测试装置以及测试方法

专利名称：测试装置以及测试方法
技术领域：
本发明与测试半导体存储器等被测存储器的测试装置以及测试方法相 关。本发明尤其与进行被测存储器的写入测试的测试装置相关。本申请与 以下美国的专利申请有关。在认可将文献作为参照文献纳入的指定国家，下 述申请中所记载内容作为参考被纳入本申请，作为本申请的一部分。申请编号11/298， 562申请曰期2005年12月9曰 背景技术以前，闪速存储器等作为半导体存储器为大家所熟悉。半导体存储器 有很多的用途，不同的用途要求不同的数据写入时间。这里所讲的数据写 入时间是指在将指定的数据写入半导体存储器时，该数据的写入从开始 到完成所需要的时间。以半导体存储器用于数码摄像机的图像数据的收录时的情况为例予以说明。在动画摄影时，传送相当于VAG图像(大约31万像素)的数据的情 况下，其数据量，每l帧大约为5Mb。通过将该数据压缩，每l帧的数据量 例如可能变为242Kb。若将动画的帧数设定为每秒30帧，那么1帕的传送时间大约为33ms。 但是，数据传输的时间还包括读写校验等动作的时间，不能将所有的时间 都用于数据的写入。比如，每l帧的传送时间中，8ms用于数据的写入。也 即是，在上面的例子中，将242Kb的数据写入半导体存储器中需要大约8ms 的时间。以半导体存储器每页的记忆容量为2KB来计算，要容纳1帧的数据需 要15页。这样，在上面的例子中，半导体存储器需要能够在8ms的时间内 写入15页的数据量。上述测量数据写入时间的测试，作为测试半导体存储器等被测存储器 的项目广为人知。在本测试中，向被测存储器的每页中写入所规定的数据， 测量每页的写入时间。以前的测试装置，将每1页的写入时间规定为测试规格。如上述例子 所示，针对要求以8ms的时间写入15页数据的半导体存储器，规定其每1 页的写入时间为8ms/15=530jis。并且，如果某1页的数据写入时间长于上述规定值，则判断含有该页 的块为异常块。块是指数据写入的单位，本例中假设15页组成一个块。 对于该异常块，实际安装时的数据写入被禁止。而且，存在超过一定 数量的异常块的被测存储器就被认定为次品。通过这样的测试，筛选出符 合规格要求的半导体存储器用于装配。现在，还没有找到有关的专利文献， 在此省略其记载。发明内容该发明打算解决的问题但是相对于实际安装所要求的规格，比如在8ms的时间内写入15页数 据，在以前的测试中要求每页以530 ns的时间写入。从块单位看来，以前 的测试的规定值与实际安装时要求的规格相同。但是，半导体存储器的每1页的数据写入时间并不完全相同，会因为 页的不同而产生差异。因此，在以前的测试中所要求的规定值严于实际安 装时所要求的规格。也即是，在以前的测试中，要求块中所包含的全部的 页的数据写入时间都应在比如530jus以下，而实际安装所要求的规格是块 中的所有的页的平均写入时间应在530 ja s以下。也即是，在以前的测试中，会把在实际安装时没有问题的半导体存储 器当作次品剔除。这样，就会降低半导体存储器制造时成品合格率。为此，从一个侧面来讲，本发明的目的在于提供能解决上述课题的测 试装置和测试方法。这个目的是通过申请范围内的独立项所记载的特征的 组合达成的。另外，在从属项中规定了证明本发明更有利的具体例子。为了解决课题所采用的手段为了解决上述的课题，在本发明的第一形态中，作为测试半导体存储 器的测试装置，提供具备把预设的测试数据写入到被测半导体存储器各个 页中，检测被测存储器的写入单元，和收录被测存储器的测试结果的失效 存储单元的测试装置。同时，上述失效存储单元又由测量测试数据写入到 半导体存储器的每一 页所需的写入时间的测量单元，把测量的写入时间以 设定的页数进行累计的累计单元，以及将累计单元算出的累计值和预先设在累计单元内，累计计算每1个具有事先设定的页数的页数群的写入 时间。