所不,第一电极121及第二电极122形成于基板110的第一面IlOu上。另一实施例中，第一电极121及第二电极122可分别形成于基板110的相对二侧。
[0090]各触控单元区120的第一电极121包括分离的第一子电极1211及第二子电极1212。电极垫123连接第一子电极1211及第二子电极1212，以电性连接第一子电极1211及第二子电极1212。本实施例各触控单元区120的电极垫123的数量是以单个为例说明，然本实用新型实施例不受此限。绝缘层124隔离电极垫123与第二电极122，以电性隔离第一电极121与第二电极122，避免第一电极121与第二电极122发生电性短路。一实施例中，绝缘层124的厚度Tl (如图1B)可介于0.01微米至5微米之间。
[0091]如图1A所示，沿同一行(例如是沿第一方向Dl)排列的一触控单元区120的第二子电极1212可连接相邻的触控单元区120的第一子电极1211，使相邻二触控单元区120的第一电极121彼此电性连接。沿同一行排列的多个触控单元区120的多个第一电极121可连接成一第一轴向电极，以感应发生在第一方向Dl的一触控动作。此外，相邻二第一轴向电极(即沿第二方向D2排列的多条第一轴向电极)彼此不连接，如此可避免相邻二第一轴向电极电性短路。在一实施例中，可更包括多条信号线140，各信号线140连接对应的第一轴向电极并延伸至基板110的一侧，以传输第一轴向电极的信号。
[0092]本实施例中，一触控单元区120的第一电极121与相邻的触控单元区120的第一电极121可呈对称结构且/或一触控单元区120的第二子电极1212与相邻的触控单元区120的第一子电极1211可呈对称结构。另一实施例中，一触控单元区120的第一电极121与相邻的触控单元区120的第一电极121可呈非对称结构且/或一个触控单元区120的第二子电极1212与相邻的触控单元区120的第一子电极1211可呈非对称结构。
[0093]如图1A所示，沿同一列(例如是沿第二方向D2)排列的任相邻二触控单元区120的二第二电极122彼此连接，使沿同一列排列的多个触控单元区120的多个第二电极122可成为一第二轴向电极，以感应发生在第二方向D2的一触控动作。此外，相邻二第二轴向电极(即沿第一方向Dl排列的多条第二轴向电极)彼此不连接，如此可避免相邻二第二轴向电极发生电性短路。
[0094]第一电极121及第二电极122可由电极线围绕而成。电极线的电极面积小于触控单元区120的单元面积，因此可减少第一电极121及第二电极122于对应的触控单元区120的占据面积。如此一来，可减少第一电极121及第二电极122于触控时的自电容值，进而避免误报点发生(若触控后的自电容提升倍率超出自电容容许提升倍率即会发生误报点)，以下进一步说明。
[0095]图2绘示图1A的触控面板于触控前、后的电容变化曲线图。本实施例是以第一电极121与第二电极122之间的互电容值在触控未发生时介于0.1皮法拉至10皮法拉之间为例说明。在图2中，曲线Cl表示一般触控面板在触控后互电容下降比例与自电容容许提升倍率的关系曲线，而曲线C2表示本实用新型实施例的触控面板100在触控后互电容下降比例与自电容容许提升倍率的关系曲线。由图示的曲线趋势可知，在触控后，无论是传统触控面板或本实用新型实施例的触控面板100的第一电极与第二电极之间的互电容值会下降，而电极(图2是以第一电极与第二电极其中之一为例作说明)的自电容值会上升。
[0096]如图2所示，就触控后互电容下降比率为47%来说，一般触控面板的自电容容许提升约2.5倍，而本实用新型实施例的触控面板100的自电容容许提升可达20倍，因此可减少误报点问题发生。以第一电极121的自电容容许提升倍率而言，在触控未发生时，第一电极121具有第一基准自感电容值；在触控发生时，第一电极121具有第一提升自感电容值，第一电极121的自电容容许提升倍率为第一提升自感电容值与第一基准自感电容值的比值。本实施例中，第一电极121的自电容容许提升倍率小于37，然亦可等于或大于37 ;相似地，以第二电极122的自电容容许提升倍率而言，在触控未发生时，第二电极122具有第二基准自感电容值；在触控发生时，第二电极122具有第二提升自感电容值，第二电极122的自电容容许提升倍率为第二提升自感电容值与第二基准自感电容值的比值。本实施例中，第二电极122的自电容容许提升倍率小于37，然亦可等于或大于37。
