一种触控面板及其制备方法、触控装置与流程

文档序号:16626653发布日期:2019-01-16 06:10阅读:277来源:国知局
一种触控面板及其制备方法、触控装置与流程

本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种触控面板及其制备方法、触控装置。



背景技术:

有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,oled)触控显示产品越来越多的进入市场,在追求更薄的整机结构时,直接在背板上进行触控电极的制作成为oled产品的未来趋势。现有技术在背板上制作的触控电极具有金属跨桥结构时,需要设置两层金属层,对于第一层金属层作为桥、第二层金属跨桥的结构,第一层金属层和第二层金属层之间需要形成具有过孔的介质层,第二层金属通过过孔与第一层金属搭接。但是,现有技术在形成具有过孔的介质层时需要利用低温光刻胶(pr胶)进行图形化工艺,由于pr胶的局限性,图形化工艺之后在介质层形成的过孔坡度角很大,第二层金属通过过孔与第一层金属搭接容易出点搭接断线,影响触控显示产品良率。



技术实现要素:

本申请实施例提供了一种触控面板及其制备方法、触控装置,用以避免触控电极搭接断线,提升触控产品良率。

本申请实施例提供的一种触控面板,所述触控面板包括:在衬底上依次形成的具有凸起结构的缓冲层、搭接部、第一绝缘层、以及通过贯穿所述第一绝缘层的过孔与所述搭接部搭接的触控电极;其中,所述搭接部中至少与所述触控电极搭接的部分位于所述凸起结构之上。

本申请实施例提供的触控面板,由于缓冲层具有凸起结构,后续形成的第一绝缘层在凸起结构上方的厚度小于第一绝缘层其他部分的厚度,并且由于搭接部中至少与触控电极搭接的部分设置在凸起结构之上,这样贯穿第一绝缘层的过孔的深度小于第一绝缘层的最大厚度,即具有凸起结构的缓冲层使得过孔深度相对于第一绝缘层的最大厚度缩短,从而可以避免在第一绝缘层上形成过孔的工艺中出现高度坡角,进而可以避免后续触控电极通过过孔与搭接部搭接出现的搭接断线,可以提升产品良率。

可选地,所述具有凸起的缓冲层包括具有第一厚度的区域以及具有第二厚度的区域,所述凸起结构位于所述具有第一厚度的区域。

本申请实施例提供的触控面板,由于缓冲层包括具有第一厚度的区域以及具有第二厚度的区域,由于凸起结构位于具有第一厚度的区域,第一厚度大于第二厚度,这样第一绝缘层在缓冲层具有第一厚度的区域上方的厚度,小于第一绝缘层在缓冲层具有第二厚度的区域上方的厚度,从而在具有凸起结构的缓冲层使得过孔深度相对于第一绝缘层的最大厚度缩短的同时,可以保证缓冲层具有第二厚度的区域上方的第一绝缘层的厚度,相比于仅减少第一绝缘层整体厚度的情况可以避免缓冲层在触控面板制程过程中受损。

可选地,所述搭接与所述凸起结构一一对应。

可选地,所述过孔垂直于所述衬底的截面为阶梯形。从而可以进一步避免触控电极与搭接部搭接断线。

可选地,所述第一绝缘层为保护胶层。

从而无需再设置光刻胶,即可形成贯穿第一绝缘层的过孔,从而可以避免设置光刻胶导致的在第一绝缘层形成过孔出现高度坡角,从而可以进一步避免搭接断线。

本申请实施例提供的一种触控显示面板制备方法,该方法包括在衬底上依次形成缓冲层、搭接部、具有过孔的第一绝缘层、通过所述过孔与所述搭接部搭接的触控电极;

