专利名称：对非挥发存储器类产品进行失效模型建模的方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体失效分析方法，具体涉及一种对非挥发存储器类产品进行失效模型建模的方法。
背景技术：
失效单元位图(failure bitmap)分析方法是存储器器件失效分析的常用方法。利用位图分析，通常能够进行较为准确的故障点定位。但是由于失效因素的多样性和电路及版图结构的复杂性，单凭存储单元位图定位可能带来方向性的偏差，从而为失效分析带来困难。发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种对非挥发存储器类产品进行失效模型建模的方法，它可以提供更为精确可靠的故障定位方法。
为解决上述技术问题，本发明对非挥发存储器类产品进行失效模型建模的方法的技术解决方案为，包括以下步骤
步骤一根据非挥发存储器类产品存储区域的电路结构和/或版图布局的特点， 通过对非挥发存储器的操作过程中存储器阵列内电路节点状态的分析，建立起一张“失效模型-失效表征”真值表，该真值表由潜在的失效模型、关键电路模拟量输出和失效单元位图输出三部分特征参数进行描述；
所述失效模型为电路级和/或版图级失效模型。
所述非挥发存储器类产品的关键电路模拟量具有可测性。
所述关键电路模拟量为非挥发存储器在操作过程中加载在存储单元阵列中的编程电压和/或控制电压。
步骤二 使用该真值表实现真实失效模型的建模，然后使用建模结果指导物理分 析定位；
工序一、对存储器进行测试，获得真值表中的失效表征信息，包括关键电路模拟量和失效单兀位图 目息；
工序二、使用工序一中测量所获得的失效表征信息作为输入，在“失效模型-失效表征”真值表中通过查表的方法得到与输入特征对应的失效模型。
本发明可以达到的技术效果是
本发明在进行物理分析定位前建立起准确清晰的失效模型，能够使失效模型的建模具有系统性的特点，并且引入关键电路模拟量作为失效表征参数，能够大大提高非挥发存储器故障点定位的逻辑严密性和精确度，从而提高失效分析的定位效率和成功率，减少人为判断失误的可能性。
本发明能够克服在非挥发存储器失效分析中单纯依靠失效单元位图分析方法的局限性，提供更为精确可靠的故障定位方法。
下面结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明
图1是本发明对非挥发存储器类产品进行失效模型建模的方法所建立的失效模 型-失效表征真值表的示意图。
具体实施方式
本发明对非挥发存储器类产品进行失效故障定位失效模型建模的方法，包括以下 步骤
步骤一根据非挥发存储器类产品存储区域的电路结构及版图布局的特点，通过 对非挥发存储器的各种操作(如擦/写/读)过程中存储器阵列内电路节点状态的分析，建 立起一张“失效模型_失效表征”真值表，该真值表由潜在失效模型(电路级或版图级失效 模型)、关键电路模拟量输出和失效单元位图输出三部分特征参数进行描述，如图1所示； 该真值表包含潜在失效模型与芯片特征行为关联；
失效模型是指电路节点级或版图节点级的失效模型，如开路\短路等；
失效表征是指存储器在进行各种电路操作模式下，失效模型导致的失效单元位图 输出结果及关键电路模拟量输出结果的集合；
该真值表的建立原理是
逐一假设存储器中的电路节点级或版图节点级发生失效的可能情形(即潜在失 效模型)，则每一失效模型会出现对应的失效表征，即表现出相应的失效单元位图输出结果 及关键电路模拟量输出结果；
所述非挥发存储器类产品的关键电路模拟量具有可测性，即需要在产品电路设计 阶段实现关键电路模拟量输出的可测性设计；
关键电路模拟量可以是非挥发存储器在操作过程中加载在存储单元阵列中的编 程电压和/或控制电压，如编程正高压(VPOS)、编程负高压(VNEG)。
步骤二 使用该真值表实现真实失效模型的建模，然后使用建模结果指导物理分 析定位；
具体方法是
工序一、通过电测试方法对存储器进行测试，获得真值表中的失效表征信息，如关 键电路模拟量和失效单元位图(Failure Bitmap)信息；
工序二、使用工序一中测量获得的失效表征信息作为输入，在“失效模型-失效表 征”真值表中通过查表的方法得到与输入特征对应的失效模型(电路级及版图级)。
权利要求
1.一种对非挥发存储器类产品进行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于， 包括以下步骤步骤一根据非挥发存储器类产品存储区域的电路结构和/或版图布局的特点，通过对非挥发存储器的操作过程中存储器阵列内电路节点状态的分析，建立起一张“失效模型-失效表征”真值表，该真值表由潜在的失效模型、关键电路模拟量输出和失效单元位图输出三部分特征参数进行描述；步骤二 使用该真值表实现真实失效模型的建模，然后使用建模结果指导物理分析定位；工序一、对存储器进行测试，获得真值表中的失效表征信息，包括关键电路模拟量和失效单元位图信息；工序二、使用工序一中测量所获得的失效表征信息作为输入，在“失效模型-失效表征”真值表中通过查表的方法得到与输入特征对应的失效模型。
2.根据权利要求1所述的对非挥发存储器类产品进行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于，所述失效模型为电路级和/或版图级失效模型。
3.根据权利要求1所述的对非挥发存储器类产品进行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于，所述非挥发存储器类产品的关键电路模拟量具有可测 性。
4.根据权利要求1所述的对非挥发存储器类产品进行失效故障定位失效模型建模的方法，其特征在于，所述关键电路模拟量为非挥发存储器在操作过程中加载在存储单元阵列中的编程电压和/或控制电压。
全文摘要
本发明公开了一种对非挥发存储器类产品进行失效模型建模的方法，包括以下步骤步骤一根据非挥发存储器类产品存储区域的电路结构和/或版图布局的特点，通过对非挥发存储器的操作过程中存储器阵列内电路节点状态的分析，建立起一张“失效模型-失效表征”真值表，该真值表由潜在的失效模型、关键电路模拟量输出和失效单元位图输出三部分特征参数进行描述；步骤二使用该真值表实现真实失效模型的建模，然后使用建模结果指导物理分析定位。本发明在进行物理分析定位前建立起失效模型，能够使失效模型的建模具有系统性的特点，并且大大提高非挥发存储器故障点定位的逻辑严密性和精确度，从而提高失效分析的定位效率和成功率。
文档编号G11C29/04GK103000227SQ201110265040
公开日2013年3月27日 申请日期2011年9月8日 优先权日2011年9月8日
发明者曾志敏 申请人:上海华虹Nec电子有限公司