一种只读存储器的数据读写方法和数据读取装置与流程

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种只读存储器的数据读写方法和数据读取装置。

背景技术：

rom(readonlymemory，只读存储器)单元时用于存储信息的最小rom器件，通常1个rom单元只能存储1比特信息，即一个rom单元只能表现为“0”和“1”这两种状态之一。目前多个rom单元可以通过一条位线连接，并经由该位线读取rom单元中存储的信息。

由于rom单元的源极经过rom单元后与位线连接会导致rom单元漏电，因此会使得位线上的电压被拉低，进而会导致不能准确的读取该位线存“1”的rom单元。由此，如何降低只读存储器中的漏电流是目前亟待解决的问题。

技术实现要素：

有鉴于此,本发明实施例提供一种只读存储器的数据读写方法和数据读取装置，以减小只读存储器的漏电流，从而提高数据读取的可靠性。

第一方面，本发明实施例提供一种只读存储器的数据读写方法，所述方法包括：

确定写入同一位线上的只读存储单元的待存储数据中第一值的数量和第二值的数量；

响应于所述待存储数据中第一值的数量小于第二值的数量，将第一值转换为第二值写入对应的只读存储单元，将第二值转换为第一值写入对应的只读存储单元。

进一步地，所述方法还包括：

响应于所述位线上的只读存储单元中的存储数据经过数值转换，控制使得所述位线上的只读存储单元的字线与对应的第一选择线连接，参考线与对应的第二选择线连接；

响应于所述位线上的只读存储单元中的存储数据未经过数值转换，控制使得所述位线上的只读存储单元的字线与对应的第二选择线连接，所述参考线与对应的第一选择线连接。

进一步地，所述方法还包括：

响应于所述位线上的只读存储单元中的存储数据经过数值转换，控制第一状态开关导通，第二状态开关关断，以使得在读数据时将读取的数据经过数值转换后输出；

响应于所述位线上的只读存储单元中的存储数据未经过数值转换，控制第一状态开关关断，第二状态开关导通，以在读数据时将读取的数据输出。

进一步地，所述方法还包括：

读取所述位线上的只读存储单元中存储的数据。

进一步地，读取所述位线上的只读存储单元中存储的数据包括：

根据所述位线上的只读存储单元的字线、参考线、第一选择线和第二选择线之间的连接方式确定开关控制信号；

根据所述开关控制信号控制第一输出电路或第二输出电路导通，以输出实际存储的数据；

其中，在所述第一输出电路受控导通时，将从对应的只读存储单元中读取的数据经过数值转换后输出，在所述第二输出电路受控导通时，将从对应的只读存储单元中读取的数据输出。

进一步地，所述开关控制信号包括第一控制信号和第二控制信号，根据所述位线上的只读存储单元的字线、参考线、第一选择线和第二选择线之间的连接方式确定开关控制信号包括：

在所述位线上的只读存储单元的字线与对应的第一选择线连接、所述参考线与对应的第二选择线连接时，使得所述第一控制信号有效，第二控制信号无效；

在所述位线上的只读存储单元的字线与对应的第二选择线连接、所述参考线与对应的第一选择线连接时，使得所述第一控制信号无效，第二控制信号有效。

进一步地，根据所述开关控制信号控制第一输出电路或第二输出电路导通包括：

响应于所述第一控制信号有效、第二控制信号无效，控制所述第一输出电路导通；

响应于所述第一控制信号无效，第二控制信号有效，控制所述第二输出电路导通。

第二方面，本发明实施例提供一种只读存储器的数据读取装置，所述装置包括：

读取电路，被配置为读取位线上的只读存储单元中的数据；

控制电路，被配置为响应于所述位线上的数据经过数值转换，将读取的数据经过数值转换后输出，响应于所述位线上的数据未经过数值转换，将读取的数据输出；

其中，位于同一位线上的存第一值的只读存储单元的数量大于存第二值的只读存储单元的数量。

进一步地，所述控制电路包括：

控制信号生成电路，被配置为根据所述位线上的只读存储单元的字线、参考线、第一选择线和第二选择线之间的连接方式确定开关控制信号；

第一输出电路，被配置为根据所述开关控制信号导通或关断；

第二输出电路，被配置为根据所述开关控制信号导通或关断；

其中，在所述第一输出电路受控导通时，将从对应的只读存储单元中读取的数据经过数值转换后输出，在所述第二输出电路受控导通时，将从对应的只读存储单元中读取的数据输出。

进一步地，所述第一输出电路包括：

第一状态开关，与所述读取电路连接，被配置为在所述位线上的只读存储单元中的存储数据经过数值转换时处于导通状态，在所述位线上的只读存储单元中的存储数据未经过数值转换时处于关断状态；

