)或刮刀涂布(blade coating)等方式。当然，第一遮蔽结构3亦不限定于油墨材料，第一遮蔽结构3亦可为其他具遮蔽效果的材料。第一遮蔽结构3主要是用以遮蔽设置于遮蔽区21内，并相较于第一遮蔽结构3位于远离用户的一侧的电子组件，由于该些电子组件不适于被用户所见，藉由第一遮蔽结构3将其遮蔽，可提升使用者的观赏效果。在实际应用上，第一遮蔽结构3除了具有遮蔽功能外，亦可使得遮蔽区21显示出不同的色彩效果，以满足实际产品的设计需求。
[0056]由于不同的色彩效果需求，第一遮蔽结构3可采用前述非黑色或浅色的绝缘材料，上述这些材料的分子对温度及环境较为敏感，容易因为环境温度或接触氧气或接触药液而发生变质异色的问题。而本实施例藉由在第一遮蔽结构3远离基板2之表面设置致密结构4，以防止第一遮蔽结构3特别是第一遮蔽结构3的该表面发生变质异色的问题。
[0057]具体的，致密结构4是由致密度高且耐高温的材料所形成，通常为一透明镀膜层，其材料例如为二氧化硅(Si02)、氮氧化硅(S1N)、或二氧化硅(Si02)与五氧化二铌(Nb205)的混和物。需要说明的是，致密结构4的高致密度和耐高温的特性是相对第一遮蔽结构3而言，致密结构4的致密度大于第一遮蔽结构3的致密度，具体的，致密结构4的致密度大于等于0.74，在后续制程中能阻隔氧气或药液渗入第一遮蔽结构3，使第一遮蔽结构3发生变质异色。耐高温是指致密结构4本身能耐受温度影响而不变质。例如当第一遮蔽结构3材料为白色油墨时，致密结构4可采用二氧化硅镀膜层，由于二氧化硅镀膜层具有致密度高及耐高温的特性，因此可减少甚至避免白色油墨表面接触氧气、药液或受到温度影响，白色油墨的组份发生变质，进而避免第一遮蔽结构3发生变质异色(如黄化)的现象。致密结构4可藉由派镀法(sputtering)、蒸镀法(evaporat1n)或其他制程方式形成于第一遮蔽结构3上，其厚度可约为40奈米至60奈米，较佳为45奈米至55奈米，以达到阻隔氧气、药液和温度的作用，同时兼顾触控面板轻薄之优点。虽然致密结构4于本实施例中为单层结构，但于其他实施例中，致密结构4亦可为双层或多层结构，以达到更好的防止第一遮蔽结构3变质异色的功效。
[0058]图2A至图2C为图1B所示之触控面板之其它实施态样的示意图，首先，图2A所示的触控面板与图1B所示的触控面板之间的差异在于，图2A所示的致密结构4更进一步覆盖第一遮蔽结构3的侧面，特别是覆盖第一遮蔽结构3邻近于可视区22的侧面。详言之，致密结构4除了覆盖第一遮蔽结构3远离基板2的表面，例如图2A所示为下表面，更进一步的致密结构4沿着第一遮蔽结构3邻近于可视区22的侧面延伸覆盖至基板2的表面。而图2B所示的触控面板与图2A所示的触控面板之间的差异在于，图2B所示的致密结构4更进一步覆盖可视区22，即致密结构4覆盖第一遮蔽结构3远离基板2的表面、第一遮蔽结构3邻近可视区22的侧面及基板2位于可视区22的表面，如此可平缓第一遮蔽结构3与基板2之间的段差，可更利于后续其它结构(例如后文的触控感应结构)的设置。图2C所示的触控面板与图2B所示的触控面板之间的差异在于，图2C所示的致密结构4更进一步覆盖第一遮蔽结构3远离于可视区22的侧面，详言之，致密结构4除了覆盖第一遮蔽结构3远离基板2的表面、第一遮蔽结构3邻近可视区22的侧面及基板2位于可视区22的表面，更进一步的，致密结构4沿着第一遮蔽结构3远离于可视区22的侧面延伸至基板2的表面，即致密结构4更覆盖第一遮蔽结构3远离可视区22的侧面。前述图2A至图2C对应实施例中，致密结构4更完整地覆盖第一遮蔽结构3的表面和侧面，以对第一遮蔽结构3的各表面形成保护，达到更佳的防止变质异色的功效。在图2B和图2C中，因致密结构4有覆盖可视区22，致密结构4较佳为透明材料形成，例如为透明的二氧化硅(Si02)材料或其它致密度高的透明材料，例如为氮氧化硅(S1N)、或二氧化硅(Si02)与五氧化二铌(Nb205)的混和物，然，本发明不以上述材料为限制。
