带有大接触板的无线射频识别集成电路的制作方法
【专利摘要】带有大接触板的无线射频识别集成电路,一种具有一个再钝化层和一个导电再分配层的RFID集成电路组合，其可以通过一个附加层装配在一个基底上。所述附加层包括一种或多种蚀刻剂以在所述组合和所述基底之间的一个非导电屏障层上产生一个缺口，同时还可能包括一种粘合剂以将所述组合附着在所述基底上。
【专利说明】带有大接触板的无线射频识别集成电路
【技术领域】
[0001]本发明涉及无线射频识别(RFID)系统，特别涉及一种带有大接触板的无线射频识别集成电路。
【背景技术】
[0002]无线射频识别(RFID)系统通常包括RFID阅读器和RFID标签，RFID阅读器也被称为RFID读/写器或者RFID询问器。RFID系统可以被用于库存，定位，识别，鉴定，配置，启动/禁用，及附着或嵌入有该标签的物品的监控设备。RFID系统可能被应用于零售行业的物品库存和追踪；应用于消费者和工业-电子行业的物品配置和监控；应用于安防系统以防止物品的丢失和被盗；应用于防伪应用以保证物品的可靠性；以及其他种种的应用。
[0003]RFID系统通过由一个RFID阅读器使用一个无线射频(RF)波询问一个或多个标签进行操作。该RF波通常为电磁波，至少在远端场。该RF波在近端场依然可以被显著的电化或磁化。该RF波可以编译一个或者多个指令指导标签做出一个或者多个动作。
[0004]一个标签在感应到解调RF信号时会回应一个响应RF信号(一个响应)。该RF信号可能是由标签产生的，或者也可能是在一个被称为反向散射的过程中由标签反射部分解调RF信号形成的。反向散射可能以多种方式发生。该阅读器接收，解调，及解译响应。该被解译的响应可能包括存于标签内的数据，比如编号，价格，日期，时间，目的地，加密信息，电子签名，其他属性，属性的任意组合，或者其他配套的数据。该被解译的响应可能还包括标签的解译状态信息，标签所附着的物品，或者标签所嵌入的物品比如标签状态信息，物品状态信息，配置数据，或者其他的状态信息。
[0005]RFID标签通常包括一个天线和一个RFID集成电路(1C)，该集成电路包括一个无线电部分，一个电源管理部分，并且通常包括一个逻辑部分或一个存储器，或者两者兼具。在一些RFID集成电路中，该逻辑部分包括加密算法，该加密算法可能依赖于存储在标签存储器内的一个或者多个密码或者密钥。早期的RFID集成电路中的电源管理部分通常使用一个能量存储设备比如电池。带有一个能量存储设备的RFID标签被称为电池辅助标签，半主动标签，或者主动标签。半导体技术的发展促进了集成电路电子的微型化，从而仅仅靠接收到的RF信号就能为一个RFID标签提供动力。这种RFID标签不包括一个长时间能量存储设备且被称为被动标签。当然，即使被动标签也通常包括临时能量存储设备和数据/标记存储设备比如电容器或电感器。
【发明内容】
[0006]本
【发明内容】
被提供以以简化形式介绍经选择的概念，其在下面的具体说明部分被进一步描述。本
【发明内容】
并不倾向于确定所要求保护的发明点的关键技术特征或必要技术特征，也不倾向于帮助确定所要求保护的发明点的保护范围。
[0007]一些实施例是针对RFID标签组件的。具有一个再钝化层和一个导电层的RFID集成电路组件可被组装在一个带有附加层的标签结构上。该附加层可能包括一种或者多种蚀刻剂或反应物以穿过该组件和该标签结构之间的一个绝缘屏障层形成一个电连接，和可能还包括一种粘合剂以将所述组件附着在所述的结构上。其他的实施例可能是针对一个集成电路上的模式化和/或非重叠接触区域，使用液体或者其他作用力的集成电路自组合，和/或集成电路检测。
[0008]通过阅读下述具体说明和浏览相关附图，这些以及其他的技术特征和优点将显而易见。可以理解的是，前述整体的概述及接下来的详细描述仅仅用于解释，并不构成对所请求保护范围的限制。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]下述的详细说明部分配合相应的附图进行说明，其中:
[0010]图1为一个RFID系统各部件的框图。
[0011]图2为展示一个被动RFID标签，如可被用于图1所示系统的被动RFID标签的各部件的示意图。
[0012]图3为一个组合型RFID标签的示意图。
[0013]图4阐明了根据实施例的不同集成电路接触垫的结构。
[0014]图5阐明了一个电容性嵌入连接结构示例。
[0015]图6阐明了一个触电式嵌入连接结构示例。
[0016]图7阐明了一个根据实施例的经过热粘合步骤后的电容性嵌入连接结构的截面部分。
[0017]图8阐明了一个根据实施例的带有聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)覆盖层的电容性嵌入连接结构的截面部分，其中该覆盖层用于增加强度。
[0018]图9阐明了一个根据实施例的类似于图2中采用组装方法的集成RFID标签的示意图。
[0019]图1OA和图1OB阐明了根据实施例的具有集成电路的标签前体，其中该集成电路电容性连接于位于标签基底上的天线终端。
[0020]图11描绘了根据实施例的在一个集成电路上的再钝化层。
[0021]图12描绘了根据实施例的模式化接触区域。
[0022]图13描绘了根据实施例的非重叠或补偿接触。
[0023]图14阐明了根据实施例的一个标签装配方法。
[0024]图15A和图15B阐明根据实施例的集成电路的晶片级探头检测。
【具体实施方式】
[0025]在下述的详细说明中，引用根据附图被做出，其中该附图构成本文一部分，且引用通过描述实施例或示例的方式被显示。实施例这些方面或许被组合在一起，其它方面可能被利用，和在不违背本揭露的发明精神和范围的前提下，可能做出结构上的变化。因此，下述的详细说明不应被当做是限制，本发明的范围由所附的权利要求及其等同来界定。
[0026]图1是一个典型RFID系统100的部件示意图，结合实施例。一个RFID阅读器110传输一个询问射频信号112。在RFID阅读器110附近的RFID标签120感应到询问射频信号112并生成相应的信号126作为应答。RFID阅读器110感应并解译信号126。信号112和信号116可能包括射频波和/或非传播射频信号(比如近场反应信号)。
[0027]阅读器110和标签120通过信号112和126通讯。当互相通讯时，一方分别编译，调制并传输数据给另一方，另一方同时接收，解调并解译来自于另一方的数据。这些数据可以被调制在RF波形上，和从RF波形上解调。该RF波形通常在在合适的频率范围内，比如900兆赫兹，13.56兆赫兹附近的RF波等等。
