本发明涉及电子技术领域，更具体的说，是涉及一种反熔丝编程方法、系统及反熔丝器件。
背景技术：
反熔丝(antifuse)是一次性可编程器件，可被集成于fpga(fieldprogrammablegatearray，现场可编程门阵列)、prom(programmablereadonlymemory，一次可编程只读存储器)等反熔丝存储器内部，并广泛的应用于高可靠性的航空航天、军工fpga等领域。
反熔丝的工作原理为：在未对反熔丝进行编程时，反熔丝呈现高阻状态，即反熔丝内部处于开路状态，在编程过后，反熔丝因被击穿而呈现低阻状态，即反熔丝内部处于短路状态。
发明人发现，在对反熔丝进行编程的过程中，利用晶体管对应用此反熔丝的电路进行限流保护，会令反熔丝被击穿后所呈现的低阻状态下的电流受晶体管自身饱和电流所限制，进而导致反熔丝被击穿后所呈现的低阻状态下的电阻仍然较高，从而直接影响反熔丝编程后的可靠性，进而影响应用此反熔丝的电路的逻辑功能。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明提供了一种反熔丝编程方法、系统及反熔丝器件，令反熔丝编程后获得更小的电阻，以提高反熔丝编程后的可靠性，进而降低对应用此反熔丝的电路的逻辑功能的影响。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种反熔丝编程方法，包括：
电压施加器向反熔丝单元施加电压，所述电压施加器与所述反熔丝单元串联；
当所述电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，所述反熔丝单元被击穿，并产生过冲电流；
限流电阻对所述过冲电流进行限流，产生限制电流，并作为回路电流，所述限制电流小于所述过冲电流，所述限流电阻与所述反熔丝单元、所述电压施加器串联。
优选地，当所述电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，所述反熔丝单元被击穿，并产生过冲电流，包括：
当所述电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，所述反熔丝单元产生导电细丝，并在所述导电细丝连接所述反熔丝单元的正极和负极时，产生所述过冲电流。
优选地，所述电压施加器向反熔丝单元施加电压，包括：
所述电压施加器获取用户输入的脉冲宽度和脉冲幅度，所述脉冲宽度和所述脉冲幅度均是用户根据所述反熔丝单元的材料和结构所制定的；
所述电压施加器向所述反熔丝单元施加对应所述脉冲宽度和所述脉冲幅度的电压。
优选地，所述限流电阻包括：
发光二极管或热敏电阻；
相应的，当所述限流电阻为所述发光二极管时，所述限流电阻对所述过冲电流进行限流，产生限制电流，并作为回路电流，具体为：所述发光二极管对所述过冲电流进行光能转换，并将经过光能转换后产生的所述限制电流作为所述回路电流；
当所述限流电阻为所述热敏电阻时，所述限流电阻对所述过冲电流进行限流，产生限制电流，并作为回路电流，具体为：所述热敏电阻对所述过冲电流进行热能转换，并将经过热能转换后产生的所述限制电流作为所述回路电流。
优选地，所述反熔丝单元为反熔丝存储器或反熔丝结构。
一种反熔丝编程系统，包括：
电压施加器、反熔丝单元和限流电阻，所述电压施加器依次与所述反熔丝单元、所述限流电阻串联，组成一个完整回路；
所述电压施加器，用于向反熔丝单元施加电压；
所述反熔丝单元，用于当所述电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，被击穿，并产生过冲电流；
所述限流电阻，用于对所述过冲电流进行限流，产生限制电流，并作为回路电流，所述限制电流小于所述过冲电流。
优选地，所述反熔丝单元当所述电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，被击穿，并产生过冲电流，具体用于：
当所述电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，产生导电细丝，并在所述导电细丝连接所述反熔丝单元的正极和负极时，产生所述过冲电流。
