；
[0063] S633测试前的检查结果全部满足测试条件后，把装有VM0S管的防静电包装盒(袋） 放置在防静电工作区内；
[0064] S634打开离子风机，使整个测试过程在离子风状态下进行，以耗散静电荷；
[0065] S635在离子风状态下，戴好防静电腕带和防静电手套(指套）；
[0066] S636打开含有VM0S管的防静电包装盒(袋），用防静电镊子钳将VM0S管取出，使焊 接面朝上，置于防静电工作台上；
[0067] S637将MF500型指针式万用表调至欧姆档(RX1K档位），并调零；
[0068] S638测试阻抗参数前，将MF500型指针式万用表的红表笔和黑表笔短接一次，测量 栅极与漏极间阻值r?(g+，d-)的值，先将红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至栅极进行 测量，记录r?的值，r?测量完毕，先将黑表笔从栅极移开，再将红表笔从漏极移开；
[0069] S639将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量漏极与栅极间阻值Rdg(D+，G_)的值，先 将黑表笔连接至漏极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录Rdg的值，Rdg测量完毕，先将 红表笔从栅极移开，再将黑表笔从漏极移开；
[0070] S6310将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量Rgs(G+，S-)的值，先将万用表红表笔 连接至源极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录RCS的阻值，RCS测量完毕，先将黑表笔 从栅极移开，再将红表笔从源极移开；
[0071] S6311将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量源极与栅极间阻值Rsg(S+，G_)的值， 先将黑表笔连接至源极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录Rsc的值，Rsc测量完毕，先 将红表笔从栅极移开，再将黑表笔从源极移开；
[0072] S6312将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量漏极与源极间阻值Rds(D+，S-)的值， 先将红表笔连接至源极，然后将黑表笔连接至漏极进行测量，记录Rds的值；
[0073] S6313将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量源极与漏极间阻值Rsd(S+，D_)的值， 先将红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至源极进行测量，记录Rsd的值；
[0074] S6314用防静电镊子钳将该VM0S管按原状态放入原防静电包装盒(袋)中；
[0075] S6315是否所有需要测试的VM0S管测量完毕，如果是则测试结束，否则重复步骤 S636，测试下一个VM0S管的阻抗特性参数，重复步骤S638~S6313;
[0076] S6316阻抗特性测试结束，封装好装VM0S管的防静电包装盒(袋），并将其放入仓库 或干燥柜中存储；
[0077] S64印制板上VM0S管测试步骤：
[0078] S641测试人员穿戴防静电工作衣、防静电工作鞋、防静电工作帽，触摸静电释放棒 直到指示灯变绿时，静电释放完毕；
[0079] S642按照测试要求完成测试前相关检查，并记录；
[0080] S643测试前的检查结果全部满足测试条件后，把包装在防静电袋中含VM0S管的印 制板放置在防静电工作区内；
[0081 ] S644打开离子风机，使整个测试过程在离子风状态下进行，以耗散静电荷;S645在 离子风状态下，戴好防静电腕带和防静电手套(指套）；
[0082] S646从防静电袋中取出含VM0S管的单机模块，使VM0S管正面朝上，置于防静电工 作台，并均匀用力小心取下相应的短路保护插头；
[0083] S647将MF500型指针式万用表调至欧姆档(RX1K档位），即档位量程开关1调至Ω 档，档位量程开关2调至R X 1K档，并调零；
[0084] S648测试阻抗参数前，将红表笔与黑表笔短接一次，测量Rgd(G+，D-)的值，先将万 用表红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录r?的阻值，r?测量完毕， 先将黑表笔从栅极移开，再将红表笔从漏极移开；
[0085] S649将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量Rdg(D+，G_)的值，先将万用表黑表笔连 接至漏极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录R DG的阻值，RDG测量完毕，先将红表笔从 栅极移开，再将黑表笔从漏极移开；
[0086] S6410将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量Rgs(G+，S-)的值，先将万用表红表笔 连接至源极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录Res的阻值，Res测量完毕，先将黑表笔 从栅极移开，再将红表笔从源极移开；
[0087] S6411将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量RSG( S+，G_)的值，先将万用表黑表笔 连接至S端，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录RSC的阻值，R SC测量完毕，先将红表笔 从栅极移开，再将黑表笔从源极移开；
[0088] S6412将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量Rds(D+，S-)的值，先将万用表红表笔 连接至源极，然后将黑表笔连接至漏极进行测量，记录RDS的阻值；
[0089] S6413将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量RSD( S+，D_)的值，先将万用表红表笔 连接至漏极，然后将黑表笔连接至源极进行测量，记录Rsd的阻值；
