，第二组互连端子5140b可以电连接到第二存储卡5160的互连端子5162。第一存储卡5150的互连端子5152的数量、尺寸和布置不同于第二存储卡5160的互连端子5162的数量、尺寸和布置。
[0103]例如，第一组互连端子5140a和第二组互连端子5140b提供在插槽5120的容纳空间的底面上。第一组互连端子5140a和第二组互连端子5140b可以布置在相同的方向上。第一组互连端子5140a可以比第二组互连端子5140b更接近入口 5122。
[0104]图37示出电子装置5100与存储卡5150和5160 —起的示例使用。例如，第二存储卡5160可以是上述微安全数字卡，第一存储卡5150可以是不同类型的存储卡。第一存储卡5150可以是现有的存储卡或者新型的存储卡。例如，第一存储卡5150可以是图1、4、6、
8、11、13、14、18、20或22中所示的存储卡。当存储卡5150插入容纳空间时，电子装置5100的插槽5120的第一组互连端子5140a电连接到第一存储卡5150的互连端子5152。此外，当第二存储卡5160插入容纳空间时，电子装置5100的插槽5120的第二组互连端子5140b电连接到第二存储卡5160的互连端子5162。第一存储卡5150可以大于第二存储卡5160。可选地，第一存储卡5150的尺寸可以与第二存储卡5160的尺寸相同。
[0105]图38示出包括多个互连端子5240的另一电子装置5200。电子装置5200类似于图36的电子装置5100。然而，第一组互连端子5240a设置在插槽5220的容纳空间的顶面上，而第二组互连端子5240b设置在插槽5220的容纳空间的底面上。如所示地，插槽5220包括入口 5222。
[0106]图41和图42示出可以在上述存储卡中使用的示例三维(3D)存储器芯片。图41和图42的存储器芯片是在韩国专利申请公开第2009-93770号和第2007-96972号中公开的存储器件的示例，其全部内容通过引用结合于此。上述实施例的存储器芯片可以是韩国专利申请公开第2009-93770号中公开的垂直型存储器件或韩国专利申请公开第2007-96972号中公开的非易失性半导体存储器。
[0107]上述示例实施例的存储卡还可以包括保护器，以保护半导体芯片不被静电放电(ESD)损坏。图43是示出提供有保护器的存储卡的示意图。具体地，图43示出保护器280被包括在存储卡20(V中的情况。除了存储卡20(V包括保护器280之外，存储卡20(V与存储卡200相同。应当理解，存储卡20(V可以代替存储卡200使用在示例实施例中。这样的保护器可以包括在其它示例实施例的存储卡中。参照图43，保护器280包括接地端子281、保护图案282和开关器件283。电路板230可以分成第一区域、第二区域和第三区域。半导体芯片232安装在第一区域中，接地端子281设置在第二区域中。保护图案282设置在第三区域中以保护半导体芯片232。例如，第一区域可以是电路板230的中心区域，第二区域可以是中心区域的侧部，第三区域可以是除了第二区域之外围绕第一区域设置的区域。
[0108]接地端子281的末端连接到外部接地部，接地端子281的另一末端连接到保护图案282。接地端子281可以直接或者通过导电图案连接到接地部或接地端子281。接地端子281的数量可以是两个，保护图案282的两端可以分别连接到接地端子281。尽管示出两个接地端子281，但是接地端子281的数量可以改变。接地端子281可以由导电材料形成。该导电材料可以包括金属或金属化合物。例如，该导电材料可以是铜或铜化合物。
[0109]保护图案282形成在电路板230的第二区域中且与半导体芯片232间隔开预定距离。保护图案282连接到接地端子281。在采用两个接地端子281的情况下，保护图案282的两端可以分别连接到接地端子281，以环形围绕半导体芯片232。保护图案282可以由导电材料形成。该导电材料可以包括金属或金属化合物。例如，该导电材料可以是铜或铜化合物。
[0110]开关器件283串联连接在接地端子281与保护图案282之间。例如，开关器件283可以如图43所示形成在保护图案282上。在另一示例中，开关器件283可以直接连接到接地端子281。在当前实施例中，开关器件283的数量为两个，接地端子281分别通过开关器件283连接到保护图案282的两端。尽管示出两个开关器件283，但是开关器件283的数量可以改变。此外，开关器件283可以设置为接近接地端子281，以最小化开关器件283与接地端子281之间的距离。在这种情况下，当在诸如静电放电状态的高压状态下产生火花(spark)时，高电压的电流可以通过保护图案282迅速流到接地端子281。开关器件283可以包括齐纳二极管、电感和可变电阻器(变阻器)之一。
[0111]上述示例实施例的存储卡还可以包括辅助电源6101，当发生突然断电(power-off)事件时辅助电源6101用于稳定地实施诸如数据备份操作的突然断电操作。图44示出包括辅助电源6101的存储卡。参照图44，辅助电源6101包括第一超级电容器6111、第二超级电容器6112、充电电路6120、开关6130、电压检测器6140和控制电路6150。
[0112]第一超级电容器6111和第二超级电容器6112可以是能够存储大容量电荷的储能器件。当存储卡被加电或者操作于正常状态时，第一超级电容器6111和第二超级电容器6112可以被充电。存储在第一超级电容器6111和第二超级电容器6112中的电荷可以作为辅助电力被供应给内部电路6102。第一超级电容器6111和第二超级电容器6112的电容会随时间而减小。如果第一超级电容器6111由于其电容的减小而不能使用，则存储卡的突然断电操作会不能很好地实施。在这种情况下，第二超级电容器6112可以提供辅助电力，因而，存储卡的突然断电操作可以正常地实施。
