传感器芯片及其制造方法、封装方法、及传感器芯体的制作方法_3

文档序号:8940911阅读:来源:国知局
]如图7所示,可以通过六点点胶法将传感器芯片与基座粘结。本实施例中,施加的凝胶可以包括六点,六点凝胶成2X3阵列分布。
[0083]如图8和图9所示,可以通过条状点胶法将传感器芯片与基座粘结。在这两个实施例中,施加的凝胶均为条状凝胶,可以包括一条凝胶(如图8所示)或两条凝胶(如图9所示),条状凝胶可以位于传感器芯片的绝缘层的边缘处对应的基座上。
[0084]本领域技术人员明白,上述四点、五点、六点或条状点胶法均是示例性的,可以采用其他形式的点胶法将传感器芯片与基座粘结,只要减小二者之间的粘结面积,即可减小在传感器芯片中引入的应力。
[0085]与传感器芯片和传感器芯体对应的,本发明还提供了一种传感器芯片的制造方法和一种传感器芯片的封装方法,下面将分别进行说明。
[0086]图10是根据本发明的一个实施例的传感器芯片的制造方法的示意图。如图10所示,包括:
[0087]步骤1002,提供包括衬底的初始传感器芯片。
[0088]其中,衬底优选为硅衬底;更优选为单晶硅衬底。初始传感器芯片除了包括衬底,还包括衬底上的上部结构。
[0089]步骤1004,在衬底的底面键合绝缘层,以形成传感器芯片。
[0090]优选地,通过阳极键合工艺在衬底的底面键合绝缘层。绝缘层优选为玻璃层。阳极键合工艺可以参照上面的描述,在此不再赘述。
[0091]根据本发明的另一个实施例,绝缘层与衬底键合的表面具有应力消除结构。应力消除结构例如可以是环形、方形、十字形、X形的凹陷。
[0092]根据上述方法所形成的传感器芯片包括但不限于压力传感器芯片、温度传感器芯片、湿度传感器芯片、陀螺仪传感器芯片或麦克风传感器芯片。
[0093]图11是根据本发明的一个实施例的传感器芯片的封装方法的示意图。如图11所示,包括:
[0094]步骤1102,提供上述任意一个实施例所述的传感器芯片。
[0095]提供传感器芯片的方法可以是上述任意一个实施例所述的传感器芯片的制造方法。
[0096]步骤1104,将传感器芯片粘结在基座上。
[0097]优选地,通过在基座上点涂凝胶,S卩,通过点胶法在基座放置传感器芯片的区域上施加凝胶,以将传感器芯片粘结在基座上。具体施加凝胶的方式可以参照图5-图9的描述。
[0098]根据本发明的另一个实施例,在执行步骤1104之前,可以对基座进行清洗。
[0099]根据本发明的又一个实施例,传感器芯片为MEMS压力传感器芯片,传感器芯片的封装方法还可以包括:将金丝引线通过金丝球焊工艺与MEMS压力传感器芯片和引线相连,引出压力传感器的电极;将波纹片焊接在基座上;真空填充硅油,最后,封注油孔。
[0100]本说明书中各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处,各个实施例之间相同或相似的部分相互参见即可。
[0101]本领域普通技术人员可以理解:实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成,前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中,该程序在执行时,执行包括上述方法实施例的步骤;而前述的存储介质包括:R0M、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0102]本发明的描述是为了示例和描述起见而给出的,而并不是无遗漏的或者将本发明限于所公开的形式。很多修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显然的。选择和描述实施例是为了更好说明本发明的原理和实际应用,并且使本领域的普通技术人员能够理解本发明从而设计适于特定用途的带有各种修改的各种实施例。
【主权项】
