；W及由 所述主引线部的基端侧往所述绝缘性薄膜的基端部延伸而接合于所述基端部的基端侧接 合部，只有所述一对引线框架中的一方具有由所述主引线部的前端侧往所述绝缘性薄膜的 前端部延伸而接合于所述前端部的前端侧接合部。
[0013] 该温度传感器中，只有一对引线框架中的一方具有基端侧接合部、W及由主引线 部的前端侧往绝缘性薄膜的前端部延伸而接合于所述前端部的前端侧接合部，因此通过一 根引线框架使绝缘性薄膜的两端部固定，与W两根引线框架固定两端部的情况相比，可W 抑制扭曲。另外，一对引线框架的另一方，仅基端侧接合部接合于绝缘性薄膜的基端部，但 是未接合于前端部。
[0014] 并且，通过直接形成于绝缘性薄膜的薄膜热敏电阻部，使整体的厚度变薄，可W通 过小的体积而得到优异的响应性。并且，一对引线框架与一对图案电极连接，因此薄膜热敏 电阻部和引线框架通过直接形成在绝缘性薄膜上的图案电极进行连接，由此，通过形成图 案的薄的配线，相比W引线等进行连接的情况，可抑制其与引线框架侧的热传导性的影响。 另外，接触部分对测定对象物的平坦性高，进行面接触，因此可W进行准确的温度检测并且 不容易损伤旋转的加热漉等的测定对象物的表面。
[001引根据第1发明的第2发明所设及的温度传感器，其中，所述基端侧接合部收容于所 述保持部内。
[0016] 目P，在该温度传感器中，基端侧接合部收容于保持部内，因此可将基端侧接合部保 持于保持部内而得到高的接合性，可提高可靠性。
[0017] 根据第1或第2发明的第3发明所设及的温度传感器，其中，具备W覆盖所述一对 引线框架的状态粘结于所述绝缘性薄膜的表面和背面的绝缘性的一对保护片。
[0018] 目P，在该温度传感器中，一对保护片W覆盖一对引线框架的状态粘结于绝缘性薄 膜的表面和背面，因此能够W保护片稳定地保持一对引线框架并且可W提高绝缘性薄膜的 刚性。
[0019] 根据第1至第3发明中的任一发明的第4发明所设及的温度传感器，其中，所述薄 膜热敏电阻部配设于所述绝缘性薄膜的前端附近，所述图案电极延伸至所述绝缘性薄膜的 基端附近，所述一对引线框架的基端侧接合部在所述绝缘性薄膜的基端附近与所述图案电 极连接。
[0020] 目P，在该温度传感器中，一对引线框架的基端侧接合部在绝缘性薄膜的基端附近 与图案电极连接，因此通过长的图案电极抑制往引线框架的热传导，可W提高响应性。
[0021] 根据第1至第4发明中的任一发明的第5发明所设及的温度传感器，其中，所述薄 膜热敏电阻部是由通式；TixAlyNz(；0. 70《y/"(x+y)《0. 95,0. 4《Z《0. 5，x+y+z= 1)所 表示的金属氮化物构成，其结晶结构为六方晶系的纤锋矿型的单相。
[0022] 通常，温度传感器等中所使用的热敏电阻材料为了高精度、高灵敏度而要求较高 的B常数。W往，作为该种热敏电阻材料一般有Mn、Co、化等过渡金属氧化物。并且，该些 热敏电阻材料为了得到稳定的热敏电阻特性，需要进行60(TCW上的烧成。
[0023] 并且，除了上述由金属氧化物构成的热敏电阻材料W外，例如专利文献3中提出 由通式：M,AyNz(其中，M表示Ta、Nb、化、Ti及化的至少一种，A表示A1、Si及B的至少一 种。0. 1《X《0. 8,0 <y《0. 6,0. 1《Z《0. 8,x+y+z= 1)所表示的氮化物构成的热 敏电阻用材料。并且，该专利文献3中，作为实施例，只记载有在化-A1-N系材料中设为 0. 5《X《0. 8,0. 1《y《0. 5,0. 2《Z《0. 7,x+y+z= 1的材料。在该h-Al-N系材料 中，将包含上述元素的材料用作祀材，在含氮气气氛中进行瓣射来制作。并且，根据需要，在 350~600°C下对得到的薄膜进行热处理。
[0024] 近年来，正研究开发一种在树脂薄膜上形成热敏电阻材料的薄膜型热敏电阻传感 器，期望开发一种能够在薄膜上直接成膜的热敏电阻材料。目P，通过使用薄膜，期待得到可 提性热敏电阻传感器。而且，期望开发具有0. 1mm左右厚度的非常薄的热敏电阻传感器，但 W往常常使用利用氧化侣等陶瓷材料的基板材料，若厚度变薄到例如0. 1mm，则存在非常脆 且容易损坏等问题，但期待通过使用薄膜而得到非常薄的热敏电阻传感器。
[0025] W往，形成由TiAlN构成的氮化物系热敏电阻的温度传感器中，在薄膜上层压形 成由TiAlN构成的热敏电阻材料层和电极的情况下，在热敏电阻材料层上成膜Au等电极 层，图案形成为具有多个梳齿部的梳齿型。但是，该热敏电阻材料层在曲率半径较大且缓慢 地弯曲的情况下，不易产生裂纹且电阻值等电特性不变，但在曲率半径较小且急剧地弯曲 的情况下，容易产生裂纹，电阻值等大幅变化，电特性的可靠性降低。尤其，使薄膜在与梳齿 部的延伸方向正交的方向上W较小的曲率半径急剧地弯曲的情况下，与在梳齿部的延伸方 向上弯曲的情况相比，因梳状电极与热敏电阻材料层的应力差，容易在电极边缘附近产生 裂纹，存在电特性的可靠性降低的不良情况。
[0026] 并且，由树脂材料构成的薄膜通常耐热温度较低为150°CW下，即使是作为耐热温 度比较高的材料所熟知的聚酷亚胺也只具有300°C左右的耐热性，因此在热敏电阻材料的 形成工序中施加热处理的情况下很难适用。上述W往的氧化物热敏电阻材料中，为了实现 所需热敏电阻特性，需要进行600°CW上的烧成，存在无法实现在薄膜上直接成膜的薄膜 型热敏电阻传感器的问题。因此，期望开发一种能够在非烧成条件下直接成膜的热敏电阻 材料，但即使是上述专利文献3所记载的热敏电阻材料，为了得到所需热敏电阻特性