[0028]阅读器与标签之间的通讯使用符号，也被称为RFID符号。一个符号可以为一个界定符，一个校准值等等。在需要的时候，符号可以被用于转换二进制数据，比如“0”和“I”。当符号被阅读器110和标签120处理时，其可以被处理为数值、数字等等。
[0029]标签120可以为一个被动标签，或者一个主动或电池辅助标签(也就是具有自己动力源的标签)。当标签120为被动标签时,它由信号112提供动力。
[0030]图2为一个RFID标签220的示意图，该标签可以起到图1中标签120的作用。标签220被画成一个被动标签，意味着它不具有自己的动力源。本文件中的很多描述同样可以应用于主动和电池辅助标签。
[0031]标签220通常(并不是必须)形成在一个实质性平面嵌体222上，如本【技术领域】所周知，该标签220的形成方式有多种。标签220包括一个回路，该回路优选实施为一个集成电路224。在一些实施例中，集成电路224被应用在互补金属氧化物半导体(CMOS)技术。在其他实施例中，集成电路可能被应用在例如双极性接面电晶体管(BJT)技术，金属半导体场效应晶体管(MESFET)及其他为本【技术领域】技术人员所熟知的其他技术。集成电路224被置于嵌体222。
[0032]标签220还包括一个天线以与其环境交换无线信号。该天线通常为扁平的并附着在嵌体222上。集成电路224通过适当的天线接触(没有显示在图2中)可通电地耦接至该天线。
[0033]所示的集成电路224具有一个天线端口，其包括两个可通电地耦接至两个天线段227的天线接触，其中该两个天线段227在此显示形成一个偶极。许多其他的实施例可能使用任意数量的端口，接触，天线，和/或天线段。
[0034]在操作过程中，天线接收到一个信号并将此信号传播至集成电路224，如果适当的话，基于输入信号和集成电路内部状态，两者均会获得能量和作出响应。如果集成电路224使用反向散射调制，则会以调制天线反射比的形式作出响应，从而从阅读器传输的信号112中产生响应信号126。可通电地相耦接和断开耦接集成电路224的天线接触可以调制天线的反射比，也可以改变耦接至天线接触的一个并联电路元件的进入。改变串联电路元件的阻抗是调制天线反射比的另一个方法。
[0035]图2所示的实施例，天线段227与集成电路224分离开来。在其他的实施例中，天线段可能形成于集成电路224上。实施例中的标签天线可能是任何的形式和并不局限于偶极。例如，标签天线可能是一块碎片，一个狭槽，一个线圈，一个喇叭，一个螺旋或者其他合适的天线。
[0036]图3为组合RFID标签的一个示意图。一个RFID集成电路包括电路元件(比如无线射频回路316)和连接轨迹。集成电路可能包括包含无线射频和非无线射频回路的多层。无线射频回路的电连接可能通过耦合电容326耦合在一个无线射频配电母线324。非无线射频轨迹318可能与无线射频轨迹分离开来(比如无线射频配电母线)。[0037]标签300的天线在图3中显示为天线轨迹I (320)和天线轨迹2 (322)。该天线通常为金属(比如铝或铜)薄轨迹，用一个或多个连接点附着在集成电路上以将天线连接在无线射频回路上(通过无线射频配电母线326)。当使用一个例如铝的可氧化金属时，自然形成的氧化层324在天线轨迹和集成电路之间创造了一个坚硬表面。
[0038]多个标签组合方法的一个缺点在于天线层必须精确的与集成电路对齐以保证天线恰当地耦接至无线射频配电母线。在这些组合技术中，天线连接通常通过一个后处理步骤使用金或者类似凸点312与无线射频配电母线对齐。即便如此，组合也是异常困难的，因为这需要高控制度的装配力和高精度的集成电路布局。
[0039]一些组合方法可能还会造成集成电路性能的降低，这是由于非无线射频集成电路轨迹318和天线轨迹320/322之间的无线射频配电母线电阻和寄生电容330造成的。应用于集成电路高点312的，用于渗透坚硬天线氧化层324以接触天线轨迹320的高安装压力，可能会造成可靠性和收益率的问题。另外，如此高的安装压力还可能通过减小天线轨迹和集成电路表面的间隔距离恶化寄生电容的效力。
[0040]导电粘合剂(比如各向同性和各向异性导电胶粘合剂)可以用来缓和部分这些劣势，但是粘合剂可能会引起一些其他的问题。比如，许多粘合剂可能会限制标签组合的生产率，因为它们必须在集成电路布局之前以粘性流体的形式应用，同时还需要持续的压力和热度。
[0041]图4阐明了根据实施例的不同集成电路接触垫结构。在结构440中，集成电路430具有四个接触垫(432 )，这些接触垫可能是覆盖在集成电路430上的一个金属层的一个钝化层中的开口。结构442展示了相同的集成电路结构，该集成电路具有凸点(比如金制凸点)439和位于凸点上的天线板438，其中该凸点是在后处理步骤中增加的。增加凸点439可能是为了对齐的目的(如上所述)和容许与接触垫432的外部接触，该接触垫432可能嵌在钝化层内。
[0042]为了解决上述凸点和集成电路天线对齐带来的一些缺点，一个或多个相对较大的接触垫(如434，436)可形成在集成电路430的上表面取代如结构444和446所示的小接触垫432。这些大的接触垫形成了一个集成电路的顶层并为标签天线提供了一个电容或电阻耦合装置。大接触垫提供了更多的区域用于耦合标签天线，从而降低了对寄生电容和精确对齐的要求。这些大接触垫可能覆盖了集成电路430顶层相当大的一部分。比如大接触垫可能覆盖了集成电路430顶层的20%，30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%, 90%,或者甚至100%。在一些实施例中，大接触垫434/436可能形成在集成电路430的绝缘层或再钝化层，然后可通电地连接至绝缘层或再钝化层下方的接触垫(比如接触垫432)。尽管图4所示的相对较大的接触垫434/436大致为矩形，但大接触垫不是必须为矩形，可能为其他适当的形状。比如一个大接触垫可能为圆形或环形。
[0043]当使用大接触垫用于电容性连接天线时，大接触垫和天线轨迹之间的电容可通过调整集成电路和天线之间材料的介电性(比如成分，厚度)来控制，比如覆盖于接触垫上的非导电性材料，覆盖于天线轨迹上的非导电材料(比如铝制轨迹上自然形成或增加的氧化层)，和/或其他附加的绝缘材料。电连接也可以通过将一个天线压在集成电路上而被提供，从而使得一个或多个形成于天线轨迹上的凹痕形成一个或者多个与集成电路上的大接触垫的直接连接。在一些实施例中，如下所述，电连接也可能在没有凹痕，凸点，或其他凸起区域的情况下实现。