在判定单元内，根据每1个页数群的累计写入时间，分别判定页组 是否合格。在失效存储单元内，还可以具有失效存储器，用来与各个页数 群对应收录对每一 页数群的判定结果。在失效存储单元内，还具有减法单元，把从写入时间测量单元测到的每 页的写入时间分别减去预定的平均规格值而得3'j的差值输入i 'J累计单元， 判定单元可以根据差值的累加值是否小于0来判定每组页数群是否合格。还可以在判定单元内，设置两个判定器。在第1判定器内，对每组页 数群的写入时间的累计值，是否大于累计期待值，从而判定每组页数群是 否合格。在第2判定器内，比较每组页数群里的每页的写入时间，是否大 于预先设定的绝对规格值，从而判定每页是否合格。还可以在判定单元里设置第3判定器，在该第3判定器内，不仅要求 每组页数群的累计写入时间比累计期待值小，而且只有在每组页数群里的 每页的写入时间均小于绝对规格值时才判定该页数群为合格块。在失效存储单元内，还可以设置预先收录累计期待值，将其提供给第1判定器的累计期待值寄存器，以及预先设定绝对规格值，将其提供给第2判定器的绝对规格值寄存器。失效存储单元，还可以在第2判定器内，设置如果判定某一页的写入时间超过了绝对规格值，那么在累计单元内，该页的写入时间就会被去除 再继续进行累计，而且在该组页数群的最后一页后面再追加一页的页数群 控制单元。在失效存储单元内，还可以设置不仅要求每组页数群的累计写入时间 比累计期待值小，而且只有在每组页数群里的每页的写入时间小于绝对规格值时才判定该页合格的第3判定器，以及收录每页的判定结果的失效存储器。在失效存储单元内，也可以设置页数寄存器，计数器以及复位器。页 数寄存器里存有预先设定的页数。计数器计数与测试数据的写入周期大致 一样的许可信号的脉沖数。当计数器中所记的数值与页数寄存器中的数值 一致时，累计单元中的累计值以及计数器里的数值复位。在第2判定器内， 如果判定有一 页的写入时间超过了绝对规格值，则以 一个脉冲的许可信号 停止计数器的计数，而且禁止累计单元累加这一页的写入时间。在失效存储单元内，可以并列设置第1和第2两个累计单元。在第1 累计单元内被累计的第1页数群中的部分页，可以和在第2累计单元内被 累计的第2页数群重复。第1累计单元内的累计值与第2累计单元内的累 计值，都小于累计期待值时，则判定单元判定该被测存储器合格。本发明的第二形态，提供测试被测存储器的测试方法，具备分别向被 测存储器的每页中写入预设的测试数据，测试被测存储器的写入阶段，以及 收录被测存储器的测试结果的收录阶段。收录阶段又可分为对每页的写入 时间进行测量的阶段，对写入时间进行累计的阶段，以及将累计阶段得到 的累计值与预设的累计期待值相比较，从而判定被测存储器是否合格的判 定阶段。再者，上述的发明概要，并没有列举出本发明的全部必要特征。上述 诸多特征的次级组合也可认为是本发明。


图1是与本发明的实施形态相关的测试装置100的构成的1个示例。图2是失效存储单元30的构成的1个示例。图3是在图2中业已说明的失效存储单元30的运作的1个示例。图4是用过去的测试装置所得的结果，与用图1至图3里说明的本发 明测试装置100所得到的结果的1个示例。图4 (a)是用过去的测试装置 所得的结果。图4 ( b )是用图1至图3里说明的本发明测试装置100所得 到的结果。图5是失效存储单元30的构成的另1个示例。图6是图5中说明的失效存储单元30的运作的1个示例。图7是失效存储单元30的构成的另1个示例图8是在图7中说明的失效存储单元30的运作的1个示例。图9是失效存储单元30的构成的另1个示例图IO是在图9中说明的失效存储单元30的运作的1个示例。