第一开关电路，与所述第一状态开关连接，被配置为受控于开关控制信号导通或关断；

所述第二输出电路包括：

第二状态开关，与所述读取电路连接，被配置为在所述位线上的只读存储单元中的存储数据经过数值转换时处于关断状态，在所述位线上的只读存储单元中的存储数据未经过数值转换时处于导通状态；

第二开关电路，与所述第二状态开关连接，被配置为受控于开关控制信号导通或关断。

进一步地，所述开关控制信号包括第一控制信号和第二控制信号；

所述控制信号生成电路包括：

第一开关，被配置为在导通时连接所述位线上的只读存储单元的字线与对应的第一选择线；

第二开关，被配置为在导通时连接所述位线上的只读存储单元的字线与对应的第二选择线；

第三开关，被配置为在导通时连接参考线和对应的第一选择线；

第四开关，被配置为在导通时连接参考线和对应的第二选择线；以及

逻辑电路，被配置为在所述第一开关和第四开关导通，第二开关和第三开关关断时，输出有效的第一控制信号和无效的第二控制信号，在所述第一开关和第四开关关断，第二开关和第三开关导通时，输出无效的第一控制信号和有效的第二控制信号。

进一步地，所述第一开关电路被配置为响应于所述第一控制信号有效、第二控制信号无效受控导通，响应于所述第一控制信号无效、所述第二控制信号有效受控关断；

所述第一开关电路被配置为响应于所述第一控制信号无效、第二控制信号有效受控导通，响应于所述第一控制信号有效、所述第二控制信号无效受控关断。

本发明实施例的技术方案通过在确定写入同一位线上的只读存储单元的待存储数据中第一值的数量小于第二值后，将第一值转换为第二值写入对应的只读存储单元，将第二值转换为第一值写入对应的只读存储单元，以减小只读存储器的漏电流，由此，可以提高数据读取的可靠性。

附图说明

通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1是现有技术的只读存储器的示意图；

图2是本发明实施例的只读存储器的示意图；

图3是本发明实施例的数据读取装置的示意图；

图4是本发明实施例中的控制信号生成电路的电路图；

图5是本发明实施例的输出电路的电路图；

图6是本发明实施例的只读存储器的写数据方法的流程图；

图7是本发明实施例的只读存储器的读数据方法的流程图。

具体实施方式

以下基于实施例对本发明进行描述，但是本发明并不仅仅限于这些实施例。在下文对本发明的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本发明。为了避免混淆本发明的实质，公知的方法、过程、流程、元件和电路并没有详细叙述。

此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。

同时，应当理解，在以下的描述中，“电路”是指由至少一个元件或子电路通过电气连接或电磁连接构成的导电回路。当称元件或电路“连接到”另一元件或称元件/电路“连接在”两个节点之间时，它可以是直接耦接或连接到另一元件或者可以存在中间元件，元件之间的连接可以是物理上的、逻辑上的、或者其结合。相反，当称元件“直接耦接到”或“直接连接到”另一元件时，意味着两者不存在中间元件。

除非上下文明确要求，否则整个说明书和权利要求书中的“包括”、“包含”等类似词语应当解释为包含的含义而不是排他或穷举的含义；也就是说，是“包括但不限于”的含义。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

图1是现有技术的只读存储器的示意图。如图1所示，只读存储器中的一个位线bl上连接有256个只读存储单元r0-r255，写入的数据wl为：

也就是说，只读存储单元r255存储的数据为第一值“1”，只读存储单元r0-r244中存储的数据均为第二值“0”。在不读取位线bl上连接的只读存储单元中的数据时，位线bl为低电平，在读数据开始后，先对位线进行充电至高电平，再通过只读存储单元对位线进行下拉放电，基于下拉后位线上的电压取值来判断只读存储单元中存储的信息并读取。如图1所示，只读存储单元r0-r244的一端接地，也即接地端通过只读存储单元r0-r244与位线连接，这使得存储“0”的只读存储单元r0-r244产生漏电流，拉低了位线电压，进而可能导致在误读只读存储单元r255中的数据的情况。由此，本实施例提供一种只读存储器的读写方法，以减小存只读存储器的漏电流，从而提高数据读取的可靠性。