优选地，所述电压施加器所述向反熔丝单元施加电压，具体用于：
获取用户输入的脉冲宽度和脉冲幅度，所述脉冲宽度和所述脉冲幅度均是用户根据所述反熔丝单元的材料和结构所制定的；
向所述反熔丝单元施加对应所述脉冲宽度和所述脉冲幅度的电压。
优选地，所述限流电阻包括：
发光二极管或热敏电阻；
相应的，当所述限流电阻为所述发光二极管时，所述发光二极管具体用于：对所述过冲电流进行光能转换，并将经过光能转换后产生的所述限制电流作为所述回路电流；
当所述限流电阻为所述热敏电阻时，所述热敏电阻具体用于：对所述过冲电流进行热能转换，并将经过热能转换后产生的所述限制电流作为所述回路电流。
优选地，所述反熔丝单元为反熔丝存储器或反熔丝结构。
一种反熔丝器件，应用于反熔丝存储器，包括：
反熔丝单元和限流电阻，所述反熔丝单元和所述限流电阻串联；
所述反熔丝单元，用于在接收到施加电压，所述施加电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，被击穿，并产生过冲电流；
所述限流电阻，用于对所述过冲电流进行限流，产生限制电流，所述限制电流小于所述过冲电流。
经由上述的技术方案可知，与现有技术相比，本发明提供了一种反熔丝编程方法、系统及反熔丝器件，通过电压施加器向同一回路中的反熔丝单元施加电压，令反熔丝单元被击穿，产生电流值较大的过冲电流流过该反熔丝单元，以使其从高阻状态变成电阻较小的低阻状态，同时利用与反熔丝单元串联的限流电阻对其产生的过冲电流进行限流，产生限制电流，作为回路电流，起到保护反熔丝单元和整个回路的作用；可见，将不对反熔丝单元被击穿后自身产生的过冲电流进行限制的限流电阻，与反熔丝单元串联，增大了反熔丝单元被击穿后自身产生的过冲电流的大小，从而在利用电流值较大的过冲电流进行编程时，有效减小了反熔丝单元被击穿后所呈现的低阻状态下的电阻，提高了反熔丝单元编程后的可靠性，进而降低对应用此反熔丝单元的电路的逻辑功能的影响。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种反熔丝编程方法的方法流程图；
图2为本发明实施例提供的一种限流电阻限流的场景示意图；
图3为本发明实施例提供的一种应用于电压施加器的电压施加方法的方法流程图；
图4为本发明实施例提供的另一种反熔丝编程方法的方法流程图；
图5为本发明实施例提供的另一种反熔丝编程方法的方法流程图；
图6为本发明实施例提供的一种反熔丝编程系统的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种反熔丝编程系统的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的另一种反熔丝编程系统的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种反熔丝器件的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例公开了一种反熔丝编程方法，请参见附图1，所述方法具体包括以下步骤：
s101：电压施加器向反熔丝单元施加电压，所述电压施加器与所述反熔丝单元串联；
具体的，电压施加器主要用于施加电压激励到与之串行连接的反熔丝单元，可以采用电荷泵电路、fpgapcb板、测试机等实现；其中，测试机型号可以是5380、j750、4156、4155等。
s102：当所述电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，所述反熔丝单元被击穿，并产生过冲电流；
具体的，预设电压值是指击穿反熔丝单元所需的电压临界值；持续时间是指从电压施加器向反熔丝单元所施加的电压值达到预设电压值开始，到反熔丝单元被击穿这一过程所持续的时间值；预设时间值可以是根据实际情况而预先设定的时间值。一旦施加的电压达到该预设电压值，且持续时间达到预设时间值，则反熔丝单元被击穿，此时，在反熔丝单元内部形成一条导电通道，可令反熔丝单元所积累的电荷瞬间流过，进而形成过冲电流。
