验中无法鉴定。并且，该些比较例的XRD的峰值宽度非常宽，因此为结晶性非常 差的材料。可认为该是由于因电特性接近金属行为，因此成为氮化不足的金属相。
[0135][表U
[0136]
[0137] 接着，本发明的实施例全部为纤锋矿型相的膜，且取向性较强，因此在与Si基板S 上垂直的方向（膜厚方向）的结晶轴中，利用XRD调查a轴取向性较强还是C轴取向性较 强。此时，为了调查结晶轴的取向性，测定（100)(表示a轴取向的密勒指数）与（002)(表 示C轴取向的密勒指数）的峰值强度比。
[0138] 其结果，瓣射气压小于0. 67化时成膜的实施例中，与（100)相比（002)的强度非 常强，为C轴取向性比a轴取向性强的膜。另一方面，瓣射气压为0. 67化W上时成膜的实 施例中，与（002)相比（100)的强度非常强，为a轴取向比C轴取向强的材料。
[0139] 另外，确认到即使在相同的成膜条件下成膜在聚酷亚胺薄膜上，也同样地形成有 纤锋矿型相的单相。并且，确认到即使在相同的成膜条件下成膜在聚酷亚胺薄膜上，取向性 也不变。
[0140] 将C轴取向较强的实施例的XRD分布的一例示于图13。该实施例为Al/(Ti+Al) =0. 84 (纤锋矿型，六方晶），将入射角设为1度来进行测定。从该结果可知，该实施例中， 与（100)相比（002)的强度非常强。
[0141] 并且，将a轴取向较强的实施例的XRD分布的一例示于图14。该实施例为A1/ (Ti+Al) =0.83 (纤锋矿型，六方晶），将入射角设为1度来进行测定。从该结果可知，该实 施例中，与（002)相比（100)的强度非常强。
[0142] 而且，针对该实施例，将入射角设为0度，实施对称反射测定。另外，确认到图表 中（*)为来自装置的峰值，并非样品主体的峰值或者杂质相的峰值（另外，在对称反射测定 中，由该峰值会消失也可知其为来自装置的峰值）。
[0143] 另外，将比较例的X畑分布的一例示于图15。该比较例为Al/(Ti+Al) =0.6(化C1 型，立方晶），将入射角设为1度来进行测定。未检测出可W作为纤锋矿型（空间群 P63mc(No. 186))标定指数的峰值，确认为化C1型单相。
[0144] 接着，关于作为纤锋矿型材料的本发明的实施例，进一步详细比较结晶结构与电 特性之间的相互关系。
[0145] 如表2及图16所示，相对于Al/(Ti+AU比大致相同比率的材料，有垂直于基板面 的方向的取向度较强的结晶轴为C轴的材料（实施例5、7、8、9)和作为a轴的材料（实施 例 19、20、21)。
[0146] 比较该两者，可知若Al/(Ti+Al)比相同，则C轴取向较强的材料与a轴取向较强 的材料相比，其B常数大出100K左右。并且，可知若着眼于N量（N/(Ti+Al+N))，则C轴取向 较强的材料与a轴取向较强的材料相比，其氮量稍大。从理想的化学计量比；N/(Ti+Al+N) =0. 5可知，C轴取向较强的材料为氮缺陷量较少且为理想的材料。
[0147][表引
[0148]
[0149] <结晶形态的评价>
[0150] 接着，作为表示薄膜热敏电阻部7的截面中的结晶形态的一例，将在带热氧化膜 的Si基板S上成膜的实施例（Al/(Ti+Al) =0.84,纤锋矿型，六方晶，C轴取向性较强）的 薄膜热敏电阻部7的截面沈M照片示于图17。并且，将另一实施例（Al/(Ti+Al) =0.83， 纤锋矿型六方晶，a轴取向性较强）的薄膜热敏电阻部7中的截面SEM照片示于图18。
[0151] 该些实施例的样品使用将Si基板S解理断裂的样品。并且，是W45°角度倾斜观 察的照片。
[0152] 从该些照片可知，任意实施例均由高密度柱状结晶形成。目P，在C轴取向较强的实 施例及a轴取向较强的实施例中，皆观测到柱状结晶沿垂直于基板面的方向生长的样子。 另外，柱状结晶的断裂是在对Si基板S进行解理断裂时产生的。
[0153] <膜的耐热试验评价>
[0154] 在表1所示的实施例及比较例中，对大气中，125。100化的耐热试验前后的电阻 值及B常数进行评价。其结果示于表3。另外，作为比较，同样地也对基于W往的化-A1-N 系材料的比较例进行评价。