[0044]图5展示了一个电容性耦合嵌入结构的示例。示意图500所示的集成电路552具有一个大接触垫554。尽管根据较佳实施例，该大接触垫覆盖集成电路表面的很大一部分，实施例并不是如此限制，在本文所述的原则下，可能会使用较大或较小的接触垫。在一些实施例中，集成电路特定表面上所有接触垫的结合区域不会超出该特定表面，并且该表面上的任何接触垫均限制在该表面的界限内或延伸至该表面的边界。当然，在其它实施例中，接触垫可能延伸出集成电路表面的边界之外。比如，接触垫卷绕或侵占了相邻集成电路表面，或甚至悬臂式的伸出集成电路表面外。
[0045]首先，一个标签天线可能通过在电介质558 (比如聚对苯二甲酸乙二醇酯PET)上放置导电天线轨迹模式556而得以形成。也可能使用其他的电介质材料，包括但不局限于聚酯薄膜，聚丙烯(PP)，聚苯乙烯(PS)，聚酯，聚酰亚胺(PI)，或乙烯基。集成电路和天线然后可能靠近以形成一个电容性连接。例如，集成电路可能被加热至电介质558的塑化温度，随后压进电介质以在接触垫554和天线轨迹556之间获得预设厚度(在允许公差范围内)。因此，根据一个实施例的标签组合方法包括:通过形成至少一个具有电介质材料的电容将天线附着在集成电路上，和将天线耦合在集成电路上。该电介质材料可能包括一个集成电路覆盖层，一个天线覆盖层，和/或其他的电介质层。覆盖层可能包括一个涂覆在集成电路金属顶层的非导电层(比如大接触垫)，一个天线电介质层(比如金属天线自然形成的氧化层或氮化层)。其他的电介质层可能包括具有可控制介电性能的粘合剂材料。电介质材料的厚度可能可以根据材料的介电性能和所要达到的最小电容量不同而变化，在一些实施例中为5nm至Im (包括5nm和Im)。
[0046]如上所述，在一些实施例中，集成电路表面的大接触垫可能实质性地覆盖整个集成电路。在有多个大接触垫的情况下，可能有多个电容形成，其中每个特定的电容可能耦合至特定的集成电路的电路上，比如整流电路，解调电路，或调制电路，从而保证这些电路处于不同的直流电位。根据其他的实施例，可能有另一个天线终端附着在集成电路的一个第二表面上(第一表面的相反面)从而在芯片的表面上形成另一个电容(或一系列的电容)。在具有多个电容(和/或双面耦合)的情况下，一个或多个连接可能是电连接，通过提供在天线轨迹和集成电路上一个或多个大接触垫之间提供一个或多个直接接触。
[0047]图6阐明了一个电连接嵌入结构示例。首先，通过在非导电材料，比如图解670所示的PET672，的表面上放置导电模式674形成一个天线。随后(比如在压纹之后)，一个小凸起(比如直径大约为30m)684被置于导电模式674上，其通常也会在图解680所示的PFT材料682上产生类似的凸起。如图解690所示，一个具有大接触垫698的集成电路692被压在上天线(如上面有关图5的描述)，以在天线696和大接触垫698之间形成一个电连接，其中大接触垫698位于699位置。
[0048]图7根据实施例展示了一个热耦合步骤后的电容性耦合嵌入的截面。
[0049]如图解700所示,一个标签组示例包括一个插进电介质(比如PET) 708内的集成电路710，其中该电介质708覆盖了一个天线706。集成电路710和天线706之间的电耦合是由形成于集成电路710表面上的大接触垫和天线706之间的一个或多个电容提供的。该电容的电介质可能包括电介质708的一部分，集成电路710的任何非导电覆盖层，和/或集成电路710和天线706之间的一个附加电介质层712。在一些实施例中，附加电介质层712可能包括天线706自然形成或人为生成的氧化层，粘合性电介质材料，或其他材料。根据一些实施例，一个集成电路或许并不直接耦合在天线上，而是通过中介层耦合。比如，一个带条可能电容性地耦合在前述集成电路上，和该天线随后可通电地耦接至该带条。因此，该标签组可能包括该天线和该集成电路之间的附加连接层，其中该集成电路使用本文所述的原理。
[0050]在其他的实施例中，将天线附着在集成电路上可能包括进行集成电路金属放置和模式构造过程，接着放置包含介电材料的钝化材料，将集成电路从完整的晶片上分离，和将天线，介电材料和集成电路压在一起。该介电材料可能包括一种具有相对较高(比如大于8 )介电常数的材料，比如氧化铪，氧化锆，氧化铪硅酸，氧化锆硅酸，和氧化锶-钛。可选地，该镜片加工步骤可能如本领域所熟知那样被完成，其中本领域技术包括钝化处理和接触垫开口蚀刻，然后该集成电路被分离出并与天线和介电材料压在一起。
[0051]图8展示了一个带有叠加层的电容耦合嵌入的截面图，该叠加层用于增加强度。
[0052]图解800的标签组合示例与图7所示的标签组合类似，其具有一个叠加层814用于增强强度。该叠加层814可能包括PET和/或任何其他合适的材料，同时可能根据标签的设计和使用通过粘合剂或其他方法被附着。例如，天线层可能被直接置在一个主体上，然后按照所述方式将集成电路路压在天线层上，并将叠加层814安置在集成电路和天线层上方。该叠加层可以按不同的方式配置以实现其他的功能，比如作为一个可写标签及其类似的功能。
[0053]图9展示了一个类似于图3的组合RFID标签的示意图，图3使用了实施例中的组
合方法。
[0054]图解900展示了传统标签组合方法和依实施例标签组合方法的差别。通过在集成电路表面使用大接触垫940，实现了天线(320，322)和无线射频回路316之间电容性耦合。这降低了非无线射频轨迹942和天线320/322之间的寄生电容。此外，因为不需要无线射频配电母线，无线射频配电电阻也被消除了。
[0055]天线轨迹与集成电路之间的电容可能包括天线轨迹和/或天线/集成电路覆盖层的一个氧化层324作为介电材料。这些材料的介电性能可以通过其组分和厚度(比如增强氧化层的生成，控制氧化层的厚度，等等)来控制，从而保证标签设计达到预设的电容值。
[0056]由于大接触垫可能与集成电路表面一样大，所以由比如金制凸点的使用，精确的对齐，及装配力的控制等带来的机械局限性也被显著的降低了。这样因此减少了组合步骤并增加了可靠度和生产量。
[0057]如上面关于图6所述，一个集成电路可能电连接或可导电地连接至天线的导电轨迹上，例如通过在轨迹上使用凹痕以将轨迹直接连接在集成电路大接触垫。在一些实施例中，一个集成电路接触垫可能在不使用凹痕，凸点或凸起区域的情况下电连接于一个天线上。