图11是失效存储单元30的构成的另1个示例图12是在图11中说明的失效存储单元30的运作的1个示例。符号说明10:模式生成单元12:波形控制单元14:时序生成单元16:比较单元18:管脚电子部件20.驱动器22:比较单元30失效存储单元32:写入时间测量单元34累计单元36:累计期待值寄存器38判定单元40:失效存储器2:不良存储块计数器44:平均规格寄存器46.减法单元48:第2判定器50:第1判定器52:绝对规格值寄存器54:第3判定器56:与门电3各58:计数器60:比较器62:页数寄存器64:比较器65、66:或门电^各70:页数群控制单元100:测试装置200:被测存储器具体实施方式
以下，通过实施发明的形态来对本发明进行说明，但是，发明的申请 范围并不局限于以下的实施形态。另外，并非所有实施形态中说明的特征的组合都是发明所必须的解决手段。图1显示的是与本发明的实施形态相关的测试装置100的构成的1个示例。测试装置100是用于测试半导体存储器等被测存储器200的装置，具 备有模式生成单元IO、波形控制单元12、时序生成单元14、比较单元16、 管脚电子部件18、以及失效存储单元30。模式生成单元10,比如根据使用者设定的程序，生成用于测试被测存 储器200的测试模式。根据该测试模式，生成输入被测存储器200的信号 等。波形控制单元12,根据从模式生成单元IO获得的测试模式，生成用于 测试被测存储器200的测试信号。比如，波形控制单元12与传来的时序块 同步化，生成与测试模式相对应的电压水平的测试信号。时序生成单元14 生成输入波形控制单元12的时序块。管脚电子部件18与被测存储器200之间进行信号的输出和接收。管脚 电子部件18拥有驱动器20和比较单元22。通过驱动器20把波形控制单元 12生成的测试信号输入给被测存储器200。比如，在测量被测半导体存储 器的写入时间时，模式生成单元IO、波形控制单元12，以及驱动器20，分 别把预先设定的测试数据写入到被测半导体存储器内。另外，比较单元22 用于接收从被测半导体存储器中输出的信号。比较单元16,通过比较被测存储器200输出的信号电平是否大于预设 的参照电压电平，把输出信号转换为二值信号。比较单元16根据从时序生 成单元14传递出的时间信号，比较输出信号的信号电平与预设的电压电平。 另外，比较单元16也可以比较被转换为二值信号的输出信号与设定的期待 值信号。比如，在测量被测存储器200的写入时间时，比较单元16接收将被测 存储器200的ready/busy信号(以下简称RY/BY信号)作为输出信号接收， 检测RY/BY信号是否为所规定的期待值。RY/BY信号是在输入数据的写入处 理过程中显示第1逻辑值，该输入数据写入完成，可以再次进行输入数据 的写入时，显示第2逻辑值的信号。通过测量从开始向被测存储器200的每页内写入输入数据，到RY/BY 信号显示第2逻辑值之间的时间，能够测量出被测存储器200的每1页的 数据写入时间。比如，该测量可通过失效存储单元30进行。失效存储单元 30收录被测存储器200的测试结果。比如，用失效存储单元30收录上述的 每页的数据写入时间。图2是显示失效存储单元30的构成的1个示例。在向被测半导体存储 器的每页写入预设的测试数据时，失效存储单元30测量该测试数据的写入 所需时间，并予以收录。在本例中，失效存储单元30具备写入时间测量单元32、累计单元34、累计期待值寄存器36、判定单元38、失效存储器40 以及不良存储块计数器42等元件。写入时间测量单元32，分别测量每一页的测试数据的写入所需要的时 间。写入时间测量单元32可以根据比较单元16的比较结果测量该写入时 间。比如，写入时间测量单元32接收到模式生成单元10发出的开始写入 预设测试数据的通知，测量从收到通知到RY/BY信号显示第2逻辑值之前 的这一段时间即可。该测量可以通过，计算在这一时间段，测试装置100 里的系统时钟等进行。累计单元34通过预设页数对写入时间测量单元32里测量出的写入时 间进行累计。比如，累计单元34可以以每1页数群为单位累计写入时间。有的页数^根据被测存储器200的实:安装规格来决定。
