电子存储器设备和用于存取存储器单元的方法与流程
本专利申请要求2017年7月18日申请的bedeschi等人的题为“用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持(self-boost,sourcefollowing,andsample-and-holdforaccessingmemorycells)”的美国专利申请第15/653,276号的优先权，且让渡给本受让人。
以下大体上涉及存储器系统，且更确切地说涉及电子存储器设备和用于存取存储器单元的方法。
背景技术：
存储器装置广泛用以将信息存储在例如计算机、无线通信装置、摄像机、数字显示器等各种电子装置中。通过程序设计存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说，二进制存储器装置具有两个逻辑状态，通常由逻辑“1”或逻辑“0”标示。在其它存储器装置中，可存储大于两个逻辑状态。为了存取所存储的信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的所存储的逻辑状态。为了存储信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的逻辑状态。
存在各种类型的存储器装置，包含采用磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)等的那些存储器装置。存储器装置可为易失性或非易失性。例如pcm和feram的非易失性存储器可维持所存储的逻辑状态很长一段时间，即使无外部电源存在下。例如dram的易失性存储器装置，除非其由电源周期性地刷新，否则可随时间推移失去所存储的逻辑状态。在一些情况下，非易失性存储器可使用类似装置架构作为易失性存储器，但可通过采用此等物理现象作为铁电电容或不同材料相位而具有非易失性特性。
改进存储器装置可包含增大存储器单元密度、增大读取/写入速度、提高可靠性、增强数据保持、降低功率消耗或降低制造成本等其它度量标准。在一些情况下，存储器装置的操作可需要用于感测及/或写入操作的相对高的电压，且与提供相对高的电压相关联的组件可与相对高的功率消耗相关联且需要相对更大程度地电绝缘。此外，存储器装置可基本上采用复制组件以提供信号和参考，且复制组件的制造及/或操作容限可在信号与参考之间引入不均衡，此可导致感测困难。
技术实现要素：
根据本公开的电子存储器设备可包含：存储器单元，其耦合在第一存取线与第二存取线之间；电容器，其耦合在第一存取线与第一电压源之间；第二电压源，其经由第一开关组件与第一存取线耦合；和感测组件，其在感测组件的第一端子处与第一存取线耦合且在感测组件的第二端子处与参考电压源耦合。
在一些实例中，电子存储器设备可进一步包含耦合在电容器与感测组件之间的放大器。在一些实例中，放大器可经由第二开关组件与第二电压源耦合。
在一些实例中，电子存储器设备可进一步包含耦合在参考电压源与感测组件之间的参考线，和耦合在参考线与第一电压源之间的另一电容器。在一些实例中，参考电压源可经由第三开关组件与参考线耦合。
在一些实例中，电子存储器设备可进一步包含耦合在电容器与感测组件之间的放大器，和耦合在另一电容器与感测组件之间的另一放大器。在一些实例中，放大器可经由第二开关组件与第二电压源耦合，且另一放大器可经由第四开关组件与第二电压源耦合。
在电子存储器设备的一些实例中，感测组件的第二端子可与第一存取线耦合，且电子存储器设备可进一步包含耦合在感测组件的第一端子与第一存取线之间的第一隔离组件，第一隔离组件可操作以在于感测组件的第一端子处产生第一感测电压之后，在于第一存取线上产生参考电压期间使感测组件的第一端子与第一存取线隔离。在一些实例中，电子存储器设备可进一步包含耦合在感测组件的第二端子与第一存取线之间的第二隔离组件。
根据本公开的方法可包含：将第一电压施加到与存储器单元的第一存取线耦合的电容器的第一端子；将第二电压施加到电容器的第二端子；在选择用于感测操作的存储器单元之前，将第三电压施加到电容器的第二端子；选择用于感测操作的存储器单元；比较第一存取线的所得电压与感测组件处的参考电压，其中所得电压可至少部分地基于将第一电压和第三电压施加到电容器且至少部分地基于选择用于感测操作的存储器单元；及至少部分地基于比较所得电压与感测组件处的参考电压来确定与存储器单元相关联的逻辑值。
在方法的一些实例中，将第一电压施加到电容器的第一端子包含启动耦合在电容器的第一端子与第一电压源之间的开关组件。
方法的一些实例可进一步包含在将第三电压施加到电容器的第二端子前，去启动耦合在电容器的第一端子与第一电压源之间的开关组件。
在方法的一些实例中，将第三电压施加到电容器的第二端子包含启动耦合在电容器的第二端子与第一电压源之间的开关组件。
方法的一些实例可进一步包含在选择用于感测操作的存储器单元之后，将第二电压施加到电容器的第二端子。
方法的一些实例可进一步包含将第二电压和第三电压施加到与感测组件耦合的另一电容器的端子，且参考电压可至少部分地基于将第二电压和第三电压施加到另一电容器的所述端子。
方法的一些实例可进一步包含将第四电压施加到另一电容器的另一端子，且参考电压可至少部分地基于将第四电压施加到另一电容器的另一端子。
方法的一些实例可进一步包含：启用耦合在存储器单元与感测组件之间的第一存取线上的第一放大器，其中第一存取线的所得电压可至少部分地基于启用第一放大器；及启用耦合在参考电压源与感测组件之间第二放大器，其中参考电压可至少部分地基于启用第二放大器。
方法的一些实例可进一步包含启用耦合在存储器单元与第一存取线上的感测组件之间的放大器，其中第一存取线的所得电压可至少部分地基于启用放大器。
在方法的一些实例中，启用耦合在第一存取线与感测组件之间的放大器包含启动耦合在放大器与电压源之间的开关组件。
方法的一些实例可进一步包含在比较之前使感测组件的第一端子与第一存取线隔离，以在参考电压产生时保持感测组件的第一端子处的所得电压。
方法的一些实例可进一步包含：在使感测组件的第一端子隔离之后，将第一电压施加到电容器的第一端子且将第二电压施加到电容器的第二端子；在选择用于第二选择操作的存储器之前将第三电压施加到电容器的第二端子；选择用于第二感测操作的存储器单元；及第二次启用放大器，其中参考电压可至少部分地基于选择用于第二感测操作的存储器及第二次启用放大器。
方法的一些实例可进一步包含在比较之前使感测组件的第一端子与第一存取线隔离，以在参考电压产生时保持感测组件的第一端子处的所得电压。
方法的一些实例可进一步包含：在使感测组件的第一端子隔离之后，将第一电压施加到电容器的第一端子且将第二电压施加到电容器的第二端子；在选择用于第二选择操作的存储器单元之前，将第三电压施加到电容器的第二端子；及将选择电压施加到存储器单元的第二存取线以选择用于第二感测操作的存储器单元，其中参考电压可至少部分地基于选择用于第二感测操作的存储器单元。
根据本公开的另一方法可包含：在与感测组件的阵列侧和感测组件的参考侧耦合的存储器装置的存取线处产生第一电压，第一电压至少部分地基于存储器装置的存储器单元的充电状态；使存储器装置的存取线与感测组件的阵列侧隔离以存储至少部分地基于第一电压的感测组件的第一读取电压；在存储器装置的存取线处产生第二电压，第二电压至少部分地基于存储器装置的参考电压；及至少部分地基于比较第一读取电压与至少部分地基于第二电压的第二读取电压来确定与存储器单元相关联的逻辑值。
根据本公开的另一电子存储器设备可包含：感测组件，其经由第一存取线与存储器单元进行电子通信；电容器，其在电容器的第一端子处与第一存取线耦合；和控制器，其与感测组件和存储器单元进行电子通信。控制器可操作以使得设备执行以下操作：将第一电压施加到电容器的第一端子；将第二电压施加到电容器的第二端子；在选择用于感测操作的存储器单元之前，将第三电压施加到电容器的第二端子；选择用于感测操作的存储器单元；比较第一存取线的所得电压与感测组件处的参考电压，其中所得电压可至少部分地基于将第一电压和第三电压施加到电容器且至少部分地基于选择用于感测操作的存储器单元；及至少部分地基于比较所得电压与感测组件处的参考电压来确定与存储器单元相关联的逻辑值。
附图说明
图1说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持的实例存储器装置。
图2说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持的实例电路。
图3说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持的存储器单元的具有迟滞曲线的非线性的电特性的实例。
图4说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压和采样保持的电路的实例。
图5展示说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压的实例存取过程的操作的时序图。
图6说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和感测保持的电路的实例。
图7展示说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压和源极跟随的实例存取过程的操作的时序图。
图8说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和感测保持的电路的实例。
图9展示说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持的实例存取过程的操作的时序图。
图10展示说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和自我参考采样保持的实例存取过程的操作的时序图。
图11展示根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持的存储器装置的框图。
图12展示根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持的存储器控制器的框图。
图13展示包含根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持的装置的系统的图。
图14展示说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持的方法的流程图。
图15展示说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的采样保持的方法的流程图。
具体实施方式
所描述特征和操作通常涉及存储器系统，且尤其涉及用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持特征和操作的各种组合。
在一些存储器系统中，存取存储器单元可以受益于使用相对高的电源电压。然而，相对于在较低电源电压的情况下所使用的功率消耗、复杂性、大小和绝缘体，提供相对高的电压可能与相应地高功率消耗、复杂组件、大装置或高绝缘体要求相关联。因此，支持相对较低的电压装置存取存储器单元可为优选的。
根据本公开的实施例，与感测组件的存取线耦合的电容器可以相对低的电压差预充电，且接着以相对低的电压升压，使得存储在电容器中的电荷相对于存储器单元升高到相对高的电压(例如，将电容器的端子升压到相对高的电压)。此类操作可被称作“自我升压”。电容器中的升压电荷可支持感测操作，否则所述感测操作将需要来自存储器系统的单个电压电源的相对高的电压，和/或在使用相对低电压电源时将耗费相对较长的时间。举例来说，此类电容器中的升压电荷可促进铁电存储器单元的感测方案，所述感测方案反转此类存储器单元中某些逻辑状态的饱和极化。
在包含与感测组件的存取线耦合的电容器的一些存储器系统中，可优选使用相对低的电容(例如，相对低电容积分器电容器)以使得由存储器单元的电荷流产生的电压信号相对地高。然而，此类系统可能在感测组件中需要相对小和/或灵敏的组件。因此，在一些存储器系统中，根据本公开的实施例在存取线与感测组件之间采用电荷放大可能是有益的，这可被称作“源极跟随”。源极跟随可放大存储器单元与感测组件之间的信号，且还可将存储器单元与感测组件隔离，借此防止这些组件之间的电荷共享。电荷放大还可支持感测组件中的较大组件，这可改进存储器系统的稳健性。
一些存储器系统可对与感测组件耦合的信号线和参考线两者应用自我升压和/或源极跟随，这可支持相对快速的感测操作，因为产生信号和产生基准的某些操作可以同时发生。此类存储器系统可使用大体上重复的组件来支持自我升压和/或源极跟随操作。由于制造和/或操作公差，大体上重复的组件可具有不同的特性，例如阈值电压(例如，晶体管)和/或绝缘特性。虽然由重复的组件支持的相对快速的感测操作可能适用于一些应用程序，但在一些应用程序中，尽管存在操作相对较慢的缺点，但仍可改进制造和/或操作公差的稳健性。因此，一些存储器系统可采用根据本公开实施例的“采样保持”，其可重新使用感测组件的某些组件分别产生信号和基准，借此减小制造和/或操作公差的灵敏度。
在支持采样保持操作的一些存储器系统中，可通过使用根据本公开实施例的“自我参考”操作进一步改进感测。举例来说，可第一次感测存储器单元，其中所得信号锁存且存储在感测组件的第一端子处。可第二次感测相同的存储器单元，其中所得信号锁存且存储在感测组件的第二端子处。可比较存储在感测组件的端子处的信号，以便确定最初存储在存储器单元中的逻辑状态。举例来说，当应用于铁电存储器单元时，使用用于感测正极化存储器单元的正感测电压的自我参考操作可在感测组件的第一端子和第二端子处存储位移信号。在另一方面，使用用于感测负极化存储器单元的正感测电压的自我参考操作可在感测组件的第一端子处存储位移和极化信号，且在感测组件的第二端子处存储位移信号。相同存储器单元的第一次与第二次感测之间的差异或缺失可用于确定最初存储在存储器单元中的逻辑状态，且由于感测信号和参考信号两者存取相同的存储器单元，因此可在第一次与第二次感测之间消除由于电路路径电阻、本征电容及类似者所引起的影响。因此，当增加对电路变化的稳健性为有益时，一些存储器系统可能采用自我参考操作。
下文在存储器阵列的上下文进一步描述上文所介绍的本公开的特征。接着描述关于自我升压、源极跟随、采样保持以及自我参考操作的特定实例。参考涉及用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随、采样保持和自我参考的设备图、系统图和流程图进一步说明和描述本公开的这些和其它特征。
图1说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持的实例存储器装置100。存储器装置100还可被称作电子存储器设备。存储器装置100包含可编程以存储不同逻辑状态的存储器单元105。在一些情况下，存储器单元105可被编程以存储两个逻辑状态，表示为逻辑0和逻辑1。在一些情况下，存储器单元105可被编程以存储大于两个逻辑状态。
在一些实例中，存储器单元105可将表示可编程逻辑状态的电荷存储在电容式存储器元件中。举例来说，存储器单元105的带电和不带电电容器可分别表示两种逻辑状态，或存储器单元105的带正电和带负电电容器可分别表示两种逻辑状态。dram体系结构可使用此类设计，且所用的电容器可包含具有线性或顺电性电极化特性的介电材料作为绝缘体。在一些实例中，例如feram等存储器单元105可包含具有铁电材料作为电容器的端子之间的绝缘层的铁电电容器。铁电电容器的不同程度的极化可表示不同的逻辑状态。铁电材料具有非线性极化特性，包含参考图3进一步详细论述的那些特性。
存储器装置100可包含三维(3d)存储器阵列，其中多个二维(2d)存储器阵列(例如，板)彼此叠加形成。与2d阵列相比，这可以增加可放置或创建于单个裸片或衬底上的存储器单元105的数目，这反过来可以降低生产成本或提高存储器装置100的性能，或这两者。板可通过电绝缘材料分离。可对准或定位每个板，使得存储器单元105在每个板上可彼此大致对准，从而形成存储器单元105的堆叠。
根据图1的实例，存储器单元105的各列与多个第一存取线110(例如，字线(wl))中的一者耦合，且存储器单元105的各列与多个第二存取线115(例如，数字线(dl))中的一者耦合。因此，一个存储器单元105可位于第一存取线110中的一者与第二存取线115中的一者的交叉点处。这种交叉点可被称作存储器单元105的地址。对字线和位线或其类似物的引用可互换，但不会失去理解或操作。在一些情况下，第一存取线110和第二存取线115可在存储器装置100中大体上彼此垂直(例如，当观看存储器装置100的板的平面时，如图1中所展示)。尽管参考图1所描述的存取线被展示为存储器单元105与所耦合组件之间的简单线，但存取线可包含可用于支持感测操作(包含本文中所描述的那些)的其它电路元件，例如电容器、电阻器、晶体管、放大器等。
在一些体系结构中，存储器单元105的逻辑存储组件(例如，电容式存储器元件)可通过选择组件与第二存取线115电隔离。第一存取线110可与选择组件耦合且可控制选择组件。举例来说，选择组件可以是晶体管，且第一存取线110可与晶体管的栅极耦合。启动第一存取线110可导致存储器单元105的逻辑存储组件与其对应的第二存取线115之间的电连接或闭合电路。接着可存取第二存取线115以读取和/或写入存储器单元105。
在一些实例中，存储器单元105还可与多个第三存取线120(例如，板线(pl))中的一者耦合。在一些实例中，多个第三存取线可为各种感测和/或写入操作(包含本文中所描述的那些)耦合存储器单元105与电压源。举例来说，当存储器单元105使用用于存储逻辑状态的电容器时，第二存取线115可提供对电容器的第一端子的存取，且第三存取线120可提供对电容器的第二端子的存取。如本文中所使用，术语“端子”不必表明存储器单元105的电容器或任何其它电路元件的物理边界或连接点。实际上，“端子”可指与电路元件相关的电路的参考点，其还可被称作“节点”或“参考点”。尽管存储器装置100的多个第三存取线120被展示为与多个第二存取线115大体上平行，但在其它实例中，多个第三存取线120可与多个第一存取线110大体上平行或呈任何其它配置。
可通过启动或选择与存储器单元105耦合的第一存取线110、第二存取线115和/或第三存取线120对存储器单元105执行例如读取、写入和重写等操作，所述操作可包含将电压、电荷和/或电流施加到各别存取线。存取线110、115和120可由例如金属(例如，铜(cu)、银(ag)、铝(al)、金(au)、钨(w)、钛(ti)等)、金属合金、碳等导电材料或其它导电材料(合金或化合物)制成。选择存储器单元105之后，所得信号可用于确定存储的逻辑状态。举例来说，可选择具有存储逻辑状态的电容式存储器元件的存储器单元105，且可检测经由存取线的所得电荷流和/或存取线的所得电压以确定存储器单元105的编程逻辑状态。
可通过行解码器125和列解码器135控制存取存储器单元105。举例来说，行解码器125可从存储器控制器150接收行地址，且基于所接收的行地址启动适当的第一存取线110。类似地，列解码器135可从存储器控制器150接收列地址且启动适当的第二存取线115。因此，在一些实例中，可通过启动第一存取线110和第二存取线115来存取存储器单元105。
存取后，可通过感测组件130读取或感测存储器单元105。举例来说，感测组件130可配置成基于存取存储器单元105所产生的信号来确定存储器单元105的存储的逻辑状态。信号可包含电压、电荷、电流或其组合，且感测组件130可包含电压感测放大器、电荷感测放大器、电流感测放大器或其组合。举例来说，电压可施加到具有电容式存储器元件的存储器单元105(例如，使用对应的第一存取线110、第二存取线115和/或第三存取线120)，且所得电荷流和/或电压的幅值可以取决于电容式存储器元件的存储电荷和/或极化。
感测组件130可包含用于检测和放大信号的各种晶体管或放大器，其可被称作锁存(latching)。接着可经由输入/输出组件140输出所检测到的存储器单元105的逻辑状态。在一些情况下，感测组件130可以是列解码器135或行解码器125的一部分。在一些情况下，感测组件130可与列解码器135、行解码器125和/或存储器控制器150耦合或电子通信。
存储器单元105还可以通过启动相关的第一存取线110、第二存取线115和/或第三存取线120来设定或写入—即，逻辑状态可存储在存储器单元105中。列解码器135或行解码器125可例如经由输入/输出组件140接收被写入存储器单元105的数据。在电容式存储器元件的情况下，可通过向电容器施加电压且接着隔离电容器(例如，使电容器与用于写入存储器单元105的电压源隔离)来写入存储器单元105。在铁电存储器的情况下，可通过施加足以极化铁电存储器元件的高幅值电压(例如，施加饱和电压)来写入存储器单元105的铁电存储器元件(例如，铁电电容器)，且铁电存储器元件可被隔离(例如，浮动)，或可在铁电存储器元件(例如，接地或虚拟接地的铁电存储器元件)上施加零净值电压。
在一些存储器体系结构中，存取存储器单元105可降低或破坏存储的逻辑状态。因此，可执行重新写入或刷新操作以在此类存取之后将编程的逻辑状态返回到存储器单元105。举例来说，在dram中，存储器单元105的逻辑存储电容器可在感测操作期间部分或完全放电，从而破坏存储的逻辑状态。因此，可在感测操作之后重新写入逻辑状态。在一些实例中，启动单个存取线(例如，第一存取线110、第二存取线115或第三存取线120)可导致沿所述存取线的所有存储器单元105放电。因此，在一些实例中，在存取操作之后可能需要重新写入行或列中的所有存储器单元105。但当存取具有非易失性特性的存储器单元105(例如，feram存储器单元)时，存取存储器单元105可能不会破坏逻辑状态，且因此在存取之后，存储器单元105可能不需要重新写入。
除非包含dram的一些存储器体系结构周期性地更新(例如，通过存储器单元105外部的电压源)，否则其可能会随时间推移失去存储的逻辑状态。举例来说，带电电容器可能会随时间由于泄漏电流而放电，导致所存储电荷的损失。此类存储器装置的刷新率可相对地高，例如dram，每秒数十次刷新操作，这可能会导致显著的功率消耗。随着存储器阵列越来越大，此类功率消耗可能会抑制存储器阵列的部署或操作(例如，电源、发热、材料限制等)，尤其是依赖于例如电池等有限能源的装置。具有非易失性特性的存储器元件的存储器单元105可引起相对于其它存储器体系结构的改进的性能。举例来说，feram可提供与dram相当的读取/写入速度，但可具有允许减小功率消耗和/或增加单元密度的非易失性特性。