图2是本发明实施例的只读存储器的示意图。如图2所示，只读存储器中的一个位线bl'上连接有256个只读存储单元r'0-r'255，待写入的数据wl为：

由于待写入的数据wl中的第一值“1”的数量小于第二值“0”的数量，由此，在写入只读存储器之前，先将第一值“1”转换为第二值“0”，将第二值“0”转换为第一值“1”，得到数据wl'：

将经过数值转换后得到的数据wl'写入只读存储单元r'0-r'255中，也就是说，只读存储单元r255存储的数据为第二值“0”，只读存储单元r0-r244中存储的数据均为第一值“1”。在读取位线bl'上连接的只读存储单元r'0-r'255中存储的数据时，由于位线上连接的只读存储器存储第二值“0”的数量减小，由此，大大减小只读存储器的漏电流，提高了读第一值“1”的可靠性。之后，将从只读存储单元r'0-r'255中读取的数据经过反相器inv后获得实际存储的数据wl。

本实施例通过在确定写入同一位线上的只读存储单元的待存储数据中第一值的数量小于第二值后，将第一值转换为第二值写入对应的只读存储单元，将第二值转换为第一值写入对应的只读存储单元，以减小只读存储器的漏电流，由此，可以提高数据读取的可靠性。

图3是本发明实施例的数据读取装置的示意图。如图3所示，本实施例以只读存储器中包括4条位线(位线bl0-bl3)为例，且每条位线上只示出了与该位线连接的一个只读存储单元，应理解，图示中的只读存储器仅仅是示例性的，本实施例并不对此进行限制。

本实施例的数据读取装置3包括读取电路31和控制电路32。其中，读取电路31被配置为读取位线上的只读存储单元中的数据。在一种可选的实现方式中，以读取位线bl0上的数据为例，读取电路31被配置为对位线bl0进行充电，以使得位线bl0上的电压达到预定的高电平，并控制位线bl0上的只读存储单元对位线进行下拉放电，基于下拉后位线上的电压取值获取只读存储单元中存储的信息并输出该存储单元至控制电路32。

控制电路32被配置为响应于对应的位线上的数据经过数值转换，将读取的数值经过数值转换后输出，响应于该位线上的数据未经过数值转换，将读取的数据输出。其中，位于同一位线上的存第一值“1”的只读存储单元的数量大于存第二值“0”的只读存储单元的数量。

在本实施例中，在将待存储数据写入只读存储器之前，判断将写入位于同一位线的只读存储器的待存储数据中的第一值“1”的数量是否大于第二值“0”的数量。在待存储数据中的第一值“1”的数量大于或等于第二值“0”的数量时，将待存储数据写入只读存储器。在待存储数据中的第一值“1”的数量小于第二值“0”的数量时，将待存储数据中的第一值“1”转换为第二值“0”，将第二值“0”转换为第一值“1”，然后将经过数值转换后的待存储数据写入只读存储器中。由此，可以使得在只读存储器中位于同一位线上的存第一值“1”的只读存储单元的数量大于存第二值“0”的只读存储单元的数量。

在一种可选的实现方式中，控制电路32包括控制信号生成电路321、第一输出电路322和第二输出电路323。

其中，控制信号生成电路321被配置为根据所要读取的位线上的只读存储单元的字线ysaj、参考线tie0、第一选择线nj和第二选择线pj之间的连接方式确定开关控制信号。其中，j为大于等于0的整数，只读存储器中位线的数量为j+1。

第一输出电路322被配置为根据开关控制信号导通或关断。第二输出电路323被配置为根据开关控制信号导通或关断。其中，在第一输出电路322受控导通时，将从对应的只读存储单元中读取的数据经过数值转换后输出，在第二输出电路受控导通时，将从对应的只读存储单元中读取的数据输出，由此，可以获得只读存储单元中实际存储的数据。