其中,在衬底上形成缓冲层具体包括:至少在所述搭接部与所述触控电极搭接的区域形成具有凸起结构的缓冲层。

本申请实施例提供的触控显示面板制备方法,由于缓冲层具有凸起结构,使得后续形成的第一绝缘层在凸起结构上方的厚度小于第一绝缘层其他部分的厚度,并且所述凸起结构形成于至少在所述搭接部与所述触控电极搭接的区域,这样后续形成第一绝缘层的工艺中,需要形成过孔区域的深度小于第一绝缘层的最大厚度,即形成具有凸起结构的缓冲层使得过孔深度相对于第一绝缘层的最大厚度缩短,从而可以避免在第一绝缘层上形成过孔的后出现高度坡角,进而可以避免后续触控电极通过过孔与搭接部搭接出现的搭接断线,可以提升产品良率。

可选地,至少在所述搭接部与所述触控电极搭接的区域形成具有凸起结构的缓冲层具体包括:

在衬底上设置绝缘材料形成绝缘层;

采用图形化工艺处理所述绝缘层,形成与所述搭接部一一对应的凸起结构。

可选地,所述采用图形化工艺处理所述绝缘层,形成与所述搭接部一一对应的凸起结构具体包括:

采用半色调掩膜工艺处理所述绝缘层,在所述绝缘层形成具有第一厚度的区域和具有第二厚度的区域,且在所述具有第一厚度的区域形成与所述搭接部一一对应的所述凸起结构。

半色调掩膜工艺在不同刻蚀深度的位置对应掩膜板光阻的不同透过率,后续可以形成具有不同厚度区域的缓冲层,即可形成具有凸起结构的缓冲层。

可选地,形成具有多个过孔的第一绝缘层具体包括:

沉积绝缘材料形成绝缘层;

在所述绝缘层之上涂布光刻胶;

采用进行曝光、显影工艺处理所述光刻胶;

刻蚀所述绝缘层;

至少进行一次光刻胶灰化、绝缘层刻蚀工艺,形成垂直于所述衬底的截面为阶梯形的过孔。

这样可以进一步避免触控电极与搭接部搭接断线。

本申请实施例提供了一种显示装置,包括本申请实施例提供的触控显示面板。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种触控面板的结构示意图;

图2为采用本申请实施例提供另一种触控面板的结构示意图;

图3为本申请实施例提供的一种触控显示面板的示意图;

图4为本申请实施例提供的沿图3中aa’的剖面图;

图5为本申请实施例提供的沿图3中bb’的剖面图;

图6为采用本申请实施例提供一种触控面板制备方法制得的缓冲层的结构示意图;

图7为本申请实施例提供又一种触控面板制备方法的流程示意图;

图8为采用本申请实施例提供又一种触控面板制备方法形成的截面为阶梯形的过孔的示意图;

图9为本申请实施例提供的又一种触控面板制备方法的流程示意图。

具体实施方式

本申请实施例提供了一种触控面板,如图1所示,该触控面板包括:在衬底6上依次形成的具有凸起结构9的缓冲层1、搭接部2、第一绝缘层3以及通过贯穿所述第一绝缘层3的过孔7与所述搭接部2搭接的触控电极4;其中,所述搭接部2中至少与所述触控电极4搭接的部分位于所述凸起结构9之上。

本申请实施例提供的触控面板,由于缓冲层具有凸起结构,后续形成的第一绝缘层在凸起结构上方的厚度小于第一绝缘层其他部分的厚度,并且由于搭接部中至少与触控电极搭接的部分设置在凸起结构之上,这样贯穿第一绝缘层的过孔的深度小于第一绝缘层的最大厚度,即具有凸起结构的缓冲层使得过孔深度相对于第一绝缘层的最大厚度缩短,从而可以避免在第一绝缘层上形成过孔的工艺中出现高度坡角,进而可以避免后续触控电极通过过孔与搭接部搭接出现的搭接断线,可以提升产品良率。

可选地,本申请实施例提供的如图1所示的触控面板,具有凸起结构9缓冲层1包括具有第一厚度h1的区域以及具有第二厚度h2的区域,所述凸起结构9位于所述具有第一厚度h1的区域。

