熔丝电路的制作方法
【专利摘要】本发明实施例提供一种熔丝电路，其包含暂态阻断电路、熔丝以及硅控整流器。暂态阻断电路依据操作电压进行操作。熔丝的第一端电连接暂态阻断电路。硅控整流器电连接熔丝的第二端。当操作电压具有噪声脉冲（noise?pulse）时，暂态阻断电路用以使熔丝与噪声脉冲暂时隔离，使得熔丝的第二端的电压维持小于用以触发硅控整流器的触发电压。
【专利说明】熔丝电路【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种记忆电路，且特别是有关于一种抗噪声(noise)干扰的熔丝电路(fuse circuit)。
【背景技术】
[0002]一般而言，熔丝电路广泛地用于存储器装置或模拟电路(如:能隙参考电路)中，作为可一次性编程(One Time Programming, OTP)的存储单元,不过由于传统的熔丝电路中流经的修整电流(Trimming Current)大小通常与其对应的开关的尺寸相关，因此当熔丝电路中需要产生较大的修整电流时，开关的尺寸亦须随之增大，无法使传统熔丝电路的制作面积有效地缩减。
【发明内容】
[0003]本发明实施例提供一种熔丝电路，藉此避免熔丝电路易受暂态噪声影响而有误动作的情形发生。
[0004]本发明的一技术样态是关于一种熔丝电路，其包含一暂态阻断电路、一熔丝以及一硅控整流器。暂态阻断电路依据操作电压进行操作。熔丝的第一端电连接暂态阻断电路。硅控整流器电连接熔丝的第二端。当操作电压具有噪声脉冲时，暂态阻断电路用以使熔丝与噪声脉冲暂时隔离，使得熔丝的第二端的电压维持小于用以触发硅控整流器的触发电压。
[0005]本发明的另一技术样态是关于一种熔丝电路，其包含复数个熔丝、复数个硅控整流器、一晶体管开关以及一暂态感测单元。前述硅控整流器分别电连接前述熔丝的第一端。晶体管开关串接于前述熔丝的第二端和操作电压之间。暂态感测单元用以依据操作电压产生感应电压控制晶体管开关，并于操作电压具有噪声脉冲时延迟对应于噪声脉冲的感应电压的变化，使得前述熔丝的第一端的电压维持小于用以触发前述硅控整流器的触发电压。
[0006]本
【发明内容】
旨在提供本揭示内容的简化摘要，以使阅读者对本揭示内容具备基本的理解。此
【发明内容】
并非本揭示内容的完整概述，且其用意并非在指出本发明实施例的重要(或关键)元件或界定本发明的范围。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0008]图1是依照本发明的实施例绘示一种熔丝电路的示意图；
[0009]图2是依照本发明的第一实施例绘示一种如图1所示的熔丝电路的电路示意图；
[0010]图3是依照本发明的第二实施例绘示一种如图1所示的熔丝电路的电路示意图；[0011]图4是依照本发明的第三实施例绘示一种如图1所示的熔丝电路的电路示意图；
[0012]图5是依照本发明另一实施例绘示一种熔丝电路的示意图；
[0013]图6是依照本发明又一实施例绘示一种熔丝电路的示意图。
[0014]附图标记
【权利要求】
1.一种熔丝电路，其特征在于，所述的熔丝电路包括: 一暂态阻断电路，依据一操作电压进行操作； 一熔丝，所述熔丝的一第一端电连接所述暂态阻断电路；以及 一硅控整流器，电连接所述熔丝的一第二端； 其中当所述操作电压具有一噪声脉冲时，所述暂态阻断电路用以使所述熔丝与所述噪声脉冲暂时隔离，使得所述熔丝的所述第二端的电压维持小于用以触发所述硅控整流器的一触发电压。
2.根据权利要求1所述的熔丝电路，其特征在于，所述暂态阻断电路还包括: 一暂态感测单元，用以依据所述操作电压产生一感应电压，并于所述操作电压具有所述噪声脉冲时延迟对应于所述噪声脉冲的所述感应电压的变化；以及 一晶体管开关，其中所述晶体管开关的一控制端电连接所述暂态感测单元，所述晶体管开关的一第一端电连接所述操作电压，所述晶体管开关的一第二端电连接所述熔丝的所述弟一觸。
3.根据权利要求2所述的熔丝电路，其特征在于，所述暂态感测单元还包括: 一电阻器，所述电阻器的一第一端电连接所述操作电压；以及 一电容器，所述电容器的一第一端电连接所述电阻器的一第二端于所述感应电压所在的一电压输出节点，所述电容器的一第二端电连接一相对低位准电压。
4.根据权利要`求3所述的熔丝电路，其特征在于，所述晶体管开关包含一N型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管具有一栅极、一漏极和一源极，所述栅极电连接所述电压输出节点，所述漏极电连接所述操作电压，所述源极电连接所述熔丝的所述第一端。
5.根据权利要求2所述的熔丝电路，其特征在于，所述暂态感测单元还包括: 一电容器，所述电容器的一第一端电连接所述操作电压；以及 一电阻器，所述电阻器的一第一端电连接所述电容器的一第二端于所述感应电压所在的一电压输出节点，所述电阻器的一第二端电连接一相对低位准电压。
6.根据权利要求5所述的熔丝电路，其特征在于，所述晶体管开关包含一P型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管具有一栅极、一漏极和一源极，所述栅极电连接所述电压输出节点，所述源极电连接所述操作电压，所述漏极电连接所述熔丝的所述第一端。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的熔丝电路，其特征在于，所述的熔丝电路还包括: 一电源开启重置开关，由一电源开启重置信号控制以拉降所述熔丝的所述第二端的电压；以及 一闩锁电路，用以闭锁所述熔丝的所述第二端的电压位准，并输出与所述熔丝的所述第二端的电压位准反相的一输出位准信号。
8.一种熔丝电路，其特征在于，所述的熔丝电路包括: 复数个熔丝； 复数个硅控整流器，分别电连接所述复数个熔丝的第一端； 一晶体管开关，串接于所述复数个熔丝的第二端和一操作电压之间；以及一暂态感测单元，用以依据所述操作电压产生一感应电压控制所述晶体管开关，并于所述操作电压具有一噪声脉冲时延迟对应于所述噪声脉冲的所述感应电压的变化，使得所述复数个熔丝的第一端的电压维持小于用以触发所述复数个硅控整流器的触发电压。
9.根据权利要求8所述的熔丝电路，其特征在于，所述暂态感测单元还包括: 一电阻器；以及 一电容器，与所述电阻器串联相接于所述操作电压和一相对低位准电压之间。
10.根据权利要求9所述的熔丝电路，其特征在于，所述晶体管开关包含一N型金属氧化物半导体场效应晶体管或一 P型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极或所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极是电连接于所述电容器和所述电阻器。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的熔丝电路，其特征在于，所述的熔丝电路还包括: 一电源开启重置开关，由一电源开启重置信号控制以拉降所述熔丝的所述第一端的电压；以及 一闩锁电路，用以闭锁所述熔丝的所述第一端的电压位准，并输出与所述熔丝的所述第一端的电压位准反 相的一输出位准信号。
【文档编号】G11C17/16GK103531244SQ201210368043
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2012年9月28日 优先权日:2012年7月2日
【发明者】赖明芳, 陈哲宏 申请人:新唐科技股份有限公司