[0058]图1OA和图1OB展示了依实施例的带有电连接于天线终端的集成电路的标签前体，其中该天线中断在标签基底基底。一个标签前体是完整RFID标签的一部分，且包括一个RFID集成电路和一个具有整个标签天线(比如一个嵌体)的基底基底或一个仅具有整个标签天线一部分(比如一个带条)的基底基底。在后一种情况下，该带条可能附着于一个嵌体上。[0059]图1OA描述了 一个集成电路1002和一个标签基底1008。集成电路1002包括一个或者多个类似于图3中接触垫334和336的大接触垫1004，这些接触垫在集成电路1002范围内电连接于一个或者多个电路元件上。可能为一个带条或一个嵌体的标签基底1008包括一个天线终端1010，该天线终端可能为类似于图3所示的天线轨迹320和322的金属轨迹。如果天线终端1010包括可氧化金属，比如铝和铜，则在终端1010上可能会因为比如暴露在空气中而产生一层氧化层1012。氧化层1012可以起到阻止集成电路板1004和天线终端1010之间形成电连接的绝缘层作用。
[0060]为了强调这一问题，增加附加层1006可被添加以促进集成电路板1004和天线终端1010之间的电连接的形成。在一些实施例中，附件层1006包括蚀刻剂以蚀刻或穿透氧化层1012从而形成缺口。例如，附加层1006可能包括颗粒(球状的，卵状的，有角度的，有尖角的等等)在加热和/或施压时断裂氧化层1012以在该氧化层1012内形成缺口。在一个实施例中，颗粒悬浮于快干粘合剂或可能应用于集成电路1002或基底1008的液体内，然后粘合剂或液体变干从而形成附加层1006.附加层1006可能还(或者取而代之的)包括用于蚀刻氧化层或能与氧化层发生反应的试剂以形成缺口。比如，如果天线终端1010包括铝，则附加层1006可能包括用于氧化铝的蚀刻剂或增溶剂。当具有附加层1006的集成电路1002配置在天线终端1010上，附加层1006 (比如上述的颗粒和/或试剂)的成分在氧化层1012内生成缺口，从而容许集成电路板1004形成与天线终端1010的电连接。
[0061]在一些实施例中，该附加层1006可能包括粘合剂以将集成电路1002附着于标签基底1008上。比如，粘合剂可能包括各向同性或各向异性导电材料和/或非导电粘合剂。在一些实施例中，粘合剂可能还包括一个或者多个本文所述的机械和/或化学蚀刻剂或反应物(比如颗粒，蚀刻剂，增溶剂，渗染剂等等)，而在其他的一些实施例中，粘合剂可能会与蚀刻剂分离开来。
[0062]如果附加层是导电的，集成电路板1004和天线终端1010之间的电连接可能会通过附加层1006形成。比如，如果附加层1006包括用于在氧化层1012内形成缺口的导电颗粒，则导电颗粒可以帮助形成电连接。如果附加层1006不导电，则可以通过加热，施压或者其他过程去除掉，从而容许集成电路板1004与天线终端1010直接接触以形成电连接(比如在加热，施压或者其他程序之后)。在一些实施例中，集成电路板1004本身可能具有一个毛化表面(比如表面不平，褶皱，凸起，和/或其他拓扑特征)以在加热和/或施压下蚀刻或使氧化层1012断裂。比如，集成电路板1004可能在其表面以一定规则或者无规则的分布着角度相对较尖的褶皱或凸起。在一些实施例中，可能使用了激光辅助蚀刻或其他可选的蚀刻方法以在集成电路板1004上形成表面毛化。
[0063]图1OB描述了一个类似于图1OA中图解1000的图解1050。然而，一个掩蔽层1052而不是氧化层覆盖在天线终端1010上。掩蔽层1052在天线终端1010形成之后放置形成，以作为阻止天线终端氧化层形成的保护层。该掩蔽层1052可能包括有机或者无机介电材料，或甚至可能包括不易被氧化的金属或其他导电材料。如果掩蔽层1052包括一种介电或绝缘材料，附加层1006可能包括能与掩蔽层1052发生反应颗粒，能蚀刻或溶解掩蔽层1052的介质，和/或颗粒在加热和/或施压时使掩蔽层1052断裂的颗粒。如果掩蔽层1052包括导电材料，附加层1006可能包括将集成电路板1004和掩蔽层4052电连接的材料，或附加层1006甚至可能不存在。[0064]当对集成电路或标签基底加热和/或施加以形成电连接时(如前所述)，在一些实施例中，可能还使用其他的程序而不是加热和/或施压以在集成电路板1004和天线终端1010上形成电连接。例如，在集成电路板1004和天线终端之间应用电场。该电场可以通过例如提高蚀刻率和/或蚀刻选择度的方式促进对任何氧化层(如氧化层1012)的蚀刻。该电场还可能通过例如将电路板电焊于天线或提高金属离子电迁移的方式促进集成电路板1004和天线终端1010之间电连接的物理形成，从而使得板1004可通电地与天线终端1010相短路。另一个例子是，应用超声波焊接使氧化层1012断裂和/或使板1004与天线1010相短路。
[0065]在一些实施例中，附加层1006内的蚀刻剂或试剂可能会与氧化层1012或掩蔽层1052发生反应而在集成电路板1004和天线终端1010之间形成导电通道而不必在氧化层1012或掩蔽层1052内形成缺口。例如，掩蔽层1052可能包括非导电塑料。当附加层1006与掩蔽层1052接触时，附加层1006内的渗染剂可能扩散至部分掩蔽层1052，将这些部分掩蔽层变为导体并生成导电通道。在一些实施例中，可能会应用加热和/或加压的方法以促进扩散/反应。
[0066]在一些实施例中，集成电路可能包括一个非导电再钝化层。如下面的图11所示，该再钝化层可能覆盖了集成电路的一个表面，并被设置在集成电路和基底(比如图7中的附加层712)之间，或者如下图11所描述设置在天线接触垫和该集成电路的剩余部分之间。该再钝化层可能会减轻由于装配力变化而造成的装配电容波动，同时也可能降低大天线接触垫和其他集成电路元件之间的寄生电容耦合。在一些实施例中，再钝化层被限制在和/或延伸至其所被设置的集成电路表面的界限内。但是，在其他的一些实施例中，再钝化层可能延伸至集成电路表面界限之外。例如，再钝化层可能卷绕或侵占至相邻的一个或多个集成电路表面，或者可能以悬臂的形式延伸出集成电路表面。