本申请实施例提供的触控面板,由于缓冲层包括具有第一厚度的区域以及具有第二厚度的区域,由于凸起结构位于具有第一厚度的区域,第一厚度大于第二厚度,这样第一绝缘层在缓冲层具有第一厚度的区域上方的厚度,小于第一绝缘层在缓冲层具有第二厚度的区域上方的厚度,从而在具有凸起结构的缓冲层使得过孔深度相对于第一绝缘层的最大厚度缩短的同时,可以保证缓冲层具有第二厚度的区域上方的第一绝缘层的厚度,相比于仅减少第一绝缘层整体厚度的情况可以避免缓冲层在触控面板制程过程中受损。即本申请实施例提供的触控面板,与现有技术相比,可以在第一绝缘层的最大厚度不变的情况下缩短贯穿第一绝缘层的过孔的深度,实现保护缓冲层的同时避免触控电极与搭接部搭接断线。

需要说明的是,本申请实施例提供的触控面板例如可以是触控显示面板,以oled面板为例,本申请实施例提供的触控面板的衬底例如可以是在对oled背板进行蒸镀、封装工艺后形成的衬底,这样,封装层下方具有oled阴极,本申请实施例提供的触控面板,由于可以在具有凸起结构的缓冲层使得过孔深度相对于第一绝缘层的最大厚度缩短的同时,保证缓冲层具有第二厚度的区域上方的第一绝缘层的厚度,进而可以保证触控电极与阴极之间的厚度来避免阴极对触控的干扰。此外,在具体实施时,也可在衬底上制备凸起结构,形成缓冲层,而对于触控显示面板,由于实现触控功能的各膜层设置在封装层之上,采用如图1所示的触控面板,具有凸起结构9缓冲层1包括具有第一厚度h1的区域以及具有第二厚度h2的区域,即缓冲层2覆盖衬底6,从而可以避免封装层在触控面板的制程中受损。

本申请实施例提供的触控面板,对于每一搭接部只要与所述触控电极搭接的部分位于所述凸起结构之上,即可避免搭接断线,当然可根据工艺难度等实际情况,对凸起结构与搭接部进行具体设置。

可选地,本申请实施例提供的如图1所示的触控面板,所述搭接部2与所述凸起结构9一一对应。即图1中整个搭接部2位于凸起结构9之上。

可选地,如图2所示,所述过孔7垂直于所述衬底6的截面为阶梯形。从而可以进一步避免触控电极与搭接部搭接断线。

可选地,所述缓冲层为保护胶层。第一绝缘层的材料采用oc胶时,无需再设置光刻胶,即可形成贯穿第一绝缘层的过孔,从而可以避免设置光刻胶导致的在第一绝缘层形成过孔出现高度坡角,从而可以进一步避免搭接断线。

可选地,本申请实施例提供的触控面板还包括第二绝缘层。如图3~5所示,图4为图3中沿aa’的剖面图,图5为图3中沿bb’的剖面图,触控面板包括:在衬底6上依次形成的缓冲层1、搭接部2、具有过孔7的第一绝缘层3、触控电极4以及第二绝缘层5,缓冲层1包括具有第一厚度h1的区域和具有第二厚度h2的区域,凸起结构9位于具有第一厚度的区域,搭接部2与凸起结构9一一对应,整个搭接部2位于凸起结构9之上。

本申请实施例提供的触控面板,搭接部和触控电极的材料可以是金属材料。

基于同一发明构思,本申请实施例还提供了一种触控显示面板制备方法,该方法包括在衬底上依次形成缓冲层、搭接部、具有过孔的第一绝缘层、通过所述过孔与所述搭接部搭接的触控电极;

其中,在衬底上形成缓冲层具体包括:至少在所述搭接部与所述触控电极搭接的区域形成具有凸起的缓冲层。

本申请实施例提供的触控显示面板制备方法,由于缓冲层具有凸起结构,使得后续形成的第一绝缘层在凸起结构上方的厚度小于第一绝缘层其他部分的厚度,并且所述凸起结构形成于至少在所述搭接部与所述触控电极搭接的区域,这样后续形成第一绝缘层的工艺中,需要形成过孔区域的深度小于第一绝缘层的最大厚度,即形成具有凸起结构的缓冲层使得过孔深度相对于第一绝缘层的最大厚度缩短,从而可以避免在第一绝缘层上形成过孔的后出现高度坡角,进而可以避免后续触控电极通过过孔与搭接部搭接出现的搭接断线,可以提升产品良率。