[0090] S6414是否所有需要测试的VM0S管测量完毕，如果是则测试结束，否则测试该印制 板上，下一个需要测试的VM0S管，重复步骤S648~S6413;
[0091] S6415阻抗特性测试结束，在印制板上插上测试前拆下的所有短路保护插头，并将 印制板放入防静电包装袋中，然后再放入仓库或干燥柜中存储；
[0092]宇航级VM0S管测试检验要求包括：
[0093] S71测试数据记录完整，裸片测试时满足下表要求：
[0094] 表1:N型沟道VM0S管各指标正常值范围
[0095]
[0096] 表2:P型沟道VM0S管各指标正常值范围
[0097]
[0098] S72印制板上VM0S管测试时，根据外部电路的不同，需要满足实际的阻值要求；
[0099] 宇航级VM0S管测试记录和数据格式包括：
[0100] S81测试环境检查记录；
[0101] S82测试仪器状态检查记录；
[0102] S83防静电手腕和接地安全性检查记录；
[0103] S84 VM0S测试阻抗数据记录(具体见下表）；
[0104] 表3测试条件和数据格式记录表
[0105]
[0106]
[0107]以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述 特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影 响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相 互组合。
【主权项】
1. 一种宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试设备采用MF500型指针 式万用表，具体地，用调至RX1K档位的MF500型指针式万用表欧姆档，测量VM0S管的源极和 漏极之间、栅极和源极之间、栅极和漏极之间的电阻值;MF500型指针式万用表采用内部 1.5V电池供电，该电池电压值低于VM0S管的阈值电压VGS(th)。2. 根据权利要求1所述的宇航级VM0S管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试条件 包括： -整个测试在防静电工作区内进行； -整个测试在离子风状态下进行； -VM0S的阻抗特性参数的测量必须在环境温度20 ± 5°C、环境湿度30-75 %的条件 下进行； -防静电腕带接地系统电阻的大小取1ΜΩ~10ΜΩ; -防静电工作区接地电阻小于4Ω。3. 根据权利要求1所述的宇航级VM0S管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试人员 要求包括： -测试前，测试人员穿戴防静电工作衣、防静电工作鞋、防静电工作帽，并戴好防静电腕 带和防静电手套； -测试人员在进入防静电工作区测试前将人体静电释放，触摸静电释放棒直到静电释 放完毕。4. 根据权利要求1所述的宇航级VM0S管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试技术 要求包括： -用MF500型指针式万用表的表笔将VM0S管的源极S、漏极D、栅极G这三个电极同时短 路，使栅极的电荷释放； -每次测量完毕，将栅极与源极间短路，以释放极间电荷。5. 根据权利要求1所述的宇航级VM0S管功能性完好的测试方法，其特征在于，测试方法 为采用MF500型指针式万用表测量VM0S管的源极和漏极之间、栅极和源极之间、栅极和漏极 之间的电阻值，若这些电阻值与要求值相符，则认为VM0S管功能完好，否则，则认为VM0S管 功能不完好。6. 根据权利要求5所述的宇航级VM0S管功能性完好的测试方法，其特征在于，所述测试 方法，包括如下步骤： 测试阻抗参数前，将MF500型指针式万用表的红表笔和黑表笔短接一次，测量栅极与漏 极间阻值Rgd的值，先将红表笔连接至漏极，然后将黑表笔连接至栅极进行测量，记录Rgd的 值，Rgd测量完毕，先将黑表笔从栅极移开，再将红表笔从漏极移开； 将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量漏极与栅极间阻值Rdc的值，先将黑表笔连接至 漏极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录Rdg的值，Rdg测量完毕，先将红表笔从栅极移 开，再将黑表笔从漏极移开； 将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量Res的值，先将万用表红表笔连接至源极，然后将 黑表笔连接至栅极进行测量，记录Res的阻值，Res测量完毕，先将黑表笔从栅极移开，再将红 表笔从源极移开； 将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量源极与栅极间阻值RSC的值，先将黑表笔连接至 源极，然后将红表笔连接至栅极进行测量，记录Rsc的值，Rsc测量完毕，先将红表笔从栅极移 开，再将黑表笔从源极移开； 将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量漏极与源极间阻值RDS的值，先将红表笔连接至 源极，然后将黑表笔连接至漏极进行测量，记录RDS的值； 将红表笔与黑表笔短接一次，继续测量源极与漏极间阻值RSD的值，先将红表笔连接至 漏极，然后将黑表笔连接至源极进行测量，记录RSD的值。7.根据权利要求6所述的宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，其特征在于，裸片测试 时，N型沟道VMOS管需满足1^)、1^、1^、1^、1^5阻抗00，1^)几千欧至十几千欧;裸片测试时，？ 型沟道￥]\03管需满足1?〇)、1^)(；、1^、1^(；、1^)阻抗 00，1^)5几千欧至十几千欧。
【专利摘要】本发明提供了一种宇航级VMOS管功能性完好的测试方法，采用MF500型指针式万用表，具体地，用调至R×1K档位的MF500型指针式万用表欧姆档，测量VMOS管的源极和漏极之间、栅极和源极之间、栅极和漏极之间的电阻值；MF500型指针式万用表采用内部1.5V电池供电，该电池电压值低于VMOS管的阈值电压VGS(th)。本发明可对宇航级VMOS管的极间阻抗进行测试并给出功能性好坏的结论。
【IPC分类】G01R27/02, G01R31/26
【公开号】CN105467290
【申请号】CN201510819911
【发明人】谢永权, 柳金生
【申请人】上海卫星装备研究所
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年11月23日