存储器、包括存储器的存储系统及操作存储系统的方法
【专利说明】
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请要求2013年12月4日提交的申请号为10-2013-0149734的韩国专利申请 的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
[0003] 本发明的示例性实施例大体涉及存储器和包括存储器的存储系统，且更具体地涉 及存储器的刷新技术。
【背景技术】
[0004] 存储器件的存储器单元中的每个包括用作开关的晶体管以及储存电荷或数据的 电容器。数据的逻辑电平，或是具有逻辑值1的"高"或是具有逻辑值0的"低"，由存储器 单元的电容器中的电荷决定，即，根据电容器的端电压为高还是为低决定。
[0005] 数据以累积在电容器中的电荷的形式储存。因此，在原理上，不消耗电能。然而， 储存在电容器中的初始电荷量可能由于金属-氧化物半导体"MOS"晶体管的PN键合所引 起的泄漏电流而减少，数据可能会丢失。为了防止数据丢失，在存储器单元的数据丢失之前 读取存储器单元的数据，且对存储器单元重新充电，从而基于读取的信息来保持电荷量。这 种操作必须针对存储器单元迭代地且周期地执行以保持数据。对存储器单元重新充电的操 作被称为刷新操作。
[0006] 每当从存储器控制器向存储器件施加刷新命令时，执行刷新操作。存储器控制器 在考虑存储器件的数据保持时间的预定时间向存储器件施加刷新命令。例如，当存储器 件具有64ms的数据保持时间且要刷新存储器件内部的全部存储器单元时，施加刷新命令 8000次。即，存储器控制器在64ms内向存储器件施加刷新命令8000次。
[0007] 存储器控制器在刷新命令从存储器控制器施加至存储器件的时段期间的等待时 间成为存储器件的操作性能下降的主要因素。因此，需要开发能够防止由刷新操作引起存 储器件性能劣化的技术。
【发明内容】
[0008] 本发明的一个实施例针对可以将由刷新操作引起的存储器件的性能上的劣化最 小化的技术。
[0009] 根据本发明的一个实施例，一种存储系统可以包括：存储器控制器，适于向存储器 件施加刷新命令和表示要执行刷新操作的次数的刷新操作次数信息；以及所述存储器件， 适于响应于所述刷新命令而将刷新操作执行与所述刷新操作次数信息表示的一样多的次 数。
[0010] 根据本发明的另一个实施例，一种操作存储系统的方法，包括：从存储器控制器向 存储器件施加刷新命令和表示要执行刷新操作的次数的刷新操作次数信息；以及在所述存 储器件中将刷新操作执行与所述刷新操作次数信息表示的一样多的次数。
[0011] 根据本发明的另一个实施例，一种存储器件可以包括：译码器，适于对输入信号进 行译码以产生内部刷新命令信号和刷新操作次数码；刷新信号发生器，适于响应于所述内 部刷新命令信号和所述刷新操作次数码而将刷新信号使能与所述刷新操作次数码表示的 一样多的次数；以及刷新控制器，适于将单元阵列的行控制为当所述刷新信号被使能时顺 序地刷新。
【附图说明】
[0012] 图1说明根据本发明的一个实施例的存储系统100。
[0013] 图2说明用于操作图1中所示的存储系统100的方法。
[0014] 图3是说明图1中所示的存储器件110的框图。
【具体实施方式】
[0015] 以下将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以不同 形式实施且不应当被解释为局限于本文所列的实施例。更确切地，提供这些实施例使得本 公开将全面和完整，且将向本领域的技术人员全面地传达本发明的范围。在本发明的实施 例的描述中，与本发明点不相关的已知结构可能被省略。另外，在本公开中，相似的附图标 记在本发明的各个附图和实施例中表示相似的部分。在本说明书中还应注意的是，"使能" 及其任何变型表示"激活"和/或"使得其工作"。另外，只要未在句中特意提及，单数形式 可以包括复数形式。
[0016] 图1说明根据本发明的一个实施例的存储系统100。
[0017] 参见图1，存储系统100包括存储器件110和存储器控制器120。
[0018] 存储器控制器120通过施加命令CMD和地址ADD来控制存储器件110的操作。存 储器控制器120可以在读取操作期间和/或写入操作期间向存储器件110传输数据以及从 存储器件110接收数据。存储器控制器120命令存储器件110执行的操作包括激活操作、 预充电操作、读取操作、写入操作和刷新操作等。命令CMD可以包括多个信号，诸如片选信 号CSb、行地址选通信号RASb、列地址选通信号CASb和写入使能信号WEb。地址ADD可以包 括多比特信号。另外，在存储器件110和存储器控制器120之间传输和接收的数据可以是 多比特数据。根据本发明的一个实施例，在刷新操作期间，存储器控制器120不仅将刷新命 令施加至存储器件110,而且还通知存储器件110关于存储器件110必须执行刷新操作多少 次。这将在以下详细描述。