[0067]图11展示了图解1100，图解1100中，包括基底1120和天线终端1127的RFID带条或嵌体利用装配力Fl (1102)被压靠在RFID集成电路1124上，在此，天线终端1127和接触层1112在再钝化层的作用下与集成电路分开。装配距离Dl (1104)由再钝化层1110确定，并产生一个相似的固定装配电容Cl.[0068]在一些实施例中，类似于图4中的接触垫434或436的接触层1112实质性地覆盖了 RFID集成电路1124表面的大部分区域。该接触层1112可能包括导电材料，比如金属或者其他的可选导电材料或具有金属性能的材料。在一些实施例中，接触层1112可能由应用在或放置在再钝化层1110上导电再分配层构成。该导电再分配层可能通过蒸发、溅射或直接移植的方式应用的。在一些实施例中，导电再分配层可能花式成型(比如形成接触垫，带条或者其他想要得到的接触形状)以形成接触层1112。例如，再分配层的蒸发或溅射可能伴有一个遮蔽步骤以形成期望的接触花式(比如带有光刻胶)和一个蚀刻步骤(如果遮蔽步骤在层放置之后)或起离/移除步骤(如果遮蔽步骤在层放置之前)。在一些实施例中，接触层1112可能应用于另一基底，花式成型，然后移植到集成电路上。尽管图11中只放置了一层接触层1112，但是在其他的实施例中，可能不仅有接触层，或者接触层1112可能包括多个部分。例如，在再钝化层1110上的接触层1112可能被成型以提供多个接触区域，并且彼此不可通电。
[0069]正如再钝化层1110，在一些实施例中，该接触层1112被限制在再钝化层1110内，和/或延伸至再钝化层1110边界，和/或被限制在放置有再钝化层的集成电路表面内和/或延伸至该集成电路表面的边界。当然，在其他的一些实施例中，接触层1112可能延伸至再钝化层或集成电路表面外。例如，接触层1112可能卷绕或侵占至相邻表面，或者甚至以悬臂的形式延伸至表面外。
[0070]图1150展示了 RFID带条或嵌体被以大于装配力Fl的装配力F2压靠在RFID集成电路上。再钝化层1110的存在保证了装配距离D2 (1154)与装配距离Dl (1154)基本相同。因此，装配电容Cl与装配电容C2基本相似，这可以进一步帮助确保标签具有相似的调谐并因此具有相似的性能特征。在一些实施例中，通过再钝化层1110内的缺口形成的凸点1108将回路1162电连接于接触层1112。在其他的一些实施例中，可能没有凸点1108.在这种情况下，回路1162可能通过再钝化层1110电容性地或电流性地连接至接触层1112。例如，如果通过再钝化层1110没有适当的导电通道，回路1162可能电容性地连接至接触层1112.在一些实施例中，接触层1112可能直接放置在再钝化层1110内的缺口上，因此电连接至回路1162。在其他的一些实施例中，如上面图10A-B关于氧化层1012/掩蔽层1052的描述，再钝化层的一部分可能被制成导体，并沿导电部分在回路1162和接触层1112之间形成电连接。
[0071 ] 再钝化层1110可能为有机或无机材料，通常(并不是必须)具有较低的介电常数和合理的厚度以提供小电容量。各向异性的导电粘合剂，模式化的导电粘合剂，或非导电粘合剂1113可能被选择应用在集成电路和带条/嵌体之间以物理地或可通电地将该集成电路链接于带条/嵌体。如果粘合剂层1113是非导电的，则其通常足够薄从而使得在RFID的通信频率，其提供一个位于天线终端1127和接触层1112之间的低阻抗电容通道。
[0072]在一些实施例中，再钝化层1110可能包括将接触层1112与集成电路1124相分离的空气间隙以进一步将这两个元件电容性解耦连。该空气间隙可能由接触层1112和集成电路1124 (包括电连接两者的凸点)之间的支撑柱桥接。在一些实施例中，接触层1112可能包括金属制或导电网状结构以促使空气间隙的形成。
[0073]作为一个相对较大的金属制板的接触层1112也可在集成电路的装配过程中起到协助保护再钝化层1110的作用。例如，接触层1112可能作为一个蚀刻遮蔽物在诸如授权于2009年I月27日的美国专利号为7482251文件所述的程序中，覆盖和防止蚀刻或损坏该蚀刻遮蔽物下方的再钝化层1110部分，其中该专利的全部内容以引用的方式并入本文。
[0074]如上所述，在一些实施例中，接触层可能包括具有不同形状的接触区域。图12描述了依实施例的模式化的接触区域。图1200描述了具有集成电路接触1204和1206的集成电路1202的俯视图。该集成电路1202也包括分别覆盖和可通电地连接至接触对1204和1206的接触区域1208和1210。该接触区域1208和1210容许集成电路接触对1204和1206电连接于外部电器元件，比如位于RFID带条或嵌体上的天线终端(比如天线终端1127)。该接触区域1208和1210可以通过上面关于图11的描述的放置导电再分配层的花式成型而被制造或成形。该接触区域的该形状和/或取向可能基于美观，易于形成与天线终端电连接，和/或与集成电路1202中元件的耦接。例如，接触区域1208和1210可成形以最小化与集成电路1202内的敏感元件耦合的寄生电容。在这些情况下，导电再分配层可被成型从而使得对该集成电路1202的局部寄生电容超过一个阈值的部分再分配层在成型过程中被剥离。例如，该部分可能在该放置之后用遮蔽-蚀刻程序移除，或事先应用遮蔽-起离程序阻止其放置。该阈值可能在再分配层的成型之前被预先确定，并且可能基于比如期望的整个集成电路寄生电容或部分集成电路的局部寄生电容确定。
[0075]图解1250描述了集成电路1202另一个实施例的俯视图。在图解1250中，仅有集成电路接触对1204和1206的一个接触可能可通电地连接至接触区域1208和1210.例如，这样做可能用以降低接触区域和集成电路接触对之间的电容。同样如图1250所示，接触区域1208和1210可能具有弯曲或者圆润的边缘。这可能会使得遮蔽，蚀刻和/或起离成型过程变得容易。
[0076]在一些实施例中，接触层(比如接触层1112或接触区域1208/1210)和无线终端(比如无线终端1127)之间的接触位置可能不同于接触层和集成电路(比如凸点1108)之间的接触位置。图13根据实施例描述了非重叠或补偿接触，并描述了俯视图1300和剖面图1350(沿视图1300所示的轴A-A’)。在图13中，集成电路1302具有集成电路接触1304和1306。在集成电路接触1304和1306上放置一层再钝化层1320，且接触垫1308和1310放置在再钝化层1320上。该接触垫1308和1310可能由如上所述的成型放置接触层的形式形成。集成电路接触1304和1306通过再钝化层1320分别可通电地连接至接触垫1308和1310。如图1350所示，集成电路接触1306可能通过凸点1322 (类似于凸点1108)可通电地连接于接触垫1310，其中该凸点1322形成穿过一个在该再钝化层1320的缺口。类似的凸点(没有显示)可能通过再钝化层的另一个缺口将集成电路接触1304可通电地连接于接触垫1308。在一些实施例中，接触垫1310和1308可能在没有凸点的情况下分别直接与集成电路接触1306和1304可通电地相连接。例如，接触垫1310/1308可能放置于再钝化层1320的一个缺口上，直接形成与集成电路接触1306/1304的电连接。