当电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，反熔丝单元内部因击穿所形成的导电通道可以是由其内部产生的导线细丝构成，直到导电细丝逐渐变大，连接反熔丝单元的正、负极时，反熔丝单元所积累的电荷可顺利流过，从而形成过冲电流，且令反熔丝单元的电阻变小。换句话说，当电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，反熔丝单元产生导电细丝，并在导电细丝连接反熔丝单元的正极和负极时，产生过冲电流，从而实现了反熔丝编程。
本发明实施例所采用的反熔丝单元既可以是一个完整的反熔丝存储器；也可以是反熔丝存储器内部的一个反熔丝结构。其中，反熔丝存储器可以是fpga(fieldprogrammablegatearray，现场可编程门阵列)、prom(programmablereadonlymemory，一次可编程只读存储器)等。反熔丝结构可以是氧化物-氮化物-氧化物(ono)单元结构、栅氧化层单元结构、mtm(金属-绝缘层-金属)型单元结构等其中的任意一种。
s103：限流电阻对所述过冲电流进行限流，产生限制电流，并作为回路电流，所述限制电流小于所述过冲电流，所述限流电阻与所述反熔丝单元、所述电压施加器串联；
具体的，限流电阻与反熔丝单元、电压施加器串联，从而构成一个完整的回路。当反熔丝单元因击穿所产生的过冲电流流经限流电阻时，限流电阻对其进行限流，从而减小过冲电流，并将减小后的电流作为由限流电阻、反熔丝单元和电压施加器串联所组成的回路中的回路电流，对编程中的反熔丝单元起到了限流保护，避免因编程产生的过冲电流不断增大而烧毁反熔丝单元的问题。
下面针对限流电阻对过冲电流进行限流，产生限制电流这一过程进行举例说明，如图2所示：
当电压施加器向反熔丝单元施加的电压达到预设电压值“5.7v”，持续时间达到预设时间值“3.3μs”时，反熔丝单元被击穿，此时，其产生“1.41ma”的过冲电流，此时反熔丝被编程后呈较低电阻，当“1.41ma”的过冲电流流经限流电阻时，进行限流处理，从而令电流值减小，产生“500.0μa”的限制电流，以实现对反熔丝单元的限流保护。
需要说明的是，由于图2所用仪器的测量精度问题，一般会导致显示的过冲电流“1.41ma”小于实际的过冲电流。
当反熔丝单元是反熔丝存储器时，限流电阻作为一个外接电阻，与其串联，以起到限流保护的作用；当反熔丝单元是反熔丝存储器内部的反熔丝结构时，限流电阻作为反熔丝存储器内部集成的一个芯片，与反熔丝结构串联，以起到限流保护的作用。
本发明实施例公开了一种反熔丝编程方法，通过电压施加器向同一回路中的反熔丝单元施加电压，令反熔丝单元被击穿，产生电流值较大的过冲电流流过该反熔丝单元，以使其从高阻状态变成电阻较小的低阻状态，同时利用与反熔丝单元串联的限流电阻对其产生的过冲电流进行限流，产生限制电流，作为回路电流，起到保护反熔丝单元和整个回路的作用；可见，将不对反熔丝单元被击穿后自身产生的过冲电流进行限制的限流电阻，与反熔丝单元串联，增大了反熔丝单元被击穿后自身产生的过冲电流的大小，从而在利用电流值较大的过冲电流进行编程时，有效减小了反熔丝单元被击穿后所呈现的低阻状态下的电阻，提高了反熔丝单元编程后的可靠性，进而降低对应用此反熔丝单元的电路的逻辑功能的影响。
针对上述附图1所对应实施例中s101：电压施加器向反熔丝单元施加电压，本发明实施例公开了一种电压施加方法，应用于电压施加器，请参见附图3，所述方法具体包括以下步骤：
s201：所述电压施加器获取用户输入的脉冲宽度及脉冲幅度，所述脉冲宽度及所述脉冲幅度均是用户根据所述反熔丝单元的材料和结构所制定的；
具体的，电压施加器向反熔丝单元所施加的电压可以是脉冲电压，从而在较短的时间内，令反熔丝单元所接收到的电压值急剧增加，直至达到击穿反熔丝单元所需的电压临界值-预设电压值，且持续时间达到预设时间值，以使反熔丝单元实现从高阻抗变成低阻抗，进而缩短了反熔丝单元编程所需的时间。其中，脉冲电压可以为方波脉冲。