1.一种传感器芯片,其特征在于,所述传感器芯片的衬底的底面键合有绝缘层。2.根据权利要求1所述的传感器芯片,其特征在于,所述绝缘层是通过阳极键合工艺与所述衬底键合在一起的。3.根据权利要求1所述的传感器芯片,其特征在于,所述绝缘层与所述衬底键合的表面具有应力消除结构。4.根据权利要求3所述的传感器芯片,其特征在于,所述应力消除结构为环形、方形、十字形、或X形的凹陷。5.根据权利要求1所述的传感器芯片,其特征在于, 所述衬底为??圭衬底;或 所述绝缘层为玻璃层。6.根据权利要求1-5任意一项所述的传感器芯片,其特征在于,所述传感器芯片为MEMS压力传感器芯片; 所述MEMS压力传感器芯片包括: 所述衬底,所述衬底的顶部具有空腔; 在所述衬底上的敏感膜; 在所述敏感膜中的敏感元件; 在所述敏感膜和所述敏感元件上的钝化层。7.根据权利要求6所述的传感器芯片,其特征在于,所述压力传感器芯片还包括:与所述敏感元件连接的金属引线。8.根据权利要求1-5任意一项所述的传感器芯片,其特征在于,所述传感器芯片为温度传感器芯片、湿度传感器芯片、陀螺仪传感器芯片或麦克风传感器芯片。9.一种传感器芯片,其特征在于,所述传感器芯片的衬底的底面具有绝缘层,所述绝缘层与衬底接触的表面具有应力消除结构。10.根据权利要求9所述的传感器芯片,其特征在于,所述应力消除结构为环形、方形、十字形、或X形的凹陷。11.一种传感器芯片的制造方法,其特征在于,包括: 提供包括衬底的初始传感器芯片; 在所述衬底的底面键合绝缘层,以形成传感器芯片。12.根据权利要求11所述的制造方法,其特征在于,通过阳极键合工艺在所述衬底的底面键合绝缘层。13.根据权利要求11所述的制造方法,其特征在于,所述绝缘层与所述衬底键合的表面具有应力消除结构。14.根据权利要求13所述的制造方法,其特征在于,所述应力消除结构为环形、方形、十字形、X形的凹陷。15.根据权利要求13所述的制造方法,其特征在于, 所述衬底为??圭衬底;或 所述绝缘层为玻璃层。16.根据权利要求11-15任意一项所述的制造方法,其特征在于,所述传感器芯片为MEMS压力传感器芯片; 所述MEMS压力传感器芯片包括: 所述衬底,所述衬底的顶部具有空腔; 在所述衬底上的敏感膜; 在所述敏感膜中的敏感元件; 在所述敏感膜和所述敏感元件上的钝化层。17.根据权利要求16所述的传感器芯片,其特征在于,所述MEMS压力传感器芯片还包括:与所述敏感元件连接的金属引线。18.根据权利要求11-15任意一项所述的制造方法,其特征在于,所述传感器芯片为温度传感器芯片、湿度传感器芯片、陀螺仪传感器芯片或麦克风传感器芯片。19.一种传感器芯体,其特征在于,包括: 基座; 传感器芯片,粘结在所述基座上; 其中,所述传感器芯片是权利要求1_8、9或10中任意一项所述的传感器芯片。20.根据权利要求19所述的传感器芯体,其特征在于,所述传感器芯片通过点涂在所述基座上的凝胶粘结在所述基座上。21.根据权利要求20所述的传感器芯体,其特征在于, 所述凝胶包括四点,四点凝胶成2X2阵列分布;或 所述凝胶包括五点,其中的四点凝胶成2 X 2阵列分布,另一点凝胶位于2 X 2的阵列的中心处;或 所述凝胶包括六点,六点凝胶成2X3阵列分布;或 所述凝胶为条状凝胶,包括一条或两条凝胶,位于传感器芯片的绝缘层的边缘处对应的基座上。22.—种传感器芯片的封装方法,其特征在于,包括: 提供权利要求1_8、9或10中任意一项所述的传感器芯片; 将所述传感器芯片粘结在基座上。23.根据权利要求22所述的封装方法,其特征在于,通过在所述基座上点涂凝胶,以将所述传感器芯片粘结在基座上。24.根据权利要求23所述的封装方法,其特征在于, 所述凝胶包括四点,四点凝胶成2X2阵列分布;或 所述凝胶包括五点,其中的四点凝胶成2 X 2阵列分布,另一点凝胶位于2 X 2的阵列的中心处;或 所述凝胶包括六点,六点凝胶成2X3阵列分布;或 所述凝胶为条状凝胶,包括一条或两条凝胶,位于传感器芯片的底面的边缘处对应的基座上。
【专利摘要】本发明公开了一种传感器芯片及其制造方法、封装方法、及传感器芯体,涉及传感器技术领域。其中,所述传感器芯片的衬底的底面键合有绝缘层。本发明的传感器芯片由于在衬底的底面键合有一层绝缘层,因此,可以解决传感器芯片漏电的问题,另外,在将传感器芯片封装为传感器芯体时,无需额外增加陶瓷基板,可以直接将传感器芯片粘结在基座上,节省了粘结陶瓷基板的步骤,降低了封装难度,提高了传感器芯片封装的一致性和可靠性,并且降低了封装应力。
【IPC分类】G01D3/036, G01D11/00
【公开号】CN105157735
【申请号】CN201510512722
【发明人】殷宗平
【申请人】龙微科技无锡有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月20日
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