[0019] 存储器件110可以执行由存储器控制器120命令的操作。特别地，当存储器控制 器120命令存储器件110执行刷新操作时，存储器件110将刷新操作执行与存储器控制器 120命令的一样多的次数，以及当执行了所有的刷新操作时，存储器件110可以通知存储器 控制器120刷新操作结束。从存储器件110传输给存储器控制器120的刷新结束信号REF_ END的使能可以表示存储器件110完成了所有的刷新操作。在接收到刷新结束信号REF_END 时，存储器控制器120可以识别出存储器件110完成了所有的被命令的刷新操作，且命令后 续的操作。
[0020] 图2说明用于操作图1中所示的存储系统100的方法。由于本发明的示例性实施 例描述刷新操作，所以图2示出了与刷新操作有关的操作。
[0021] 参见图2,在时刻"201"，存储器控制器120通知存储器件110刷新命令REF和要 执行刷新操作的次数。刷新命令REF可以是构成从存储器控制器120传输至存储器件110 的命令CMD的信号CSb、RASb、CASb和WEb的组合。要执行刷新操作的次数（刷新操作次数 信息）可以利用地址ADD的一部分来施加。表1示例性地示出了构成命令CMD的信号CSb、 RASbXASb和WEb的组合，以及表示要执行刷新操作的次数和刷新操作的暂停的地址A〈0>、 A〈l>和A〈10>的组合。
[0022]表 1
[0023]
【主权项】
1. 一种存储系统，包括： 存储器控制器，适于向存储器件施加刷新命令和表示要执行刷新操作的次数的刷新操 作次数信息；以及 所述存储器件，适于响应于所述刷新命令而将刷新操作执行与所述刷新操作次数信息 表不的一样多的次数。
2. 如权利要求1所述的存储系统，其中，在所述刷新操作被执行了与所述刷新操作次 数信息表示的一样多的次数之后，所述存储器件通知所述存储器控制器所述刷新操作的完 成。
3. 如权利要求1所述的存储系统，其中，当所述存储器控制器向所述存储器件施加刷 新操作停止命令时， 所述存储器件在完成当前刷新操作的执行时忽略所述刷新操作次数信息且终止所述 刷新操作。
4. 如权利要求1所述的存储系统，其中，所述刷新命令和所述刷新操作次数信息利用 命令信号和地址信号的组合来从所述存储器控制器施加至所述存储器件。
5. 如权利要求2所述的存储系统，其中，从所述存储器控制器向所述存储器件施加所 述刷新命令的时刻至所述存储器件通知所述存储器控制器所述刷新操作完成的时刻，所述 存储器控制器不向所述存储器件施加命令。
6. 如权利要求1所述的存储系统，其中，所述存储器件包括： 译码器，适于接收至少一个命令信号和至少一个地址信号以产生内部刷新命令信号和 刷新操作次数码； 刷新信号发生器，适于响应于所述内部刷新命令信号和所述刷新操作次数码而将刷新 信号激活与所述刷新操作次数码表示的一样多的次数；以及 刷新控制器，适于将单元阵列的行控制为每当所述刷新信号被激活时顺序地刷新。
7. 如权利要求6所述的存储系统，其中，所述存储器件还包括： 结束信号发生器，适于产生刷新结束信号，所述刷新结束信号表示所述存储器件的所 述刷新操作被执行了与所述刷新操作次数码表示的一样多的次数；以及 传输电路，适于向所述存储器控制器传输所述刷新结束信号。
8. 如权利要求6所述的存储系统，其中，所述译码器还产生内部刷新操作停止命令信 号，且所述刷新信号发生器在所述内部刷新操作停止命令信号被激活时不激活所述刷新信 号。
9.一种操作存储系统的方法，包括： 从存储器控制器向存储器件施加刷新命令和表示要执行刷新操作的次数的刷新操作 次数信息；以及 在所述存储器件中将刷新操作执行与所述刷新操作次数信息表示的一样多的次数。
10. -种存储器件，包括： 译码器，适于对输入信号进行译码以产生内部刷新命令信号和刷新操作次数码； 刷新信号发生器，适于响应于所述内部刷新命令信号和所述刷新操作次数码而将刷新 信号激活与所述刷新操作次数码表示的一样多的次数；以及 刷新控制器，适于将单元阵列的行控制为当所述刷新信号被激活时顺序地刷新。
【专利摘要】一种存储系统包括：存储器控制器，适于向存储器件施加刷新命令和表示要执行刷新操作的次数的刷新操作次数信息；以及所述存储器件，适于响应于所述刷新命令而将刷新操作执行与所述刷新操作次数信息表示的一样多的次数。
【IPC分类】G11C11-406
【公开号】CN104700885
【申请号】CN201410721277
【发明人】李铉雨
【申请人】爱思开海力士有限公司
【公开日】2015年6月10日
【申请日】2014年12月2日
【公告号】US20150155028