々 、累计单元34接收从模式生成单元10发出的许可信号和复位信号。该 许可信号是对累计单元34里的写入时间的累计予以许可还是禁止进行控制 的信号。复位信号是对累计单元34里的写入时间的累计值进行复位的信号。 比如，在模式生成单元IO对写入时间进行测量的测试时，可以允许累计单 元34对写入时间进行累计。另外，模式生成单元IO，在每次对页数群的写 入时间予以累计后，累计单元34的累计值就被复位。判定单元38把累计单元34计算出的累计值与预先设定的期待值相比 较，从而判定被测半导体存储器是否合格。比如，判定单元38可以根据每 1页数群的写入时间的累计值，判定各个页数群是否合格，这种情况下，在 累计期待值寄存器36中收录每一页数群的累计期待值。另外，当累计单元 34累计的时间超过了累计期待值，判定单元38就可以判定该页数群异常。判定单元38接收从模式生成单元10发出的许可信号。该许可信号是 控制判定单元38是否应该对页数群进行合格判断的信号。比如，模式生成 单元IO在累计单元34累计事先设定的页数的写入时间后，可以让判定单 元38对累计值与累计期待值进行比较。失效存储器40将各个页数群的判定结果分别对应各自的页数群予以收 录。比如，失效存储器40的每一个地址对应被测半导体存储器的每一个页 数群。失效存储器40各自的判定结果记录在相应的地址中。比如也可以通 过模式生成单元10来控制失效存储器40用哪个地址记录判定结果。失效 存储器40中记录的判定结果也可以作为该页数群的掩蔽数据使用。比如， 被测存储器进行安装时，根据该数据可以禁止使用异常页数群。另外，在对 被测半导体存储器进行测试时，可以省略对异常页数群的测试。不良存储块计数器42记录判定单元38里判定的不良页数群数量，当该 数值大于预设的一定数值时，不良存储块计数器42就会向从模式生成单元IO发出通知信号，当模式生成单元IO收到此通知信号后，针对被测半导体 存储器的测试被终止。根据上述构造，可以进行适合被测半导体存储器200在实际使用时所 要求的规格的测试。因此，与以前的测试装置相比，能提高被测存储器200 的成品合格率。图3显示了图2里已说明的失效存储单元30的运作的1个示例。图3 所显示的每页的波形是测试数据被写入该页时，R Y/B Y信号波形的1个示例。 在本例中，RY/BY信号在测试数据被写入过程中显示L逻辑值。数据写入完 成，可以再次进行数据的写入时显示H逻辑值。另外，在本例中，每一页数群(页块)都有N页，那么一个页数群的 累计期待值就应该是N*600jus，这种情况下，在以前的测试装置中，只有 每一页的写入时间都在600 ns以下，才能判定该页数群是合格品。在如图 3所示的例子中，1页和1页的写入时间都超过了 600 ns,如果是以前的测 试装置，则该页数群就会被判定为不合格。与之相对，在图2里已经说明的失效存储单元30内，累计各个页数群 的写入时间，比较该累计值与累计期待值N*600jas。因此，即使包含了写 入时间超过了累计期待值的每页平均值(本例中为600jus)的页群，只要 这一 页数群的整体写入时间'J、于累计期待值，则该页数群被判断为合格。图4显示了用过去的测试装置所得的结果与，用图1至图3所示的本 发明测试装置100所得到的结果。图4(a)显示了用过去的测试装置所得的 结果。图4(b)显示了用图l至图3中说明的本发明测试装置100所得到的 结果。