在一种可选的实现方式中，在同一位线上的只读存储单元中的存储数据经过数值转换时，该位线上的只读存储单元的字线ysaj与对应的第一选择线nj连接，参考线tie0与对应的第二选择线pj连接。由此，在读取该位线上的只读存储单元中的存储数据时，控制信号生成电路321生成有效的开关控制信号，以使得第一输出电路322导通，进而将从对应的只读存储单元中读取的数据转换后输出。

在位线上的只读存储单元中的存储数据未经过数值转换时，该位线上的只读存储单元的字线ysaj与对应的第二选择线pj连接，参考线tie0与对应的第一选择线nj连接。由此，在读取该位线上的只读存储单元中的存储数据时，控制信号生成电路321生成无效的开关控制信号，以使得第二输出电路323导通，进而将从对应的只读存储单元中读取的数据输出。

在一种可选的实现方式中，第一输出电路322包括第一状态开关s1和第一开关电路322a。第二输出电路322包括第二状态开关s2和第二开关电路323a。

应理解，只读存储器中的每条位线均具有对应的第一状态开关s1和第二状态开关s2。其中第一状态开关s1和第二开关状态s2均与读取电路31连接。在将待存储数据写入只读存储器中时，若待存储数据经过数字转换，对应的第一状态开关s1受控导通，对应的第二状态开关s2受控关断，若待存储数据未经过数值转换，对应的第一状态开关s1受控关断，对应的第二状态开关s2受控导通。

第一开关电路322a与第一状态开关s1连接，被配置为受控于有效的开关控制信号导通，以将从对应的只读存储单元中读取的数据经过数值转换后输出。第二开关电路323a与第二状态开关s2连接，被配置为受控于无效的开关控制信号导通，以将从对应的只读存储单元中读取的数据输出。由此，本实施例的数据读取装置可以读取只读存储单元中存储的实际数据，并且，由于同一位线上的存储第一值“1”的只读存储单元数量大于存储第二值“0”的数量，减小了只读存储器的漏电流，进而提高了数据读取的可靠性。

图4是本发明实施例中的控制信号生成电路的电路图。在一种可选的实现方式中，如图4所示，控制信号生成电路321包括控制只读存储单元的字线ysaj与第一选择线nj连接的第一开关s1'、控制只读存储单元的字线ysaj与第二选择线pj连接的第一开关s2'、控制参考线tie0和第一选择线nj连接的第三开关s3'、控制参考线tie0和第二选择线pj连接的第三开关s4'、以及逻辑电路321a。

本实施例以只读存储器包括4条位线bl0-bl3、4条第一选择线n0-n3、4条第二选择线p0-p3、1条参考线tie0为例，其中，位线bl0-bl3上的只读存储单元的字线分别为字线ysa0-ysa3，参考线tie0为低压线。

逻辑电路321a包括或非门电路nor1-nor4、与非门电路nand1和nand2。其中，或非门电路nor1的输入端分别与第二选择线p0和p1连接，或非门nor2的输入端分别与第二选择线p2和p3连接，与非门电路nand1的输入端分别与或非门电路nor1和nor2的输出端连接，输出端输出第二控制信号nml。或非门电路nor3的输入端分别与第一选择线n0和n1连接，或非门nor4的输入端分别与第一选择线n2和n3连接，与非门电路nand2的输入端分别与或非门电路nor3和nor4的输出端连接，输出端输出第一控制信号ins。也即，在本实施例中，上述控制第一输出电路322和第二输出电路323的开关控制信号包括第一控制信号ins和第二控制信号nml。其中，第一控制信号ins有效且第二控制信号nml无效时，第一输出电路322受控导通，将从对应的只读存储单元中读取的数据经过数值转换后输出。第一控制信号ins无效且第二控制信号nml有效时，第二输出电路323受控导通，将从对应的只读存储单元中读取的数据输出。

在本实施例中，在同一位线上的只读存储单元中的存储数据经过数值转换时，该位线上的只读存储单元的字线ysaj与对应的第一选择线nj连接，参考线tie0与对应的第二选择线pj连接。在同一位线上的只读存储单元中的存储数据未经过数值转换时，该位线上的只读存储单元的字线ysaj与对应的第二选择线pj连接，参考线tie0与对应的第一选择线nj连接。