存储器控制器150可通过各种组件控制存储器单元105的操作(读取、写入、重新写入、刷新、自我升压、源极跟随、采样保持等)，例如，启动行解码器125、列解码器135和感测组件130以及如本文中所描述的其它组件的操作和/或接收来自行解码器125、列解码器135和感测组件130以及如本文中所描述的其它组件的信息。在一些情况下，一或多个行解码器125、一或多个列解码器135、一或多个感测组件130和/或一或多个输入/输出组件140可与存储器控制器150处于相同位置。存储器控制器150可产生行和列地址信号，以便启动所需的第一存取线110、第二存取线115和/或第三存取线120。此外，可同时存取存储器装置100内的一个、多个或所有存储器单元105。举例来说，在将所有存储器单元105或存储器单元105的群组设定为单个逻辑状态的重设操作期间，可同时存取存储器装置100的多个或所有存储器单元105。
存储器控制器150还可产生和/或控制在存储器装置100的操作期间使用的各种电压、电荷或电流的施加(例如，经由各种电压电源、电荷源、电流源、接地点、虚拟接地点等)。本文中所论述的所施加电压、电荷或电流的幅值、形状或持续时间可被调整或改变，且对于在操作存储器装置100中所论述的各种操作可以是不同的。存储器控制器150还可产生和/或控制各种逻辑信号的施加(例如，经由各种电压供应、逻辑控制器等)，所述逻辑信号可控制根据本公开实施例的各种切换组件。
图2说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持的实例电路200。电路200包含存储器单元105-a和感测组件130-a，其可为参考图1所描述的存储器单元105和感测组件130的实例。电路200还可包含字线205、数字线210和板线215，在一些实例中，其分别可对应于如参考图1所描述的第一存取线110、第二存取线115和第三存取线120。电路200还可包含由感测组件130-a用来确定存储器单元105-a的存储逻辑状态的参考线270。然而，在不同实例中，存取线和/或基准线的其它配置是可以的。
存储器单元105-a可包含逻辑存储组件(例如，存储器元件)，例如具有第一板、单元板230和第二板、单元底部240的电容器220。单元板230和单元底部240可通过定位在其之间(例如，dram应用程序中的)的介电材料进行电容耦合，或通过定位在其之间(例如，feram应用程序中的)的铁电材料进行电容耦合。可翻转单元板230和单元底部240的定向而不改变存储器单元105-a的操作。单元板230可经由板线215存取，且单元底部240可经由数字线210存取。如本文中所描述，可通过充电、放电和/或极化电容器220来存储各种状态。
电容器220可与数字线210进行电子通信，且电容器220的存储逻辑状态可通过操作电路200中表示的各种元件来读取或感测。举例来说，存储器单元105-a还可包含选择组件250，且当选择组件250被启动时，电容器220可与数字线210耦合，且当选择组件250被去启动时，电容器220可与数字线210隔离。启动选择组件250可被称作选择存储器单元105-a，且去启动选择组件250可被称作取消选择存储器单元105-a。在一些情况下，选择组件250是晶体管且通过将电压施加到晶体管栅极来控制其操作，其中施加在晶体管(例如，晶体管栅极端子与晶体管源极端子之间的电压)上用于启动晶体管的电压大于晶体管的阈值电压幅值。字线205可用于启动选择组件250。举例来说，施加到字线205的选择电压(例如，字线逻辑信号)可被施加到选择组件250的晶体管的栅极上，所述选择电压可连接电容器220与数字线210(例如，在电容器220与数字线210之间提供导电路径)。
在其它实例中，可切换存储器单元105-a中的选择组件250和电容器220的位置，从而使得选择组件250耦合在板线215与单元板230之间，且电容器220耦合在数字线210与选择组件250的另一端子之间。在此类实施例中，选择组件250可通过电容器220保持与数字线210进行电子通信。这种配置可与用于读取和写入操作的替代定时和偏置相关联。
在使用铁电电容器220的实例中，连接到数字线210后，电容器220可能无法完全放电。在各种方案中，为了感测铁电电容器220存储的逻辑状态，可将电压施加到板线215和/或数字线210，且可偏置字线205以选择存储器单元105-a。在一些情况下，在启动字线205之前，板线215和/或数字线210可虚拟接地且接着与虚拟接地隔离，这可被称作浮动状态。通过改变单元板230的电压(例如，经由板线215)来操作存储器单元105-a可被称作“移动单元板”。偏置板线215和/或数字线210可导致电容器220上的电压差(例如，板线215的电压减去数字线210的电压)。电压差可伴随电容器220上存储电荷的变化，其中存储电荷的变化幅值可取决于电容器220的初始状态—例如，初始逻辑状态存储逻辑1抑或逻辑0。在一些方案中，电容器的存储电荷的变化可能引起数字线210的电压的变化，这可由感测组件130-a用来确定存储器单元105-a的存储逻辑状态。
数字线210可连接多个存储器单元105，且数字线210可具有导致不可忽略的本征电容260的长度(例如，微微法拉(pf)数量级)，其可耦合数字线与电压源265-a，其可表示共同接地或虚拟接地电压或电路200的相邻存取线的电压(未示出)。尽管在图2中说明为独立组件，但本征电容260可与分布在整个数字线210上的特性相关联。举例来说，本征电容可取决于数字线210的物理特征，包含数字线210的导体尺寸(例如，长度、宽度和/或厚度)。另外，附加电容器可与包含数字线210的存取线耦合，例如支持各种感测和写入操作的一或多个积分器电容器，包含支持自我升压操作的本文中所描述的那些电容器。因此，选择存储器单元105-a之后，数字线210的电压的变化可取决于数字线210的净电容。即，当电荷流过数字线210时，一些有限电荷可存储在数字线210中(例如，本征电容260或与数字线210耦合的任何其它电容中)，且数字线210的所得电压可取决于数字线210的净电容。在选择存储器单元105-a之后，数字线210的所得电压可与感测组件130-a的基准(例如，参考线270的电压)进行比较，以便确定存储在存储器单元105-a中三逻辑状态。其它操作可用于支持选择和/或感测存储器单元105-a，包含如本文中所描述的用于自我升压、源极跟随、采样保持和自我参考操作的操作。
在一些实例中，电路200可包含放大器275，所述放大器275可在感测操作之前放大数字线210的信号。放大器275可包含(例如)晶体管、级联或任何其它电荷或电压放大器。在此类实例中，感测组件130-a与放大器275之间的线可被称作信号线(例如，信号线280)。在不具有放大器275的实例中，数字线210可与感测组件130-a直接连接尽管数字线210和信号线280被识别为单独的线，但数字线210、信号线280和连接存储器单元105与感测组件130的任何其它线可被称作根据本公开的单个存取线。在各种实例配置中，为了说明介入组件和介入信号，可单独识别此类存取线的组成部分。
感测组件130-a可包含用以检测和放大信号差异的各种晶体管或放大器，其可被称作锁存。举例来说，感测组件130-a可包含接收且将数字线210的电压(例如，当存储或锁存在第一端子131-a处时)与参考线270的参考电压(例如，当存储或锁存在第二端子132-a处时)进行比较的感测放大器。可基于感测放大器处的比较而将感测放大器的输出驱动到较高(例如，正)或较低(例如，负或接地)电压。举例来说，如果与感测组件130-a耦合的数字线210(或信号线280，当可应用时)具有比参考线270低的电压，那么感测组件130-a的输出可被驱动到第一感测组件电压源265-b的相对较低的电压(例如，v1的电压，其可为例如大体上等于v0的接地电压，或负电压)。感测组件130-a可锁存感测放大器的输出以确定存储在存储器单元105-a中的逻辑状态(例如，当数字线210具有比参考线270低的电压时，检测逻辑0)。如果与感测组件130-a耦合的数字线210(或信号线280，当可应用时)具有比参考线270高的电压，那么感测组件130-a的输出可被驱动到第二感测组件电压源265-c的电压(例如，v2的电压)。感测组件130-a可锁存感测放大器的输出以确定存储在存储器单元105-a中的逻辑状态(例如，当数字线210具有比参考线270高的电压时，检测逻辑1)。接着，可经由输入/输出(i/o)线290输出对应于所检测到的存储器单元105-a的逻辑状态的放大器的锁存输出(例如，通过经由参考图1所描述的输入/输出组件140的列解码器135)。
为了对存储器单元105-a执行写入操作，可将电压施加在电容器220上。可使用各种方法。在一个实例中，可通过字线205启动选择组件250以便将电容器220电连接到数字线210。可通过控制单元板230(例如，通过板线215)和单元底部240(例如，通过数字线210)的电压来将电压施加在电容器220上。举例来说，为写入逻辑0，单元板230可被拉高(例如，将正电压施加到板线215)，且单元底部240可被拉低(例如，虚拟接地或将负电压施加到数字线210)。可执行相反过程来写入逻辑1，其中单元板230被拉低且单元底部240被拉高。在一些情况下，在写入操作期间施加在电容器220上的电压可具有等于或大于电容器220中的铁电材料的饱和电压的幅值，从而使得电容器220被极化，且因此即使在所施加电压的幅值减小时，或在电容器220上施加零净电压时，也能保持电荷。
图3说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持的存储器单元105的具有迟滞曲线300-a和300-b的非线性的电特性的实例。迟滞曲线300-a和300-b可分别说明采用如参考图2所描述的铁电电容器220的存储器单元105的实例写入过程和读取过程。迟滞曲线300-a和300-b描绘存储在铁电电容器220上随铁电电容器220的端子之间的电压差v而变化的电荷q(例如，当允许电荷根据电压差v流入或流出铁电电容器220时)。
铁电材料的特征在于自发电极化，其中所述材料可在不存在电场的情况下保持非零电荷。实例铁电材料包含钛酸钡(batio3)、钛酸铅(pbtio3)、锆钛酸铅(pzt)和铋钽酸锶(sbt)。本文中所描述的铁电电容器220可包含这些或其它铁电材料。铁电电容器220内的电极化导致铁电材料表面的净电荷，且通过铁电电容器220的端子吸引相反的电荷。因此，电荷被存储在铁电材料与电容器端子的介面处。由于电极化可在不存在外部施加电场的情况下保持相对长的时间，甚至无限期地，因此与例如不具有铁电特性的电容器(例如习知dram阵列中所使用的电容器)相比，电荷泄漏可显著地减少。采用铁电材料可减小对一些dram体系结构执行如上文所描述的刷新操作的需要。
可从铁电电容器220的单个端子的角度理解迟滞曲线300-a和300-b。借助于实例，如果铁电材料具有负极化，那么正电荷积聚在铁电电容器220的相关端子处。同样地，如果铁电材料具有正极化，那么负电荷积聚在铁电电容器220的相关端子处。另外，应理解，迟滞曲线300-a和300-b中的电压表示电容器(例如，铁电电容器220的端子之间)上的电压差且具有方向。举例来说，可通过将正电压施加到透视端子(例如，单元底部240)且将参考端子(例如，单元板230)保持在接地或虚拟接地(或大约零伏特(0v))来实现正电压。在一些实例中，可通过将透视端子保持在接地且将正电压施加到参考端子来施加负电压。换句话说，可施加正电压以在铁电电容器220上产生负电压差且由此使得所讨论的端子负极化。类似地，可将两个正电压、两个负电压或正和负电压的任何组合施加到适当的电容器端子上以产生迟滞曲线300-a和300-b中所展示的电压差。
如迟滞曲线300-a中所描绘，当铁电电容器220的端子之间不存在净电压差时，铁电电容器220中所使用的铁电材料可保持正或负极化。举例来说，迟滞曲线300-a说明两种可能的极化状态：电荷状态305-a和电荷状态310-b，其分别可表示正饱和极化状态和负饱和极化状态。电荷状态305-a和310-a可处于说明剩余极化(pr)值的物理状态，其可指在去除外部偏压(例如，电压)后保留的极化(或电荷)。矫顽电压是电荷(或极化)为零时的电压。根据迟滞曲线300-a的实例，当无电压差被施加到铁电电容器220时，电荷状态305-a可表示逻辑1，且无电压差被施加到铁电电容器220时，电荷状态310-a可表示逻辑0。在一些实例中，可反转各别电荷状态的逻辑值以适应用于操作存储器单元105的其它方案。
通过在铁电电容器220上施加净电压差，可通过控制铁电材料的电极化，且由此控制电容器端子上的电荷，将逻辑0或1写入存储器单元中。举例来说，电压315可以是等于或大于正饱和电压的电压，且在铁电电容器220上施加电压315可引起电荷积聚直到达到电荷状态305-b(例如，写入逻辑1)。在从铁电电容器220去除电压315后(例如，在铁电电容器220的端子上施加零净电压)，铁电电容器220的电荷状态可遵循在零电压下电荷状态305-b与电荷状态305-a之间所展示的路径320。类似地，电压325可以是等于或小于负饱和电压的电压，且在铁电电容器220上施加电压325可引起电荷积聚直到达到电荷状态310-b(例如，写入逻辑0)。在从铁电电容器220去除电压325后(例如，在铁电电容器220的端子上施加零净电压)，铁电电容器220的电荷状态可遵循在零电压下电荷状态310-b与电荷状态310-a之间所展示的路径330。在一些实例中，表示饱和电压的电压315和电压325可具有相同的幅值，但极性相反。
为了读取或感测铁电电容器220的存储状态，可将电压施加在铁电电容器220上。响应于所施加电压，改变铁电电容器存储的后续电荷q，且改变的程度可取决于初始极化状态。换句话说，所得电荷q可取决于最初是否存储电荷状态305-a或310-a。举例来说，迟滞曲线300-b说明存储电荷状态305-a和310-a的读取。可例如经由如参考图2所论述的数字线210和板线215施加读取电压335作为电压差。当选择存储器单元105(例如，通过启动如参考图2所描述的选择组件250)时，可将读取电压335施加在铁电电容器220上。将读取电压335施加到铁电电容器220后，电荷可经由数字线210和板线215流入或流出铁电电容器220，且取决于铁电电容器220处于电荷状态305-a(例如，逻辑1)抑或电荷状态310-a(例如，逻辑0)下，可产生不同的电荷状态。尽管读取电压335被展示为铁电电容器220上的正电压，但在替代性操作中，读取电压可以是铁电电容器220上的负电压。
当对处于电荷状态305-a(例如，逻辑1)下的铁电电容器220执行读取操作时，额外的正电荷可积聚在铁电电容器220上，且电荷状态可遵循路径340直到达到电荷状态305-b的电荷和电压。此类读取操作可以不改变存储电荷状态305-a的铁电电容器220的剩余极化，且因此在执行读取操作之后，当去除读取电压335(例如，通过将零净电压施加在铁电电容器220上)时，铁电电容器220可返回到电荷状态305-a。因此，以正读取电压对具有电荷状态305-a的铁电电容器220执行读取操作可被视为非破坏性的读取过程。
当对处于电荷状态310-a(例如，逻辑0)下的铁电电容器220执行读取操作时，所存储电荷可反转极性，因为净正电荷积聚在铁电电容器220上，且电荷状态可遵循路径360直到达到电荷状态310-b的电荷和电压。在不同实例中，使用正读取电压(例如，读取电压335)的读取操作可导致存储电荷状态310-a的电容器220的剩余极化的减小或反转。换句话说，根据铁电材料的特性，执行读取操作之后，当去除读取电压335(例如，通过将零净电压施加在电容器220上)时，铁电电容器220可以不返回到电荷状态310-a。实际上，在使用读取电压335的读取操作之后，当将零净电压施加在铁电电容器220上时，电荷状态可遵循从电荷状态310-b到电荷状态310-c的路径365，从而说明极化幅值的净减少(即，比初始电荷状态310-a少的负极化电荷状态)。因此，以正读取电压对具有电荷状态310-a的铁电电容器220执行读取操作可为破坏性读取过程。然而，在一些感测方案中，减少的剩余极化仍可被读取为与饱和剩余极化状态(例如，支持检测来自电荷状态310-a和电荷状态310-c的逻辑0)相同的存储逻辑状态，借此为存储器单元105提供相对于读取操作的非易失性程度。
从电荷状态310-a到电荷状态310-c的转变可说明与存储器单元的铁电电容器220的极化的部分减小和/或部分反转(例如，从电荷状态310-a到电荷状态310-c的电荷q的幅值的减小)相关联的感测操作。在不同实例中，可根据特定感测方案选择存储器单元105的铁电电容器220的极化的变化量作为感测操作的结果。在一些实例中，存储器单元105的铁电电容器220的极化改变较大的感测操作可以与检测存储器单元105的逻辑状态的相对较大的稳健性相关联。在一些感测方案中，感测处于电荷状态310-a下的铁电电容器220的逻辑0可引起极化的完全反转，其中在感测操作之后，铁电电容器220从电荷状态310-a转变到305-a。此类感测方案可被称作“2pr”感测方案，因为感测操作可基于电荷的转变等于被感测的存储器单元105的铁电电容器220的饱和极化幅值的两倍。
启动读取操作之后，电荷状态305-b和电荷状态310-b的位置可取决于多个因素，包含特定感测方案和电路。在一些情况下，最终电荷可取决于与存储器单元105耦合的数字线210的净电容，其可包含本征电容260、积分器电容器及类似者。举例来说，如果铁电电容器220与数字线210电连接且电压335被施加到数字线，那么当选择存储器单元105时，由于电荷从数字线210的净电容流到铁电电容器220，则数字线210的电压可能下降。因此，在感测组件130处测量的电压可以不等于读取电压335，且相反可取决于电荷共享时段之后的数字线210的电压。启动读取操作后，电荷状态305-b和310-b在迟滞曲线300上的位置可取决于数字线210的净电容且可通过负荷线分析来确定—即，电荷状态305-b和310-b可相对于数字线210的净电容来定义。因此，启动读取操作之后，铁电电容器220的电压(例如，当读取存储电荷状态305-a的铁电电容器220时的电压350或当读取存储电荷状态310-a的铁电电容器220时的电压355)可以不同且可取决于铁电电容器220的初始状态。
可通过将数字线210(或信号线280，当可应用时)的所得电压与参考电压(例如，经由如参考图2所描述的参考线270)进行比较来确定铁电电容器220的初始状态。在一些实例中，数字线电压可为铁电电容器220上的最终电压(例如，当读取具有存储电荷状态305-a的铁电电容器220时的电压350或当读取具有存储电荷状态310-a的铁电电容器220时的电压355)。在一些实例中，数字线电压可为电压335与电容器220上的最终电压之间的差(例如，当读取具有存储电荷状态305-a的铁电电容器220时为(电压335-电压350)，或当读取具有存储电荷状态310-a的铁电电容器220时为(电压335-电压355))。
在一些感测方案中，可产生参考电压，使得当读取不同逻辑状态时参考电压在可能的所得电压之间。举例来说，当读取逻辑1时，可选择低于所得数字线电压的参考电压，且当读取逻辑0时，选择高于所得数字线电压的参考电压。举例来说，当读取存储器单元105的铁电电容器220上的信号电压时，参考电压可为电压350和电压355的平均值。在通过感测组件130进行比较期间，可确定感测的数字线电压高于或低于参考电压，且由此可确定存储器单元105的存储逻辑状态(即，逻辑0或1)。
图4说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压和采样保持的电路400的实例。电路400包含用于感测存储器单元105-b的逻辑状态的感测组件130-b。可经由数字线210-a和信号线280-a在感测组件130-b与存储器单元105-b之间传达电信号，所述数字线210-a和信号线280-a的组合可被称作存储器单元105-b的单个存取线。存取线的信号可通过数字线210-a上的电压vdl和信号线280-a上的vsig来说明，如所展示。实例电路400可包含耦合在数字线210-a与信号线280-a之间的放大器275-a，可通过电压源410-l来启用所述放大器275-a。电路400还可包含用于选择或取消选择存储器单元105-b的字线205-a(例如，借助于逻辑信号wl)和参考线270-a，所述参考线270-a用于在检测存储器单元105-b的逻辑状态时提供参考信号(例如，vref，如所展示)以用于与信号线280-a的信号进行比较。电路400还可包含用于存取存储器单元105-b的电容器的单元板的板线215-a。因此，存储器单元105-b可表示耦合在第一存取线(例如，数字线210-a和信号线280-a)与第二存取线(例如，字线205-a)之间的存储器单元。
电路400可包含多种电压源410，所述电压源410可与包含实例电路400的存储器装置的各种电压电源和/或共同接地或虚拟接地点耦合。
电压源410-a可表示共同接地点(例如底盘接地、中性点等)，其可与具有电压v0的共同参考电压相关联，根据所述电压源410-a其它电压是限定的。电压源410-a可经由数字线210-a的本征电容260-a与数字线210-a耦合。
具有电压v1的电压源410-b可表示板线电压源，且可经由存储器单元105-b的板线215-a与存储器单元105-b耦合。在一些实例中，电压源410-b可用于写入操作，包含参考图3的迟滞曲线300-a所描述的那些操作。
具有电压v2的电压源410-c可表示数字线电压源，且可经由开关组件420-a与数字线210-a耦合，所述开关组件420-a可通过逻辑信号sw1来启动或去启动。
具有电压v3的电压源410-d可表示信号线预充电电压源，且可经由开关组件420-c与信号线280-a耦合，可通过逻辑信号sw3来启动或去启动所述开关组件420-c。
具有电压v4的电压源410-e可表示参考信号电压源，且可经由开关组件420-f与参考线270-a耦合，可通过逻辑信号sw6来启动或去启动所述开关组件420-f。