图4里的横轴显示的是各页的写入时间。纵轴显示的是与写入时间 相对应的页数。如图4(a)所示，以前的测试装置，要求所有的页的写入时间低于通过 页数群整体的写入时间除以页数而得到的值，比如600 jis以下。因此，即 使这一页数群整体来说满足实际使用时的写入时间要求，也有可能被判定 为次品。与之相对，如图4(b)所示，测试装置100把页数群里所有页的写入时 间的平均值与页数群整体的写入时间期待值除以页数而得到的值进行比 较。因此，测试装置100能够很好地筛选出满足实际使用时写入时间要求 的半导体存储器。图5显示了构成失效存储单元30的另1个示例。本例中的失效存储单 元30,与图2中的失效存储单元30相比，多了平均规格寄存器44和减法 单元46。其他的组成部分，和图2里标记的同样符号的组成部分大致有相 同的功能。平均规格寄存器44内，收录有预定的平均规格值。该平均规格值是通
过页数群累计写入时间的预期值除以页数群里所含有的页数而得来的。在减法单元46中，计算出用写入时间测量单元32里测量的各页的写 入时间减去平均规格值后得出的差值，然后将其输入到累计单元34中。比 如，某一页的写入时间是580ias，而平均规格值是600jus，那么在减法单 元46内，将一20MS作为该页的写入时间的差值，输入累计单元34。另外，在本例中，累计期待值寄存器36里的累计期待值设定为Ops， 也即是，判定单元38根据累计单元34累计出的差值是否小于0来判定页 数群是否合格。本例中的失效存储单元30,根据需要可以把输入到累计单元34的数值 变小。这样一来，就能减小累计单元34中的演算值的比特数，从而减小累 计单元34等的电路规模。图6图显示了在图5中说明的失效存储单元30的运作的1个示例。如 前所述，在失效存储单元30中，从所测量出的各页的数据写入时间中减去 平均规格值后，累计所得到的差值。所以，可以减小输入进累计单元34的 数据(差值)的比特值和从累计单元34输出的数据(差值)的比特值。图7显示了失效存储单元30的构成的另1个示例。本例的失效存储单 元30，在图5所示的失效存储单元30的基础上又增添了一个绝对规格值寄 存器52。另外，本例里的判定单元38由第1判定器、第2判定器、第3判 定器组成。其他的組成部分，和图5里标记的同样符号的组成部分大致有 相同的功能。在绝对规格值寄存器52里收录有预设的绝对规格。收录在该绝对规格 值寄存器52里的绝对规格值比平均规格值大。因为在数据闪速存储器等的 半导体存储器中，多考虑上述的以页数群的累计写入时间，通常不用考虑 每一页的写入时间。但是，从装置的设计来讲，如果存在明显需要很长写 入时间的页的话会形成问题。这种页有可能有某种结构上的缺陷。为此，本例的失效存储单元30为了检出这种因结构缺陷而产生的写入 时间明显很长的页，用绝对规格值检测各页的异常。第2判定器48，通过 比较写入时间测量单元32里测量的每一页的写入时间是否大于绝对规格值 寄存器52里收录的绝对规格值，从而判定各页是否合格。另外，第1判定器50，用于比较各页数群的累计值是否大于预设的累 计期待值，从而判定每一页数群。另外，在第3判定器54内，针对各个的 页群，如果数据写入时间的累计值小于预设的累计期待值，而且该页数群 里的每一页的写入时间也比绝对规格值小，则判定该页数群合格。另外，在 第3判定器54内，针对各个页群，如果数据写入时间的累计值大于预设的 累计期待值，或者该页数群中的某一页的写入时间超过了绝对规格值，则判 定该页数群为次品。图8显示了在图7中说明的失效存储单元30的运作的1个示例。在图 8内，第1判定显示在第1判定器50中对每一页数群的判定结果。第2判 定显示在第2判定器48中对每一页的判定结果。在本例中，被测存储器200有3个页块，每一页块又由2个页数群组 成。