例如，假设位线bl1上的只读存储单元中的存储数据经过数值转换，位线bl0、bl2和bl3上的只读存储单元中的存储数据未经过数值转换。则位线bl1对应的第一开关s1'导通、参考线tie0对应的第四开关s4'导通，也即，位线bl1上的只读存储单元的字线ysa1与第一选择线n1连接，参考线tie0与第二选择线p0-p3连接。由此，在读取位线bl1上的只读存储单元中的存储数据时，字线ysa1的电压为高电平，从而使得第一选择线n1上的电压为高电平，与非门电路nand2输出有效的第一控制信号ins。由于参考线tie0为低压线，与非门电路nand1输出无效的第二控制信号nml。由此，第一输出电路322受控导通，将从位线bl1上的只读存储单元中读取的数据经过数值转换后输出。

位线bl0、bl2和bl3对应的第二开关s2'导通、参考线tie0对应的第三开关s3'导通，也即，位线bl0、bl2和bl3上的只读存储单元的字线ysa0、ysa1和ysa3分别与第二选择线p0、p1和p2连接，对应的参考线tie0与第一选择线n0-n3连接。由此，在读取位线bl0上的只读存储单元中的存储数据时，字线ysa0的电压为高电平，从而使得第二选择线p0上的电压为高电平，与非门电路nand1输出有效的第二控制信号nml。由于参考线tie0为低压线，与非门电路nand2输出无效的第一控制信号ins。由此，第二输出电路323受控导通，将从位线bl0上的只读存储单元中读取的数据输出。读取位线bl2和位线bl3上对应的存储数据与读取位线bl0上对应的存储数据类似，在此不再赘述。

图5是本发明实施例的输出电路的电路图。如图5所示，第一输出电路322包括第一状态开关s1和第一开关电路322a。其中，第一状态开关s1被配置为在写数据时受控导通或关断。第一开关电路322a包括开关q1和反相器inv1。开关q1包括晶体管q1和q2，其中晶体管q1受控于有效的第一控制信号ins导通，晶体管q2受控于无效的第二控制信号nml导通。由此，在读取同一位线上的只读存储单元中的存储数据时，若写入该位线上的只读存储单元的数据经过数值转换，对应的第一状态开关s1导通，并且在读取该位线上对应的存储数据时，控制信号生成电路321输出的第一控制信号ins有效，第二控制信号nml无效，由此，开关q1受控导通，读取的数据经过反相器inv1后输出。由此，可以读取实际存储的数据，提高了只读存储器的可靠性。

第二输出电路322包括第二状态开关s2和第一开关电路323a。其中，第二状态开关s2被配置为在写数据时受控导通或关断。第二开关电路323a包括开关q2。开关q2包括晶体管q3和q4，其中晶体管q3受控于无效的第一控制信号ins导通，晶体管q2受控于有效的第二控制信号nml导通。由此，在读取同一位线上的只读存储单元中的存储数据时，若写入该位线上的只读存储单元的数据未经过数值转换，对应的第二状态开关s2导通，并且在读取该位线上对应的存储数据时，控制信号生成电路321输出的第一控制信号ins无效，第二控制信号nml有效，由此，开关q2受控导通，将读取的数据输出。由此，可以读取实际存储的数据，提高了只读存储器的可靠性。

本实施例公开了一种只读存储器的数据读写方法和数据读取装置，通过在确定写入同一位线上的只读存储单元的待存储数据中第一值的数量小于第二值后，将第一值转换为第二值写入对应的只读存储单元，将第二值转换为第一值写入对应的只读存储单元，以减小只读存储器的漏电流，由此，可以提高数据读取的可靠性。

应理解，本实施例中的控制信号生成电路321、第一输出电路322以及第二输出电路323仅仅是示例性的，能够实现上述功能的控制信号生成电路以及输出电路均可应用于本实施例中。

图6是本发明实施例的只读存储器的写数据方法的流程图。如图6所示，本实施例的只读存储器的写数据方法包括以下步骤：

步骤s110，确定写入同一位线上的只读存储单元的待存储数据中第一值的数量和第二值的数量。例如，待存储数据为1100001000101001，则第一值“1”的数量为6，第二值“0”的数量为10。

步骤s120，响应于待存储数据中第一值的数量小于第二值的数量，将第一值转换为第二值写入对应的只读存储单元，将第二值转换为第一值写入对应的只读存储单元。例如，待存储数据为1100001000101001，其第一值“1”的数量小于第二值“0”的数量，则将待存储数据转换为0011110111010110，将0011110111010110存储至对应的位线上的只读存储单元中。

