一种用于射频电路的低功耗LDO电路的制造方法与工艺

技术特征：
1.一种用于射频电路的低功耗LDO电路，包括误差放大器Gm，第一PMOS管Mp，第一电阻Rf1，第二电阻Rf2，第一电容CL，所述第一PMOS管Mp的栅极连接至所述误差放大器Gm的输出端，所述第一PMOS管Mp的源极连接电源Vdd，所述第一PMOS管Mp的漏极通过依次串联连接的所述第一电阻Rf1和所述第二电阻Rf2接地，所述第一PMOS管Mp的漏极还通过所述第一电容CL接地；所述误差放大器Gm的电源端连接至所述电源Vdd，所述误差放大器Gm的反相输入端连接参考电压Vref，所述误差放大器Gm的正相输入端连接至所述第一电阻Rf1和所述第二电阻Rf2的串联连接端；其特征在于，所述低功耗LDO电路还包括：一端连接所述电源Vdd，另一端与所述误差放大器Gm的输出端和所述第一PMOS管Mp的栅极均连接的补偿单元，以及连接在所述误差放大器Gm的输出端与所述第一PMOS管Mp的漏极之间的前馈通路；所述前馈通路用于建立一条高频的高带宽低增益通路，用以拓宽环路带宽以改善电路在高频区间的响应，同时补偿电路原有的复杂零极点分布；所述补偿单元用于在电路内部建立一个等效ESR，以规避传统外部ESR所造成的高频响应衰减；该ESR用以产生额外的零极点对以改善环路的...