可选地,至少在所述搭接部与所述触控电极搭接的区域形成具有凸起结构的缓冲层具体包括:

在衬底上设置绝缘材料形成绝缘层;

采用图形化工艺处理所述绝缘层,形成与所述搭接部一一对应的凸起结构。

这样后续整个搭接部设置在凸起结构之上。

可选地,采用图形化工艺处理所述绝缘层,形成与所述搭接部一一对应的凸起结构具体包括:

采用半色调掩膜(halftonemask)工艺处理所述绝缘层,在所述绝缘层形成具有第一厚度的区域和具有第二厚度的区域,且在所述具有第一厚度的区域形成与所述搭接部一一对应的所述凸起结构。

halftonemask工艺在不同刻蚀深度的位置对应掩膜板光阻的不同透过率,后续可以形成具有不同厚度区域的缓冲层。采用halftonemask工艺形成具有不同厚度区域的缓冲层的结构如图6所示,在衬底6之上形成的缓冲层2包括具有第一厚度h1的区域10和具有第二厚度h2的区域11,第一厚度h1大于第二厚度h2,从而在具有第一厚度h1的区域10形成凸起结构9。

以绝缘材料为氮化硅(sinx)为例,可选地,在衬底上设置绝缘材料形成绝缘层包括:在衬底上沉积氮化硅形成绝缘层;

采用halftonemask工艺处理所述绝缘层,形成具有第一厚度的区域和具有第二厚度的区域的缓冲层,所述凸起结构位于所述具有第一厚度的区域具体包括:

在所述绝缘层上涂布光刻胶;

采用halftonemask工艺处理所述光刻胶,形成光刻胶的图案,其中光刻胶在需要形成具有第一厚度的区域厚度大于光刻胶在需要形成具有第二厚度的区域的厚度;

刻蚀所述绝缘层形成位于具有第一厚度的区域的凸起结构;

采用光刻胶剥离工艺去除残留的光刻胶。

halftonemask工艺在不同刻蚀深度的位置对应掩膜板光阻的不同透过率,从而可以形成厚度不同的光刻胶的图案,进而可以形成具有第一厚度的区域和第二厚度的区域的缓冲层。

当然缓冲层也可以选择其他材料,形成缓冲层的工艺可根据所选择的材料进行调整。

可选地,在衬底上设置绝缘材料形成绝缘层具体包括:

在所述衬底上涂布保护胶形成保护胶层;

采用半色调掩膜工艺处理所述绝缘层,形成具有第一厚度的区域和具有第二厚度的区域的缓冲层,所述凸起结构位于所述具有第一厚度的区域具体包括:

采用halftonemask工艺对所述保护胶层进行曝光、显影,形成具有第一厚度的区域和具有第二厚度的区域的缓冲层,所述凸起结构位于所述第一区域。

需要说明的是,当缓冲层的材料采用oc胶时,无需在oc胶上涂布光刻胶,直接对oc胶进行曝光显影即可形成具有不同厚度的缓冲层的图案,后续也无需进行光刻胶剥离,可以简化触控显示面板制备流程。

需要说明的是,本申请实施例提供的上述触控面板的制备方法,采用halftonemask工艺对绝缘层进行图形化可以形成具有凸起结构的缓冲层。当然也可以选择在平坦的绝缘层之上形成凸起结构,同样也可以使得过孔深度相对于第一绝缘层的最大厚度缩短,进而避免后续触控电极与搭接部搭接断线。

可选地,以形成如图6所示的缓冲层为例,搭接部位于凸起结构之上,如图7所示,形成具有多个过孔的第一绝缘层具体包括:

s101、在缓冲层1和搭接部2之上涂布保护胶形成绝缘层12;

s102、对所述绝缘层12进行曝光显影工艺,形成贯穿绝缘层12露出部分搭接部2的过孔7。

需要说明的是,第一绝缘层的材料采用oc胶时,无需再设置光刻胶,即可形成具有过孔的第一绝缘层,从而可以避免设置光刻胶导致的在第一绝缘层上形成过孔出现的高度坡角,从而可以进一步避免后续触控电极与搭接部搭接断线。