[0059]图3A为本发明另一较佳实施例的一种触控面板Ia的上视图，而图3B为图3A沿虚线BB’的剖面图。请同时参照图3A及图3B所示，本实施例的触控面板Ia与上述实施例大致相同，其差异在于触控面板Ia更包含一触控感应结构5。特别说明的是，于此基板2、第一遮蔽结构3及致密结构4之相关配置是以图2B所示之态样为例。
[0060]在本实施例中，触控感应结构5包含一电极结构51以及多个引线52。电极结构51位于可视区22，且部分延伸至遮蔽区21的致密结构4上，在本实施中，电极结构51与基板2分别位于致密结构4的相异两侧。电极结构51可采用溅镀法(sputter)或化学气相沉积法(chemical vapor deposit1n method)沉积导电材料后，并利用微影蚀刻技术(photolithography)将导电材料图案化后形成于致密结构4表面。引线52设置于致密结构4上，且电性连接于电极结构51。引线52位于遮蔽区21，以被第一遮蔽结构3遮蔽而不被使用者所见。另外，电极结构51在本实施例中是以包含双轴向相互交错的横向电极和纵向电极为例说明，但本发明电极结构51可不限定为单轴向或双轴向，亦不限定其形状及材料，其较佳系采用透明导电材料。透明导电材料可例如是氧化铟锡(indium tinoxide ;IT0)、氧化铟锌(indium zinc oxide ;IZ0)、氧化锦锡(cadmium tin oxide ;CT0)、氧化招锌(aluminum zinc oxide ;AZ0)、氧化铟锡锌(indium tin zinc oxide ;ITZ0)、氧化锌(zinc oxide ;ZnO)、氧化锦(cadmium oxide ;CdO)、氧化铟嫁锌(indium gallium zincoxide ;InGaZnO)、氧化铟嫁锌儀(indium gallium zinc magnesium oxide ;InGaZnMgO)、氧化铟嫁儀(indium gallium magnesium oxide ；InGaMgO)或氧化铟嫁招(indium galliumaluminum oxide ；InGaAlO)等材料。而引线52的配置也可依据实际需求做调整，同样不作限制，其材料可例如是金、银、铜、镍、铝、铬、或前述之合金或任意组合。
[0061]在本实施例中，电极结构51的材料是以氧化铟锡为例，其厚度约为30奈米至50奈米之间。如图3B所示，由于电极结构51从可视区22的位置延伸至遮蔽区21时必须爬坡，因此当电极结构51是由例如氧化铟锡等脆度较高的材料形成，且当致密结构4位于遮蔽区21的部份与位于可视区22的部份的段差较大时，容易发生断裂的问题。而图4A为本发明再一较佳实施例的一种触控面板Ib的上视图，图4B为图4A沿虚线CC’的剖面图，与3A及图3B不同的地方在于，在本实施例中，电极结构51设置于可视区22之内，而引线52设置于致密结构4上且部分延伸至可视区22，以与可视区22内的电极结构51电性连接。由于电极结构51毋需爬坡，可避免电极结构51爬坡断裂的问题，加上引线52多是以金属材料制成，其延展性较佳，较不易发生断裂问题。另外，引线52至少位于可视区22的部份可采用低反射率或透明导电材料制作，以降低被人眼可视的问题。
[0062]在图3B及图4B中，由于是在形成第一遮蔽结构3后，先设置致密结构4再设置电极结构51，使得致密结构4早于电极结构51先形成，加上致密结构4是设置于第一遮蔽结构3远离基板2之表面，使第一遮蔽结构3在形成电极结构51的制程(如溅镀和微影蚀刻制程)中，可被致密结构4保护及隔绝，进而避免第一遮蔽结构3受温度、氧气或药液影响而产生变质异色的问题，以维持原先的色彩效果需求。
[0063]图5为本发明又一较佳实施例的一种触控面板Ic的示意图，本实施例的触控面板Ic与前述实施例(图3B，触控面板Ia)大致相同，其不同的地方在于，触控面板Ic在致密结构4与引线52之间更包含一第二遮蔽结构6，第二遮蔽结构6对应设置于遮蔽区21。第二遮蔽结构6的材料可为黑色