具有电压v11的电压源410-l可表示数字线电压源且可与放大器275-a耦合，所述放大器275-a可为参考图2所描述的放大器275的实例。举例来说，放大器275-a可以是晶体管，且电压源410-l可与晶体管的栅极耦合。放大器275-a可在第一端子处与信号线280-a耦合，且在第二端子与数字线210-a耦合。放大器275-a可在数字线210-a与信号线280-a之间提供信号转换。举例来说，当数字线210-a的电压降低后(例如，选择存储器单元105-b后)，放大器275-a可允许从信号线280-a到数字线210-a如由电压源410-l馈送或启用的电荷流(例如，电流)。到数字线210-a的相对小的电荷流可能与信号线280-a的电压的相对小的改变相关联，而到数字线210-a的相对大的电荷流可能与信号线280-a的电压的相对大的改变相关联。根据信号线280-a的净电容，例如，信号线280-a可取决于选择存储器单元105-b之后跨放大器275-a的电荷流而经受相对小的电压改变或相对大的电压改变。在一些实例中，可通过开关组件420-b来将放大器275-a与数字线210-a隔离，可通过逻辑信号sw2来启动或去启动所述开关组件420-b。放大器275-a还可响应于数字线210-a的电压而被称作“电压调节器”或“偏压组件”，涉及放大器275-a如何调节电荷流。
电路还可包含第一积分器电容器430-a和第二积分器电容器430-b，其可各自与相应可变电压源450耦合。举例来说，第一积分器电容器430-a可在第一端子431-a处与信号线280-a耦合，且在第二端子432-a处与可变电压源450-a耦合。第二积分器电容器430-b可在第一端子431-b处与参考线270-a耦合，且在第二端子432-b处与可变电压源450-b耦合。
在电路400的实例中，可变电压源450-a可包含具有电压v5的电压源410-f和具有电压v6的电压源410-g，所述可变电压源450-a可经选择来借助于逻辑信号sw4通过开关组件420-d来与第一积分器电容器430-a连接。在一些实例中，电压源410-f可与共同接地点(未展示)耦合。在其它实例中，电压源410-f可与电压电源耦合，所述电压电源提供正或负电压。电压源410-g可与电压高于电压源410-f的电压电源耦合，从而提供如本文中所描述的升压功能(例如，根据电压源410-g与410-f之间的等于v6-v5或仅v6(当电压源410-f接地时)的电压差)。
在电路400的实例中，可变电压源450-b可包含具有电压v7的电压源410-h和具有电压v8的电压源410-i，所述可变电压源450-b可经选择来借助于逻辑信号sw5通过开关组件420-e来与第二积分器电容器430-b连接。在一些实例中，电压源410-h可与共同接地点(未展示)耦合。在其它实例中，电压源410-h可与提供正或负电压的电压电源耦合。电压源410-i可与电压高于电压源410-h的电压电源耦合，从而提供如本文中所描述的升压功能(例如，根据电压源410-i与410-h之间的等于v8-v7或仅v8(当电压源410-h接地时)的电压差)。
尽管电路400经展示为包含两个可变电压源450，但根据本公开的一些配置可包含单一共同可变电压源450。举例来说，当去启动共同可变电压源450的开关组件420时，共同可变电压源450的第一电压源410可与第一积分器电容器430-a的第二端子432-a和第二积分器电容器430-b的第二端子432-b两者耦合，且当启动共同可变电压源450的选择组件420时，共同可变电压源450的第二电压源410可与第一积分器电容器430-a的第二端子432-a和第二积分器电容器430-b的第二端子432-b两者耦合。在使用共同可变电压源450的一些实例中，由于可变电压源450与积分器电容器430中的每一个之间的电路中的不同(例如，导体长度、宽度、电阻、电容等)，提供到第一积分器电容器430-a的第二端子432-a的源电压可不同于提供到第二积分器电容器430-b的第二端子432-b的源电压。
另外，尽管可变电压源450被说明为包含两个电压源410和选择组件420，但支持本文中的操作的可变电压源450可包含其它配置，例如将可变电压提供到第一积分器电容器430-a的第二端子432-a和第二积分器电容器430-b的第二端子432-b中的一个或两个的电压缓冲器。
为支持本文中所描述的各种操作，感测组件130-b可与电路400的部分隔离。举例来说，感测组件130-b可经由开关组件420-g(例如，隔离组件)与信号线280-a耦合，所述开关组件420-g可通过逻辑信号iso1来启动或去启动。另外或可替代地，感测组件130-b可经由开关组件420-h(例如，隔离组件)与参考线270-a耦合，所述开关组件420-h可通过逻辑信号iso2来启动或去启动。另外，感测组件130-b可与具有电压v9的电压源410-j和具有v10电压的电压源410-k耦合，其分别可为参考图2所描述的感测组件电压源256-b和265-c的实例。
电路400中所说明的逻辑信号中的每一个可由存储器控制器(未展示)提供，例如参考图1所描述的存储器控制器150。在一些实例中，某些逻辑信号可由其它组件提供。举例来说，逻辑信号wl可由行解码器(未展示)，例如参考图1所描述的行解码器125提供。
在不同实例中，电压源410可与包含实例电路400的存储器装置的电压电源和/或共同接地或虚拟接地点的不同配置耦合。举例来说，在一些实施例中，电压源410-a、410-f、410-h或410-j或其任何组合可与相同接地点或虚拟接地点耦合，且可提供用于存取存储器单元105-b的各种操作的大体上相同参考电压。在一些实施例中，数种电压源410可与存储装置的相同电压电源耦合。举例来说，在一些实施例中，电压源410-c、410-d、410-g、410-i或410-k或其任何组合可与具有某一电压(例如，1.5v的电压，其可被称作“vary”)的电压电源耦合。在此类实施例中，在经由字线205-a选择存储器单元105-b用于感测之前，信号线280-a可升压到大体上等于2*vary或大约3.0v的电压。因此，根据本发明的实施例，自我升压操作可克服提供用于感测操作的相对较高的电压电源(例如，3.0v或大于3.0v的电压源，其在一些应用中可指“正向泵”电压vpp)的需要。在其它实例中，电压源410-g和410-i可与不同电压电源而不是其它电压电源(例如，1.2v电压，其可被称为“pds”)耦合，其可因此与1.2v电压升压相关联。
在一些实例中，可根据特定输入/输出参数选择电压源410-j和410-k。举例来说，根据某些输入/输出组件惯例，例如某一dram惯例，电压源410-j和410-k可分别大体上处于0v和1v。尽管电压源410可与共同电压电源和/或接地点耦合，但与共同电压电源或共同接地点耦合的电压源410中的每一个的电压可由于相应电压源410与相关联之共同电压电源或共同接地点之间的电路中的不同(例如，导体长度、宽度、电阻、电容等)而不同。
电压源410-e可提供用于感测存储器单元105-b的逻辑状态的参考电压，使得v4是与感测逻辑1和逻辑0相关联的信号线电压之间的平均电压。在一些实例中，v4电压可提供作为从存储器装置的电压电源下落的电压，其可与耦合其它电压源410的电压电源相同。举例来说，v4可通过将电压源410-e与电压电源连接来提供，所述电压电源与电压源410-d相同，但与电压电源与电压源410-e之间的介入电力负载(例如，电阻负载或电容)。
图5展示说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压的实例存取过程的操作的时序图500。参考参看图4所描述的实例电路400的组件来描述实例存取过程。
在时序图500的实例中，电压源410-a、410-f和410-h被视为接地，且因此处于零电压(例如，v0＝0v，v5＝0v，和v7＝0v)。然而，在其它实例中，电压源410-a、410-f和410-h可处于非零电压，且可因此调节时序图500的电压。在一些实例中，在开始时序图500的操作之前，可将数字线210-a和板线215-a控制成相同电压，这可以最小化整个存储器单元105-b中的电荷泄漏。举例来说，根据时序图500，数字线210-a具有0v的初始电压，所述初始电压可与板线215-a的初始电压相同。在其它实例中，数字线210-a和板线215-a可具有不同于接地电压的一些其它初始电压。
在501处，存取过程可包含启动开关组件420-c(例如，通过启动逻辑信号sw3)。启动开关组件420c可将电压源410-d与信号线280-a连接，且因此信号线280-a的电压可随着电荷流到积分器电容器430-a中而上升到电压电平v3。因此，启动开关组件420-c可发起对积分器电容器430-a的预充电操作。举例来说，在501处，开关组件420-d可去启动，以使得电压源410-f(例如，接地或虚拟接地电压处于0v)与积分器电容器430-a的第二端子432-a耦合，且电压源410-d与积分器电容器430-a的第一端子431-a耦合。因此，积分器电容器430-a可根据电压源410-d与电压源410-f之间的电压差来充电。
在502处，存取过程可包含启动开关组件420-f(例如，通过启动逻辑信号sw6)。启动开关组件420-f可将电压源410-e与参考线270-a连接，且因此参考线270-a的电压可随着电荷流到积分器电容器430-b中而上升到电压电平v4。因此，启动开关组件420-f可发起对积分器电容器430-b的预充电操作。举例来说，在502处，开关组件420-e可去启动，以使得电压源410-h(例如，接地或虚拟接地电压处于0v)与积分器电容器430-b的第二端子432-b耦合，且电压源410-e与积分器电容器430-b的第一端子431-b耦合。因此，积分器电容器430-b可根据电压源410-e与电压源410-h之间的电压差来充电。
在503处，存取过程可包含启动开关组件420-b(例如，通过启动逻辑信号sw2)。启动开关组件420-b可发起对数字线210-a的预充电操作。举例来说，启动开关组件420-b可连接信号线280-a与数字线210-a，其可借助于本征电容260-a与电压源410-a(例如，接地或虚拟接地电压)耦合。随着电压源410-d的馈送，电荷可流过放大器275-a且聚集在数字线210-a上，导致数字线210-a上的电压升高。数字线210-a的电压可升高直到放大器275-a的阈值电压(例如，阈值电压vth,amp)不再被超出。因此，在启动开关组件420-b之后，数字线210-a的电压可随来自信号线的电荷流(例如，随电压源410-d的馈送)而升高到v11-vth,amp的电压电平，且包含本征电容260-a的数字线210-a可根据电压电平v11-vth,amp与电压源410-a(例如，0v)之间的电压差来充电。在一些实例中，电压电平v11可经选择使得将数字线210-a预充电到与信号线280-a大体上相同的电平。举例来说，可将电压电平v11设定在可由具有大于电压源410-d的电压电平的电压电源所提供的v3+vth,amp的电平处。因此，在一些实例中，数字线210-a可响应于在503处启动开关组件420-b而升高到等于电压电平v3的电压电平。
另外地或可替代地，在一些实例中，数字线210-a可通过电压源410-c来预充电。举例来说，在启动开关组件420-b之前，存取过程可包含启动开关组件420-a(例如，通过启动逻辑信号sw1)。启动开关组件420-a可发起对数字线210-a的替代预充电操作，所述操作未在时序图500中展示。随着电压源410-c的馈送，电荷可在数字线210-a上聚集，导致数字线210-a上的电压与电压电平v2匹配。在一些实例中，电压电平v2可大体上等于电压电平v3，使得在启动开关组件420-b之前将数字线210-a和信号线280-a预充电到相同电压。在一些实例中，使用电压源410-c对数字线210-a预充电可以降低功耗且/或减少与存取存储器单元105-b相关联的预充电时间。在通过电压源410-c对数字线210-a预充电之后，存取步骤可包含启动开关组件420-b(例如，通过启动逻辑信号sw2)来将信号线280-a连接到数字线210-a。
在504处，存取过程可包含去启动开关组件420-c(例如，通过启动逻辑信号sw3)。去启动开关组件420-c可以使电压源410-d与信号线280-a隔离，且信号线280-a的电压可保持在电压电平v3处。在去启动开关组件420-c时，信号线280-a和因此积分器电容器430-a的第一端子431-a可浮动，且信号线280-a可根据信号线280-a的电容，包含积分器电容器430-a的电容来维持电荷电平。
在505处，存取过程可包含去启动开关组件420-f(例如，通过去启动逻辑信号sw6)。去启动开关组件420-f可以使电压源410-i与参考线270-a隔离，且参考线270-a的电压可保持处于电压电平v4。在去启动开关组件420-f时，参考线270-a和因此积分器电容器430-b的第一端子431-b可浮动，且参考线270-a可根据参考线270-a的电容，包含积分器电容器430-b的电容来维持电荷电平。
在506处，存取过程可包含启动开关组件420-d(例如，通过启动逻辑信号sw4)。启动开关组420-d可导致从与积分器电容器430-a的第二端子432-a耦合的电压源410-f到与积分器电容器430-a的第二端子432-a耦合的电压源410-g的转变。通过将积分器电容器430-a的第二端子432-a连接到处于较高电压的电压源，由积分器电容器430-a存储的电荷可升压到较高电压，且因此与积分器电容器430-a的第一端子431-a耦合的信号线280-a的电压可升高到电压电平(v3+v6)。因此，启动开关组件420-d可发起对积分器电容器430-a的升压操作。
在507处，存取过程可包含启动开关组件420-e(例如，通过启动逻辑信号sw5)。启动开关组420-e可导致从与积分器电容器430-b的第二端子432-b耦合的电压源410-h到与积分器电容器430-b的第二端子432-b耦合的电压源410-i的转变。通过将积分器电容器430-b的第二端子432-b连接到处于较高电压的电压源，由积分器电容器430-b存储的电荷可升压到较高电压，且因此与积分器电容器430-b的第一端子431-b耦合的参考线270-a的电压可升高到电压电平(v4+v8)。因此，启动开关组件420-e可发起对积分器电容器430-b的升压操作。
在508处，存取过程可包含选择存储器单元105-b(例如，通过经由逻辑信号来启动字线wl)。选择存储器单元105-b可导致存储器单元105-b的电容器与数字线210-a耦合。因此，电荷可在存储器单元105-b、数字线210-a和信号线280-a之间共享，这可取决于存储在存储器单元105-b中的逻辑状态(例如，电荷和/或极化)。
举例来说，当存储器单元105-b存储逻辑1时，存储器单元105-b的电容器可借助于正极化(例如，参考图3所描述的电荷状态305-a)存储正电荷。因此，当选择存储逻辑1的存储器单元105-b时，相对少量的电荷可从数字线210-a流到存储器单元105-b。随着电荷从数字线210-a流到存储器单元105-b，数字线210-a的电压可下降，这可能使得超出放大器275-a的阈值电压。当超过放大器275-a的阈值电压时，取决于放大器275-a的特征，电荷可从信号线280-a(例如，从积分器电容器430-a)流到放大器275-a上的数字线210-a，以及来自电压源410-l的相对小量的电荷。因此，电荷可流到数字线210-a直到数字线210-a的电压返回到等于v11-vth,amp的电压电平。当选择存储逻辑1的存储器单元105-b时，因为相对少量的电荷流到存储器单元105-b中，所以在选择存储器单元105-b之后，信号线280-a可能会经历相对小的电压降，所述电压降由vsig,1的电压说明。
可替代地，当存储器单元105-b存储逻辑0时，存储器单元105-b的电容器可借助于负极化(例如，如参考图3所描述的电荷状态310-a)来存储负电荷。因此，当选择存储逻辑0的存储器单元105-b时，相对大量的电荷可从数字线210-a流到存储器单元105-b。因此，由于电荷流过放大器275-a使数字线返回到电压电平v11-vth,amp，所以信号线280-a可能会经历相对较大的电压降使得不再超过放大器275-a的阈值电压vth,amp，所述电压降由电压vsig,0说明。在一些实例中，选择存储逻辑0的存储器单元105-b可能导致存储器单元105-b的电容器的部分极化损失。在采用2pr感测操作的实例中，选择存储逻辑0的存储器单元105-b可能导致存储器单元105-b的电容器的饱和极化的反转，从而使得由两次饱和极化所引起的一定量的电荷流到存储器单元105-b中。在任一情况下，根据本实例选择存储逻辑0的存储单元105-b可能需要后续刷新或重写操作。
在509处，存取过程可包含通过去启动开关组件420-b(例如，通过去启动逻辑信号sw2)使数字线210-a与信号线280-a隔离。使数字线210-a与信号线280-a隔离可防止额外电荷在数字线210-a与信号线280-a之间共享，包含可能由因后续感测操作而超出放大器275-a的阈值电压所导致的整个放大器275-a中共享的电荷。
在510处，存取过程可包含启动开关组件420-d(例如，通过启动逻辑信号sw4)。去启动开关组420-d可导致从与积分器电容器430-a的第二端子432-a耦合的电压源410-g到与积分器电容器430-a的第二端子432-a耦合的电压源410-f的转变。通过将积分器电容器430-a的第二端子432-a连接到处于较低电压的电压源，由积分器电容器430-b存储的电荷可移位到较低电压，且因此与积分器电容器430-a的第一端子431-a耦合的信号线280-a的电压可下降v6-v5的电压电平(或在电压源410-f与共同接地点耦合的情况下仅下降v6)。因此，去启动开关组件420-d可能发起对积分器电容器430-a的移位操作，这可将信号线280-a的电压减小到可通过感测组件130-b读取的量(例如，v9与v10之间的电压，表示感测组件130-b的低和高电压源)。举例来说，510的移位操作之后，vsig,1可为如由感测组件130-b感测到的约1.5v，且vsig,0可为如由感测组件130-b感测到的约1.2v。
在511处，存取过程可包含去启动开关组件420-e(例如，通过去启动逻辑信号sw5)。去启动开关组420-e可导致从与积分器电容器430-b的第二端子432-b耦合的电压源410-i到与积分器电容器430-b的第二端子432-b耦合的电压源410-h的转变。通过将积分器电容器430-b的第二端子432-b连接到处于较低电压的电压源，由积分器电容器430-b存储的电荷可移位到较低电压，且因此与积分器电容器430-b的第一端子431-b耦合的参考线270-a的电压可下降v8-v7的电压电平(或在电压源410-h与共同接地点耦合的情况下仅下降v8)。因此，去启动开关组件420-e可发起对积分器电容器430-b的移位操作，这可将参考线270-a的电压减小到可通过感测组件130-b读取的量(例如，v9与v10之间的电压)。举例来说，511的移位操作之后，vref可为由感测组件130-b感测到的约1.35v。
在512处，存取过程可包含通过去启动开关组件420-g(例如，通过去启动逻辑信号iso1)来使感测组件130-b与信号线280-a隔离。在确定存储在存储器单元105-b中的逻辑状态之前，使感测组件130-b与信号线280-a隔离可以允许感测组件130-b存储与信号线电压(例如，感测组件130-b的第一端子131-b处的vsig)相关联的电压和/或电荷。
在513处，存取过程可包含通过去启动开关组件420-h(例如，通过去启动逻辑信号iso2)来使感测组件130-b与参考线270-a隔离。在确定存储在存储器单元105-b中的逻辑状态之前，使感测组件130-b与参考线270-a隔离可以允许感测组件130-b存储与参考线电压(例如，感测组件130-b的第二端子132-b处的vref)相关联的电压和/或电荷。
在514处，存取过程可包含检测存储在感测组件130-b的第一端子131-b与第二端子132-b处的电压之间的差。举例来说，如果存储在第一端子131-b处的信号大于存储在第二端子132-b处的信号(例如，vsig,1>vref)，那么感测组件130-b可输出等于感测组件的高电压源的电压(例如，与电压源410-k相关联的v10)。如果存储在第一端子131-b处的信号小于存储在第二端子132-b处的信号(例如，vsig,0<vref)，那么感测组件130-b可输出等于感测组件的低电压源的电压(例如，与电压源410-j相关联的v9)。
虽然说明为发生在不同时间的独立操作，但某些操作可同时或以不同顺序发生。在一些实例中，可有利地同时发起各种操作以便减小感测存储器单元105-b的逻辑状态所需要的时间量。举例来说，501及502处发起的预充电可以相反顺序或同时发生(例如，当逻辑信号sw3和sw6经驱动作为共同逻辑信号时)。另外，503处的将数字线210-a与信号线280-a连接可发生在501和/或502之前或所有三个操作可以同时发生。506处的升压信号线280-a和507处的升压参考线270-a也可以相反顺序或同时发生(例如，当使用共同可变电压源450时，或当逻辑信号sw4和sw5驱动作为共同逻辑信号时)。类似地，510处的移位信号线280-a和511处的移位参考线270-a也可以相反顺序或同时发生。在一些实例中，512处的将感测组件130-b与信号线280-a隔离和513处的将感测组件130-b与参考线270-a隔离可以相反顺序或同时发生(例如，当逻辑信号iso1和iso2驱动作为共同逻辑信号时)。
在一些实例中，参考线270-a的升压和移动可一起消除，且因此可省略508及511处的操作。因此，在一些实施例中，可从电路400中省略第二积分器电容器430-b和第二可变电压源450-b，且仍可在存取存储器单元105-b时支持自我升压用于信号产生。
时序图500中所展示的操作顺序仅用于说明，且可以进行多种其它步骤次序和组合来支持根据本公开的自我升压。另外，时序图500的操作定时也仅出于说明的目的，且并不意味指示一个操作与另一操作之间的具体相对持续时间。各种操作可出现历时相对短于或相对地长于根据本公开的自我升压的各种实施例中说明的持续时间。
时序图500的逻辑信号的转变说明从一个状态到另一状态的转变，且大体上将启用或启动状态(例如，状态“0”)与停用或去启动状态(例如，状态“1”)之间的转变反映为与具体编号操作相关联。在各种实例中，状态可与逻辑信号的具体电压(例如施加到操作作为开关的晶体管的栅极的逻辑输入电压)相关联，且电压从一个状态到另一状态的改变可能不是瞬时的。相反，在一些实例中，与逻辑信号相关联的电压可跟随曲线随时间从一个逻辑状态到另一逻辑状态。因此，时序图500中所展示的转化不一定指示瞬时转化。另外，可能在各种时间期间已到达与编号操作处的转变相关联的逻辑信号的初始状态，所述各种时间先于编号操作同时仍支持所描述转变和相关联操作。
