合性能之外，隔层70可设计成同时满足热、机械、大小和光学性能的需求。
[0021]隔层70可具有从大约0.05微米到大约50微米的范围中的厚度。在一个实施例中，隔层70的厚度在从0.1微米到大约10微米的范围中。隔层70中独立层的厚度可部分地取决于独立层的功能和包括独立层的材料，且平衡来优化独立层的性能，同时最大化隔层70的粘合和柔性。
[0022]隔层70对于光谱的可见部分中的光基本透明，使得从闪烁体层20产生的基本所有可见光到达光电二极管层30且套准。在一个实施例中，隔层70具有至少大约85%的透射率，以及1000次循环之后小于大约5%的Taber雾值。
[0023]具有或没有平面化层72的隔层70设置成保护光电二极管层30免受水分和氧含量，且因此从顶部和在侧部上保护光电二极管层。在一个实施例中，隔层70进一步设置成至少部分在TFT阵列32或基底40上，使得隔层70与TFT阵列32或基底40之间的密封保护光电二极管层30。除一些情况中的如下文详细所述的平面化层72之外，本文使用的隔层70与TFT阵列32或基底40之间的密封不涉及任何其它密封材料。
[0024]因此，在一个实施例中，如图2中所示，平面化层72由隔层完全覆盖，且隔层70连同平面化层72与TFT阵列32和基底40的密封来与基底40直接地密封。
[0025]在一个实施例中，如图3中所示，平面化层72与TFT阵列32和基底40密封，而隔层70不会接触基底40。
[0026]在备选布置中，如图4中所示，平面化层72与TFT阵列32密封，且隔层70与TFT阵列32和基底40密封，而平面化层不接触基底40。
[0027]在另一个备选布置中，如图5中所示，平面化层72和隔层70两者与TFT阵列32密封，而不接触基底40。
[0028]在一个实施例中，涉及外部电荷测量电路，以提供和测量恢复电容的所需电荷。为了接通该电路，在一个实施例中，第一电极80设置在TFT阵列32与光电二极管层30之间，且第二电极82设置在光电二极管层30与隔层70之间，如图6中所示。第一电极80与第二电极82中的一个可为阳极，且另一个为阴极。在一个实施例中，第一电极80为阳极，且第二电极82为阴极。阳极80和阴极82可包括金属氧化物层。在一个实施例中，阴极82包括氧化铟锡层。
[0029]设置在光电二极管层30与隔层70(或平面化层72)之间的阴极层82还可用作用于水分和氧的隔层，以保护如图6，7，8，9或10中绘出的不同实施例中所示的光电二极管层30。在图6中，阴极层82向光电二极管层30提供顶部保护，同时隔层70向光电二极管层30的边缘部分提供保护免受水分和氧。在图7中，阴极层82保护光电二极管层30的边缘部分和顶部部分，而隔层70保护光电二极管层30的另一个边缘部分。在图8中，阴极层82保护光电二极管层30的顶部部分和边缘部分。在图9中，阴极层82保护光电二极管层30的顶部部分和边缘部分，且进一步电联接到隔层70上。图10为图9的备选实施例中，其中阴极层82保护光电二极管层30的顶部部分和边缘部分，且进一步，隔层70覆盖平面化层72和阴极层82。尽管图6-10绘出了阴极层82和隔层70在一起的一些构想的使用，但本领域的技术人员将理解的是，取决于不同层的形状、尺寸和相对位置，可存在阴极层82和隔层70的许多组合来保护光电二极管层30。
[0030]如对于图2-6中所示的隔层70构想出的那样，阴极层82还可设置在TFT阵列32或基底40上。在一个实施例中，阴极层82设置在TFT阵列32和基底40(未示出)上。在有机X射线检测器的设计的变型中，如图1中所示，可存在闪烁体层20与隔层70之间的粘合层74。此外，可存在设置在闪烁体层上的粘合隔层76。
[0031]本书面描述使用了实例来公开本发明，包括最佳模式，且还使本领域的任何技术人员能够实践本发明，包括制作和使用任何装置或系统，以及执行任何并入的方法。本发明的专利范围由权利要求限定，且可包括本领域的技术人员想到的其它实例。如果此类其它实施例具有并非不同于权利要求的书面语言的结构元件，或如果它们包括与权利要求的书面语言无实质差别的等同结构元件，则此类其它实例意图在权利要求的范围内。
【主权项】
