1.一种LED驱动芯片，用于驱动LED负载工作，包括：
PWM控制模块，用于输出PWM信号；
内部基准电压模块，用于根据芯片外部输入的控制信号生成基准电压；
镜像电流源模块，与所述PWM控制模块和所述内部基准电压模块连接，用于根据所述PWM信号以及所述基准电压输出镜像电流信号；
驱动模块，与所述镜像电流源模块连接，用于根据所述镜像电流信号驱动LED负载工作，
其中，还包括控制电阻，连接在所述基准电压和接地端之间，并且与所述镜像电流源模块连接，用于调节所述镜像电流源模块输出的所述镜像电流信号。
2.根据权利要求1所述的LED驱动芯片，其中，所述镜像电流源模块包括第一至第三场效应晶体管、第一比较器以及电源电压，
所述第一比较器的正相输入端与所述PWM控制模块连接，用于接收所述PWM信号，反相输入端与所述内部基准电压模块连接，用于接收所述基准电压；
所述第一场效应晶体管的栅极与第一比较器的输出端连接，源极与所述控制电阻连接，漏极与所述第二场效应晶体管的漏极连接；
所述第二场效应晶体管的源极与电源电压连接，漏极与所述第一场效应晶体管的漏极相连；
所述第三场效应晶体管的源极与所述电源电压连接，漏极与所述驱动模块连接，用于输出所述镜像电流信号；
其中，所述第二场效应晶体管和所述第三场效应晶体管的栅极均连接至所述第一场效应晶体管的漏极。
3.根据权利要求2所述的LED驱动芯片，其中，所述第一场效应晶体管为NMOS晶体管，当所述PWM信号的电压大于所述基准电压时，所述第一场效应晶体管处于导通状态。
4.根据权利要求3所述的LED驱动芯片，其中，所述第二场效应晶体管和所述第三场效应晶体管为PMOS晶体管，当所述第一场效应晶体管的漏极处的电压小于所述电源电压时，所述第二场效应晶体管和所述第三场效应晶体管处于导通状态。
5.根据权利要求3所述的LED驱动芯片，其中，所述第二场效应晶体管和所述第三场效应晶体管为NMOS晶体管，当所述第一场效应晶体管的漏极处的电压大于所述电源电压时，所述第二场效应晶体管和所述第三场效应晶体管处于导通状态。
6.根据权利要求2所述的LED驱动芯片，其中，所述驱动模块包括多个驱动单元以及调节电阻，每个驱动单元包括第二比较器、第四场效应晶体管以及反馈电阻，
其中，所述调节电阻连接在所述镜像电流源模块的输出端和接地端之间；
所述第二比较器的正相输入端与所述镜像电流源模块的输出端连接，反向输入端通过所述反馈电阻与接地端相连；
所述第四场效应晶体管的栅极与所述第二比较器的输出端连接，源极通过所述反馈电阻与接地端相连，漏极作为所述驱动模块的输出端。
7.根据权利要求6所述的LED驱动芯片，其中，所述第四场效应晶体管为NMOS晶体管。
8.一种显示装置，包括如权利要求1-7中任一项所述的LED驱动芯片和至少一路负载电路，
其中，所述LED驱动芯片向所述负载电路提供电压以使所述负载电路工作。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述LED驱动芯片的驱动模块的输出端与LED负载连接。