图6说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和感测保持的电路600的实例。电路600包含用于感测存储器单元105-c的逻辑状态的感测组件130-c。电信号可经由数字线210-b、信号线280-b和源极跟随器信号线602来在感测组件130-c与存储器单元105-c之间传达，所述源极跟随器信号线可组合的被称作存储器单元105-b的单一存取线。如所展示，存取线的信号可通过数字线210-b上的电压vdl、信号线280-b上的vsig和源极跟随器信号线602上的vsf来说明。实例电路600可包含放大器275-b，其耦合于数字线210-b与信号线280-b之间，可通过电压源610-n来启用所述放大器。实例电路600还可包含耦合于信号线280-a与源极跟随器信号线602之间的源极跟随器放大器640-a和耦合于源极跟随器信号线602与具有电压v11的电压源610-k之间的源极跟随器负载组件645-a，所述源极跟随器负载组件可通过信号eqa来启用或停用。因此，存储器单元105-c可表示存储器单元，所述存储器单元耦合于第一存取线(例如数字线210-b、信号线280-a和源极跟随器信号线602)与第二存取线(例如字线205-b)之间。
电路600还可包含参考线270-b和源极跟随器参考线604。源极跟随器放大器640-b可耦合于参考线270-b与源极跟随器参考线604之间，且源极跟随器负载组件645-b耦合于源极跟随器参考线604与具有电压v12的电压源610-m之间，可通过信号eqb来启用或停用所述源极跟随器负载组件。源极跟随器参考线604可在检测存储器单元105-c的逻辑状态时提供参考信号用于与源极跟随器信号线602的信号比较。电路600还可包含用于选择或去选择存储器单元105-c(例如借助于逻辑信号，wl)的字线205-b，和用于存取存储器单元105-c的电容器的单元板的板线215-b。在一些实例中，电路600还可包含可支持各种写入操作的写入线660，且可通过启用或停用开关组件620-k(例如通过启动或去启动逻辑信号isow)来在感测组件130-c与数字线210-b之间提供连接或隔离。
电路600可包含多种电压源610，所述电压源可与包含实例电路600的存储器装置的各种电压电源和/或共同接地或虚拟接地点耦合。
电压源610-a可表示共同接地点(例如底盘接地、中性点等)，其可提供具有电压v0的共同参考电压，其中定义了其它电压。电压源610-a可经由数字线210-b的本征电容260-b与数字线210-b耦合。
具有电压v1的电压源610-b可表示板线电压源，且可经由存储器单元105-c的板线215-b与存储器单元105-c耦合。
具有电压v2的电压源610-c可表示数字线电压源，且可经由开关组件620-a与数字线210-b耦合，所述开关组件可通过逻辑信号sw1来启动或去启动。
具有电压v3的电压源610-d可表示信号线预充电电压源，且可经由开关组件620-c与信号线280-b耦合，所述开关组件可通过逻辑信号sw3来启动或去启动。
具有电压v4的电压源610-e可表示参考信号电压源，且可经由开关组件620-f与参考线270-b耦合，所述开关组件可通过逻辑信号sw6来启动或去启动。
具有电压v13的电压源610-n可表示数字线电压源，且可与放大器275-b耦合，所述放大器可以是参考图2和4描述的放大器275或275-a的实例。举例来说，放大器275-b可以是晶体管，且电压源610-n可与晶体管的栅极耦合。放大器275-b可在第一端子处与信号线280-b耦合，且在第二端子处与数字线210-b耦合。放大器275-b可在数字线210-b与信号线280-b之间提供信号转化。举例来说，在数字线210-b的电压减小时(例如在选择存储器单元105-c时)，放大器275-b可准许电荷流(例如电流)从信号线280-b到数字线210-b，随着通过电压源610-n馈送或启用。到数字线210-b的相对较小的电荷流可能与信号线280-b的电压的相对较小改变相关联，而到数字线210-b的相对较大的电荷流可能与信号线280-b的电压的相对较大的改变相关联。根据信号线280-b的净电容，例如，信号线280-b可取决于选择存储器单元105-b之后整个放大器275-b中的电荷流而经受相对较小的电压改变或相对较大的电压改变。在一些实例中，可通过开关组件620-b来使放大器275-b与数字线210-b隔离，所述开关组件可通过逻辑信号sw2来启动或去启动。放大器275-b还可被称作“电压调节器”或“偏压组件”，其涉及放大器275-b如何响应于数字线210-b的电压来调节电荷流。
电路还可包含第一积分器电容器630-b和第二积分器电容器630-b，其可各自与相应可变电压源650耦合。积分器电容器630可以是参考图4描述的积分器电容器430的实例，且可变电压源650可以是参考图4描述的可变电压源450的实例。举例来说，第一积分器电容器630-a可在第一端子631-a处与信号线280-b耦合，且在第二端子632-a处与可变电压源650-a耦合。第二积分器电容器630-b可在第一端子631-b处与参考线270-b耦合，且在第二端子632-b处与可变电压源650-b耦合。
在电路600的实例中，可变电压源650-a可包含具有电压v5的电压源610-f和具有电压v6的电压源610-g，所述可变电压源可经选择来通过借助于逻辑信号sw4的开关组件620-d来与第一积分器电容器630-a连接。在一些实例中，电压源610-f可与共同接地点(未展示)耦合。在其它实例中，电压源610-f可与电压电源耦合，所述电压电源提供正或负电压。电压源610-g可与具有比电压源610-f更高电压的电压电源耦合，由此提供如本文中所描述的升压功能(例如根据电压源610-g与610-f之间的电压差值，相当于v6-v5，或在电压源610-f接地时仅v6)。
在电路600的实例中，可变电压源650-b可包含具有电压v7的电压源610-h和具有电压v8的电压源610-i，所述可变电压源可经选择来借助于逻辑信号sw5通过开关组件620-e来与第二积分器电容器630-b连接。在一些实例中，电压源610-h可与共同接地点(未展示)耦合。在其它实例中，电压源610-h可与电压电源耦合，所述电压电源提供正或负电压。电压源610-i可与具有比电压源610-h更高电压的电压电源耦合，由此提供如本文中所描述的升压功能(例如，根据电压源610-i与610-h之间的电压差值，相当于v8-v7或在电压源610-h接地时仅v8)。
尽管电路600经展示为包含两个可变电压源650，但根据本公开的一些配置可包含单一共同可变电压源650。在一些实例中，使用共同可变电压源650，由于可变电压源650与积分器电容器630中的每一个之间的电路中的不同(例如导体长度、宽度、电阻、电容等)，提供到第一积分器电容器630-a的第二端子632-a的源电压可不同于提供到第二积分器电容器630-b的第二端子632-b的源电压。另外，尽管可变电压源650被说明为包含两个电压源610和开关组件620，但在本文中支持操作的可变电压源650可包含其它配置，例如电压缓存器，所述电压缓存器将可变电压提供到第一积分器电容器630-a的第二端子632-a和第二积分器电容器630-b的第二端子632-b中的一个或两个。
源极跟随器放大器640-a和640-b可被配置成支持根据本发明的实施例的源极跟随。举例来说，源极跟随器放大器640-a可以是晶体管，且信号线280-b可与晶体管的栅极端子耦合。源极跟随器放大器640-a可由具有电压v9的电压源610-j馈送，所述电压源可能表示信号源极跟随器电压源。电压源610-j可经由开关组件620-i与源极跟随器放大器640-a耦合，所述开关组件可通过逻辑信号sw7来启动或去启动。因此，逻辑信号sw7可用于启用或停用源极跟随器放大器640-a来产生信号源极跟随器电压vsig,sf于源极跟随器信号线602上，其中vsig,sf可相当于vsig减源极跟随器放大器640-a的晶体管的阈值电压vth,1。
类似地，源极跟随器放大器640-b还可以是晶体管，且参考线270-b可与晶体管的栅极端子耦合。源极跟随器放大器640-b可由具有电压v11的电压源610-l馈送，所述电压源可能表示参考源极跟随器电压源。电压源610-l可经由开关组件620-j与源极跟随器放大器640-b耦合，所述开关组件可通过逻辑信号sw8来启动或去启动。因此，逻辑信号sw8可用于启用或停用源极跟随器放大器640-b来产生参考源极跟随器电压vref,sf于源极跟随器参考线604上，其中vref,sf可相当于vref减源极跟随器放大器640-b的晶体管的阈值电压vth,2。
为支持本文中所描述的各种操作，感测组件130-c可与电路600的部分隔离。举例来说，感测组件130-c可经由开关组件620-g(例如隔离组件)与源极跟随器信号线602耦合，所述开关组件可通过逻辑信号iso1来启动或去启动。另外或可替代地感测组件130-c可经由开关组件620-h(例如隔离组件)与源极跟随器参考线604耦合，所述开关组件可通过逻辑信号iso2来启动或去启动。另外，感测组件130-c可与低电压源和高电压源(未展示)耦合，所述低电压源和所述高电压源可为分别参考图2描述的感测组件电压源256-b和265-c的实例。
电路600中说明的逻辑信号中的每一个可由存储器控制器(未展示)，例如参考图1描述的存储器控制器150提供。在一些实例中，某些逻辑信号可由其它组件提供。举例来说，逻辑信号wl可由行解码器(未展示)，例如参考图1描述的行解码器125提供。
在不同实例中，电压源610可与包含实例电路600的存储器装置的不同配置的电压电源和/或共同接地或虚拟接地点耦合。举例来说，在一些实施例中，电压源610-a、610-f、610-h、610-k和610-m或其任何组合可与相同接地点或虚拟地面点耦合，且可提供大体上相同参考电压用于存取存储器单元105-c的各种操作。在一些实施例中，数种电压源610可与存储器装置的相同电压电源耦合。举例来说，在一些实施例中，电压源610-c、610-d、610-g、610-i、610-j和610-l或其任何组合可与具有某一电压(例如1.5v电压，其可被称为“vary”)的电压电源耦合。在此类实施例中，在经由字线205-b选择存储器单元105-c用于感测之前，信号线280-b可升压到大体上等于2*vary或大约3.0v的电压。因此，根据本发明的实施例，自我升压操作可克服提供相对较高电压电源用于感测的操作(例如，3.0v或超过3.0v的电压源，其在一些应用中可指“正向泵”电压vpp)的需要。在其它实例中，电压源610-g和610-i可与不同电压电源而不是其它电压电源(例如1.2v电压，其可被称为“pds”)耦合，其可因此与1.2v的电压升压相关联。尽管电压源610可与共同电压电源和/或接地点耦合，但与共同电压电源或共同接地点耦合的电压源610中的每一个的电压可由于相应电压源610与相关联之共同电压电源或共同接地点之间的电路中的不同(例如导体长度、宽度、电阻、电容等)而不同。
电压源610-e可提供参考电压用于感测存储器单元105-c的逻辑状态，使得v4是与感测逻辑1和逻辑0相关联的信号电压之间的平均电压。在一些实例中，v4电压可提供作为从存储器装置的电压电源下落的电压，所述电压电源可与耦合其它电压源610的电压电源相同。举例来说，v4可通过将电压源610-e与电压电源连接来提供(所述电压电源与电压源610-d相同)，但具有电压电源与电压源610-e之间的介入电力负载(例如电阻负载或电容)。
图7展示说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压和源极跟随的实例存取过程的操作的时序图700。参考参考图6描述的实例电路600的组件来描述实例存取过程。
在时序图700的实例中，电压源610-a、610-f、610-h、610-k和610-m被认为是接地的，且因此处于零电压(例如v0＝0v、v5＝0v、v7＝0v、v10＝0v和v12＝0v)。然而，在其它实例中，电压源610-a、610-f、610-h、610-k和610-m可处于非零电压，且可因此调节时序图700的电压。在一些实例中，在开始时序图700的操作之前，可将数字线210-b和板线215-b控制成相同电压，这可以最小化整个存储器单元105-c中的电荷泄漏。举例来说，根据时序图700，数字线210-b具有0v的初始电压，所述初始电压可与板线215-b的初始电压相同。在其它实例中，数字线210-b和板线215-b可具有不同于接地电压的一些其它初始电压。
在701处，存取过程可包含启动开关组件620-c(例如通过启动逻辑信号sw3)。启动开关组件620-c可将电压源610-d与信号线280-b连接，且因此信号线280-b的电压可随着电荷流动到积分器电容器630-a中而上升到电压电平v3。因此，启动开关组件620-c可发起用于积分器电容器630-a的预充电操作。举例来说，在701处，可将开关组件620-d去启动，使得电压源610-f(例如处于0v的接地或虚拟接地电压)与积分器电容器630-a的第二端子632-a耦合，且电压源610-d与积分器电容器630-a的第一端子631-a耦合。因此，积分器电容器630-a可根据电压源610-d与电压源610-f之间的电压差来充电。
在702处，存取过程可包含启动开关组件620-f(例如通过启动逻辑信号sw6)。启动开关组件620-f可将电压源610-e与参考线270-b连接，且因此参考线270-b的电压可随着电荷流动到积分器电容器630-b中而上升到电压电平v4。因此，启动开关组件620-f可发起用于积分器电容器630-b的预充电操作。举例来说，在702处，可将开关组件620-e去启动，使得电压源610-h(例如处于0v的接地或虚拟接地电压)与积分器电容器630-b的第二端子632-b耦合，且电压源610-e与积分器电容器630-b的第一端子631-b耦合。因此，积分器电容器630-b可根据电压源610-e与电压源610-h之间的电压差来充电。
在703处，存取过程可包含启动开关组件620-b(例如通过启动逻辑信号sw2)。启动开关组件620-b可发起用于数字线210-b的预充电操作。举例来说，启动开关组件620-b可将信号线280-b与数字线210-b连接，所述数字线可借助于本征电容260-b来与电压源610-a(例如接地或虚拟接地电压)耦合。随着电压源610-d的馈送，电荷可流动经过放大器275-b并聚集在数字线210-b上，导致数字线210-b上的电压升高。数字线210-b的电压可升高直到放大器275-b的阈值电压(例如阈值电压vth,amp)不再超出。因此，在启动开关组件620-b之后，数字线210-b的电压可随着来自信号线的电荷流动(例如随着电压源610-d的馈送)而升高到v13-vth,amp的电压电平，且包含本征电容260-b的数字线210-b可根据电压电平v13-vth,amp与电压源610-a(例如0v)之间的电压差来充电。在一些实例中，电压电平v13可经选定使得将数字线210-b预充电到与信号线280-b大体上相同的电平。举例来说，可将电压电平v13设定在可由具有大于电压源610-d的电压电平的电压电源所提供的v3+vth,amp的电平处。因此，在一些实例中，数字线210-b可响应于在703处启动开关组件620-b而升高到等于电压电平v3的电压电平。
另外地或可替代地，在一些实例中，数字线210-b可通过电压源610-c来预充电。举例来说，在启动开关组件620-b之前，存取过程可包含启动开关组件620-a(例如通过启动逻辑信号sw1)。启动开关组件620-a可发起对数字线210-b的替代预充电操作，所述操作未在时序图700中展示。随着电压源610-c的馈送，电荷可在数字线210-b上聚集，导致数字线210-b上的电压与电压电平v2匹配。在一些实例中，电压电平v2可大体上等于电压电平v3，以使得在启动开关组件620-b之前，数字线210-b和信号线280-b预充电到相同电压。在一些实例中，使用电压源610-c对数字线210-b预充电可以降低功耗且/或减少与存取存储器单元105-c相关的预充电时间。在通过电压源610-c对数字线210-b的预充电之后，存取过程可包含激活开关组件620-b(例如通过激活逻辑信号sw2)来将号线280-b连接到数字线210-b。
在704处，存取过程可包含去启动开关组件620-c(例如通过去启动逻辑信号sw3)。去启动开关组件620-c可以使电压源610-d与信号线280-b隔离，且信号线280-b的电压可保持处于电压电平v3。在去启动开关组件620-c时，信号线280-b和因此积分器电容器630-a的第一端子631-a可浮动，且信号线280-b可根据信号线280-b的电容(包含积分器电容器630-a的电容)来维持电荷电平。
在705处，存取过程可包含去启动开关组件620-f(例如通过去启动逻辑信号sw6)。去启动开关组件620-f可以使电压源610-e与参考线270-b隔离，且参考线270-b的电压可保持处于电压电平v4。在去启动开关组件620-f时，参考线270-b和积分器电容器630-b的第一端子631-b可浮动，且参考线270-b可根据参考线270-b的电容(包含积分器电容器630-b的电容)来维持电荷电平。
在706处，存取过程可包含启动开关组件620-d(例如通过启动逻辑信号sw4)。启动开关组件620-d可导致从与积分器电容器630-a的第二端子632-a耦合的电压源610-f到与积分器电容器630-a的第二端子632-a耦合的电压源610-g的转变。通过将积分器电容器630-a的第二端子632-a连接到处于较高电压的电压源，由积分器电容器630-a存储的电荷可升压到较高电压，且因此与积分器电容器630-a的第一端子631-a耦合的信号线280-b的电压可升高到电压电平(v3+v6)。因此，启动开关组件620-d可发起用于积分器电容器630-a的升压操作。
在707处，存取过程可包含启动开关组件620-e(例如通过启动逻辑信号sw5)。启动开关组件620-e可导致从与积分器电容器630-b的第二端子632-b耦合的电压源610-h到与积分器电容器630-b的第二端子632-b耦合的电压源610-i的转变。通过将积分器电容器630-b的第二端子632-b连接到处于较高电压的电压源，由积分器电容器630-b存储的电荷可升压到较高电压，且因此与积分器电容器630-b的第一端子631-a耦合的参考线270-b的电压可升高到电压电平(v4+v8)。因此，启动开关组件620-e可发起用于积分器电容器630-b的升压操作。
在708处，存取过程可包含选择存储器单元105-c(例如通过经由逻辑信号来启动字线wl)。选择存储器单元105-c可导致存储器单元105-c的电容器与数字线210-b耦合。因此，电荷可共用于存储器单元105-c、数字线210-b和信号线280-b之间，其可取决于存储于存储器单元105-c中的逻辑状态(例如电荷和/或极化)。
举例来说，当存储器单元105-c存储逻辑1时，存储器单元105-c的电容器可借助于正极化(例如参考图3所描述的电荷状态305-a)而存储正电荷。因此，当选择存储逻辑1的存储器单元105-c时，相对较少量的电荷可从数字线210-b流动到存储器单元105-c。随着电荷从数字线210-b流动到存储器单元105-c，数字线210-b的电压可下降，这可能使得超出放大器275-b的阈值电压。当超出放大器275-b的阈值电压时，取决于放大器275-b的特征,电荷可从信号线280-b(例如从积分器电容器630-a)横跨放大器275-b流动到数字线210-b，以及来自电压源610-n的相对较小量的电荷。因此，电荷可流动到数字线210-b直到数字线210-b的电压返回到等于v13-vth,amp的电压电平。当选择存储逻辑1的存储器单元105-c时，因为相对较少量的电荷流动到存储器单元105-c中，所以在选择存储器单元105-c之后，信号线280-b可能会经历相对较小的电压降，所述电压降由vsig,1的电压说明。
可替代地，当存储器单元105-c存储逻辑0时，存储器单元105-c的电容器可借助于负极化存储负电荷(例如如参考图3所描述的电荷状态310-a)。因此，当选择存储逻辑0的存储单元105-c时，相对较大量的电荷可从数字线210-b流动到存储器单元105-c。因此，由于电荷流动经过放大器275-b使数字线恢复到电压电平v13-vth,amp，所以信号线280-b可能会经历相对较大的电压降使得不再超过放大器275-b的阈值电压vth,amp，所述电压降由电压vsig,0说明。在一些实例中，选择存储逻辑0的存储器单元105-c可能导致存储器单元105-c的电容器的部分极化损失。在采用2pr感测操作的实例中，选择存储逻辑0的存储器单元105-c可能导致存储器单元105-c的电容器的饱和极化的反转，从而使得由两次饱和极化所引起的一定量的电荷流动到存储器单元105-c中。在任一情况下，根据本实例选择存储逻辑0的存储单元105-c都可能要求后续刷新或重写操作。
在709处，存取过程可包含通过去启动开关组件620-b(例如通过去启动逻辑信号sw2)来使数字线210-b与信号线280-b隔离。使数字线210-b与信号线280-b隔离可防止额外电荷共用于数字线210-b与信号线280-b之间，包含可能由因后续感测操作而超过放大器275-b的阀值电压所导致的整个放大器275-b共用的电荷。
在710处，存取过程可包含去启动开关组件620-d(例如通过去启动逻辑信号sw4)。去启动开关组件620-d可导致从与积分器电容器630-a的第二端子632-a耦合的电压源610-g到与积分器电容器630-a的第二端子632-a耦合的电压源610-f的转变。通过将积分器电容器630-a的第二端子632-a连接到处于较低电压的电压源，由积分器电容器630-b存储的电荷可移位到较低电压，且因此与积分器电容器630-a的第一端子631-a耦合的信号线280-b的电压可下降v6-v5的电压电平(或在电压源610-f与共同接地点耦合的情况下仅下降v6)。因此，去启动开关组件620-d可发起用于积分器电容器630-a的移位操作，其可能会将信号线280-b的电压减小到可由感测组件130-c读取的电平(例如感测组件130-c的较低电压源与较高电压源之间的电压，未展示)。举例来说，在710的移位操作之后，vsig,1可以是约1.5v，且vsig,0可以是约1.2v。