[0077]接触垫1308和1310进一步分别可通电地连接于天线终端1312和1314。更确切的说，接触垫1308通过接触区域1316可通电地连接于天线终端1312，接触垫1310通过接触区域1318可通电地连接于天线终端1314。如果氧化物，掩蔽层或其他非导电层覆盖了接触垫和/或天线终端，正如上述所说，在电连接形成之前在接触区域1319和1318上可能会形成缺口。
[0078]在一些实施例中，接触垫/集成电路接触连接和接触垫/天线终端连接(及他们再钝化层内的缺口和氧化/掩蔽层，如果有的话)可能会相互错开和不相互重叠，如图13所示。这可能会为集成电路配置于天线终端提供灵活度。当然，在其他的一些实施例中，连接/缺口可能会部分重叠，或一个连接(比如接触垫/天线终端连接)可能完全包围另一个连接(比如接触垫/集成电路连接)。
[0079]本文所述的大集成电路接触垫可能会有助于一个集成电路在基底上的定位。图14根据实施例展不了一个标签自身组合方法的一个俯视图1400和一个侧视图1450。在图14中，一个集成电路1402被安置在一个具有天线终端1408和1410的基底上。更确切的说，集成电路1402被配置从而使得第一集成电路接触垫1404与第一天线终端1408(而不是第二天线终端1410)重叠，第二集成电路接触垫1406与第二天线终端1410 (而不是第一天线终端1408)重叠。
[0080]液体表面的表面张力可以被用于促进每个接触垫与其各自的天线终端对齐。表面张力是由液体分子之间粘合力形成的。当两滴相似的液体(或具有相似表面能的液体)相互靠近时，它们容易结合成一个整体，较大的液滴能最小化暴露的分子数量并因此最小化表面能。如果两个液滴分别与不同的物体相关，两个液滴之间的结合可能会将两个不同的物
体结合在一起。
[0081]在图14中，至少有一些接触垫和/或天线终端分别与一个液滴相关。例如，接触垫1404可能与液滴1412相关，接触垫1406可能与液滴1414有关，天线终端1408可能与液滴1416有关，天线终端1410可能与液滴1418有关。当集成电路1402靠近基底时(及天线终端1408和1410)，液滴1412可能被吸引至液滴14716，从而牵引集成电路接触垫1404进入带有天线终端1408的接触(区)。同样的，液滴1414可能被吸引至液滴1418，从而牵引集成电路接触垫1406进入带有天线终端1410的接触(区)。
[0082]在一个实施例中，液滴1412-1418可能包括水。在一些实施例中，可能还包括一个或多个液体粘合剂，比如导电粘合剂，非导电粘合剂，或各向异性导电粘合剂。液滴1412-1418可能来自固体材料。例如，可能首先将固体膜或固体颗粒放置在接触垫和/或天线终端上。被放置固体材料然后被加热，化学改性，或以其他方式被加工成液滴1412-1418.例如，可能现将固体焊料放置在接触垫和/或天线终端上。在组合程序之前可能先对集成电路1402和/或基底加热从而将固体焊料熔为焊料液滴。接着，使集成电路1402靠近基底(及天线终端1408和1410)，集成电路接触垫和/或天线终端上的焊料液滴结合从而牵引集成电路与基底结合在一起。在一些实施例中，可能在加热之前，让集成电路1402靠近基底。接着，加热以熔化接触垫和/或天线终端上的固体焊料，这样会使接触垫和天线终端相互靠近以在牵引下结合在一起(通过液体结合)。当然，也可能使用焊料之外的固体材料。
[0083]在一些实施例中，不同类型的液体可被使用以用于每集成电路接触垫和天线终端对。例如，第一种液体可被放置在集成电路接触垫1404和天线终端1408，第二种液体可被放置在集成电路接触垫1406和天线终端1410。可能会选择具有不同表面张力性能的液体类型，从而使得第一种液体的液滴不会吸弓I第二种液体的液滴。例如，在集成电路接触垫1404和天线终端1408上放置极性液体(比如水)的液滴，在集成电路接触垫1406和天线终端1410上放置非极性液体(比如油)的液滴。在一些实施例中，可能使用在不同条件下为液体的物质。例如，在集成电路接触垫1404和天线终端1408上可能放置水滴，集成电路接触垫1406和天线终端1410上可能放置固体焊料。当集成电路刚被涂覆在基底上时，集成电路接触垫1404和天线终端1408将会通过水滴牵引在一起。接着，加热集成电路和基底从而熔化集成电路接触垫1406和天线终端1410上的固体焊料以将接触垫和天线终端结合在一起。
[0084]尽管在图14中描述的是每个集成电路接触垫和天线终端上均为液滴，但在一些实施例中，可能只在每集成电路接触垫和天线终端对的一个集成电路接触垫或天线终端上有液滴。在这些实施例中，集成电路接触垫(或天线终端)上的液滴可能被首先吸引至天线终端(或集成电路接触垫)的材料上。例如，极性液体(比如水)的液滴可能被首先吸引至一种金属上(比如集成电路接触垫或天线终端的金属)。
[0085]可能还会使用其他的技术在基底上组合或对齐集成电路与天线。举个例子，可能使用静电吸引将一个带电的集成电路组合在一个带相反电(荷)的天线终端上。集成电路和/或天线终端上的电荷可能由激光(比如就像激光打印)或者其他适当的方式诱发。
[0086]除了可以促进集成电路在基底上的放置外，此处所述的大集成电路接触垫还可以促进集成电路检测。图15A和15B根据实施例，展示了集成电路的晶片级探头检测。在晶片上的集成电路可以通过使用单个探头接触一个集成电路接触垫的方式检测。在一些实施例中，多个检测探头组合成一个探头板，该探头板充当检测系统和晶片之间的界面。为了在晶片上检测集成电路，必须准确地将探头板(或单个探头)与集成电路接触垫在晶片上对齐。此处所述的大集成电路接触垫简化了探头的对齐程序，因为使用大接触垫的用于探头对齐的所需精度相对于小使用小接触垫的用于探头对齐的所需精度。