其次，反熔丝单元可由不同的材料和结构所组成，进而导致击穿反熔丝单元所需的电压临界值-预设电压值也不同。因此，本发明实施例中的电压施加器可随用户针对不同反熔丝单元所制定的不同脉冲宽度和不同脉冲幅度，产生对应的电压。
s202：所述电压施加器向所述反熔丝单元施加对应所述脉冲宽度和所述脉冲幅度的电压。
本发明实施例中，电压施加器通过获取用户根据反熔丝单元的材料和结构所制定的脉冲宽度和脉冲幅度，产生与之对应的电压，施加到串联的反熔丝单元，提高了反熔丝单元与施加电压之间的匹配程度，进而提高了反熔丝单元被击穿的效率。
在上述附图1所对应实施例的基础上，本发明实施例公开了另一种电压施加方法，请参见附图4，所述方法具体包括以下步骤：
s301：电压施加器向反熔丝单元施加电压，所述电压施加器与所述反熔丝单元串联。
s302：当所述电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，所述反熔丝单元被击穿，并产生过冲电流。
s303：所述发光二极管对所述过冲电流进行光能转换，并将经过光能转换后产生的所述限制电流作为所述回路电流；
具体的，当限流电阻为发光二极管时，发光二极管会对流经的过冲电流进行光能转换，从而令部分过冲电流以发光的形式消耗掉，以达到减小过冲电流的目的。
本发明实施例公开了一种反熔丝编程方法，通过电压施加器向同一回路中的反熔丝单元施加电压，令反熔丝单元被击穿，产生电流值较大的过冲电流流过该反熔丝单元，以使其从高阻状态变成电阻较小的低阻状态，同时利用与反熔丝单元串联的发光二极管对其产生的过冲电流进行光能转换，以消耗部分过冲电流，并将经过光能转换后产生的限制电流作为回路电流，有效防止出现回路电流不受控增大的问题；可见，利用不对反熔丝单元被击穿后产生的过冲电流进行限制的发光二极管，对与其串联的反熔丝单元在编程时所产生的电流值较大的电流进行光能转换，快速实现了对编程中反熔丝单元的限流保护，进而避免了反熔丝单元在编程过程中被烧毁的问题发生。
在上述附图1所对应实施例的基础上，本发明实施例公开了另一种电压施加方法，请参见附图5，所述方法具体包括以下步骤：
s401：电压施加器向反熔丝单元施加电压，所述电压施加器与所述反熔丝单元串联。
s402：当所述电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，所述反熔丝单元被击穿，并产生过冲电流。
s403：所述热敏电阻对所述过冲电流进行热能转换，并将经过热能转换后产生的所述限制电流作为所述回路电流；
具体的，当限流电阻为热敏电阻时，热敏电阻会对流经的过冲电流进行热能转换，从而令部分过冲电流以发热的形式消耗掉，以达到减小过冲电流的目的。
本发明实施例公开了一种反熔丝编程方法，通过电压施加器向同一回路中的反熔丝单元施加电压，令反熔丝单元被击穿，产生电流值较大的过冲电流流过该反熔丝单元，以使其从高阻状态变成电阻较小的低阻状态，同时利用与反熔丝单元串联的热敏电阻对其产生的过冲电流进行热能转换，以消耗部分过冲电流，并将经过热能转换后产生的限制电流作为回路电流，有效防止出现回路电流不受控增大的问题；可见，利用不对反熔丝单元被击穿后产生的过冲电流进行限制的热敏电阻，对与其串联的反熔丝单元在编程时所产生的电流值较大的电流进行热能转换，快速实现了对编程中反熔丝单元的限流保护，进而避免了反熔丝单元在编程过程中被烧毁的问题发生。
本发明实施例公开了一种反熔丝编程系统，请参见附图6，具体包括：
电压施加器501、反熔丝单元502和限流电阻503，所述电压施加器501依次与所述反熔丝单元502、所述限流电阻503串联，组成一个完整回路；
所述电压施加器501，用于向反熔丝单元502施加电压；
所述反熔丝单元502，用于当所述电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，被击穿，并产生过冲电流；
所述限流电阻503，用于对所述过冲电流进行限流，产生限制电流，并作为回路电流，所述限制电流小于所述过冲电流。