在711处，存取过程可包含去启动开关组件620-e(例如通过去启动逻辑信号sw5)。去启动开关组件620-e可导致与积分器电容器630-b的第二端子632-b耦合的电压源610-i到与积分器电容器630-b的第二端子632-b耦合的电压源610-h的转变。通过将积分器电容器630-b的第二端子632-b连接到处于较低电压的电压源，由积分器电容器630-b存储的电荷可移位到较低电压，且因此与积分器电容器630-b的第一端子631-b耦合的参考线270-b的电压可下降v8-v7的电压电平(或在电压源610-h与共同接地点耦合的情况下仅下降v8)。因此，去启动开关组件620-e可发起用于积分器电容器630-b的移位操作，其可能会将参考线270-b的电压减小到可由感测组件130-c读取的电平(例如感测组件130-c的较低电压源与较高电压源之间的电压，未展示)。举例来说，在711的移位操作之后，vref可以是约1.35v。
在712处，存取过程可包含启用耦合在信号线280-b与源极跟随器信号线602之间的源极跟随器放大器640-a。举例来说，源极跟随器放大器640-a可以是晶体管，且启用源极跟随器放大器640-a可包含通过启用开关组件620-i(例如通过启动逻辑信号sw7)来将晶体管的源极与具有电压v9的电压源610-j连接。将源极跟随器放大器640-a与电压源610-j连接可支持电荷从信号线280-b流动经过源极跟随器放大器640-a到源极跟随器信号线602，且放大电荷(例如从信号线280-b流出的多个电荷)也从电压源610-j流动经过源极跟随器放大器640-a到源极跟随器信号线602。因此，电荷可积聚在源极跟随器信号线602上直到不再超过晶体管的电压阈值。换句话说，源极跟随器线信号线602的电压可升高到电平vsig,sf＝(vsig-vth,1)，其中vth,1是源极跟随器放大器640-a的晶体管的阈值电压。举例来说，vth,1可以是约0.5v，使得在启用源极跟随器放大器640-a之后，vsig,sf,1可以是约1.0v，且vsig,sf,0可以是约0.7v。
在一些实例中，由于仅微量的电荷从信号线280-b流动到源极跟随器信号线602，因此信号线280-b的电压在启用源极跟随器放大器640-a时可仅下降可忽略的量。虽然源极跟随器信号线602的电压可能低于信号线280-b的电压，但提供到源极跟随器线信号线602的增加量的电荷可在感测组件130-c中支持较大组件，且还可以限制信号线280-b与感测组件130-c之间共用的电荷。限制信号线280-b与感测组件130-c之间共用的电荷可改进自我升压操作(例如通过减少可以另外存在且无此源极跟随实施例的有效存取线电容)且可在存取存储器单元105-c时改进信号产生。因此，源极跟随的各种实施例可用于改进逻辑状态侦测的牢固性。
在一些实例中，源极跟随器装载组件645-a也可在712的操作期间启用。在源极跟随器装载组件645-a是晶体管的实例中，可在晶体管的栅极处启用信号eqa，这可支持流动经过源极跟随器放大器640-a的电流还流动经过源极跟随器装载组件645-a。因此，在一些实例中，源极跟随器装载组件645-a可操作为电流产生器以支持源极跟随功能。虽然信号eqa可大体上是具有相对较高电压的数字信号以使得源极跟随器装载组件645-a的晶体管在饱和区中操作，但信号eqa还可经选定使得源极跟随器装载组件645-a的晶体管在线性区或电阻区中操作。换句话说，信号eqa可经选定以在具体工作点处操作源极跟随器负载组件645-a。另外，虽然信号eqa可在712的源极跟随器操作期间启用，但信号eqa可在其它时间(例如在712之前，或在产生vsig,sf之后)停用，这可以降低能量消耗。
在713处，存取过程可包含启用耦合在参考线270-b与源极跟随器参考线604之间的源极跟随器放大器640-b。举例来说，源极跟随器放大器640-b还可以是晶体管，且启用源极跟随器放大器640-b可包含通过启用开关组件620-j(例如通过启动逻辑信号sw8)来将晶体管的源极与具有电压v11的电压源610-l连接。将源极跟随器放大器640-b与电压源610-l连接可支持电荷从参考线270-b流动经过源极跟随器放大器640-b到源极跟随器参考线604，且放大电荷(例如从参考线270-b流出的多个电荷)也从电压源610-l流动经过源极跟随器放大器640-b到源极跟随器参考线604。因此，电荷可积聚在源极跟随器参考线604上直到不再超过晶体管的电压阈值。换句话说，源极跟随器线参考线604的电压可升高到电平vref,sf＝(vref-vth,2)，其中vth,ref是源极跟随器放大器640-b的晶体管的阈值电压。举例来说，vth,2还可以是大约0.5v，使得在启用源极跟随器放大器640-g之后，vref,sf可以是大约0.85v。
在一些实例中，由于仅微量的电荷从参考线270-b流动到源极跟随器参考线604，因此参考线270-b的电压在启用源极跟随器放大器640-b时可仅下降可忽略的量。虽然源极跟随器参考线604的电压可能低于参考线270-b的电压，但提供到源极跟随器线参考线604的增加量的电荷可在感测组件130-c中支持较大组件，且还可以限制参考线270-b与感测组件130-c之间共用的电荷。
在一些实例中，源极跟随器装载组件645-b也可在713的操作期间启用。在源极跟随器装载组件645-b是晶体管的实例中，可在晶体管的栅极处启用信号eqb，这可支持流动经过源极跟随器放大器640-b的电流还流动经过源极跟随器装载组件645-b。因此，在一些实例中，源极跟随器装载组件645-b可操作为电流产生器以支持源极跟随功能。虽然信号eqb可大体上是具有相对较高电压的数字信号以使得源极跟随器装载组件645-b的晶体管在饱和区中操作，但信号eqb还可经选定使得源极跟随器装载组件645-b的晶体管在线性区或电阻区中操作。换句话说，信号eqb可经选定以在具体工作点处操作源极跟随器负载组件645-b。另外，虽然信号eqb可在713的源极跟随器操作期间启用，但信号eqb可在其它时间(例如在713之前，或在产生vref,sf之后)停用，这可以降低能量消耗。在不同实例中，信号eqa和eqb可由相同或不同的控制器输出或电压电源提供。举例来说，信号eqa和eqb可经选定来具有相同电压，所述电压可支持在大体上相同的工作点处操作的源极跟随器负载组件645-a和源极跟随器负载组件645-b。另外，可根据不同的实施例在相同时间或不同的时间启用或停用信号eqa和eqb。
在714处，存取过程可包含通过去启动开关组件620-g(例如通过去启动逻辑信号iso1)来使感测组件130-c与源极跟随器信号线602隔离。使感测组件130-c与源极跟随器信号线602隔离可使得感测组件130-c在确定存储于存储器单元105-c中的逻辑状态之前存储电压和/或与感测组件130-c的第一端子处的源极跟随器信号线电压相关联的电荷。
在715处，存取过程可包含通过去启动开关组件620-h(例如通过去启动逻辑信号iso2)来使感测组件130-c与源极跟随器参考线604隔离。使感测组件130-c与源极跟随器参考线604隔离可使得感测组件130-c在确定存储于存储器单元105-c中的逻辑状态之前存储电压和/或与感测组件130-c的第二端子处的源极跟随器参考线电压相关联的电荷。
在716处，存取过程可包含检测感测组件130-c的第一和第二端子处所存储的电压之间的差。举例来说，如果第一端子处存储的信号大于第二端子处存储的信号(例如vsig,sf,1>vref,sf)，那么感测组件130-c可以输出相当于感测组件的高电压源的电压。如果第一端子处存储的信号小于第二端子处存储的信号(例如vsig,sf,0<vref,sf)，那么感测组件130-c可以输出相当于感测组件的低电压源的电压。
虽然说明为发生在不同时间的独立操作，但某些操作可同时或以不同顺序发生。在一些实例中，可有利地同时发起各种操作以便减少感测存储器单元105-c的逻辑状态所要求的时间量。举例来说，701及702处发起的预充电可以相反顺序或同时发生(例如当逻辑信号sw3和sw6经驱动作为共同逻辑信号时)。另外，703处的将数字线210-b与信号线280-b连接可发生在701和/或702之前或所有三个操作可以同时发生。706处的升压信号线280-b和707处的升压参考线270-b也可以相反顺序或同时发生(例如当使用共同可变电压源450时，或当逻辑信号sw4和sw5驱动作为共同逻辑信号时)。类似地，710处的移位信号线280-b和711处的移位参考线270-b也可以相反顺序或同时发生。同样地，712处的启用源极跟随器放大器640-a和713处的启用源极跟随器放大器640-b也可以相反顺序或同时发生(例如当使用共同电压源610时，或当逻辑信号sw7和sw8驱动作为共同逻辑信号时)。在一些实例中，712处的使感测组件130-c与信号线280-b隔离和713处的使感测组件130-c与参考线270-b隔离可以相反顺序或同时发生(例如当逻辑信号iso1和iso2驱动作为共同逻辑信号时)。
在一些实例中，参考线270-b的升压和移动可一起消除，且因此可省略707及711处的操作。因此，在一些实施例中，可从电路600中省略第二积分器电容器630-b和第二可变电压源650-b，且在存取存储器单元105-c时仍可支持自我升压和源极跟随用于信号产生。
时序图700中所展示的操作顺序仅用于说明，且可以进行多种其它步骤次序和组合来支持根据本公开的自我升压。另外，时序图700的操作定时也仅出于说明的目的，且并不意味指示一个操作与另一操作之间的具体相对持续时间。各种操作可出现历时相对短于或相对地长于根据本公开的自我升压的各种实施例中说明的持续时间。
时序图700的逻辑信号的转化说明从一个状态转变到另一状态，且大体上将启用或启动状态(例如，状态“1”)与停用或去启动状态(例如状态“0”)之间的转变反映为与具体编号操作相关联。在各种实例中，状态可与逻辑信号的具体电压(例如施加到操作作为开关的晶体管的栅极的逻辑输入电压)相关联，且电压从一个状态到另一状态的改变可能不是瞬时的。相反，在一些实例中，与逻辑信号相关联的电压可跟随曲线随时间从一个逻辑状态到另一逻辑状态。因此，时序图700中所展示的转变不一定指示瞬时转变。另外，可能在各种时间期间已到达与编号操作处的转变相关联的逻辑信号的初始状态，所述各种时间先于编号操作同时仍支持所描述转变和相关联操作。
根据本公开的实施例，添加源极跟随放大器，例如参考图6和7所描述的那些可以改进检测存储单元105的逻辑状态的牢固性，且也可以在某些操作是以重叠或同步的方式发起时支持相对较快的感测。然而，由实例电路600所展示的实施例包含大体上重复的组件(例如源极跟随器放大器640-a和源极跟随器放大器640-b)。此等重复的组件由于制造或操作公差可能具有不同的特性，且因此相较于参考线270的信号，重复的组件可能具有不同的影响于信号线280的信号上。举例来说，源极跟随器放大器640-a的晶体管的阈值电压(vth,1)可能与源极跟随器放大器640-b的晶体管的阈值电压(vth,2)不同，且因此从信号线280-b到源极跟随器信号线602的电压降可能不同于参考线270-b与源极跟随器参考线604之间的电压降。此差值可损害电路600支持存储器单元105-c的稳固读取操作的能力。举例来说，使用参考图7的710和711描述的值vsig和vref，如果vth,1＝0.6v，且vth,2＝0.4v，那么vsig,sf,1可以是大约0.9v，vsig,sf,0可以是大约0.6v且vref,sf可以是大约0.95v。因此，根据这一给定的阈值电压范围，逻辑1和逻辑0两个可感测为逻辑0。因此，根据本公开的一些实施例可利用共同组件(例如共同源极跟随器放大器640)执行感测操作来通过消除此变化源极来改进感测操作牢固性。
图8说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和感测保持的电路800的实例。电路800包含用于感测存储单元105-d的逻辑状态的感测组件130-d。电信号可经由数字线210-c、信号线280-c和源极跟随器线802来在感测组件130-d与存储器单元105-d之间传达，所述源极跟随器线可组合的被称作存储器单元105-d的单一存取线。如所展示，存取线的信号可通过数字线210-b上的电压vdl、信号线280-b上的vsl和源极跟随器信号线602上的vsf来说明。
电路800可包含耦合于信号线280-c与源极跟随器线802之间的单一源极跟随器放大器640-c和耦合于源极跟随器线802与具有电压v8的电压源810-i之间的单一源极跟随器负载组件645-b，所述源极跟随器负载组件可通过逻辑信号eqa来启用或停用。根据本公开的实施例，源极跟随器线802可支持借助于本文中所描述的感测保持操作在感测组件130-d处存储和/或比较的信号和参考两个。电路800还可包含耦合于数字线210-c与信号线280-c之间的放大器275-c，所述放大器可通过电压源810-i来启用。因此，存储器单元105-d可以表示存储器单元，其耦合于第一存取线(例如数字线210-b、信号线280-a和源极跟随器线802)与第二存取线(例如字线205-c)之间。在电路800的实例中，数字线210-b、信号线280-a和源极跟随器线802也可以表示参考线。
电路800还可包含用于选择或去选择存储单元105-d(例如借助于逻辑信号，wl)的字线205-c，和用于存取存储单元105-d的电容器的单元板的板线215-c。在一些实例中，电路800还可包含可支持各种写入操作的写入线660-a，且可通过启用或停用开关组件820-i(例如通过启动或去启动逻辑信号isow)来在感测组件130-d与数字线210-c之间提供连接或隔离。
电路800可包含多种电压源810，所述电压源可与包含实例电路800的存储器装置的各种电压电源和/或共同接地或虚拟接地点耦合。
电压源810-a可表示共同接地点(例如底盘接地、中性点等)，其可提供具有电压v0的共同参考电压，其中定义其它电压。电压源810-a可经由数字线210-c的本征电容260-c与数字线210-b耦合。
具有电压v1的电压源810-b可表示板线电压源，且可经由存储器单元105-d的板线215-c与存储器单元105-d耦合。
具有电压v2的电压源810-c可表示数字线电压源，且可经由开关组件820-a与数字线210-c耦合，所述开关组件可通过逻辑信号sw1来启动或去启动。
具有电压v3的电压源810-d可表示第一信号线预充电电压源，且可经由开关组件820-c与信号线280-c耦合，所述开关组件可通过逻辑信号sw3来启动或去启动。
具有电压v7的电压源810-h表示第二信号信号线预充电电压源，且可经由开关组件820-f与信号线280-c耦合，所述开关组件可通过逻辑信号sw8来启动或去启动。在一些实例中，电压源810-h可以提供参考电压用于感测存储器单元105-d的逻辑状态，使得v7是与感测逻辑1和逻辑0相关联的信号电压之间的平均电压。在一些实例中，电压源810-h可提供感测电压用于第二感测存储器单元105-d，使得作为将v7施加到信号线280-c的结果的感测信号是与感测逻辑1和逻辑0相关联的信号电压之间的平均电压。
在一些实例中，v7电压可提供作为从存储器装置的电压电源下落的电压，所述电压电源可与耦合其它电压源810的电压电源相同。举例来说，v7可通过将电压源810-h与电压电源连接来提供(所述电压电源与电压源810-d相同)，但具有电压电源与电压源810-h之间的介入电力负载(例如电阻负载或电容)。
具有电压v9的电压源810-j可以表示数字线电压源，且可与可以是参考图2、4和6描述的放大器275的实例的放大器275-c耦合。举例来说，放大器275-c可以是晶体管，且电压源810-j可与晶体管的栅极耦合。放大器275-c可在第一端子处与信号线280-c耦合，且在第二端子处与数字线210-c耦合。放大器275-c可在数字线210-c与信号线280-c之间提供信号转化。举例来说，在数字线210-c的电压减小时(例如在选择存储器单元105-d时)，放大器275-c可准许电荷流(例如电流)从信号线280-c到数字线210-c，随着通过电压源810-j馈送或启用。到数字线210-c的相对较小的电荷流可能与信号线280-c的电压的相对较小改变相关联，而到数字线210-c的相对较大的电荷流可能与信号线280-c的电压的相对较大的改变相关联。根据信号线280-c的净电容，例如，信号线280-c可取决于选择存储单元105-c之后整个放大器275-c中的电荷流而经受相对较小的电压改变或相对较大的电压改变。在一些实例中，可通过开关组件820-b来使放大器275-c与数字线210-c隔离，所述开关组件可通过逻辑信号sw2来启动或去启动。放大器275-c还可被称作“电压调节器”或“偏压组件”，其涉及放大器275-c如何响应于数字线210-c的电压来调节电荷流。
电路还可包含单一积分器电容器830，其可与可变电压源850耦合。积分器电容器830可以是参考图4和6描述的积分器电容器430或630的实例，且可变电压源850可以是参考图4和6描述的可变电压源450或650的实例。积分器电容器830可在第一端子831处与信号线280-c耦合，且在第二端子832处与可变电压源850耦合。
在电路800的实例中，可变电压源850可包含具有电压v4的电压源810-e和具有电压v5的电压源810-f，所述可变电压源可经选择来通过借助于逻辑信号sw4的开关组件820-d来与积分器电容器830连接。在一些实例中，电压源810-e可与共同接地点(未展示)耦合。在其它实例中，电压源810-e可与电压电源耦合，所述电压电源提供正或负电压。电压源810-f可与具有比电压源810-e更高电压的电压电源耦合，由此提供本文中所描述的升压功能(例如根据在电压源810-e为接地时电压源810-f与810-e之间的电压差值，相当于v5-v4，或仅v5)。尽管可变电压源850被说明为包含电压源810和开关组件820两个，但支持本文中的操作的可变电压源850可包含其它配置，例如提供可变电压到积分器电容器830的第二端子832的电压缓存器。
为支持本文中所描述的各种操作，感测组件130-d可与电路800的部分隔离。举例来说，感测组件130-d可经由第一开关组件820-g(例如隔离组件)与源极跟随器线802耦合，所述第一开关组件可通过逻辑信号iso1来启动或去启动。另外或可替代地，感测组件130-d可经由第二开关组件820-h(例如分离组件)与源极跟随器线802耦合，所述开关组件可通过逻辑信号iso2来启动或去启动。另外，感测组件130-d可与低电压源和高电压源(未展示)耦合，所述低电压源和所述高电压源可为分别参考图2描述的感测组件电压源256-b和265-c的实例。根据本发明的实施例，感测组件130-d可包含接收且将信号电压(例如第一端子131-d处存储或锁存)与参考电压(例如第二端子132-d处存储或锁存)进行比较的感测放大器。
源极跟随器放大器640-c被配置成根据本发明的实施例来支持源极跟随。举例来说，源极跟随器放大器640-c可以是晶体管，且信号线280-c可与晶体管的栅极端子耦合。源极跟随器放大器640-c可由具有电压v6的电压源810-g馈送，所述电压源可表示源极跟随器电压源。电压源810-g可经由开关组件820-e与源极跟随器放大器640-c耦合，所述开关组件可通过逻辑信号sw5来启动或去启动。因此，逻辑信号sw5可用于启用或停用源极跟随器放大器640-c来产生信号源跟随器电压vsf，其中vsf可等于vsl减源极跟随器放大器640-c的晶体管的阈值电压。尽管实例电路800包含源极跟随器放大器640-c，但各种其它实施例可以省略源极跟随器放大器640-c，且采用根据本发明的实施例的自我升压和采样保持的特征和操作且还不采用源极跟随(例如利用与开关组件820-g和820-h直接地耦合的信号线280-c)。
电路800中说明的逻辑信号中的每一个可由存储器控制器(未展示)，例如参考图1描述的存储器控制器150提供。在一些实例中，某些逻辑信号可由其它组件提供。举例来说，逻辑信号wl可由行解码器(未展示)，例如参考图1描述的行解码器125提供。
在各种实例中，电压源810可与包含实例电路800的存储器装置的不同配置的电压电源和/或共同接地或虚拟接地点耦合。举例来说，在一些实施例中，电压源810-a、810-e、810-i或其任何组合可与相同接地点或虚拟接地点耦合，且可提供大体上相同参考电压用于存取存储器单元105-d的各种操作。在一些实施例中，数种电压源810可与存储器装置的相同电压电源耦合。举例来说，在一些实施例中，电压源810-c、810-d和810-g或其任何组合可与具有某一电压(例如1.5v的电压，其可被称为“vary”)的电压电源耦合。在此类实施例中，在经由字线205-c选择存储器单元105-d用于感测之前，信号线280-c可升压到大体上等于2*vary或大约3.0v的电压。因此，根据本发明的实施例，自我升压操作可克服提供相对较高电压电源用于感测的操作(例如，3.0v或超过3.0v的电压源，其在一些应用中可指“正向泵”电压vpp)的需要。在其它实例中，电压源810-f可与不同电压电源而不是其它电压电源(例如1.2v的电压，其可被称为“pds”)耦合，其可因此与1.2v的电压升压相关联。尽管电压源810可与共同电压电源和/或接地点耦合，但与共同电压电源或共同接地点耦合的电压源810中的每一个的电压可由于相应电压源810与相关联之共同电压电源或共同接地点之间的电路中的不同(例如导体长度、宽度、电阻、电容等)而不同。
图9展示说明根据本公开的各种实施例的可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随和采样保持的实例存取过程的操作的时序图900。参考参考图8描述的实例电路800的组件来描述实例存取过程。
在时序图900的实例中，将电压源810-a、810-e以及810-i视为接地，且因此处于零电压(例如v0＝0v，v4＝0v，且v8＝0v)。然而，在其它实例中，电压源810-a、810-e和810-i可处于非零电压，且可因此调节时序图900的电压。在一些实例中，在开始时序图900的操作之前，可将数字线210-c和板线215-c控制成相同电压，这可以最小化整个存储器单元105-c中的电荷泄漏。举例来说，根据时序图900，数字线210-c具有0v的初始电压，所述初始电压可与板线215-c的初始电压相同。在其它实例中，数字线210-c和板线215-c可具有不同于接地电压的一些其它初始电压。
在901处，存取步骤可包含启动开关组件820-d(例如通过启动逻辑信号sw6)。启动开关组件820-d可将电压源810-h与信号线280-c连接，且因此信号线280-c的电压可随着电荷流动到积分器电容器830中而升高到电压电平v7。在时序图900的实例中，电压电平v7可以表示参考电压源，使得v7是与感测逻辑1和逻辑0相关联的信号电压之间的平均电压。因此，启动开关组件820-d可发起用于积分器电容器830的第一预充电操作。举例来说，在901处，开关组件820-f可去启动，使得电压源810-e(例如0v的接地或虚拟接地电压)与积分器电容器830的第二端子832耦合，且电压源810-h与积分器电容器830的第一端子831耦合。因此，积分器电容器830可根据电压源810-h与电压源810-e之间的电压差来充电。