[0087]图15A描述了一个用于接触晶片1502以用于检测的系统1500。晶片1502包括多个集成电路，仅有一个被标记。集成电路1504包括两个接触垫1506和1508.—个探头板1510包括多个检测探头，其中的两个探头被标注为1512和1514。检测探头1512和1514可以通过分别与接触垫1506和1508之间形成电连接被安装以检测集成电路1504.尺寸相对较大的接触垫1506和1508可以降低探头板1510配置在晶片1502上的精度要求，从而减少整个检测的时间。
[0088]图15B描述了一个类似于系统1500的系统1550。在系统1550中，探头板1552包括由具有弹性，柔性且导电的材料制成的探头1554和1556。探头1554和1556的柔性特征可以降低在检测时对集成电路1504和/或晶片的损害，同时还可以提高各个探头与接触垫之间的电连接。在一些实施例中，探头板1552本身可能也是由柔性材料制成，这可以改善在晶片上与集成电路接触垫的探头接触。
[0089]此处所述的集成电路可能还被配置成和/或实现申请号为PCT/US12/54531，申请日为2012年9月10日，PCT专利申请中所描述的功能。前述的PCT申请的揭露内容以引用的方式全部并入本文。
[0090]实施例还包括本文所述的组装标签的方法。本文件具有经济价值，因为有时候单个描述就给出了依实施例的方法和根据实施例制得的设备的功能。实施例可能使用由全自动或半自动标签制造设备执行的程序而被实施。由于步骤和其序列的技术特征的性质，一个程序通常被定义成实现预期目的一组步骤或操作。一个程序在作为一个处理程序的一系列步骤或操作时，利于执行，比如上述的结构。
[0091]执行一个程序的步骤，说明或操作需要物理量的计算。通常，尽管不是必须，这些物理量可能根据步骤或说明而被转换，组合，比较及其他计算或处理，也有可能被储存在电脑可读的媒介上。这些物理量包括，例如电的，磁的，及电磁电荷或颗粒带电粒子，物质的状态，大多数情况下可能包括物理设备或元件的状态。
[0092]实施例可能还进一步包括用于存储上述程序的存储媒介。根据实施例，一个存储媒介为一个机器可读的媒介，比如存储器，和依实施例被一个控制一个标签组合机器以组装标签的处理器读取。如果是一个存储器，其可以多种方式执行，比如只读存储器(R0M)，随机存取存储器(RAM)等，它们中的一些是不稳定的，一些是稳定的。
[0093]根据一些实施例，一个射频识别(RFID)标签前体可能包括一个具有一个RFID集成电路(IC)的组合，一个在集成电路表面上且在限制在该表面界限范围内的非导电再钝化层，和一个在再钝化层上且限制在该表面上的导电再分配层。再分配层的一个第一部分可能通过再钝化层上的一个第一缺口电连接于集成电路。
[0094]该RFID标签可能还包括一个具有一个第一天线终端的基底，一个在第一天线终端和/或再分配层的第一部分上的一个非导电屏障内形成一个第二缺口的蚀刻剂，和一个将该组合附着于基底上的粘合剂。一个电连接通过该第二缺口形成在该第一天线终端和该再分配层的第一部分之间，和该第一缺口和该第二缺口可能不重叠。
[0095]根据另一个实施例，组合一个RFID标签前体的方法可能包括提供一个具有RFID集成电路的组合，一个在该集成电路表面上且限制在该表面界限内的非导电再钝化层，和一个在再钝化层上且限制该表面界限范围内的导电再分配层。该再分配层的第一部分可能通过该再钝化层上的一个第一缺口电连接于该集成电路。
[0096]该方法可能进一步包括提供一个具有一个第一天线终端的基底，利用蚀刻剂在该第一天线终端和/或该再分配层的该第一部分上的一个非导电屏障上形成一个第二缺口，其中第一缺口和第二缺口不重叠，利用粘合剂将组合附着在基底上，和通过第二缺口在该第一天线终端和该再分配层的第一部分之间形成一个第一电连接。
[0097]根据另一个例子，一个射频识别(RFID)标签前体可能包括一个具有一个RFID集成电路(IC)的组合，一个在集成电路表面并限制在该表面界限内的非导电再钝化层，和一个在再钝化层上且限制在该表面界限内的导电再分配层。该再分配层的一个第一部分可能通过该再钝化层内的一个第一缺口可通电地连接于集成电路。
[0098]该RFID标签前体可能还包括一个具有一个第一天线终端的基底，一个与该第一天线终端和/或该再分配层的该第一部分上的一个非导电屏障发生反应的反应剂，和一个将该组合附着于该基底的粘合剂。该非导电电池的反应部分可能为导电的，且在该第一天线终端和该再分配层的该第一部分之间通过该反应部分形成一个第一电连接。
[0099]根据一个实施例，该再分配层可能被模式化，从而使得具有一个对集成电路的超出阈值的寄生电容的部分被剥离。该非导电屏障可能为氧化层或掩蔽层。该粘合剂可能包括一个各向同性或各向异性导电材料，且该第一连接可能包括该粘合剂。该蚀刻剂可能包括一个在再分配层的毛化表面和/或导电颗粒上以通过破损该非导电电池形成第二缺口。该蚀刻剂可能通过与非导电电池发生反应形成第二缺口。在一些实施例中，该基底可能还包括一个第二天线终端，该再分配层可能还包括一个与该第一部分分离且电连接于集成电路的一个第二部分，该非导电电池可能位于该第二天线终端和/或该再分配层的该第二部分上，该蚀刻剂可能在该非导电电池上形成一个第三缺口，在该第二天线终端和该再分配层的该第二部分之间可能通过该第三缺口形成一个第二电连接。
[0100]上述说明，举例和数据提供了一个制造和使用实施例构成部分的完整描述。尽管该主题已经用语言针对结构特征和/或方法动作进行描述，但可以理解的是，权利要求中对该主题的界定并不必然局限于上述的结构特征或动作。上述的具体特征和动作以实施权利要求和实施例的示例形式被揭露。
【权利要求】
1.一种射频识别标签前体，其特征在于，包括: 一个包括一个RFID集成电路,一个在集成电路表面上且限制在所述表面一个边界内的一个非导电再钝化层组合，和一个在所述再钝化层表面上且限制在所述表面一个边界内的一个导电再分配层的组合，其中至少所述再分配层的一个第一部分通过一个第一缺口可通电地连接于所述集成电路，其中所述第一缺口在所述再钝化层； 一个基底，其包括一个第一天线终端； 一种蚀刻剂，所述蚀刻剂在一个非导电屏障上形成一个第二缺口，其中所述非导电屏障存在于所述第一天线终端和所述再分配层的所述第一部分两者中的至少一个，和； 一种将所述组合附着在所述基底上的粘合剂；其中一个第一电连接通过所述第二缺口被形成在所述第一天线终端和所述再分配层的所述第一部分之间；和所述第一缺口和所述第二缺口不重叠。