[0巧5] 从该些结果可知，虽然A1浓度及氮浓度不同，但与作为化-Al-N系的比较例w相 同的B常数进行比较时，W耐热试验前后的电特性变化观察时的耐热性为Ti-Al-N系更优 异。另外，实施例5、8是C轴取向较强的材料，实施例21、24是a轴取向较强的材料。若比 较两者，C轴取向较强的实施例与a轴取向较强的实施例相比耐热性稍微提高。
[0156] 另外，化-A1-N系材料中，化的离子半径与Ti或A1相比非常大，因此无法在高 浓度A1区域中制作纤锋矿型相。认为由于TaAlN系不是纤锋矿型相，因此纤锋矿型相的 Ti-Al-N系的耐热性良好。
[0157][表引 [0巧引
[0159]另外，本发明的技术范围并不限于上述实施方式及实施例，在不脱离本发明的宗 旨的范围内可加W各种变更。
[0160] 例如，在上述实施方式中，将梳齿部形成图案于薄膜热敏电阻部的上方，但也可W 在薄膜热敏电阻部的下方（绝缘性薄膜的上面）形成图案。
[0161] 符号说明
[01创 1-温度传感器，2A、2B-引线框架，2a-主引线部，2b-基端侦赔合部，2c-前端侧接 合部，3-传感器部，4-保持部，6-绝缘性薄膜，7-薄膜热敏电阻部，8-梳状电极，8a-梳齿 部，9-图案电极，10-保护膜，11-保护片。
【主权项】
1. 一种温度传感器，其特征在于， 具备：一对引线框架；传感器部，与所述一对引线框架连接；及绝缘性的保持部，固定 在所述一对引线框架上并保持所述引线框架， 所述传感器部具备：带状的绝缘性薄膜；薄膜热敏电阻部，在所述绝缘性薄膜的表面 以热敏电阻材料形成图案；一对梳状电极，在所述薄膜热敏电阻部的上方及下方的至少一 方具有多个梳齿部且相互对置地形成图案；及一对图案电极，一端与所述一对梳状电极连 接，并且另一端与所述一对引线框架连接并在所述绝缘性薄膜的表面形成图案， 所述引线框架具有：主引线部，沿着所述绝缘性薄膜延伸；以及基端侧接合部，由所述 主引线部的基端侧往所述绝缘性薄膜的基端部延伸而接合于所述基端部， 只有所述一对引线框架中的一方具有由所述主引线部的前端侧往所述绝缘性薄膜的 前端部延伸而接合于所述前端部的前端侧接合部。2. 根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于， 所述基端侧接合部收容于所述保持部内。3. 根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于， 具备以覆盖所述一对引线框架的状态粘结于所述绝缘性薄膜的表面和背面的绝缘性 的一对保护片。4. 根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于， 所述薄膜热敏电阻部配设于所述绝缘性薄膜的前端附近， 所述图案电极延伸至所述绝缘性薄膜的基端附近， 所述一对引线框架的所述基端侧接合部在所述绝缘性薄膜的基端附近与所述图案电 极连接。5. 根据权利要求1所述的温度传感器，其特征在于， 所述薄膜热敏电阻部是由通式：TixAlyNz所表示的金属氮化物构成，其结晶结构为六方 晶系的纤锌矿型的单相，其中，〇? 70彡y/(x+y)彡0? 95,0. 4彡z彡0? 5, x+y+z = 1。
【专利摘要】本发明提供一种温度传感器，其具备：一对引线框架；传感器部，与引线框架连接；及绝缘性的保持部，固定在引线框架上并保持引线框架，传感器部具备：绝缘性薄膜；薄膜热敏电阻部，形成于绝缘性薄膜的表面；一对梳状电极，在薄膜热敏电阻部的上方具有多个梳齿部而形成；及一对图案电极，一端与一对梳状电极连接，并且另一端与一对引线框架连接且形成于绝缘性薄膜的表面，引线框架具有主引线部以及基端侧接合部，只有一对引线框架中的一方具有前端侧接合部。
【IPC分类】G01K7/22, H01C7/04
【公开号】CN104969046
【申请号】CN201480006490
【发明人】长友宪昭, 越村正己, 白田敬治
【申请人】三菱综合材料株式会社
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2014年2月13日
【公告号】WO2014148186A1