专利名称：基于各向异性复合材料的信息存储方法
技术领域：
本发明涉及一种信息存储方法，特别涉及一种基于各向异性复合材料的信息存储 方法。
背景技术：
各向异性的复合材料，主要是指比较新的Metamaterial，这是是一种人工制作的 周期性结构，因为其中包含有金属(metal)周期性结构单元，如金属裂口环(Split ring resonator)、金属线阵列等，这种材料因为其在特定的频率范围内同时具有负的电容率ε 和磁导率μ，从而传输的光波具有左手特征。这种材料最早由俄罗斯科学家Veselag0预言，后来由英国物理学家J. B. Pendry 在理论上提出了设计方案，并于2001年由R. A. Shelby小组在用直径为3毫米左右的(SRR) 微波段上实验上予以实现。现在有些研究小组已经在红外，近红外等近光频区域实现了同 时为负值的电容率ε和磁导率μ。这种材料有着一系列的新奇的电磁特性，诸如负折射， 反常多普勒效应，克服衍射极限的超棱镜效应，其中比较重要的是可以用它来实现在微波 阶段的隐形材料的设计。这种材料的介电常数通常是各向异性的，其介电常数在主轴坐标
(sf)
系下的各张量元通常表示为
权利要求
1.一种基于各向异性复合材料的信息存储方法，其特征在于包括步骤1)将介电常数为各向异性的复合材料的一表面与介电常数为同性的第一普通材料相 接触，其中，所述复合材料的介电常数的张量元中至少一者为负值，且其与所述第一普通材 料相接触面的法线方向为所述复合材料的双曲色散线的一条渐近线方向；2)使光信号自所述复合材料的另一表面入射至所述复合材料与所述第一普通材料相 接触面上，以使所述光信号的能量被储存在所述接触面上，进而实现信息的存储，其中，所述光信号的入射角度应使其注入至所述接触面上时的一波矢分量满足条件丨<，其中，kx为波矢分量，所述波矢分量所对应的坐标方向为所述复合材料的介电常数的负值 张量元所对应方向，ω是所述光信号的频率，c是所述光信号的光速，ε _是所述第一普通 材料的介电常数。
2.如权利要求1所述的基于各向异性复合材料的信息存储方法，其特征在于在步骤2) 之前进一步包括将所述复合材料的另一表面与介电常数为同性的第二普通材料相接触的 步骤，其中，所述第二普通材料的介电常数大于所述第一普通材料的介电常数。
3.如权利要求2所述的基于各向异性复合材料的信息存储方法，其特征在于在步骤2)中，所述光信号以大于arcsincj^)的入射角自所述第二普通材料入射进入所述复合材V 料，进而注入至所述第一普通材料以实现信息存储，其中，ε in为所述第二普通材料的介电 常数，ε。ut为所述第一普通材料的介电常数。
4.如权利要求1所述的基于各向异性复合材料的信息存储方法，其特征在于所述光 信号为光束或光脉冲。
5.如权利要求1或4所述的基于各向异性复合材料的信息存储方法，其特征在于所 述光信号为可见光、红外光、微波、及电磁波中的一种。
全文摘要
本发明提供一种基于各向异性复合材料的信息存储方法，其首先将介电常数为各向异性的复合材料的一表面与介电常数为同性的第一普通材料相接触，再使光信号自所述复合材料的另一表面入射至所述复合材料与所述第一普通材料相接触面上，以使所述光信号的能量被储存在所述接触面上，进而可实现信息的存储，其中，所述光信号的入射角度应使其注入至所述接触面上时的一波矢分量应满足条件其中，kx为波矢分量，所述波矢分量所对应的坐标方向为所述复合材料的介电常数的负值张量元所对应方向，εout是所述第一普通材料的介电常数。
文档编号G11B7/24GK102129868SQ20101002273
公开日2011年7月20日 申请日期2010年1月12日 优先权日2010年1月12日
发明者刘征, 梁子贤, 蒋寻涯 申请人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所