由此，本实施例过在确定写入同一位线上的只读存储单元的待存储数据中第一值的数量小于第二值后，将第一值转换为第二值写入对应的只读存储单元，将第二值转换为第一值写入对应的只读存储单元，以减少同一位线上存储第二值的数量，从而减小只读存储器中的漏电流，由此，可以提高数据读取的可靠性。

在一种可选的实现方式中，本实施例的写数据方法还包括以下步骤：

响应于上述位线上的只读存储单元中的存储数据经过数值转换，控制使得该位线上的只读存储单元的字线与对应的第一选择线连接，参考线与对应的第二选择线连接。可选的，参考线为低压线。

响应于上述位线上的只读存储单元中的存储数据未经过数值转换，控制使得该位线上的只读存储单元的字线与对应的第二选择线连接，所述参考线与对应的第一选择线连接。

在一种可选的实现方式中，本实施例的写数据方法还包括以下步骤：

响应于同一位线上的只读存储单元中的存储数据经过数值转换，控制第一状态开关导通，第二状态开关关断，以使得在读数据时将读取的数据经过转化后输出。

响应于同一位线上的只读存储单元中的存储数据未经过数值转换，控制第一状态开关关断，第二状态开关导通，以在读数据时将读取的数据输出。

由此，可以使得在读取同一位线上对应的存储数据时，可以通过位线上的只读存储单元的字线、第一连接线、第二连接线以及参考线的连接方式，生成对应的开关控制信号，由此，可以根据对应的开关控制信号以及对应的状态开关的导通或关断输出实际存储的数据，提高了只读存储单元的可靠性。

图7是本发明实施例的只读存储器的读数据方法的流程图。如图7所示，本实施例的只读存储器的读数据方法包括以下步骤：

步骤s210，根据同一位线上的只读存储单元的字线、参考线、第一选择线和第二选择线之间的连接方式确定开关控制信号。

在一种可选的实现方式中，在写数据时，根据待存储数据中的第一值和第二值的数量确定是否需要数值转换，在写入经过数值转换的待存储数据时，对应的位线上的只读存储单元的字线与第一选择线连接，参考线与第二选择线连接，在写入无需经过数值转换的待存储数据时，对应的位线上的只读存储单元的字线与第二选择线连接，参考线与第一选择线连接。由此，在进行读数据时，可以根据同一位线上的只读存储单元的字线、参考线、第一选择线和第二选择线之间的连接方式确定开关控制信号。

步骤s220，根据开关控制信号控制第一输出电路或第二输出电路导通，以输出实际存储的数据。其中，在第一开关输出电路受控导通时，将从对应的只读存储单元中读取的数据转换后输出，在第二输出电路受控导通时，将从对应的只读存储单元中读取的数据输出。由此，可以输出实际存储的数据，提高了只读存储单元的可靠性。

在一种可选的实现方式中，开关控制信号包括第一控制信号和第二控制信号。

根据同一位线上的只读存储单元的字线、参考线、第一选择线和第二选择线之间的连接方式确定开关控制信号进一步包括以下步骤：

在该位线上的只读存储单元的字线与对应的第一选择线连接、参考线与对应的第二选择线连接时，使得第一控制信号有效，第二控制信号无效。在该位线上的只读存储单元的字线与对应的第二选择线连接、参考线与对应的第一选择线连接时，使得第一控制信号无效，第二控制信号有效。

进一步地，根据开关控制信号控制第一开关电路或第二开关电路导通具体包括：

响应于第一控制信号有效、第二控制信号无效，控制第一输出电路导通，以将从该位线上的只读存储单元中读取的数据经过数值转换后输出。

响应于第一控制信号无效，第二控制信号有效，控制第二输出电路导通，以将从该位线上的只读存储单元中读取的数据输出。

本实施例根据同一位线上的只读存储单元的字线、参考线、第一选择线和第二选择线之间的连接方式确定开关控制信号，并根据开关控制信号控制第一输出电路或第二输出电路导通，以在第一输出电路导通时控制从同一位线上的只读存储单元中读取的数据经过数值转换后输出，在第二输出电路导通时控制从同一位线上的只读存储单元中读取的数据输出，由此，可以精确地读取只读存储单元中实际存储的数据，从而提高了数据读取的可靠性。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域技术人员而言，本发明可以有各种改动和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。