上述形成具有多个过孔的第一绝缘层的图案的具体工艺以第一绝缘层的材料为oc胶为例进行说明,当然,第一绝缘层也可以选择其他材料,具体工艺也可适当调整。此外,图7中,过孔7垂直于所述衬底1的截面为矩形,当然,过孔垂直于衬底的截面也可以是其他形状。

可选地,形成具有多个过孔的第一绝缘层具体包括:

沉积绝缘材料形成绝缘层;

在所述绝缘层之上涂布光刻胶;

采用曝光、显影工艺处理所述光刻胶;

刻蚀所述绝缘层;

至少进行一次光刻胶灰化、绝缘层刻蚀工艺,形成垂直于所述衬底的截面为阶梯形的过孔。

需要说明的是,在刻蚀绝缘层之后再进行一次光刻胶灰化、绝缘层刻蚀工艺即可使形成垂直于所述衬底的截面为阶梯形的过孔,光刻胶灰化、绝缘层刻蚀的次数不同,形成的阶梯形中的台阶的数目也不同,例如,当进行两次光刻胶灰化、绝缘层刻蚀工艺之后,如图8所示,过孔7为垂直于所述衬底6的截面边界为2级台阶的阶梯形。上述形成第一绝缘层的工艺流程中,所述绝缘材料例如可以为氮化硅。需要说明的是,即便选择氮化硅作为第一绝缘层的材料,在形成具有过孔的第一绝缘层的图案的过程中需要使用光刻胶,但是由于形成第一绝缘层的过孔时过孔深度小于第一绝缘层的最大厚度,并且形成的过孔与第一绝缘层的边界为阶梯形,仍可以避免触控电极与搭接部搭接断线。

可选地,该方法还包括:

形成覆盖触控电极的第二绝缘层。第二绝缘层的材料例如可以是sinx。

需要说明的是,本申请实施例提供触控显示面板制备方法中的衬底,例如可以是在对oled背板进行蒸镀、封装工艺后形成的衬底,后续在该衬底上进行触控电极的制作,及触控电极的制作工艺采用柔性金属层内嵌式(flexiblemetal-layeroncell,fmloc)工艺。

接下来,以缓冲层和第一绝缘层的材料为oc胶为例,对本申请实施例提供的触控显示面板的制备方法进行举例说明,如图9所示,触控显示面制备方法包括:

s201、在衬底6上涂布保护胶形成保护胶层8;

s202、采用halftonemask工艺对所述保护胶层8进行曝光、显影,形成具有凸起结构9的缓冲层1;

s203、在凸起结构9之上形成搭接部2的图案;

s204、在缓冲层1和搭接部2之上涂布保护胶形成保护胶层8;

s205、对保护胶层8进行曝光显影工艺,形成贯穿保护胶层8的过孔7。

s206、形成触控电极4,触控电极4通过过孔7与所述搭接部2搭接;

s207、形成第二绝缘层5。

本申请实施例提供了一种触控装置,包括本申请实施例提供的触控面板。

本申请实施例提供的触控装置例如可以是手机、平板电脑等装置。

综上所述,本申请实施例提供的触控面板及其制备方法触控装置,由于缓冲层具有凸起结构,使得后续形成的第一绝缘层在凸起结构上方的厚度小于第一绝缘层其他部分的厚度,并且所述凸起结构形成于至少在所述搭接部与所述触控电极搭接的区域,这样后续形成第一绝缘层的工艺中,需要形成过孔区域的深度小于第一绝缘层的最大厚度,即形成具有凸起结构的缓冲层使得过孔深度相对于第一绝缘层的最大厚度缩短,从而可以避免在第一绝缘层上形成过孔的后出现高度坡角,进而可以避免后续触控电极通过过孔与搭接部搭接出现的搭接断线,可以提升产品良率。

显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

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