[0097]就自电容容许提升倍率的量测方式而言，举例来说，将电感电容电阻测量计(LCRMeter)(未绘示)的一端连接其中一触控单元区120的第一电极121或第二电极122，而将电感电容电阻测量计的另一端接地(grounding),然后读取第一电极121或第二电极122的电容值作为一基准自感电容值；接着，以非导体或带电荷体接近，或者隔着覆盖层130去碰触触控单元区120，然后读取第一电极121或第二电极122的变化自容值作为一提升自感电容值；可重复上述步骤数次(如10次以上)，然后分别计算多个基准自感电容值的平均值作为一基准自感电容平均值，及计算多个提升自感电容值的一平均值作为一提升自感电容平均值；接着，计算该提升自感电容平均值与该基准自感电容平均值的一比值，此比值即作为自电容容许提升倍率。一实施例中，亦可于省略盖板、减少覆盖层130厚度、或省略覆盖层130的情况下进行自电容容许提升倍率的量测。
[0098]此外，若省略或减薄一般触控面板的盖板，在触控后，易导致自电容值提升倍率的增加，进而引发误报点的问题产生(若触控后的自电容提升倍率超出自电容容许提升倍率即会发生误报点)。举例来说，如图2所示，于省略或减薄盖板的情况下，在触控后(以触控后互电容下降比率为47%而言，如Pl触控点)，自电容值提升倍率约20倍，已高于曲线Cl的容许范围，此时会发生误报点。
[0099]本实用新型实施例的触控面板100，由于第一电极121及第二电极122具有低的自电容值，使自电容值容许提升倍率提高；就触控后互电容下降比率为47%来说，触控面板100的自电容容许可提高至约20倍。在此设计下，即使省略盖板、减少覆盖层130厚度、或省略覆盖层130，触控面板100在触控后(以Pl触控点而言)，自电容值提升倍率仍低于曲线C2的范围，因此可改善误报点问题。一实施例中，覆盖层130的触控面130s相距第一电极121或第二电极122的距离Hl ( 100微米，或是小至约0.01微米，仍可避免触控时发生误报点问题。
[0100]此外，可通过多种方式来设计或降低电极的自电容值及互电容值。例如，电极的宽度、电极面积与触控单元区的面积比例、电极的延伸方式、电极的厚度及/或电极垫的尺寸。
[0101]就电极宽度而言，如图1A-1，图1A的局部a’的放大图所示，一实施例中，第一电极121的宽度tl及/或第二电极122的宽度t2可介于5微米至200微米之间，藉以减少电极的自电容值。一实施例中，第一电极121的宽度tl及/或第二电极122的宽度t2可相异或大致上相同。
[0102]就电极面积而言，第一电极121与第二电极122于触控单元区120内占据一电极面积Al，其中电极面积与触控单元区120的单元面积A2(如图1A所示)的比值(A1/A2)可例如等于或小于50%，如此可有效提升自电容值容许提升倍率。一实施例中，单元面积A2可例如介于约9平方毫米(mm2)至约49平方毫米之间。
[0103]就电极延伸方式而言，第一电极121与第二电极122可围绕出任何形状。例如，本实施例中，第一电极121可围绕出至少一凹部121r及至少一凸部121p，而第二电极122可围绕出至少一凹部122r及至少一凸部122p。本实施例中，一触控单元区120的第一电极121的凸部121p的数量例如有六个，而凹部121r的数量例如有四个。另一实施例中，凸部121p的数量可以少于或多于六个，而凹部121r的数量可以少于或多于四个。此外，一触控单元区120的第二电极122的凸部122p的数量例如有八个，而凹部122r的数量例如有六个。另一实施例中，凸部122p的数量可以少于或多于八个，而凹部122r的数量可以少于或多于六个。第一电极121的凸部121p可进入第二电极122的对应的凹部122r，且第二电极122的凸部122p可进入第一电极121的对应的凹部121r，使第一电极121与第二电极122之间的间距h缩小且大致上保持一致。一实施例中，间距h例如是介于5微米至200微米之间。另一实施例中，同一个触控单元区120内的间距h可以是变化的，例如，同一个触控单元区120内可具有多个不同的间距h，如同时具有5微米与200微米的间距。
[0104]另一实施例中，全部或一些触控单元区120的任一者可包括多个电极垫123，其中一电极垫123可形成于第一子电极1211的至少一个凸部121p与第二子电极1212至少一个相对的凸部121p之间，并连接前述的至少两凸部121p，而另一电极垫123可形成于第一子电极1211另一个凸部121p与第二子电极1212另一个相对的凸部121p之间，并连接两凸部121p。
[0105]就电极厚度而言，如图1B所示，第一电极121的厚度T2可介于约0.01微米至5微米之间，而第二电极122的厚度T3可介于约0.01微米至5微米之间。
[0106]就电极垫的尺寸而言，如图1A所示，电极垫123沿第一方向Dl的长度LI可例如介于100微米至1000微米，而电极垫123的宽度t3