本发明实施例公开了一种反熔丝编程系统，包括电压施加器501、反熔丝单元502和限流电阻503，通过电压施加器501向同一回路中的反熔丝单元502施加电压，令反熔丝单元502被击穿，产生电流值较大的过冲电流流过该反熔丝单元502，以使其从高阻状态变成电阻较小的低阻状态，同时利用与反熔丝单元502串联的限流电阻503对其产生的过冲电流进行限流，产生限制电流，作为回路电流，起到保护反熔丝单元502和整个回路的作用；可见，将不对反熔丝单元502被击穿后自身产生的过冲电流进行限制的限流电阻503，与反熔丝单元502串联，增大了反熔丝单元502被击穿后自身产生的过冲电流的大小，从而在利用电流值较大的过冲电流进行编程时，有效减小了反熔丝单元502被击穿后所呈现的低阻状态下的电阻，提高了反熔丝单元502编程后的可靠性，进而降低对应用此反熔丝单元502的电路的逻辑功能的影响。
本发明实施例提供的各个模块的工作过程，请参照附图1所对应的方法流程图，具体工作过程不再赘述。
仍参见附图6，上述附图6所对应实施例中的反熔丝单元502具体用于：
当所述电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，产生导电细丝，并在所述导电细丝连接所述反熔丝单元502的正极和负极时，产生所述过冲电流。
具体的，当电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，反熔丝单元502内部因击穿所形成的导电通道可以是由其内部产生的导线细丝构成，直到导电细丝逐渐变大，连接反熔丝单元502的正、负极时，反熔丝单元所积累的电荷可顺利流过，从而形成过冲电流，且令反熔丝单元502的电阻变小。换句话说，当电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，反熔丝单元502产生导电细丝，并在导电细丝连接反熔丝单元502的正极和负极时，产生过冲电流，从而实现了反熔丝编程。
本发明实施例所采用的反熔丝单元502既可以是一个完整的反熔丝存储器；也可以是反熔丝存储器内部的一个反熔丝结构。其中，反熔丝存储器可以是fpga(fieldprogrammablegatearray，现场可编程门阵列)、prom(programmablereadonlymemory，一次可编程只读存储器)等。反熔丝结构可以是氧化物-氮化物-氧化物(ono)单元结构、栅氧化层单元结构、mtm(金属-绝缘层-金属)型单元结构等其中的任意一种。
本发明实施例中，反熔丝单元502通过在施加的电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，内部产生导电细丝，并在该导电细丝成功连接反熔丝单元502的正极和负极时，产生过冲电流；可见，反熔丝单元502基于施加的电压所产生的导电细丝，能够自动形成内部的导电通道，进而加快了反熔丝单元502从高阻抗变成低阻抗的速率。
仍参见附图6，上述附图6所对应实施例中的电压施加器501具体用于：
获取用户输入的脉冲宽度及脉冲幅度，所述脉冲宽度及所述脉冲幅度均是用户根据所述反熔丝单元的材料和结构所制定的；
向所述反熔丝单元502施加对应所述脉冲宽度和所述脉冲幅度的电压。
具体的，电压施加器501向反熔丝单元502所施加的电压可以是脉冲电压，从而在较短的时间内，令反熔丝单元502所接收到的电压值急剧增加，直至达到击穿反熔丝单元502所需的电压临界值-预设电压值，且持续时间达到预设时间值后，使反熔丝单元502实现从高阻抗变成低阻抗，进而缩短了反熔丝单元502编程所需的时间。其中，脉冲电压可以为方波脉冲。
其次，反熔丝单元502可由不同的材料和结构所组成，进而导致击穿反熔丝单元502所需的电压临界值-预设电压值也不同。因此，本发明实施例中的电压施加器501可随用户针对不同反熔丝单元502所制定的不同脉冲宽度和不同脉冲幅度，产生对应的电压。
本发明实施例中，电压施加器501通过获取用户根据反熔丝单元502的材料和结构所制定的脉冲宽度和不同脉冲幅度，产生与之对应的电压，施加到串联的反熔丝单元502，提高了反熔丝单元502与施加电压之间的匹配程度，进而提高了反熔丝单元502被击穿的效率。
在上述附图6所对应实施例的基础上，本发明实施例公开了另一种反熔丝编程系统，请参见附图7，具体包括：