每一页数群又由16页组成。另外，本例以每一页数群的数据输入时间 的累计期待值为16*600 us,绝对规格值为1000jus为例予以说明。在本例 中的失效存储单元30，在页块中含有的所有的页数群都合格品时，判定该 页块合格。至于如何判定页数群是否合格，通过图2至图7说明的方法进行判定。 ，如图8所示，第2页的写入时间为1020jus，大于绝对规格值。乂此， 对第2页的第2判定为错(逻辑值1 )。这样，即使含有第2页的第1页数 群的累计写入时间比累计期待值小，即第l判定通过了 (逻辑值0)，该页 数群仍然被判定为次品。为此，第1页块被判定为异常页块，在失效存储 器40里该异常页块作为掩蔽数据以逻辑值1记录下来。还有如图8所示，第2页块里含有的第3页数群和第4页数群，它们 的数据输入时间的累计值都比期待累计值小，而且，各个页数群里的含有 的页的写入时间也都分别小于绝对规格。这样，第1判定与第2判定均通 过，该页块被判定为合格块。还有如图8所示，第6页数群的数据输入时间的累计值大于累计期待 值。此时，含有该页数群的第3页块被判定为次品。通过这样的控制，就 能筛选出既能满足实际使用规格的，在构造上又没有缺陷的被测存储器 200。图9显示了失效存储单元30的构成的另1个示例。本例中的失效存储 单元30,在图7里的失效存储单元30的基础上又增添了与门电路56、页 数群控制单元70以及或门电路65。其他的组成部分，和图7里标记的同样 符号的组成部分大致有相同的功能。在页数群控制单元70中，当第2判定器48里有一页的写入时间超过 了绝对规格的话，累计单元34就不会累计这一页的写入时间，并且，在该 页数群的最后追加一页。另外，该页会作为掩蔽数据被收录，该页会被禁 止使用。通过这样的构造，即使页数群里含有有问题的页，仍然可以有效 地利用其他没有问题的页。本例的页数群控制单元70由计数器58、比较器60以及页数寄存器62 组成。页数寄存器62里收录有页数群里含有的页数。比如，有一个页数群 含有16页的话，页数寄存器62收录的页数就是16。计数器58记录写入时间测量单元32里所测量的页数。比如，驱动器 20以预先设定的写入周期把测试数据输入到被测半导体存储器中，写入时
间测量单元32与写入周期大致同步，分别测量各页的数据写入时间。计数器58可用于计数规定该写入周期的许可信号的脉冲数。该许可信号通过与 门电路56传递给计数器58。在比较器60内，当页数寄存器62里收录的页数与计数器58输出的页 数一致时，第1判定器50进行判定处理。另外，在比较器60内，当页数 寄存器62里收录的页数与计数器58输出的页数一致时，计数器58以及累 计单元34里的累计值被复位。这样比较器60还具有复位单元的功能。通 过这样的控制，可以对所规定的页数，也即是每一页群，进行使用了写入 时间累计值的第l判定。另外，或门电路65依次接收来至第2判定器48里的各页的判定结果。 把该结果与失效存储器40输出的掩蔽数据这二者的逻辑和输出。掩蔽数据 可以是预先就存在里面的数据。比如，在本测试之前的测试中，该页数群 被判定为不良品时，失效存储器40就把该页数群记录为错(逻辑值1)。也 即是，当第2判定器48对某页的判定结果以及含有该页的页数群的掩蔽数 据这二者的至少一个的逻辑值为1时，或门电路65就输出逻辑值1。与门电路56输出或门电路65输出信号的反转信号和从模式生成单元 IO接收的许可信号这两个信号的逻辑积。也即是，当或门电路65输出逻辑 值1时，与门电路56输出逻辑值0。与门电路56输出的信号作为控制累计 单元34和计数器58的许可信号使用。也即是，当或门电路65输出逻辑值 1时，与门电路56将停止计数器58计数和累计单元34的累计处理。