1.一种一次性可编程otp存储电路，包括：
熔丝阵列，被配置为：输出多个熔丝组中的与熔丝地址相对应的熔丝组的熔丝数据；以及
熔丝地址生成电路，被配置为：生成所述熔丝地址用以在所述熔丝阵列的多个区域之中的与缺陷地址相对应的特定区域之内搜索可用熔丝组。
2.根据权利要求1所述的otp存储电路，其中，所述熔丝地址生成电路包括：
计数器，被配置为：基于时钟信号来生成计数信号；
区间信号生成电路，被配置为：基于所述计数信号和测试模式信号来生成多个区间信号；以及
地址控制电路，被配置为：基于所述测试模式信号、所述缺陷地址和所述计数信号之中的一种来生成所述熔丝地址。
3.根据权利要求2所述的otp存储电路，其中，所述熔丝阵列被配置为在所述多个区间信号的使能区间期间基于所述熔丝地址来输出所述熔丝数据。
4.根据权利要求1所述的otp存储电路，其中，所述熔丝地址生成电路被配置为基于使能信号、时钟信号、测试模式信号和所述缺陷地址来生成所述熔丝地址。
5.根据权利要求2所述的otp存储电路，其中，所述计数信号具有与用于选择所述熔丝阵列的所有区域的地址相对应的值。
6.根据权利要求2所述的otp存储电路，
其中，所述区间信号包括第一区间信号至第三区间信号，以及
其中，所述第一区间信号被配置为指示包括测试模式数据的搜索区间，所述第二区间信号被配置为指示包括与行修复有关的可用熔丝的搜索区间，所述第三区间信号被配置为指示包括与列修复有关的可用熔丝的搜索区间。
7.根据权利要求1所述的otp存储电路，还包括：断裂电路，被配置为在封装后修复模式下将所述缺陷地址编程到所述可用熔丝组中。
8.一种一次性可编程otp存储电路，包括：
熔丝阵列，被配置为：输出多个熔丝组中的与熔丝地址相对应的熔丝组的熔丝数据；
熔丝地址生成电路，被配置为：生成所述熔丝地址用以在所述熔丝阵列的多个区域之中的与缺陷地址相对应的特定区域之内搜索可用熔丝组；以及
数据控制电路，被配置为：基于所述熔丝数据与所述缺陷地址比较的结果来将被校正的熔丝数据输出为所述熔丝数据的初始值。
9.根据权利要求8所述的otp存储电路，还包括：断裂电路，所述断裂电路被配置为在硬封装后修复模式hppr下将所述缺陷地址编程到所述可用熔丝组中。
10.根据权利要求9所述的otp存储电路，其中，所述数据控制电路被配置为在软封装后修复模式sppr下操作。
11.根据权利要求8所述的otp存储电路，其中，所述熔丝地址生成电路包括：
计数器，被配置为：基于时钟信号来生成计数信号；
区间信号生成电路，被配置为：基于所述计数信号和测试模式信号来生成多个区间信号；以及
地址控制电路，被配置为：基于所述测试模式信号、所述缺陷地址和所述计数信号之中的一种来生成所述熔丝地址。
12.根据权利要求11所述的otp存储电路，其中，所述熔丝阵列被配置为在所述多个区间信号的使能区间期间基于所述熔丝地址来输出所述熔丝数据。
13.根据权利要求8所述的otp存储电路，其中，所述熔丝地址生成电路被配置为基于使能信号、时钟信号、测试模式信号和所述缺陷地址来生成所述熔丝地址。
14.根据权利要求11所述的otp存储电路，其中，所述计数信号具有与用于选择所述熔丝阵列的所有区域的地址相对应的值。
15.根据权利要求11所述的otp存储电路，
其中，所述区间信号包括第一区间信号至第三区间信号，以及
其中，所述第一区间信号被配置为指示包括测试模式数据的搜索区间，所述第二区间信号被配置为指示包括与行修复有关的可用熔丝的搜索区间，以及所述第三区间信号被配置为指示与列修复有关的可用熔丝的搜索区间。
16.根据权利要求8所述的otp存储电路，其中，所述数据控制电路被配置为基于所述熔丝数据与所述缺陷地址比较的结果来输出所述熔丝数据或所述缺陷地址或所述熔丝数据的初始值作为所述被校正的熔丝地址。
17.根据权利要求8所述的otp存储电路，其中，所述数据控制电路包括：
可用熔丝选择器，被配置为：基于所述熔丝数据之内的至少一比特位来生成指示可用熔丝组的检测信号；
比较器，被配置为：通过比较所述熔丝数据与所述缺陷地址来生成熔丝复位信号；
第一多路复用器，被配置为：基于所述检测信号来输出所述熔丝数据和所述缺陷地址之中的一种作为初步被校正的熔丝数据；以及
第二多路复用器，被配置为：基于所述熔丝复位信号来输出所述初步被校正的熔丝数据和地电压的电平之中的一种作为所述被校正的熔丝数据。
18.一种半导体装置，包括：
存储单元阵列，包括多个单位存储块，其中，锁存器阵列被包括在所述多个单位存储块中；以及
具有多个熔丝组的一次性可编程otp存储电路，
其中，所述otp存储电路被配置为在硬封装后修复hppr操作下将外部输入的缺陷地址编程到所述多个熔丝组中，以及被配置为在软封装后修复sppr操作下基于所述缺陷地址是否已经编程到所述多个熔丝组中的判断结果来将所述缺陷地址或初始值输出给所述锁存器阵列。
19.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，所述锁存器阵列被配置为在所述半导体装置的启动操作中储存修复相关信息，所述修复相关信息包括所述缺陷地址。
20.根据权利要求18所述的半导体装置，其中，所述otp存储电路包括：
熔丝阵列，被配置为：输出所述多个熔丝组中的与熔丝地址相对应的熔丝组的熔丝数据；
熔丝地址生成电路，被配置为：生成所述熔丝地址用以在所述熔丝阵列的多个区域之中的与所述缺陷地址相对应的特定区域之内搜索可用熔丝组；以及
数据控制电路，被配置为：基于所述熔丝数据与所述缺陷地址比较的结果来将被校正的熔丝数据输出为所述熔丝数据的初始值。
21.根据权利要求20所述的otp存储电路，还包括：断裂电路，所述断裂电路被配置为在所述hppr模式下将所述缺陷地址编程到所述可用熔丝组中。
22.根据权利要求20所述的半导体装置，其中，所述熔丝阵列被配置为在多个区间信号的使能区间期间基于所述熔丝地址来输出所述熔丝数据。
23.根据权利要求20所述的半导体装置，其中，所述熔丝地址生成电路被配置为基于使能信号、时钟信号、测试模式信号和所述缺陷地址来生成所述熔丝地址。
24.根据权利要求20所述的半导体装置，其中，所述数据控制电路包括：
可用熔丝选择器，被配置为：基于所述熔丝数据之内的至少一比特位来生成指示所述可用熔丝组的检测信号；
比较器，被配置为：通过比较所述熔丝数据与所述缺陷地址来生成熔丝复位信号；
第一多路复用器，被配置为：基于所述检测信号而输出所述熔丝数据和所述缺陷地址之中的一种作为初步被校正的熔丝数据；以及
第二多路复用器，被配置为：基于所述熔丝复位信号而输出所述初步被校正的熔丝数据和地电压的电平之中的一种作为所述被校正的熔丝数据。