在902处，存取过程可包含去启动开关组件820-d(例如通过去启动逻辑信号sw6)。去启动开关组件820-d可以使电压源810-h与信号线280-c隔离，且信号线280-c的电压可保持在电压电平v7处。在去启动开关组件820-d时，信号线280-c和积分器电容器830的第一端子831可浮动。
在903处，存取步骤可包含启动开关组件820-f(例如通过启动逻辑信号sw4)。启动开关组件820-f可导致从与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-e到与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-f的转变。通过将积分器电容器830的第二端子832连接到处于较高电压的电压源，由积分器电容器830存储的电荷可升压到较高电压，且因此与积分器电容器830的第一端子831耦合的信号线280-c的电压可升高到电压电平(v7+v3)。因此，启动开关组件820-f可发起用于积分器电容器830的第一升压操作。
在904处，存取过程可包含去启动开关组件820-f(例如通过去启动逻辑信号sw4)。去启动开关组件820-f可导致与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-f到与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-e的转变。通过将积分器电容器830的第二端子832连接到处于较低电压的电压源，由积分器电容器830存储的电荷可移位到较低电压，且因此与积分器电容器830的第一端子831耦合的信号线280-c的电压可下降v5-v4的电压电平(或在电压源810-e与共同接地点耦合的情况下仅下降v5)。因此，去启动开关组件820-f可发起用于积分器电容器830的第一移位操作。在不采用源极跟随的实例中，移位可使信号线280-c的电压降低到可由感测组件130-d读取的电平(例如感测组件130-d(未展示)的低电压源与高电压源之间的电压)。
尽管903和904处的操作包含于时序图900的实例中，但在一些实例中，可省略这些步骤。换句话说，在以采用采样保持技术的感测操作产生参考信号第一时，可能不必执行升压和移位操作来产生参考。
在905处，存取过程可包含启用耦合在信号线280-c与源极跟随器线802之间的源极跟随器放大器640-c。举例来说，源极跟随器放大器640-c可以是晶体管，且启用源极跟随器放大器640-c可包含通过启用开关组件820-e(例如通过启动逻辑信号sw5)来将晶体管的源极与具有电压v6的电压源810-g连接。将源极跟随器放大器640-c与电压源810-g连接可支持电荷从信号线280-c流动经过源极跟随器放大器640-c到源极跟随器线802，且放大电荷(例如从信号线280-c流出的多个电荷)也从电压源810-g流动经过源极跟随器放大器640-c到源极跟随器线802。因此，电荷可积聚在源极跟随器线802上直到不再超过晶体管的电压阈值。换句话说，源极跟随器线802的电压可升高到电平vsf＝(vsl-vth)，其中vth是源极跟随器放大器640-c的晶体管的阈值电压。
在一些实例中，由于仅微量的电荷从信号线280-c流动到源极跟随器线802，因此信号线280-c的电压在启用源极跟随器放大器640-c时可仅下降可忽略的量。虽然源极跟随器线802的电压可能低于信号线280-c的电压，但提供到源极跟随器线802的增加量的电荷可在感测组件130-d中支持较大组件，且还可以限制信号线280-c与感测组件130-d之间共用的电荷。
在一些实例中，源极跟随器装载组件645-c也可在905的操作期间启用。在源极跟随器装载组件645-c是晶体管的实例中，可在晶体管的栅极处启用信号eqa，这可以支持流动通过源极跟随器放大器640-c的电流还流动穿过源极跟随器负载组件645-c。因此，在一些实例中，源极跟随器装载组件645-c可操作为电流产生器以支持源极跟随功能。虽然信号eqa可大体上是具有相对较高电压的数字信号以使得源极跟随器装载组件645-c的晶体管在饱和区中操作，但信号eqa还可经选定使得源极跟随器装载组件645-c的晶体管在线性区或电阻区中操作。换句话说，信号eqa可经选定以在具体工作点处操作源极跟随器负载组件645-c。另外，虽然信号eqa可在905的源极跟随器操作期间启用，但信号eqa可在其它时间(例如在905之前，或在产生vref,sf之后停用)，这可以降低能量消耗。
在906处，存取过程可包含通过去启动开关组件820-h(例如通过去启动逻辑信号iso2)来使感测组件130-d的第二端子132-d与源极跟随器线802隔离。使感测组件130-c与源极跟随器线802隔离可使得感测组件130-c在确定存储在存储器单元105-d中的逻辑状态之前，存储(例如“保持”)参考电压和/或与在感测组件130-d的第二端子132-d处的源极跟随器线电压相关联的电荷。
在907处，存取过程可包含停用源极跟随器放大器640-c。举例来说，停用源极跟随器放大器640-c可包含通过停用开关组件820-e(例如通过去启动逻辑信号sw5)来使晶体管的源极与电压源810-g断开连接。相较于源极跟随器放大器640-c保持启用的实施例，停用源极跟随器放大器640-c可以(例如)降低功耗。在一些实例中，源极跟随器负载组件645-c还可以在907之前或在907之后停用(例如通过来去启动信号eqa)，相较于源极跟随器负载组件645-c保持启用的实施例，其可以降低功耗。
在908处，存取过程可包含启动开关组件820-c(例如通过启动逻辑信号sw3)。启动开关组件820-c可将电压源810-d与信号线280-c连接，且因此信号线280-c的电压可随着电荷流动到积分器电容器830中而升高到电压电平v3。因此，启动开关组件820-c可发起于积分器电容器830的第二预充电操作用。举例来说，在910处，开关组件820-f可去启动，使得电压源810-e(例如0v的接地或虚拟接地电压)与积分器电容器830的第二端子832耦合，且电压源810-d与积分器电容器830的第一端子831耦合。因此，积分器电容器830可根据电压源810-d与电压源810-e之间的电压差来充电。
在909处，存取过程可包含启动开关组件820-b(例如通过启动逻辑信号sw2)。启动开关组件820-b可发起用于数字线210-c的预充电操作。举例来说，启动开关组件820-b可以将信号线280-c与数字线210-c连接，所述数字线可借助于本征电容260-c与电压源810-a(例如接地或虚拟接地电压)耦合。随着电压源810-d的馈送，电荷可流动经过放大器275-c并聚集在数字线210-c上，导致数字线210-c上的电压升高。数字线210-c的电压可升高直到放大器275-c的阈值电压(例如阈值电压vth,amp)不再被超出。因此，在启动开关组件820-b之后，数字线210-c的电压可随着来自信号线280-c的电荷流动(例如随着电压源810-d的馈送)而升高到v9-vth,amp的电压电平，且包含本征电容260-c的数字线210-c可根据电压电平v9-vth,amp与电压源810-a(例如0v)之间的电压差来充电。在一些实例中，电压电平v9可经选定使得将数字线210-c预充电到与信号线280-c大体上相同的电平。举例来说，可将电压电平v9设定在可由具有大于电压源810-d的电压电平的电压电源所提供的v3+vth,amp的电平处。因此，在一些实例中，数字线210-c可响应于在909处启动开关组件820-b而升高到等于电压电平v3的电压电平。
另外地或可替代地，在一些实例中，数字线210-c可通过电压源810-c来预充电。举例来说，在启动开关组件820-b之前，存取过程可包含启动开关组件820-a(例如通过启动逻辑信号sw1)。启动开关组件820-a可发起对数字线210-c的替代性预充电操作，所述操作未在时序图900中展示。随着电压源810-c的馈送，电荷可在数字线210-c上聚集，导致数字线210-c上的电压与电压电平v2匹配。在一些实例中，电压电平v2可大体上等于电压电平v3，使得在启动开关组件820-b之前将数字线210-c和信号线280-c预充电到相同电压。在一些实例中，使用电压源810-c对数字线210-c预充电可以降低功耗且/或减少与存取存储器单元105-d相关联的预充电时间。在通过电压源810-c对数字线210-c的预充电之后，存取过程可包含激活开关组件820-b(例如通过激活逻辑信号sw2)来将号线280-c连接到数字线210-c。
在910处，存取过程可包含去启动开关组件820-c(例如通过去启动逻辑信号sw3)。去启动开关组件820-c可以使电压源810-d与信号线280-c隔离，且信号线280-c的电压可保持在电压电平v3处。在去启动开关组件820-c时，信号线280-c和因此积分器电容器830的第一端子831可浮动，且信号线280-c可根据信号线280-c的电容(包含积分器电容器830的电容)来维持电荷电平。
在911处，存取过程可包含启动开关组件820-f(例如通过启动逻辑信号sw4)。启动开关组件820-f可导致从与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-e到与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-f的转变。通过将积分器电容器830的第二端子832连接到处于较高电压的电压源，由积分器电容器830存储的电荷可同样升压到较高电压，且因此与积分器电容器830的第一端子831耦合的信号线280-c的电压可升高到电压电平(v3+v5)。因此，启动开关组件820-f可发起用于积分器电容器830的第二升压操作。
在912处，存取过程可包含选择存储器单元105-d(例如通过经由逻辑信号来启动字线wl)。选择存储器单元105-d可导致存储器单元105-d的电容器与数字线210-c耦合。因此，电荷可共用于存储器单元105-d、数字线210-c与信号线280-c之间，其可取决于存储于存储器单元105-d中的逻辑状态(例如电荷和/或极化)。
举例来说，当存储器单元105-d存储逻辑1时，存储器单元105-d的电容器可借助于正极化而存储正电荷(例如参考图3所描述的电荷状态305-a)。因此，当选择存储逻辑1的存储器单元105-d时，相对较少量的电荷可从数字线210-c流动到存储器单元105-d。随着电荷从数字线210-c流动到存储器单元105-d，数字线210-c的电压可下降，这可能使得超出放大器275-c的阈值电压。当超出放大器275-c的阈值电压时，取决于放大器275-c的特征，电荷可从信号线280-c(例如从积分器电容器830)横跨放大器275-c流动到数字线210-c，以及来自电压源810-j的相对较小量的电荷。因此，电荷可流动到数字线210-c直到数字线210-c的电压返回到等于v9-vth,amp的电压电平。当选择存储逻辑1的存储器单元105-d时，因为相对较少量的电荷流动到存储器单元105-d中，所以在选择存储器单元105-d之后，信号线280-c可能会经历相对较小的电压降，所述电压降由vsl,1的电压说明。
可替代地，当存储器单元105-d存储逻辑0时，存储器单元105-d的电容器可借助于负极化来存储负电荷(例如如参考图3所描述的电荷状态310-a)。因此，当选择存储逻辑0的存储单元105-d时，相对较大量的电荷可从数字线210-c流动到存储器单元105-d。因此，由于电荷流动经过放大器275-c使数字线恢复到电压电平v9-vth,amp，所以信号线280-c可能会经历相对较大的电压降使得不再超过放大器275-b的阈值电压vth,amp，所述电压降由电压vsl,0说明。在一些实例中，选择存储逻辑0的存储器单元105-d可能导致存储器单元105-d的电容器的部分极化损失。在采用2pr感测操作的实例中，选择存储逻辑0的存储器单元105-d可能导致存储器单元105-d的电容器的饱和极化的反转，从而使得由两次饱和极化所引起的一定量的电荷流动到存储器单元105-d中。在任一情况下，根据本实例选择存储逻辑0的存储单元105-d可能要求后续刷新或重写操作。
在913处，存取过程可包含通过去启动开关组件820-b(例如通过去启动逻辑信号sw2)来使数字线210-c与信号线280-c隔离。使数字线210-c与信号线280-c隔离可防止额外电荷在数字线210-c与信号线280-c之间共用，包含可能由因后续感测操作而超过放大器275-c的阈值电压所导致的整个放大器275-c中共用的电荷。
在914处，存取过程可包含去启动开关组件820-f(例如通过去启动逻辑信号sw4)。去启动开关组件820-f可导致与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-f到与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-e的转变。通过将积分器电容器830的第二端子832连接到处于较低电压的电压源，由积分器电容器830存储的电荷可移位到较低电压，且因此与积分器电容器830的第一端子831耦合的信号线280-c的电压可下降v5-v4的电压电平(或在电压源810-e与共同接地点耦合的情况下仅下降v5)。因此，去启动开关组件820-f可发起用于积分器电容器830的第二移位操作。在不采用源极跟随的实施例中，移位可使信号线280-c的电压降低到可由感测组件130-d读取的电平(例如感测组件130-d(未展示)的低电压源与高电压源之间的电压)。
在915处，存取过程可包含启用耦合在信号线280-c与源极跟随器线802之间的源极跟随器放大器640-c。启用源极跟随器放大器640-c可包含通过启用开关组件820-e(例如通过激活逻辑信号sw5)来将晶体管的源极与电压源810-g连接。将源极跟随器放大器640-c与电压源810-g连接可同样支持电荷从信号线280-c流动经过源极跟随器放大器640-c到源极跟随器线802，且放大电荷(例如从信号线280-c流出的多个电荷)也从电压源810-g流动经过源极跟随器放大器640-c到源极跟随器线802。因此，电荷可积聚在源极跟随器线802上直到不再超过晶体管的电压阈值。换句话说，源极跟随器线802的电压可以升高到电平vsf＝(vsl-vth)，其中在这种情况下，vsl是基于选择存储器单元105-d。
在一些实例中，源极跟随器装载组件645-c也可在915的操作期间启用。在源极跟随器装载组件645-c是晶体管的实例中，可同样在晶体管的栅极处启用信号eqa，这可以支持流动通过源极跟随器放大器640-c的电流还流动穿过源极跟随器负载组件645-c。虽然信号eqa可在915的源极跟随器操作期间启用或重新启用，但信号eqa可在其它时间(例如在905与915之间，或在产生vsig,sf之后)停用，这可以降低能量消耗。
在916处，存取过程可包含通过去启动开关组件820-g(例如通过去启动逻辑信号iso1)来使感测组件130-d的第一端子131-d与源极跟随器线802隔离。使感测组件130-d的第一端子131-d与源极跟随器线802隔离可使得感测组件130-d在确定存储在存储器单元105-c中的逻辑状态之前，存储(例如“保持”)与在感测组件130-c的第一端子131-d处的源极跟随器线电压相关联的电压和/或电荷。
在917处，存取过程可包含检测在感测组件130-d的第一和第二端子处所存储的电压之间的差。举例来说，如果第一端子处存储的信号大于第二端子处存储的信号(例如vsig,sf,1>vref,sf)，那么感测组件130-d可以输出等于感测组件的高电压源的电压。如果第一端子处存储的信号小于第二端子处存储的信号(例如vsig,sf,0<vref,sf)，那么感测组件130-d可以输出等于感测组件的低电压源的电压。
虽然说明为发生在不同时间的独立操作，但某些操作可同时或以不同顺序发生。在一些实例中，可有利地同时发起各种操作以便减少感测存储器单元105-d的逻辑状态所要求的时间量。举例来说，911处的将数字线210-b与信号线280-b连接可发生在910处的预充电之前，或这些操作可以同时发生。
时序图900中所展示的操作顺序仅用于说明，且可以进行多种其它步骤次序和组合来支持根据本公开的自我升压。另外，时序图900的操作定时也仅出于说明的目的，且并不意味指示一个操作与另一操作之间的具体相对持续时间。各种操作可出现历时相对短于或相对地长于根据本公开的自我升压的各种实施例中说明的持续时间。
时序图900的逻辑信号的转变说明从一个状态转化到另一状态，且大体上将启用或启动状态(例如，状态“1”)与停用或去启动状态(例如，状态“0”)之间的转变反映为与具体编号操作相关联。在各种实例中，状态可与逻辑信号的具体电压(例如施加到操作作为开关的晶体管的栅极的逻辑输入电压)相关联，且电压从一个状态到另一状态的改变可能不是瞬时的。相反，在一些实例中，与逻辑信号相关联的电压可跟随曲线随时间从一个逻辑状态到另一逻辑状态。因此，时序图700中所展示的转变不一定指示瞬时转变。另外，可能在各种时间期间已到达与编号操作处的转变相关联的逻辑信号的初始状态，所述各种时间先于编号操作同时仍支持所描述转变和相关联操作。
根据本公开的实施例，采样保持的特征和操作可在感测存储器单元105时减小或消除一些变化源。在一些实例中，执行第二选择的存储器单元105来产生参考而不是预定参考电压源可能是进一步有利的。因此，根据本公开的一些实施例可以执行自我参考采样保持操作来进一步改进感测牢固性。
图10展示了说明根据本揭示的各种实施例可支持自我升压、源极跟随以及自我参考采样保持以用于存取存储器单元的实例存取程序的操作的时序图1000。参考参看图8所描述的实例电路800的组件来描述实例存取程序。
在时序图1000的实例中，将电压源810-a、810-e以及810-i视为接地，且因此处于零电压(例如v0＝0v，v4＝0v，且v8＝0v)。然而，在其它实例中，电压源810-a、810-e以及810-i可处于非零电压，且可因此而相应地调节时序图1000的电压。在一些实例中，在开始时序图1000的操作之前，可将数字线210-c和板线215-c控制成相同电压，这可以最小化整个存储器单元105-c中的电荷泄漏。举例来说，根据时序图1000，数字线210-c具有0v的初始电压，所述初始电压可与板线215-c的初始电压相同。在其它实例中，数字线210-c和板线215-c可具有不同于接地电压的某一其它初始电压。
在1001处，存取程序可包含启动开关组件820-c(例如通过启动逻辑信号sw3)。启动开关组件820-c可以使电压源810-d与信号线280-c连接，且相应地，信号线280-c的电压在电荷流动到积分器电容器830中时可升高到电压电平v3。因此，启动开关组件820-c可发起对积分器电容器830的第一预充电操作。举例来说，在1001处，开关组件820-f可去启动，以使得电压源810-e(例如接地或处于0v的虚拟接地电压)与积分器电容器830的第二端子832耦合，且电压源810-d与积分器电容器830的第一端子831耦合。因此，积分器电容器830可根据电压源810-d与电压源810-e之间的电压差充电。
在1002处，存取程序可包含启动开关组件820-b(例如通过启动逻辑信号sw2)。启动开关组件820-b可发起对数字线210-c的第一预充电操作。举例来说，启动开关组件820-b可使用数字线210-c连接信号线280-c，所述数字线可藉助于本征电容260-c与电压源810-a(例如接地或虚拟接地电压)耦合。随着电压源810-d的馈送，电荷可流动经过放大器275-c并聚集在数字线210-c上，导致数字线210-c上的电压升高。数字线210-c的电压可升高直到不再超过放大器275-c的阈值电压(例如阈值电压vth,amp)。因此，在启动开关组件820-b之后，数字线210-c的电压可由于来自信号线280-c的电荷流动(例如由于电压源810-d的馈送)而升高到电压电平v9-vth,amp，且包含本征电容260-c的数字线210-c可根据电压电平v9-vth,amp与电压源810-a(例如0v)之间的电压差充电。在一些实例中，可将电压电平v9选择为使得数字线210-c预充电到与信号线280-c基本上相同的电平。举例来说，可将电压电平v9设定在可由具有大于电压源810-d的电压电平的电压电源所提供的电平v3+vth,amp处。因此，在一些实例中，数字线210-c可响应于在1002处启动开关组件820-b而升高到等于电压电平v3的电压电平。
另外地或可替代地，在一些实例中，数字线210-c可由电压源810-c预充电。举例来说，在启动开关组件820-b之前，存取程序可包含启动开关组件820-a(例如通过启动逻辑信号sw1)。启动开关组件820-a可发起对数字线210-c的替代预充电操作，所述操作未在时序图1000中展示。随着电压源810-c的馈送，电荷可在数字线210-c上聚集，导致数字线210-c上的电压与电压电平v2匹配。在一些实例中，电压电平v2可基本上等于电压电平v3，以使得在启动开关组件820-b之前，数字线210-c和信号线280-c预充电到相同电压。在一些实例中，使用电压源810-c对数字线210-c预充电可以降低功耗且/或减少与存取存储器单元105-d相关的预充电时间。在由电压源810-c对数字线210-c的预充电之后，存取程序可包含启动开关组件820-b(例如通过启动逻辑信号sw2)以使信号线280-c连接到数字线210-c。
在1003处，存取程序可包含去启动开关组件820-c(例如通过去启动逻辑信号sw3)。去启动开关组件820-c可以使电压源810-d与信号线280-c隔离，且信号线280-c的电压可保持在电压电平v3处。在去启动开关组件820-c时，信号线280-c因而和积分器电容器830的第一端子831可浮动。
在1004处，存取程序可包含启动开关组件820-f(例如通过启动逻辑信号sw4)。启动开关组件820-f可能导致从与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-e到与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-f的转变。通过使积分器电容器830的第二端子832连接到处于较高电压的电压源，由积分器电容器830存储的电荷可升压到较高电压，且相应地，与积分器电容器830的第一端子831耦合的信号线280-c的电压可升高到电压电平(v3+v5)。因此，启动开关组件820-f可发起对积分器电容器830的第一升压操作。