通过这样的控制，在第2判定器48中，任何一页的写入时间超过绝对 规格时，计数器58里就会停止计数许可信号的1个脉冲数。而且，累计单 元34内，也会禁止累计这页的写入时间。也即是，可以在该页数群的最后 一页再增加一页，并且在累计单元34中继续累计除了这一页以外的写入时 间。图1Q显示了在图9中说明的失效存储单元30的运作的1个示例。在 图10内，第1判定显示在第1判定器50中对每一页数群的判定结果。第2 判定显示在第2判定器48中对每一页的判定结果。在本例中，设定被测存 储器200有3个页数群，每页数群有8页，累计期待值为8*600 jus，绝对 规格为1000 ns予以说明。如图IO所示，第10页的写入时间为1560 jus，比绝对规格值大。此时， 前面图7所示的失效存储单元30就会把含有该页的页数群判定为异常。而 图9所示的失效存储单元30只判定该页为不良，把该页掩蔽掉。而该页数 群里的其他的页并不被掩蔽掉。这样，只要在该页数群的最后再增加一页(本例中，就是在第2页数 群的最后再增加一页至17页)。通过这样的处理，可以有效利用没有问题 的页。 '图11显示了失效存储单元30的构成的另1个示例。本例的失效存储单元30里的累计单元34由并列的多个的累计单元组成(34-1 ~ 34-N以下 总称34)。另外，判定单元38由并列的多个比较器(64-l 64-N以下总称 64 )及或门电路66组成。图12显示了在图11中说明的失效存储单元30的运作的1个示例。本 例以每一页数群含有8页，每一页数群的累计期待值为8*600 jus加以说明。 失效存储单元30里的累计单元34和比较器64的数目与每一页数群里含有 的页数相同。在每个累计单元34内，分别累计含有8页的页数群的写入时间。在这 里，与各个累计单元34相对应的页数群的部分页可以重复。比如，如图12 所示，与各个累计单元34相对应的页数群的开始页都可以有1页不同。比较器64比较对应的累计单元34输出的累计值与预设的累计期待值。 然后，当多个的比较器64所输出任意累计值都比累计期待值小时，或门电 路66就输出信号判定被测存储器200为合格品。在图12内，因为累计单 元34-4所输出的累计值大于累计期待值，所以或门电路66输出被测存储 器200为次品的信号(逻辑值1 )。通过这样的测试，无论页数群如何被分 割，都能筛选出满足规格的被测存储器200。以上就本发明的实施构造进行了说明。本发明的技术范围并不局限于 以上所记述的构造。对本行业的人员来说，上述的构造明显还可以有各种 变更或进一步的改良。从申请范围的记载来看可以明确地得知其变更或 改良过的构造也能被包含在本发明的技术范围之内。综上所述，通过本发明的1种实施形态，能够在提高成品合格率基础 上筛选出符合实际使用需要的被测存储器200。
权利要求
1、 一种测试装置，用于测试被测存储器，其特征是，包括 写入单元，向所述被测存储器的各页中分别写入预设测试数据，测试所述被测存储器；和失效存储单元，收录所述被测存储器的测试结果； 所述的失效存储单元，包括写入时间测量单元，测量每一所述页写入所述测试数据所需的写入时间；累计单元，将写入时间以设定的多数的所述页数进行累计，以及 判定单元，把所述累计单元的累计值与累计期待值比较从而判定所述 被测存储器的好坏。
2、 根据权利要求1所述的测试装置，其特征是，所述累计单元是以有 预设页数的每一页数群为单位累计写入时间；所述判定单元根据每一所述页数群的写入时间累计值，判定每一所述 页数群的好坏。
3、 根据权利要求2所述的测试装置，其特征是，上述失效存储单元更 群的判定结果。
4、 根据权利要求2所述的测试装置，其特征是，所述失效存储单元更 具有减法单元，以将由所述写入时间测量单元所测量出的各个所述页的写 入时间减去预设的平均规格值所得到的差值，分别输入所述累计单元；所述判定单元根据比较所述差值的累计值是否小于0,来判定各个所述 页数群的好坏。