2.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于，所述再分配层被模式化，从而使得具有一个对所述集成电路的超出阈值的寄生电容的部分被剥离。
3.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于，所述非导电屏障为一种氧化物和一个掩蔽层两者中的至少其中之一。
4.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于，所述粘合剂包括一种各向同性导电材料和一种各向异性导电材料两者中的至少其中之一，且所述第一电连接包括所述粘合剂。
5.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于，所述蚀刻剂包括一个在所述再分配层的毛化表面，其中所述再分配层通过破损所述非导电屏障形成所述第二缺口。`
6.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于，所述蚀刻剂包括导电颗粒，其中所述导电颗粒通过破损所述非导电屏障形成所述第二缺口。
7.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于，所述蚀刻剂通过与非导电屏障发生反应而形成所述第二缺口。
8.根据权利要求1所述的标签前体，其特征在于， 所述基底进一步包括一个第二天线终端； 所述再分配层进一步包括一个第二部分，其中所述第二部分与所述第一部分电绝缘且与所述集成电路可通电地相连接； 所述非导电屏障进一步位于所述第二天线终端和所述再分配层的所述第二部分两者中的至少其中之一； 所述蚀刻剂进一步在所述非导电屏障形成一个第三缺口 ；和 一个第二电连接通过所述第三缺口形成在所述第二天线终端和所述再分配层的所述第二部分之间。
9.一种射频识别(RFID)标签前体组合方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供一个包括一个RFID集成电路,一个在集成电路表面上且限制在所述表面一个边界内的一个非导电再钝化层组合，和一个在所述再钝化层表面上且限制在所述表面一个边界内的一个导电再分配层的组合，其中至少所述再分配层的一个第一部分通过所述再钝化层的一个第一缺口被可通电地连接于所述集成电路； 提供一个基底，其中所述基底包括一个第一天线终端；在所述非导电屏障形成一个第二缺口，其中所述非导电屏障存在于所述第一天线终端和所述带有一种蚀刻剂的所述再分配层的所述第一部分两者中的其中之一，其中所述第一缺口和所述第二缺口不重叠； 用一种粘合剂将所述组合附着在所述基底上；和 在所述第一天线终端和所述再分配层的所述第一部分之间通过所述第二缺口形成一个第一电连接。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述再分配层被模式化从而使得具有一个对所述集成电路的超出阈值的寄生电容的部分被剥离。
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述非导电屏障为一种氧化物和一个掩蔽层两者中的至少其中之一。
12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述粘合剂包括一种各向同性导电材料和一种各向异性导电材料两者中的至少其中之一，且所述第一电连接包括所述粘合剂。
13.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述蚀刻剂是一种在所述再分配层的毛化表面和所述方法进一步包括通过用所述蚀刻剂破损所述非导电屏障形成所述第二缺口。
14.根据权利要求9所述的方法， 其特征在于，所述蚀刻剂包括导电颗粒和所述方法进一步包括通过用所述导电颗粒破损所述非导电屏障形成所述第二缺口。
15.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括通过蚀刻剂与非导电屏障发生反应形成所述第二缺口。
16.据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括通过应用电场、电焊接和超声波焊接中的至少其中之一形成所述第一电连接。
17.根据权利要求9所述的方法，其特征在于， 所述基底进一步包括一个第二天线终端； 所述再分配层进一步包括一个第二部分，其中所述第二部分与所述第一部分从电绝缘和与所述集成电路可通电地相连接；和 所述的非导电屏障进一步位于所述第二天线终端和所述再分配层的所述第二部分中的至少其中之一；和 所述方法进一步包括: 用所述蚀刻剂在所述非导电屏障上形成一个第三缺口 ；和 在所述第二天线终端和所述再分配层的所述第二部分之间通过第三缺口形成一个第二电连接。
18.一种射频识别(RFID)标签前体，其特征在于，包括: 一个包括一个RFID集成电路,一个在集成电路表面上且限制在所述表面一个边界内的一个非导电再钝化层组合，和一个在所述再钝化层表面上且限制在所述表面一个边界内的一个导电再分配层的组合，其中至少所述再分配层的一个第一部分被可通电地连接至所述集成电路； 一个基底，其中所述基底包括一个第一天线终端； 一种反应物，所述反应物与位于所述第一天线终端和所述再分配层的所述第一部分两者中的至少其中之一的一个非导电屏障的一部分发生反应，和 一种将所述组合附着在所述基底的粘合剂；其中所述非导电屏障的反应部分为导电的，和 一个包括所述反应部分的第一电连接，其中所述第一电连接形成在所述第一天线终端和所述再分配层的所述第一部分之间。
19.根据权利要求18所述的标签前体，其中，所述再分配层被模式化从而相对于该集成电路具有一个寄生电容的部分超过预设极限值而被剥离。
20.根据 权利要求18所述的标签前体，其特征在于，所述非导电屏障为一种氧化物或一种掩蔽层两者中的其中之一； 所述粘合剂包括一种各向同性导电材料和一种各向异性导电材料中的至少一种；和 所述第一电连接包括所述粘合剂。
【文档编号】G06K19/077GK103778460SQ201310472824
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年10月11日 优先权日:2012年10月12日
【发明者】寇普·Rl, 奥利弗·Ra, 海因里奇·H, 马福利·J, 吴·Tm, 迪奥里奥·Cj 申请人:上海中京电子标签集成技术有限公司