的透射行为。技术人员将从图5的图表中认识到，在从约430nm至约780nm的波长下的透射高于90%，并且在从约540nm至约740nm的波长下的透射高于95%。因此，根据本文中所述的实施例的层堆叠提供相比已知系统的增强的光学透过率。此外，根据本文中所述的实施例的层堆叠例如通过在层堆叠中提供相对较厚的TCO层来提供约50欧姆/平方的低表面电阻。
[0060]图6示出根据本文中所述的实施例的层堆叠的光学行为的示意性表示。其光学行为在图6中示出的层堆叠包含具有约50nm厚度的图案化的TCO层。在横坐标的轴上，波长被指示为范围从约400nm至约800nm。纵座标的轴示出以入射光的百分比形式的层堆叠的反射行为。技术人员将从图6的图表中认识到，在从约440nm至约660nm的波长下的反射低于0.5% ,并且在约440nm与约600nm的波长下的反射低于0.2%。因此，根据本文中所述的实施例的层堆叠可充当触摸面板中的抗反射层堆叠，而同时提供具有所定义的表面电阻的可靠的导电层。
[0061]图7示出根据本文中所述的实施例的、用于形成触摸面板的层堆叠的方法700的流程图。方法700包括:在方框710中，在基板上沉积TCO层。例如，基板可包括聚合物。根据本文中所述的一些实施例，基板可以是幅材、箔或柔性基板。在一个实施例中，将涂覆的基板是PET基板，尤其是PET箔。在方框720中，对沉积在基板上的TCO层图案化。可通过蚀刻步骤，通过多级压印法等来执行图案化。根据本文中所述的实施例，图案化的TCO层的图案包括TCO区域以及TCO区域之间的间隙。
[0062]根据可与本文中所述的其他实施例结合的本文中所述的一些实施例，将涂覆的基板可以是幅材，但也可包括大面积基板。在一些实施例中，基板可以是:第4.5代(GEN 4.5)，其对应于约0.67m2的基板(0.73X0.92m)；第5代(GEN5)，其对应于约I.4m2的基板(I.Im XI.3m);第7.5 代(GEN 7.5),其对应于约 4.29m2 的基板(I.95m X 2.2m)；第 8.5 代(GEN 8.5),其对应于约5.7m2的基板(2.2mX2.5m)；或甚至第1代(GEN 10)，其对应于约8.7m2的基板(2.85mX 3.05m)。可类似地实施甚至更大世代(诸如，第11代(GENll)和第12代(GEN 12))以及对应的基板面积。
[0063]根据一些实施例，方法700进一步包括方框730，在方框730中，以第一电介质材料来填充图案化的TCO层的间隙。第一电介质材料可具有与TCO层相同或至少类似的光学特性。例如，第一电介质材料可以是如上文中参照图1和图2a至图2e所述的第一电介质材料；特别地，第一电介质层可具有与TCO图案中使用的TCO相同或类似的消光系数k和/或相同或类似的折射率η。
[0064]在方框740中，用于形成触摸面板的层堆叠的方法700包括:去除直接地沉积在图案化的TCO层的TCO区域上的电介质材料。在一个实施例中，如图2c和图2d中所述(S卩，通过在TCO层之间或上方提供第一电介质材料来执行在TCO区域之间的间隙的填充。随后，可去除在TCO区域上方提供的第一电介质材料，使得第一电介质材料仅存在于TCO区域之间的间隙中而不存在于TCO区域上方。根据一些实施例，由此以对应于TCO层的厚度的厚度来形成第一电介质材料。例如，TCO层和第一电介质材料的厚度可典型地在约25nm与约90nm之间，更典型地在约30nm与约70nm之间，甚至更典型地在约40nm与约60nm之间。在一个示例中，TCO层的厚度可以是约50nmo
[0065]根据本文中所述的实施例，方法700的方框750包括:直接地在TCO区域上且直接地在第一电介质材料上提供电介质层。能以如上文所述和所定义的方式来执行一个层在另一层上的直接沉积。例如，在第二材料上直接地提供第一材料可意味着，第二材料的约85%与第一材料直接接触。例如，如本文中所述的电介质层直接地沉积在TCO区域上可意味着，TCO区域的表面的85%或更多直接地由电介质层覆盖。相同情况应用于TCO间隙中的第一电介质材料的具体的示例中，由此提供如本文所述的电介质层，或者如本文中所述的电介质层被直接地沉积在第一电介质材料上(或与第一电介质材料接触)。