在1005处，存取程序可包含选择存储器单元105-d(例如通过经由逻辑信号wl来启动字线)。选择存储器单元105-d可能导致存储器单元105-d的电容器与数字线210-c耦合。相应地，电荷可在存储器单元105-d、数字线210-c以及信号线280-c之间共用，这可取决于存储在存储器单元105-d中的逻辑状态(例如电荷和/或极化)。
举例来说，当存储器单元105-d存储逻辑1时，存储器单元105-d的电容器可藉助于正极化(例如参考图3所描述的充电状态305-a)而存储正电荷。因此，当选择存储逻辑1的存储器单元105-d时，相对较少量的电荷会从数字线210-c流动到存储器单元105-d。随着电荷从数字线210-c流动到存储器单元105-d，数字线210-c的电压会下降，这可能使得超过放大器275-c的阈值电压。当超过放大器275-c的阈值电压时，根据放大器275-c的特征，电荷可从信号线280-c(例如从积分器电容器830)穿过放大器275-c流动到数字线210-c，如同来自电压源810-j的相对较少量的电荷一样。相应地，电荷可流动到数字线210-c直到数字线210-c的电压恢复到等于v9-vth,amp的电压电平。当选择存储逻辑1的存储器单元105-d时，因为相对较少量的电荷流动到存储器单元105-d中，所以在选择存储器单元105-d之后，信号线280-c会经历相对较小的电压降，所述电压降由电压vsl,1说明。
可替代地，当存储器单元105-d存储逻辑0时，存储器单元105-d的电容器可藉助于负极化(例如参考图3所描述的充电状态310-a)而存储负电荷。因此，当选择存储逻辑0的存储器单元105-d时，相对较大量的电荷会从数字线210-c流动到存储器单元105-d。相应地，由于电荷流动经过放大器275-c使数字线恢复到电压电平v9-vth,amp，所以信号线280-c会经历相对较大的电压降以使得不再超过放大器275-b的阈值电压vth,amp，所述电压降由电压vsl,0说明。在一些实例中，选择存储逻辑0的存储器单元105-d可能导致存储器单元105-d的电容器的部分极化损失。在采用2pr感测操作的实例中，选择存储逻辑0的存储器单元105-d可能导致存储器单元105-d的电容器的饱和极化的反转，从而使得与两次饱和极化相关联的一定量的电荷流动到存储器单元105-d中。在任一情况下，根据本实例选择存储逻辑0的存储单元105-d都可能要求后续刷新或重写操作。
在1006处，存取程序可包含通过去启动开关组件820-b(例如通过去启动逻辑信号sw2)使数字线210-c与信号线280-c隔离。使数字线210-c与信号线280-c隔离可防止额外电荷在数字线210-c与信号线280-c之间共用，包含可能由因后续感测操作而超过放大器275-c的阈值电压所导致的整个放大器275-c中的电荷共用。
在1007处，存取程序可包含去启动开关组件820-f(例如通过去启动逻辑信号sw4)。去启动开关组件820-f可能导致从与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-f到与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-e的转变。通过使积分器电容器830的第二端子832连接到处于较低电压的电压源，由积分器电容器830存储的电荷可移位到较低电压，且相应地，与积分器电容器830的第一端子831耦合的信号线280-c的电压可下降v5-v4的电压电平(或在电压源810-e与公共接地点耦合的情况下仅下降v5)。因此，去启动开关组件820-f可发起对积分器电容器830的第一移位操作。在不采用源极跟随的实施例中，移位可使信号线280-c的电压降低到可由感测组件130-d读取的电平(例如感测组件130-d(未展示)的低电压源与高电压源之间的电压)。
在1008处，存取程序可包含启用耦合在信号线280-c与源随耦器线802之间的源极跟随器放大器640-c。启用源极跟随器放大器640-c可包含通过启用开关组件820-e(例如通过启动逻辑信号sw5)第二次使晶体管的源极与电压源810-g连接。使源极跟随器放大器640-c与电压源810-g连接可支持电荷从信号线280-c流动经过源极跟随器放大器640-c到源极跟随器线802，且放大电荷(例如从信号线280-c流出的多个电荷)也从电压源810-g流动经过源极跟随器放大器640-c到源极跟随器线802。相应地，电荷可积聚在源极跟随器线802上直到不再超过晶体管的电压阈值。换句话说，源极跟随器线802的电压可升高到电平vsf＝(vsl-vth)，其中在此情况下vsl基于存储器单元105-d来选择。
在一些实例中，源极跟随器装载组件645-c也可在1008的操作期间启用。在其中源极跟随器装载组件645-c是晶体管的实例中，可在晶体管的栅极处启用信号eqa，这可以支持流动经过源极跟随器放大器640-c的电流也流动经过源极跟随器装载组件645-c。因此，在一些实例中，源极跟随器装载组件645-c可操作为电流产生器以支持源极跟随功能。虽然信号eqa可基本上是具有相对较高电压的数字信号以使得源极跟随器装载组件645-c的晶体管操作在饱和区中，但也可将信号eqa选择为使得源极跟随器装载组件645-c的晶体管操作在线性区或电阻区中。换句话说，可将信号eqa选择为以便使源极跟随器装载组件645-c操作在特定工作点处。此外，虽然信号eqa可在1008的源极跟随器操作期间启用，但信号eqa可在其它时间(例如在1008之前，或在产生vsig,sf之后)禁用，这可以降低能量消耗。
在1009处，存取程序可包含通过去启动开关组件820-g(例如通过去启动逻辑信号iso1)而使感测组件130-d的第一端子131-d与源极跟随器线802隔离。使感测组件130-d的第一端子131-d与源极跟随器线802隔离可使得感测组件130-d在确定存储在存储器单元105-c中的逻辑状态之前，存储(例如“保持”)电压和/或与在感测组件130-c的第一端子131-d处的源极跟随器线电压相关联的电荷。
在1010处，存取程序可包含禁用源极跟随器放大器640-c。举例来说，禁用源极跟随器放大器640-c可包含通过禁用开关组件820-e(例如通过去启动逻辑信号sw5)使晶体管的源极与电压源810-g断开连接。与源极跟随器放大器640-c保持启用的实施例相比，禁用源极跟随器放大器640-c可例如降低功耗。在一些实例中，与源极跟随器装载组件645-c保持启用的实施例相比，源极跟随器装载组件645-c也可在907之前或之后禁用(例如通过去启动信号eqa)，这可以降低功耗。
在1011处，存取程序可包含启动开关组件820-d(例如通过启动逻辑信号sw6)。启动开关组件820-d可以使电压源810-h与信号线280-c连接，且相应地，信号线280-c的电压在电荷流动到积分器电容器830中时可升高到电压电平v7。在时序图1000的实例中，电压电平v7为存储器单元105-d的第二感测提供感测电压，以使得因将v7施加到信号线280-c而产生的信号是与初始感测逻辑1与逻辑0相关联的信号电压之间的平均电压。启动开关组件820-d可发起对积分器电容器830的第二预充电操作。举例来说，在1013处，可去启动开关组件820-f，以使得电压源810-e(例如接地或处于0v的虚拟接地电压)与积分器电容器830的第二端子832耦合，且电压源810-h与积分器电容器830的第一端子831耦合。因此，积分器电容器830可根据电压源810-h与电压源810-e之间的电压差充电。
在1012处，存取程序可包含第二次启动开关组件820-b(例如通过启动逻辑信号sw2)。启动开关组件820-b可发起对数字线210-c的第二预充电操作。数字线210-c的电压可升高直到不再超过放大器275-c的阈值电压(例如阈值电压vth,amp)，这在一些实例中可能不是由电荷的净转移所导致的(例如，当数字线210-c的电压保持在1006与1014之间时)。因此，在启动开关组件820-b之后，包含本征电容260-c的数字线210-c可再次根据电压电平v9-vth,amp与电压源810-a(例如0v)之间的电压差充电。
在1013处，存取程序可包含去启动开关组件820-d(例如通过去启动逻辑信号sw6)。去启动开关组件820-d可以使电压源810-h与信号线280-c隔离，且信号线280-c的电压可保持在电压电平v7处。在去启动开关组件820-d时，信号线280-c因而和积分器电容器830的第一端子831可浮动。
在1014处，存取程序可包含启动开关组件820-f(例如通过启动逻辑信号sw4)。启动开关组件820-f可能导致从与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-e到与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-f的转变。通过使积分器电容器830的第二端子832连接到处于较高电压的电压源，由积分器电容器830存储的电荷可升压到较高电压，且相应地，与积分器电容器830的第一端子831耦合的信号线280-c的电压可升高到电压电平(v7+v3)。因此，启动开关组件820-f可发起对积分器电容器830的第二升压操作。
在1015处，存取程序可包含第二次选择存储器单元105-d(例如通过经由逻辑信号wl启动字线)。第二次选择存储器单元105-d可能导致存储器单元105-d的电容器再次与数字线210-c耦合。相应地，电荷可在存储器单元105-d、数字线210-c以及信号线280-c之间共用，这可取决于存储在存储器单元105-d中的逻辑状态(例如电荷和/或极化)。
举例来说，在2pr感测流程中，第一次存取存储器单元105-d可能导致存储器单元105-d存储中间逻辑状态(如中间逻辑1)，而不管存储器单元105-d是否最初存储逻辑1或0。这可能是当在1005处选择存储器单元105-d时所施加的电压和/或电荷的结果，其中对于逻辑1，所施加电压和/或电荷可仅提供位移分量，且对于逻辑0，所施加电压和/或电荷可提供位移分量和可以使存储器单元105-d的电容器的极化反向的极化分量两者。在任一情况下，当第二次选择存储器单元105-d时，相对较少量的电荷会由于存储中间逻辑1而从数字线210-c流动到存储器单元105-d，且相应地，在选择存储器单元105-d之后，信号线280-c会经历相对较小的电压降。在一些实例中，为了根据在1016处第二次选择存储器单元来产生参考信号，可将所施加电压(例如v7+v3)选择为使得信号线电压在第二次选择存储器单元时处于在初始选择存储逻辑1的存储器单元时的信号线电压与在初始选择存储逻辑0的存储器单元时的信号线电压之间。
在1016处，存取程序可包含通过去启动开关组件820-b(例如通过去启动逻辑信号sw2)使数字线210-c与信号线280-c隔离。使数字线210-c与信号线280-c隔离可防止额外电荷在数字线210-c与信号线280-c之间共用，包含可能由因后续感测操作而超过放大器275-c的阈值电压所导致的整个放大器275-c中的电荷共用。
在1017处，存取程序可包含去启动开关组件820-f(例如通过去启动逻辑信号sw4)。去启动开关组件820-f可能导致从与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-f到与积分器电容器830的第二端子832耦合的电压源810-e的转变。通过使积分器电容器830的第二端子832连接到处于较低电压的电压源，由积分器电容器830存储的电荷可移位到较低电压，且相应地，与积分器电容器830的第一端子831耦合的信号线280-c的电压可下降v5-v4的电压电平(或在电压源810-e与公共接地点耦合的情况下仅下降v5)。因此，去启动开关组件820-f可发起对积分器电容器830的第二移位操作。在不采用源极跟随的实施例中，此移位可使信号线280-c的电压降低到可由感测组件130-d读取的电平(例如感测组件130-d(未展示)的低电压源与高电压源之间的电压)。
在1018处，存取程序可包含第二次启用源极跟随器放大器640-c。使源极跟随器放大器640-c与电压源810-g连接可支持电荷从信号线280-c流动经过源极跟随器放大器640-c到源极跟随器线802，且放大电荷(例如从信号线280-c流出的多个电荷)也从电压源810-g流动经过源极跟随器放大器640-c到源极跟随器线802。相应地，电荷可积聚在源极跟随器线802上直到不再超过晶体管的电压阈值。换句话说，源极跟随器线802的电压可升高到电平vsf＝(vsig-vth)，其中vth是源极跟随器放大器640-c的晶体管的阈值电压。在一些实例中，因为仅微量的电荷从信号线280-c流动到源极跟随器线802，信号线280-c的电压在启用源极跟随器放大器640-c时可仅下降可忽略的量。虽然源极跟随器线802的电压可低于信号线280-c的电压，但提供到源极跟随器线802的增加量的电荷可在感测组件130-d中支持较大组件，且也可能限制信号线280-c与感测组件130-d之间的电荷共用。
在1019处，存取程序可包含通过去启动开关组件820-h(例如通过去启动逻辑信号iso2)而使感测组件130-d的第二端子132-d与源极跟随器线802隔离。使感测组件130-c与源极跟随器线802隔离可使得感测组件130-c在确定存储在存储器单元105-d中的逻辑状态之前，存储(例如“保持”)参考电压和/或与在感测组件130-d的第二端子132-d处的源极跟随器线电压相关联的电荷。
在一些实例中，源极跟随器装载组件645-c也可在1019的操作期间启用。在其中源极跟随器装载组件645-c是晶体管的实例中，可在晶体管的栅极处再次启用信号eqa，这可以支持流动经过源极跟随器放大器640-c的电流也流动经过源极跟随器装载组件645-c。虽然信号eqa可在1019的源极跟随器操作期间重新启用，但信号eqa可在其它时间(例如在1008与1019之间，或在产生vref,sf之后)禁用，这可以降低能量消耗。
在1020处，存取程序可包含检测在感测组件130-d的第一和第二端子处所存储的电压之间的差。所述电压差在时序图1000的实例中可能是相同存储器单元105-d的第一和第二选择的结果。举例来说，如果在第一端子处所存储的信号大于在第二端子处所存储的信号(例如vsig,sf,1>vref,sf)，那么感测组件130-d便可输出等于感测组件的高电压源的电压。如果在第一端子处所存储的信号小于在第二端子处所存储的信号(例如vsig,sf,0<vref,sf)，那么感测组件130-d便可输出等于感测组件的低电压源的电压。
虽然说明为发生在不同时间的独立操作，但某些操作可同时或以不同顺序发生。在一些实例中，可有利地同时发起各种操作以便减少感测存储器单元105-d的逻辑状态所要求的时间量。举例来说，在1002处使数字线210-b与信号线280-b连接可发生在1001处的预充电之前，或这些操作可同时发生。类似地，在1014处使数字线210-b与信号线280-b连接可发生在1013处的预充电之前，或这些操作可同时发生。
时序图1000中所展示的操作顺序仅用于说明，且可以进行多种其它步骤顺序和组合来支持根据本公开的自升压。此外，时序图1000的操作时序也仅出于说明的目的，且并不意图指示一个操作与另一操作之间的具体相对持续时间。各种操作可历时相对较短或相对较长于根据本公开的自升压的各种实施例中所说明的持续时间而发生。
时序图1000的逻辑信号的转变说明从一个状态转变到另一状态，且大体上将启用或启动状态(例如，状态“1”)与禁用或去启动状态(例如，状态“0”)之间的转变反映为与具体编号操作相关联。在各种实例中，所述状态可与逻辑信号(例如施加到操作为开关的晶体管的栅极的逻辑输入电压)的具体电压相关联，且电压从一个状态到另一状态的改变可以不是瞬时的。相反，在一些实例中，与逻辑信号相关联的电压可跟随曲线随时间从一个逻辑状态到另一逻辑状态。因此，时序图700中所展示的转变不一定指示瞬时转变。此外，可能在各种时间期间已到达与编号操作处的转变相关联的逻辑信号的初始状态，所述各种时间先于编号操作同时仍支持所描述转变和相关联操作。
图11展示根据本公开的各种实施例可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随以及采样保持的存储器装置1105的框图1100。存储装置1105可被称为电子存储器设备，且可以是如参考图1所描述的存储器装置100的组件的实例。
存储器装置1105可包含一或多个存储器单元1110，所述存储器单元可以是参考图1到10所描述的存储器单元105的实例。存储器装置1105还可包含存储器控制器1115、字线1120、板线1125、参考组件1130、感测组件1135、存取线1140以及锁存器1145。这些组件可彼此进行电子通信且可执行本文中所描述的功能中的一或多种。在一些情况下，存储器控制器1115可包含偏压组件1150和定时组件1155。
存储器控制器1115可与字线1120、存取线1140、感测组件1135以及板线1125进行电子通信，其可以是参考图1和2所描述的字线205、数字线210、感测组件130以及板线215的实例。存取线1140也可以是参考图4所描述的数字线210-a和信号线280-a的实例，或参考图6所描述的数字线210-b、信号线280-b以及源极跟随器信号线602的实例，或参考图8所描述的数字线210-c、信号线280-c以及源极跟随器线802的实例。在一些实例中，存储器装置1105还可包含参考组件1130和锁存器1145。存储器装置1105的组件可彼此进行电子通信且可执行参考图1到10所描述的功能的实施例。在一些情况下，参考组件1130、感测组件1135以及锁存器1145可以是存储器控制器1115的组件。
在一些实例中，存取线1140与感测组件1135和存储器单元1110的铁电电容器进行电子通信。存储器单元1110可以是使用逻辑状态(例如第一或第二逻辑状态)可写的。字线1120可与存储器控制器1115和存储器单元1110的选择组件进行电子通信。板线1125可与存储器控制器1115和存储器单元1110的铁电电容器的板进行电子通信。感测组件1135可与存储器控制器1115、存取线1140、锁存器1145以及参考线1160进行电子通信。参考组件1130可与存储器控制器1115和参考线1160进行电子通信。一些实例可省略参考组件1130，且可经由存储器单元1110产生参考。在一些实例中，存取线1140可提供参考线1160的功能。感测控制线1165可与感测组件1135和存储器控制器1115进行电子通信。这些组件还可经由其它组件、连接件或总线同时与存储器装置1105内部和外部的其它组件(除了未在上文列出的组件以外)进行电子通信。
存储器控制器1115可被配置成通过将电压施加到那些各种节点来启动字线1120、板线1125或存取线1140。举例来说，偏压组件1150可被配置成施加电压以操作存储器单元1110来对如上文所描述的存储器单元1110进行读取或写入。在一些情况下，如参考图1所描述，存储器控制器1115可包含行解码器、列解码器、或两者，其可使得存储器控制器1115能够存取一或多个存储器单元105。偏压组件1150也可将电压电位提供到参考组件1130或存储器单元1110，以便产生感测组件1135的参考信号。另外，偏压组件1150可提供用于感测组件1135的操作的电压电位。
在一些情况下，存储器控制器1115可使用定时组件1155来执行其操作。举例来说，定时组件1155可控制各种字线选择或板偏压的时序，包含用以执行存储器功能的开关和电压施加的时序，所述功能如本文中论述的读取和写入。在一些情况下，定时组件1155可控制偏压组件1150的操作。
参考组件1130可包含用以产生感测组件1135的参考信号的各种组件。参考组件1130可包含被配置成产生参考信号的电路。在一些情况下，参考组件1130可使用其它存储器单元1110来实施。感测组件1135可将来自存储器单元1110(例如经由存取线1140)的信号与来自参考组件1130的参考信号，或与来自存取线1140的另一信号进行比较。在确定逻辑状态时，感测组件可随后将输出存储在锁存器1145中，在所述锁存器中，其可根据包含存储器装置1105的电子装置的操作来使用。感测组件1135可包含与锁存器和铁电存储器单元进行电子通信的感测放大器。
存储器控制器1115可以是参考图12所描述的存储器控制器1215的实例。
存储器控制器1115和/或其各种子组件中的至少一些可在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合中实施。如果在由处理器执行的软件中实施，那么存储器控制器1115和/或其各种子组件中的至少一些的功能可由通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其设计成执行本公开中所描述功能的任何组合来执行。存储器控制器1115和/或其各种子组件中的至少一些可以物理方式定位在各种位置处，包含分布成使得功能的部分由一或多个物理装置在不同物理位置处实施。在一些实例中，存储器控制器1115和/或其各种子组件中的至少一些可以是根据本公开的各种实施例的独立和相异组件。在其它实例中，存储器控制器1115和/或其各种子组件中的至少一些可与包含但不限于以下的一或多个其它硬件组件组合：i/o组件、收发器、网络服务器、另一计算装置、本公开中所描述的一或多个其它组件或其根据本公开的各种实施例的组合。
在一些实例中，包含其任何子组件的存储器控制器1115可将第一电压施加到耦合到存储器单元的第一存取线的电容器的第一节点；将第二电压施加到电容器的第二节点；在选择用于感测操作的存储器单元之前，将第三电压施加到电容器的第二节点；选择用于感测操作的存储器单元；比较第一存取线的所得电压与感测组件处的参考电压，其中所得电压基于将第一电压和第三电压施加到电容器且基于选择用于感测操作的存储器单元，以及基于比较所得电压与感测组件处的参考电压来确定与存储器单元相关联的逻辑值。
在一些实例中，包含其任何子组件的存储器控制器1115可在耦合到感测组件的阵列侧和感测组件的参考侧的存储器装置的存取线处产生第一电压，所述第一电压基于存储器装置的存储器单元的充电状态；使存储器装置的存取线与感测组件的阵列侧隔离并存储感测组件基于第一电压的第一读取电压；在存储器装置的存取线处产生第二电压，所述第二电压基于存储器装置的参考电压；且基于对第一读取电压与基于第二电压的第二读取电压的比较来确定与存储器单元相关联的逻辑值。