1.一种有机X射线检测器，包括: 设置在基底上的TFT阵列； 设置在所述TFT阵列上的有机光电二极管层； 设置在所述光电二极管层上的隔层；以及 设置在所述隔层上的闪烁体层，其中 所述隔层包括至少一种无机材料。2.根据权利要求1所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述隔层进一步设置在所述TFT阵列或柔性基底上。3.根据权利要求1所述的有机X射线检测器，其特征在于，还包括设置在所述TFT阵列与所述光电二极管层之间的第一电极，以及设置在所述光电二极管层与所述隔层之间的第二电极。4.根据权利要求3所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述第二电极进一步设置在所述TFT阵列或所述柔性基底上。5.根据权利要求1所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述无机材料包括氧化铟锡、氧化硅、氮化硅和氧化铝中的至少一者。6.根据权利要求1所述的有机X射线检测器，其特征在于，还包括夹在所述隔层与所述光电二极管层之间的平面化层。7.根据权利要求6所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述平面化层包括丙烯酸材料。8.根据权利要求6所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述平面化层由所述隔层覆至ΠΠ ο9.根据权利要求1所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述隔层包括至少一种有机材料。10.根据权利要求9所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述有机材料包括聚对二甲苯、硅氧烷、二甲苯、烯烃、苯乙烯、有机硅烷、有机硅氮烷和有机硅酮中的至少一者。11.根据权利要求9所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述隔层包括至少一组交错的有机材料层和无机材料层。12.根据权利要求9所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述隔层包括分级的有机层和无机层。13.根据权利要求1所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述隔层对于可见光基本透明。14.根据权利要求1所述的有机X射线检测器，其特征在于，还包括闪烁体层与所述隔层之间的粘合层。15.根据权利要求1所述的有机X射线检测器，其特征在于，还包括设置在所述闪烁体层上的附加隔层。16.根据权利要求1所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述基底为柔性的。17.一种有机X射线检测器，包括: 设置在基底上的TFT阵列； 设置在所述TFT阵列上的第一电极； 设置在所述第一电极上的有机光电二极管层； 设置在光电二极管层上的第二电极； 设置在所述第二电极上的平面化层； 设置在所述平面化层上的隔层； 设置在所述隔层上的粘合层； 设置在所述粘合层上的闪烁体层；以及 设置在所述闪烁体层上的附加隔层，其中 所述隔层和所述附加隔层包括至少一种无机材料。18.根据权利要求17所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述第二电极进一步设置在所述TFT阵列或柔性基底上。19.根据权利要求18所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述第二电极设置在所述TFT阵列和所述柔性基底上。20.根据权利要求19所述的有机X射线检测器，其特征在于，所述隔层电联接至所述第二电极。21.—种制作有机X射线检测器的方法，包括以下步骤: 将TFT阵列设置在基底上； 将有机光电二极管层设置在所述TFT阵列上； 将平面化层设置在光电二极管层上； 将隔层设置在所述平面化层上；以及 将闪烁体层设置在所述隔层上，其中 所述隔层包括至少一种无机材料。22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，所述平面化层通过溶液沉积方法来沉积。23.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，还包括第一电极在所述TFT阵列与所述光电二极管层之间以及第二电极在所述光电二极管层与所述平面化层之间的沉积。24.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，还包括电联接所述第二电极和所述隔层。
【专利摘要】公开了一种有机x射线检测器和制作有机x射线检测器的方法。x射线检测器包括设置在基底上的TFT阵列、设置在TFT阵列上的有机光电二极管层、设置在光电二极管层上的隔层，以及设置在隔层上的闪烁体层，使得隔层包括至少一种无机材料。
【IPC分类】H01L27/30, G01T1/20
【公开号】CN105723245
【申请号】CN201480063747
【发明人】K.H.安, A.J.库图尔, G.帕萨萨拉蒂, 赵日安, J.J.刘
【申请人】通用电气公司
【公开日】2016年6月29日
【申请日】2014年9月8日
【公告号】US20150144889, WO2015076907A1