[0066]根据一些实施例，材料在聚合物基板上的沉积可在以下温度下发生:典型地小于约150°C，更典型地小于约120°C，甚至更典型地小于约100°C。在一个实施例中，特别是在PET箔用作基板的情况下，如本文中所述的层沉积(特别是TCO材料的层沉积)可在约80°C的温度下发生。可通过溅射工艺(例如，使用靶材或可旋转靶材的溅射工艺)来执行本文中所述的层的沉积。
[0067]在一个实施例中，用于形成触摸面板的层堆叠的方法包括:在沉积TCO层之前，直接地在基板上沉积粘附层。此粘附层可有助于改善后续在基板上形成的层的粘附性，但也可提供阻挡层以及隔离层的特性。在一个实施例中，粘附层可包括包含S1x(诸如，S12)的材料。粘附层可以是具有约25nm或更小的厚度的薄层。在沉积了粘附层之后，可在此粘附层上行程第一高折射率层。第一高折射率层可包括具有高于1.8的高折射率的材料。例如，具有高折射率的材料可包括NbxOy，诸如，Nb205。在第一高折射率层上，可沉积第一低折射率层。在一个实施例中，此低折射率层可包括具有低于1.6的折射率的材料。例如，第一低折射率层可包括诸如S12的材料。在一个实施例中，在此低折射率层上，可形成第二高折射率层。第二高折射率层可以是与第一低折射率层类似(例如，提供相同的材料和/或相比第一高折射率层的材料相同或类似的材料特性)的层。根据一些实施例，可在第二高折射率层上执行TCO层的上述沉积。
[0068]图8示出用于形成触摸面板的层堆叠的方法的实施例的流程图800。一般而言，方框810、820、830、840和850可分别对应于方法700的方框710、720、730、740和750。方法800进一步包括:当在方框810中在包括聚合物的基板上沉积了 TCO层之后，在方框815中，在TCO层上沉积接触层。在方框820中，在图案化TCO层之前，可沉积接触层。在一个实施例中，接触层可包括铜层。
[0069]在方框825(此方框825可在方框820后执行)中，可在用第一电介质材料填充图案化的TCO层的间隙之前图案化此接触层。根据一些实施例，可同时地执行对接触层和TCO层的图案化。在对接触层图案化之后，在方框830中，可在TCO区域之间的间隙中填充第一电介质材料，并且在方框840中，可从TCO区域中去除直接地沉积在图案化的TCO层的TCO区域上的电介质材料，从而具有包括TCO图案和电介质材料填充的均匀的层。方框850可包括:直接地在TCO区域上且直接地在如上所述的第一电介质材料上提供电介质层。
[0070]根据铜被用作接触可能性且被沉积在TCO层上的一些实施例，形成触摸面板的层堆叠的方法可包括两级压印或用于对TCO层和接触层图案化的其他光刻方法。在两级压印方法之后，蚀刻接触层(以形成图案)。在一个实施例中，在接触层蚀刻之后，蚀刻TCO以形成TCO图案。如上所述的经蚀刻的图案可包含TCO区域以及TCO区域之间的间隙。随后，第一电介质材料被填充到TCO区域之间的间隙中，其中特别地，此第一电介质材料具有与TCO(例如，具有化学式SiNxOy的材料)完全相同的折射率和/或完全相同的消光系数。在沉积了第一电介质材料之后，使用第二压印方法或对应的光刻方法。随后，蚀刻所沉积的第一电介质材料，特别地以去除存在于TCO区域上的第一电介质材料，并且进一步特别地以形成封闭层，所述封闭层包括具有均匀的光学外观的TCO图案和第一电介质材料。在蚀刻了第一电介质材料之后，可包括Si02的低折射率层(诸如，电介质层)可被沉积在包括TCO图案和第一电介质材料的封闭层上，并且所述低折射率层可由第三压印方法或对应的光刻方法处理，并且蚀刻。例如，可蚀刻电介质层以使接触层或接触图案(所述接触图案可被提供为接触线)暴露，特别地以使能够经由接触线来接触TCO层的接触图案暴露，所述接触线可(如例如在图3中所示)连接至控制器。
[0071]根据本文中所述的实施例，图案化的TCO层和第一电介质材料一起在光学上表现为像无图案结构的封闭膜。TCO区域和填充