电压施加器501、反熔丝单元502和限流电阻503；
限流电阻503包括：发光二极管5031；发光二极管5031具体用于：对过冲电流进行光能转换，并将经过光能转换后产生的限制电流作为回路电流；
本发明实施例公开了一种反熔丝编程系统，通过电压施加器501向同一回路中的反熔丝单元502施加电压，令反熔丝单元502被击穿，产生电流值较大的过冲电流流过该反熔丝单元502，以使其从高阻状态变成电阻较小的低阻状态，同时利用与反熔丝单元502串联的发光二极管5031对其产生的过冲电流进行光能转换，以消耗部分过冲电流，并将经过光能转换后产生的限制电流作为回路电流，有效防止出现回路电流不受控增大的问题；可见，利用不对反熔丝单元502被击穿后产生的过冲电流进行限制的发光二极管5031，对与其串联的反熔丝单元502在编程时所产生的电流值较大的电流进行光能转换，快速实现了对编程中反熔丝单元502的限流保护，进而避免了反熔丝单元502在编程过程中被烧毁的问题发生。
本发明实施例提供的各个模块的工作过程，请参照附图4所对应的方法流程图，具体工作过程不再赘述。
在上述附图6所对应实施例的基础上，本发明实施例公开了另一种反熔丝编程系统，请参见附图8，具体包括：
电压施加器501、反熔丝单元502和限流电阻503；
限流电阻503包括：热敏电阻5032；热敏电阻5032具体用于：对过冲电流进行热能转换，并将经过热能转换后产生的限制电流作为回路电流。
本发明实施例公开了一种反熔丝编程系统，通过电压施加器501向同一回路中的反熔丝单元502施加电压，令反熔丝单元502被击穿，产生电流值较大的过冲电流流过该反熔丝单元502，以使其从高阻状态变成电阻较小的低阻状态，同时利用与反熔丝单元502串联的热敏电阻5032对其产生的过冲电流进行热能转换，以消耗部分过冲电流，并将经过热能转换后产生的限制电流作为回路电流，有效防止出现回路电流不受控增大的问题；可见，利用不对反熔丝单元502被击穿后产生的过冲电流进行限制的热敏电阻5032，对与其串联的反熔丝单元502在编程时所产生的电流值较大的电流进行热能转换，快速实现了对编程中反熔丝单元502的限流保护，进而避免了反熔丝单元502在编程过程中被烧毁的问题发生。
本发明实施例提供的各个模块的工作过程，请参照附图5所对应的方法流程图，具体工作过程不再赘述。
本发明实施例公开了一种反熔丝器件，请参见附图9，应用于反熔丝存储器，具体包括：
反熔丝单元601和限流电阻602，所述反熔丝单元601和所述限流电阻602串联；
所述反熔丝单元601，用于在接收到施加电压，所述施加电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，被击穿，并产生过冲电流；
所述限流电阻602，用于对所述过冲电流进行限流，产生限制电流，所述限制电流小于所述过冲电流。
需要说明的是，反熔丝器件集成于反熔丝存储器内部，主要由串联的反熔丝单元601和限流电阻602组成。
本发明实施例公开了一种反熔丝器件，通过反熔丝单元601接收外部施加电压，并在施加电压达到预设电压值，且持续时间达到预设时间值时，反熔丝单元601被击穿，产生电流值较大的过冲电流流过该反熔丝单元601，以使其从高阻状态变成电阻较小的低阻状态，同时利用与反熔丝单元601串联的限流电阻602对其产生的过冲电流进行限流，产生限制电流，作为回路电流，起到保护反熔丝单元601和整个回路的作用；可见，将不对反熔丝单元601被击穿后自身产生的过冲电流进行限制的限流电阻602，与反熔丝单元601串联，增大了反熔丝单元601被击穿后自身产生的过冲电流的大小，从而在利用电流值较大的过冲电流进行编程时，有效减小了反熔丝单元601被击穿后所呈现的低阻状态下的电阻，提高了反熔丝单元601编程后的可靠性，进而降低对应用此反熔丝单元601的电路的逻辑功能的影响。
本发明实施例提供的各个模块的工作过程，请参照附图1所对应的方法流程图，具体工作过程不再赘述。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。