5、 根据权利要求2所述的测试装置，其特征是，所述判定单元更具有 第1判定器，比较各个所述页数群的写入时间的累计值是否大于预设的累计期待值，从而判定每一所述页数群；以及第2判定器，比较各个所述页数群里含有的每一所述页的写入时间是 否大于预设的绝对规格，从而判定每一页。
6、 根据权利要求5所述的测试装置，其特征是，所述判定单元更具有 第3判定器，对应各个所述页数群，当所述的页数群的写入时间的所述累 计值分别小于所述累计期待值，且该页数群中包含的全部的所述页的写入 时间均小于绝对规格值时，判定该页数群为合格块。
7、 根据权利要求6所述的测试装置，其特征是，所述失效存储单元更 具有累计期待值寄存器，预先收录所述累计期待值，并将其提供给所述第1 判定器；以及绝对规格值寄存器，预先收录所述绝对规格值，并将其提供给所述第2 判定器。
8、 根据权利要求5所述的测试装置，其特征是，所述失效存储单元更 具有页数群控制单元，当所述第2判定器判定某一页的所述写入时间超过 了所述绝对规格值时，使在所述累计单元继续累计除了所述页以外的页的 写入时间，并且在该页数群里的最后所述页的页数追加一页。
9、 根据权利要求8所述的测试装置，其特征是，所述失效存储单元更 具有第3判定器，对应各个所述页数群，当判定所述的页数群的写入时间 累计值小于所述累计期待值，且所述写入时间小于所述绝对规格值时，判 定该页为合格页；以及
10、 根据:利要求8所述的测;式装置:其特;正是，所述失效存储单元 更具有页数寄存器，收录所述预设的页数；计数器，用于计数与所述写入单元的所述测试数据的写入周期大致同 步的许可信号的脉沖数；以及复位部，当所述计数器里的计数值与所述页数寄存器里存放的页数一 致时，使所述累计单元里的累计值和所述计数器里的计数值复位；所述页数群控制单元，当所述第2判定器判定某一页的所述写入时间 超过了所述绝对规格值时，以所述许可信号的1个脉沖数停止所述计数器 的计数，而且也禁止所述累计单元累计该页的所述写入时间。
11、 根据权利要求8所述的测试装置，其特征是，所述失效存储单元 具备并列配备的第1累计单元和第2累计单元，所述第1累计单元累计所述写入时间的第1页数群与第2累计单元累 计所述写入时间的第2页数群的部分页重复。
12、 根据权利要求11所述的测试装置，其特征是，所述判定单元当所 述第1累计单元所累计的累计值与所述第2累计单元所累计的累计值均小 于所述期待值时，判定所述被测存储器为合格品。
13、 一种测试方法，用以测试被测存储器，其特征是，包括 写入阶段，把预定的测试数据分别写入所述被测存储器的各页内，测试被测存储器；以及收录阶段，收录被测存储器的测试结果； 所述收录阶段包括写入时间测量阶段，测量每一 所述页写入所述测试数据所需的写入时 间；累计阶段，把写入时间以设定的多数的所述页数进行累计；以及判定阶段，比较累计阶段得到的累计值与预设的期待值，从而判定被 测存储器的好坏。
全文摘要
本发明提供测试被测存储器的测试装置。该测试装置具备向被测存储器的各页中分别写入预设测试数据，测试被测存储器的写入单元和收录被测存储器测试结果的失效存储单元两大元件。而失效存储单元又具备测量每一页的数据写入时间的测量单元，以设定的页数累计写入时间的累计单元，以及比较累计单元计算出的累计值与累计期待值，从而判定上述被测存储器是否合格的判定单元等元件。
文档编号G11C29/56GK101147205SQ20068000894
公开日2008年3月19日 申请日期2006年11月24日 优先权日2005年12月9日
发明者佐藤新哉, 土井优 申请人:爱德万测试株式会社