[0113]第一超级电容器6111和第二超级电容器6112的辅助电力可以顺序地提供。也就是，如果第一超级电容器6111由于劣化而不能使用，则使用第二超级电容器6112。接地电路GND可以连接到第二超级电容器6112。当使用第一超级电容器6111时，接地电路GND用于对第二超级电容器6112进行放电。充电电路6120用于对第一超级电容器6111和第二超级电容器6112进行充电。充电电路6120可以包括内部电源(未示出)。在这种情况下，充电电路6120可以通过采用内部电源对第一超级电容器6111和第二超级电容器6112进行充电。
[0114]备选地，充电电路6120可以通过利用从外部电源(未示出)提供的电力对第一超级电容器6111和第二超级电容器6112进行充电。充电电路6120可以通过充电路径①向第一超级电容器6111和第二超级电容器6112提供充电电流。开关6130连接在第二超级电容器6112与充电电路6120之间。开关6130可以用于控制向第二超级电容器6112供应充电电流。也就是，当开关6130接通时，充电电流被供应到第二超级电容器6112 ;当开关6130断开时，充电电流不被供应到第二超级电容器6112。此外，开关6130可以用于控制第二超级电容器6112的放电。也就是，如果开关6130接通，则第二超级电容器6112提供放电电流；如果开关6130断开，则第二超级电容器6112不提供放电电流。第一超级电容器6111和第二超级电容器6112可以通过放电路径②提供放电电流。
[0115]电压检测器6140可以检测第一超级电容器6111和第二超级电容器6112的充电电压或放电电压。当第一超级电容器6111或第二超级电容器6112充电或放电时，电压检测器6140可以通过测量N节点的电压来检测充电电压或放电电压。
[0116]控制电路6150控制接地电路GND、充电电路6120、开关6130和电压检测器6140。当使用第一超级电容器6111时，控制电路6150控制接地电路GND，使得第二超级电容器6112放电。此外，控制电路6150控制充电电路6120，使得充电电流被提供给第一超级电容器6111和第二超级电容器6112。控制电路6150可以控制开关6130，以便不使用第二超级电容器6112。例如，如果第一超级电容器6111的电容是足够的，则在控制电路6150的控制下可以不使用第二超级电容器6112。当不使用第二超级电容器6112时，不必要地存储在第二超级电容器6112中的电荷可以在控制电路6150的控制下通过接地电路GND被完全释放。控制电路6150可以由接收自电压检测器6140的充电电压或放电电压计算等效串联电阻ESR。ESR是从N节点到第一超级电容器6111或第二超级电容器6112的电阻分量。当充电电流被提供给第一超级电容器6111时，N节点的电压由于ESR而陡然增加预定时间。ESR可以通过利用充电电流Ic和N节点电压Vn计算。
[0117]控制电路6150可以从电压检测器6140接收充电电压或放电电压，用于计算第一超级电容器6111或第二超级电容器6112的电容。例如，控制电路6150可以由充电电流、充电时间和N节点电压Vn计算第一超级电容器6111的电容Csl。控制电路6150可以包括内部计时器(未示出)，以计算充电时间。控制电路6150可以通过利用ESR和第一超级电容器6111或第二超级电容器6112的电容来确定接通开关6130的时间。
[0118]上述示例实施例的存储卡还可以包括旁路焊垫(by-pass pad)。旁路焊垫可以电连接到存储器芯片。操作者可以通过旁路焊垫测试存储器芯片的电特性。图45至图47示出包括旁路焊垫2040的示例存储卡2000。图45是存储卡2000的仰视图。图46是示出当从存储卡2000移除保护罩2044时的存储卡2000的视图，图47是沿图45的线B-B’剖取的截面图。
[0119]参照图45至图47，存储卡2000可以具有与图1至图3中示出的存储卡200类似的的薄平行六面体形状。存储卡2000的互连端子2038的位置可以类似于图1至图3中示出的存储卡200的互连端子238的位置。控制器芯片2036和存储器芯片2034可以以一方式安装在电路板2030上，使得控制器芯片2036与存储器芯片2034在水平方向上间隔开。备选地，与图1至图3中示出的存储卡200的情况类似，控制器芯片2036可以设置在存储器芯片2034上。互连线2039可以形成在电路板2030中，控制器芯片2036和存储器芯片2034可以通过互连线2039和导线2048彼此连接。旁路焊垫2040提供在电路板2030的底面上。旁路焊垫2040连接到从互连线2039延伸的旁路线2042。如果存储卡2000异常工作，则操作者能够通过旁路焊垫2040测试存储卡2000的功能，用于检查存储卡2000的错误。
[0120]此外，可以提供保护罩2044使得旁路焊垫2040不能暴露到存储卡2000外部。保护罩2044覆盖旁路焊垫2040。保护罩2044可以以绝缘层的形式提供。例如，保护罩2044可以由焊料抗蚀剂形成。也就是，电路板2030的底面可以用焊料抗蚀剂涂覆，使得所有的旁路焊垫2040能够被覆盖。如果有必要测试存储卡2000，则操作者能够在通过利用蚀刻或抛光去除焊料抗蚀剂而暴露旁路焊垫2040之后进行测试。保护罩2044可以是由能够易于被选择性蚀刻工艺去除的绝缘材料形成的绝缘层。例如，保护罩2044可以由环氧基聚合物形成。备选地，保护罩2044可以由封装材料形成。备选地，保护罩2044可以由绝缘带形成。
[0121]图48示出在诸如图26、29、30和31中示出的存储卡的存储卡中选择性使用两组互连端子之一的示例结构。图48是存储卡的示意性仰视图。图48的存储卡具有与图26中示出的存储卡1300相似的结构。在该存储卡中，从存储器芯片接收的数据或者将被存储在存储器芯片中的数据通过利用控制器芯片2136的输出信号