图12展示根据本公开的各种实施例可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随以及采样保持的存储器控制器1215的框图1200。存储器控制器1215可以是参考图1所描述的存储器控制器150的实例。存储器控制器1215可包含偏压组件1220、定时组件1225、电压选择器1230、存储器单元选择器1235、感测控制器1240以及放大器选择器1245。这些模块中的每一个可直接或间接地彼此通信(例如经由一或多个总线)。
电压选择器1230可发起对电压源的选择以支持存储器装置的各种存取操作。举例来说，电压选择器1230可产生用以启动或去启动各种开关组件的逻辑信号，如参考图4、6和8所描述的开关组件420、620或820。电压选择器1230可产生参考图5、7、9和10所描述的时序图500、700、900或1000的逻辑信号中的一或多个。
举例来说，电压选择器1230可产生信号以将第一电压施加到与存储器单元的第一存取线耦合的电容器的第一节点，且将第二电压施加到电容器的第二节点。在一些情况下，将第一电压施加到电容器的第一节点包含启动耦合在电容器的第一节点与第一电压源之间的开关组件。在将第三电压施加到电容器的第二节点之前，电压选择器1230可产生信号以去启动耦合在电容器的第一节点与第一电压源之间的开关组件。在一些情况下，在选择用于感测操作的存储器单元之前，电压选择器1230可产生信号以将第三电压施加到电容器的第二节点。在一些情况下，将第三电压施加到电容器的第二节点包含启动耦合在电容器的第二节点与第一电压源之间的开关组件。在一些实例中，电压选择器1230可产生信号以在隔离感测组件的第一节点之后将第一电压施加到电容器的第一节点并将第二电压施加到电容器的第二节点。在一些实例中，在选择用于感测操作的存储器单元之后，电压选择器1230可产生信号以将第二电压施加到电容器的第二节点。在一些实例中，在选择用于第二选择操作的存储器单元之前，电压选择器1230可产生信号以将第三电压施加到电容器的第二节点。
在一些实施例中，电压选择器1230可产生信号以将第二电压和第三电压施加到耦合到感测组件的另一电容器的节点，其中参考电压是基于将第二电压和第三电压施加到另一电容器的节点。在一些实施例中，电压选择器1230可产生信号以将第四电压施加到另一电容器的另一节点，其中参考电压是基于将第四电压施加到另一电容器的另一节点。
存储器单元选择器1235可选择用于感测操作的存储器单元。举例来说，存储器单元选择器1235可产生用以启动或去启动如参考图2所描述的选择组件250的选择组件的逻辑信号。存储器单元选择器1235可产生参考图5、7、9和10所描述的时序图500、700、900或1000的字线逻辑信号。存储器单元选择器1235可产生信号以在耦合到感测组件的阵列侧的存储器装置的存取线处产生第一电压，所述第一电压基于存储器装置的存储器单元的充电状态。
在一些实例中，存储器单元选择器1235可产生信号以在存储器装置的存取线处产生第二电压，所述第二电压基于存储器装置的参考电压。在一些实例中，存储器单元选择器1235可产生信号以将选择电压施加到存储器单元的第二存取线以选择用于第二感测操作的存储器单元，其中参考电压是基于选择用于第二感测操作的存储器单元。
感测控制器1240可控制感测组件的各种操作，如参考图1、2、4、6和8所描述的感测组件130。举例来说，感测控制器1240可产生用以启动或去启动隔离组件的逻辑信号，如参考图4、6和8所描述的开关组件420、620或820。感测控制器1240可产生参考图5、7、9和10所描述的时序图500、700、900或1000的iso信号。
举例来说，感测控制器1240可产生信号以使存储器装置的存取线与感测组件的阵列侧隔离以存储感测组件基于第一电压的第一读取电压。在一些实例中，在将信号与参考比较之前，感测控制器1240可产生信号以使感测组件的第一节点与第一存取线隔离，从而在产生参考电压时使所得电压保持在感测组件的第一节点处。
在一些实施例中，感测控制器1240可将第一存取线的所得电压与在感测组件处的参考电压进行比较，其中所得电压是基于选择用于感测操作的存储器单元。感测控制器1240可基于对所得电压与在感测组件处的参考电压的比较来确定与存储器单元相关联的逻辑值，或基于对第一读取电压与第二读取电压的比较来确定与存储器单元相关联的逻辑值。
放大器选择器1245可发起对放大器的选择以支持存储器装置的各种存取操作。举例来说，放大器选择器1245可产生用以启动或去启动各种开关组件的逻辑信号，如参考图4、6和8所描述的开关组件420、620或820。放大器选择器1245可产生参考图5、7、9和10所描述的时序图500、700、900或1000的逻辑信号中的一或多个。
举例来说，放大器选择器1245可产生信号以启用耦合在存储器单元与第一存取线上的感测组件之间的放大器，其中第一存取线的所得电压是基于启用放大器。在一些实例中，放大器选择器1245可产生信号以第二次启用放大器，其中参考电压是基于选择用于第二感测操作的存储器单元和第二次启用放大器。在一些实例中，放大器选择器1245可产生信号以启用耦合在存储器单元与感测组件之间的第一存取线上的第一放大器，其中第一存取线的所得电压是基于启用第一放大器；且启用耦合在参考电压源与感测组件之间的第二放大器，其中参考电压是基于启用第二放大器。
图13展示包含根据本公开的各种实施例可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随以及采样保持的装置1305的系统1300的图式。装置1305可以是如上文(例如参考图1)所描述的存储器装置100的组件的实例或包含所述组件。装置1305可包含用于双向通信的组件，所述组件包含用于发射和接收通信的组件，包含存储器控制器1315、存储器单元1320、基本输入/输出系统(bios)组件1325、处理器1330、i/o控制器1335以及外围装置组件1340。这些组件可经由一或多个总线(例如总线1310)进行电子通信。
存储器控制器1315可操作如本文中所描述的一或多个存储器单元具体来说，存储器控制器1315可被配置成支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随以及采样保持。在一些情况下，存储器控制器1315可包如参考图1所描述的含行解码器、列解码器或两者(未展示)。
存储器单元1320可以是参考图1到11所描述的存储器单元105或1110的实例，且可存储如本文中所描述的信息(即呈逻辑状态的形式)。
bios组件1325是一种包含操作为固件的软件组件，所述固件可初始化且运行各种硬件组件。bios组件1325还可控制处理器与例如外围装置组件、输入/输出控制组件等各种其它组件之间的数据流。bios组件1325可包含存储在只读存储器(rom)、快闪存储器或任何其它非易失性存储器中的程序或软件。
处理器1330可包含智能硬件装置(例如通用处理器、dsp、中央处理单元(cpu)、微控制器、asic、fpga、可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑组件、离散硬件组件或其任何组合)。在一些情况下，处理器1330可被配置成使用存储器控制器来操作存储器阵列。在其它情况下，存储器控制器可集成到处理器1330中。处理器1330可被配置成执行存储在存储器中的计算机可读指令以执行各种功能(例如支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随以及采样保持的功能或任务)。
i/o控制器1335可管理装置1305的输入和输出信号。i/o控制器1335还可管理未集成到装置1305中的外围装置。在一些情况下，i/o控制器1335可表示到外部外围装置的物理连接或端口。在一些情况下，i/o控制器1335可利用如
外围装置组件1340可包含任何输入或输出装置，用于这类装置的接口。实例可包含磁盘控制器、声音控制器、图形控制器、以太网控制器、调制解调器、通用串行总线(usb)控制器、串行或并行端口，或外围装置卡槽(如外围装置组件互连(pci)或加速图形端口(agp)卡槽)。
输入1345可表示在将输入提供到装置1305或其组件的装置1305外部的装置或信号。这可以包含用户接口或与其它装置的接口或在其它装置之间的接口。在一些情况下，输入1345可由i/o控制器1335管理，且可经由外围装置组件1340与装置1305交互。
输出1350可表示在被配置成从装置1305或其组件中的任一个接收输出的装置1305外部的装置或信号。输出1350的实例可包含显示器、音频扬声器、打印装置、另一处理器或印刷电路板等。在一些情况下，输出1350可以是经由外围装置组件1340与装置1305对接的外围装置元件。在一些情况下，输出1350可由i/o控制器1335管理。
装置1305的组件可包含被设计成实施其功能的电路。这可以包含被配置成实施本文中所描述的功能的各种电路元件，例如，导线、晶体管、电容器、电感器、电阻器、放大器或其它有源或无源元件。装置1305可以是计算机、服务器、手提式计算机、笔记本计算机、平板计算机、移动电话、可穿戴电子装置、个人电子装置或类似物。或装置1305可以是这种装置的部分或方面。
图14展示说明根据本公开的各种实施例可支持用于存取存储器单元的自我升压、源极跟随以及采样保持的方法1400的流程图。方法1400的操作可由存储器装置100、存储器装置1105、装置1305或其如本文中所描述的组件来实施。举例来说，方法1400的操作可由如参考图1到13所描述的存储器控制器来执行。在一些实例中，存储器装置可执行一组代码来控制装置的功能元件以执行下文所描述的功能。另外地或可替代地，存储器装置可使用专用硬件来执行下文所描述功能中的一些或所有。
在区块1405处，存储器装置可将第一电压施加到耦合到存储器单元的第一存取线的电容器的第一节点。在一些实例中，将第一电压施加到电容器的第一节点可包含启动耦合在电容器的第一节点与第一电压源之间的开关组件。可根据参考图4到10所描述的方法来执行区块1405的操作。在某些实例中，区块1405的操作中的一些或所有可由如参考图12所描述的电压选择器1230来执行。
在区块1410处，存储器装置可将第二电压施加到电容器的第二节点。可根据参考图4到10所描述的方法来执行区块1410的操作。在某些实例中，区块1410的操作中的一些或所有可由如参考图12所描述的电压选择器1230来执行。
在区块1415处，在选择用于感测操作的存储器单元之前，存储器装置可将第三电压施加到电容器的第二节点。一些实例可包含在将第三电压施加到电容器的第二节点之前，去启动耦合在电容器的第一节点与第一电压源之间的开关组件。在一些情况下，将第三电压施加到电容器的第二节点包含启动耦合在电容器的第二节点与第一电压源之间的开关组件。可根据参考图4到10所描述的方法来执行区块1415的操作。在某些实例中，区块1415的操作中的一些或所有可由如参考图12所描述的电压选择器1230来执行。
在区块1420处，存储器装置可选择用于感测操作的存储器单元。在一些情况下，方法还可包含启用耦合在存储器单元与第一存取线上的感测组件之间的放大器，这可包含启动耦合在放大器与电压源之间的开关组件。可根据参考图4到10所描述的方法来执行区块1420的操作。在某些实例中，区块1420的操作中的一些或所有可由如参考图12所描述的存储器单元选择器1235来执行。
在区块1425处，存储器装置可将第一存取线的所得电压与在感测组件处的参考电压进行比较，其中所述所得电压至少部分地基于将第一电压和第三电压施加到电容器且至少部分地基于选择用于感测操作的存储器单元。可根据参考图4到10所描述的方法来执行区块1425的操作。在某些实例中，区块1425的操作中的一些或所有可由如参考图12所描述的感测控制器1240来执行。
在区块1430处，存储器装置可至少部分地基于对所得电压与在感测组件处的参考电压的比较来确定与存储器单元相关联的逻辑值。可根据参考图4到10所描述的方法来执行区块1430的操作。在某些实例中，区块1430的操作中的一些或所有可由如参考图12所描述的感测控制器1240来执行。
图15展示说明根据本公开的各种实施例可支持用于存取存储器单元的采样保持的方法1500的流程图。方法1500的操作可由存储器装置100、存储器装置1105、装置1305或其如本文中所描述的组件来实施。举例来说，方法1500的操作可由如参考图1、11或13所描述的存储器控制器来执行。在一些实例中，存储器装置可执行一组代码来控制装置的功能元件以执行下文所描述的功能。另外地或可替代地，存储器装置可使用专用硬件来执行下文所描述功能中的一些或所有。
在区块1505处，存储器装置可在耦合到感测组件的阵列侧和感测组件的参考侧的存储器装置的存取线处产生第一电压，所述第一电压至少部分地基于存储器装置的存储器单元的充电状态。可根据参考图4到10所描述的方法来执行区块1505的操作。在某些实例中，区块1505的操作中的一些或所有可由如参考图12所描述的电压选择器1230来执行。
在区块1510处，存储器装置可使存储器装置的存取线与感测组件的阵列侧隔离以存储感测组件至少部分地基于第一电压的第一读取电压。可根据参考图4到10所描述的方法来执行区块1510的操作。在某些实例中，区块1510的操作中的一些或所有可由如参考图12所描述的感测控制器1240来执行。
在区块1515处，存储器装置可在存储器装置的存取线处产生第二电压，所述第二电压至少部分地基于存储器装置的参考电压。可根据参考图4到10所描述的方法来执行区块1515的操作。在某些实例中，区块1515的操作中的一些或所有可由如参考图12所描述的电压选择器1230来执行。
在区块1520处，存储器装置可至少部分地基于对第一读取电压与至少部分地基于第二电压的第二读取电压的比较来确定与存储器单元相关联的逻辑值。可根据参考图4到10所描述的方法来执行区块1520的操作。在某些实例中，区块1520的操作中的一些或所有可由如参考图12所描述的感测控制器1240来执行。
应注意，上文所描述的方法描述可能的实施方案，且操作和步骤可经重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自所述方法中的两者或更多者的实施例。
本文中的描述提供实例且并不限制在权利要求书中所阐述的范围、适用性或实例。可在不脱离本公开的范围的情况下对论述的元件的功能和布置作出改变。各种实例可在适当时省略、替代或添加各种程序或组件。此外，关于一些实例描述的特征可在其它实例中加以组合。
如本文中所使用，术语“虚拟接地”是指保持大约零伏(0v)电压的电路的节点，或更通常而言表示可或可不直接与接地端耦合的电路或包含所述电路的装置的参考电压。因此，虚拟接地的电压可在稳定状态下暂时波动且回到大约0v，或虚拟0v。可使用例如由运算放大器和电阻器组成的分压器的各种电子电路元件实施虚拟接地。其它实施方案也是有可能的。“虚拟接地”或“虚拟地接地”是指连接到大约0v。
术语“电子通信”和“耦合”是指支持组件之间的电子流的组件之间的关系。此可包含组件之间的直接连接或耦合或可包含中间组件。换句话说，“与…连接”或“与…耦合”的组件与彼此电子通信。在电子通信中组件可(例如，在带电电路中)主动地交换电子或信号或(例如，在断电电路中)可不主动地交换电子或信号，但可配置且可操作以在电路通电时交换电子或信号。通过实例，经由开关(例如，晶体管)实体地连接或耦合的两个组件在电子通信，与开关的状态(即，打开或闭合)无关。
术语“隔离”是指其中电子当前不能够在组件之间流动的所述组件之间的关系；如果组件之间存在断开电路，那么所述组件彼此隔离。举例来说，通过开关实体地耦合的两个组件可在打开开关时与彼此分离。
如本文中所使用，术语“短接”是指其中在组件之间经由启动所讨论的两个组件之间的单个中间组件来建立导电路径的组件之间的关系。举例来说，短接到第二组件的第一组件可当两个组件之间的开关闭合时与第二组件交换电子。因此，短接可为实现电子通信中的组件(或线)之间的电压和/或电荷流的应用的动态操作。
本文中所论述包含存储器装置100的装置可形成在例如矽、锗、矽锗合金、砷化镓、氮化镓等的半导体衬底上。在一些情况下，衬底为半导体晶片。在其它情况下，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包括(但不限于)磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂，控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入，或通过任何其它掺杂方法，执行掺杂。
本文中所论述的晶体管可表示场效应晶体管(fet)，且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。端子可经由例如金属的导电材料与其它电子元件耦合。源极和漏极可为导电的，且可包括经重掺杂(例如，简并)半导体区。源极与漏极可通过经轻掺杂半导体区或沟道分隔开。如果沟道是n型(即，大部分载体为电子)，那么fet可以被称作n型fet。如果沟道是p型(即，大部分载体为电洞)，那么fet可以被称作p型fet。沟道可由绝缘栅极氧化物端封。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。举例来说，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可导致沟道变得导电。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“接通”或“启动”。当小于晶体管的阈值电压的电压施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“去启动”。
本文结合附图阐述的实施方式描述实例配置，且并不表示可实施或在权利要求书的范围内的所有实例。如本文中所使用，术语“实例”、“示例性”和“实施例”意味着“充当实例、例子或说明”且不“优于”或“优越于其它实例”。出于提供对所描述的技术的理解的目的，具体实施方式包含特定细节。然而，可在没有此等具特定细节之情况下实践此等技术。在一些例子中，以框图的形式展示众所周知的结构和装置以便避免混淆所描述的实例的概念。
在随附图式中，类似组件或特征可具有相同参考标记。此外，可以通过在参考标签后面跟着短划线和区分类似组件的第二标签来区分相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一者，与第二参考标记无关。
可使用多种不同技术和技艺中的任一者来表示本文中所公开的信息和信号。举例来说，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信号说明单个信号；然而，所属领域的一般技术人员将理解，所述信号可表示信号总线，其中所述总线可具有多种位宽度。
结合本文中的揭示内容所描述的各种说明性块、组件和模块可使用经设计以执行本文中所描述的功能的通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可以是微处理器，但在替代方案中，处理器可以是任何常规处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一或多个微处理器，或任何其它此种配置)。
本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合来实施。如果以由处理器执行的软件来实施，那么可将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体予以传输。其它实例和实施在本公开和所附权利要求书的范围内。例如，归因于软件的性质，上文所描述的功能可使用由处理器、硬件、固件、硬连线或这些中的任何者的组合执行的软件实施。实施功能的特征也可实体地位于各个位置处，包含分布以使得功能的部分在不同实体位置处实施。并且，如本文中所使用，包含在权利要求书中，项目的列表(例如，以例如“中的至少一者”或“中的一或多者”的短语开始的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)a、b或c中的至少一者的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。
如本文中所使用，术语“基本上”是指经修饰特征(例如由术语基本上修饰的动词或形容词)不必绝对但足够接近以便获得特性的优点。
如本文中所使用，词组“基于”不应理解为提及一组封闭条件。举例来说，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储媒体以及包含促进将计算机程序从一处传递到另一处的任何媒体的通信媒体两者。非暂时性存储媒体可以是可由通用或专用计算机存取的任何可用媒体。借助于实例而非限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用以携载或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码装置且可由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性媒体。此外，适当地将任何连接称作计算机可读媒体。举例来说，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源传输软件，那么所述同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或例如红外线、无线电和微波的无线技术包含在媒体的定义中。如本文所使用，磁盘和光盘包含cd、激光光盘、光学光盘、数字多功能光盘(dvd)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘使用激光以光学方式再现数据。以上各项的组合也包含在计算机可读媒体的范围内。
提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域的技术人员将易于显而易见对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而是应符合与本文中所公开的原理和新颖特征相一致的最广范围。
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