存储器系统和包括所述存储器系统的用户装置的制造方法【专利说明】[0001]本申请要求于2013年12月4日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0150114号韩国专利申请和于2014年8月22日提交的第14/466,187号美国专利申请的优先权，所述专利申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域：
[0002]这里描述的本发明构思涉及一种半导体存储器装置，更具体地讲，涉及一种非易失性存储器装置和/或用于控制该非易失性存储器装置的存储器控制器。【
背景技术：
】[0003]通常，半导体存储器被认为是数字逻辑系统设计（诸如从卫星到消费电子的基于计算机和微处理器的应用）的最重要的微电子组件。因此，包括通过扩展到更高密度和更快速度的工艺改进和技术发展的半导体存储器的制造上的进步有助于建立用于其他数字逻辑系列的性能标准。[0004]半导体存储器装置可表征为易失性随机存取存储器（RAM)或非易失性存储器装置。在RAM中，通过诸如在静态随机存取存储器（SRAM)中设置双稳态触发器的逻辑状态或者通过如在动态随机存取存储器（DRAM)中对电容器充电来存储逻辑信息。在任一情况下，只要施加了电力就可读出和存储数据，而当电力断开时数据会丢失，因此，这些存储器被称作易失性存储器。[0005]诸如掩膜只读存储器（MROM)、可编程只读存储器（PROM)、可擦除可编程只读存储器（EPROM)和电可擦除可编程只读存储器（EEPROM)的非易失性存储器能够甚至在电力断开时也存储数据。非易失性存储器数据存储模式可根据使用的制造技术而是永久的或可重复编程的。非易失性存储器用于计算机、航空、电信和消费者电子行业的各种各样的应用中的程序和微代码存储。单芯片易失性以及非易失性存储器存储模式的组合也可用于诸如非易失性SRAM(nvSRAM)的装置中以在需要快速、可编程非易失性存储器的系统中使用。另外，已经发展了几十个专用存储器架构，其中，包含用于优化其特定应用任务的性能的一些额外逻辑电路。[0006]电荷撷取闪存（CTF)技术现正被应用于非易失性存储器装置。CTF技术是用于实现非易失性NOR和NAND闪存的半导体存储器技术。CTF技术与传统的浮栅MOSFET技术的不同之处在于，CTF技术使用氮化硅膜来存储电子，而不是浮栅结构的掺杂的多晶硅类型。这种方法允许存储器制造商降低制造成本的五种方式：（1)需要更少的工艺步骤形成电荷存储节点；（2)可使用更小的工艺尺寸（从而减小芯片尺寸和成本）；（3)可在单个闪存单元上存储多个比特；(4)提高的可靠性；（5)由于电荷撷取不易受隧道氧化层中的点缺陷而导致更高的产率。【
发明内容】[0007]至少一个实施例涉及一种从存储器读取的方法。[0008]在一个实施例中，所述方法包括：接收用于从存储器的存储器区域读取数据的读取请求；确定存储器区域的标识符是否存储在特性表的多个条目中的一个条目中。所述多个条目中的每个条目与不同范围的至少一个存储器区域特性相关联，并且所述多个条目中的每个条目与不同的读取条件信息相关联。所述方法还包括：如果所述确定步骤确定存储器区域的标识符存储在特性表的多个条目中的一个条目中，则获得与存储了存储器区域的标识符的条目相关联的读取条件信息；控制存储器使用获得的读取条件信息从存储器区域读取数据。[0009]至少一个实施例涉及一种管理读取条件信息的方法。[0010]在一个实施例中，所述方法包括：将存储器区域的标识符存储在特性表的多个条目中的一个条目中。所述多个条目中的每个条目与不同范围的至少一个存储器区域特性相关联，并且所述多个条目中的每个条目与不同的读取条件信息相关联。所述存储步骤基于存储器区域的存储器区域特性，将存储器区域的标识符存储在所述多个条目中的一个条目中。[0011]至少一个实施例涉及一种存储器控制器。[0012]在一个实施例中，所述存储器控制器包括：缓冲器，被配置为存储特性表。所述特性表包括多个条目。所述多个条目中的每个条目与不同范围的至少一个存储器区域特性相关联，并且所述多个条目中的每个条目与不同的读取条件信息相关联。所述存储器控制器还包括：处理器，被配置为接收用于从存储器的存储器区域读取数据的读取请求，确定存储器区域的标识符是否存储在特性表的多个条目中的一个条目中，如果所述确定操作确定存储器区域的标识符存储在特性表的多个条目中的一个条目中，则获得与存储了存储器区域的标识符的条目相关联的读取条件信息，以及控制存储器使用获得的读取条件信息从存储器区域读取数据。[0013]在另一实施例中，所述存储器控制器包括：缓冲器；以及处理器，被配置为将存储器区域的标识符存储在特性表的多个条目中的一个条目中，其中，所述特性表存储在缓冲器中。所述多个条目中的每个条目与不同范围的至少一个存储器区域特性相关联，并且所述多个条目中的每个条目与不同的读取条件信息相关联，并且所述处理器被配置为基于存储器区域的存储器区域特性将存储器区域的标识符存储在所述多个条目中的一个条目中。【附图说明】[0014]从下面参照以下附图进行的描述，上述和其他目的和特征将变得清楚，其中，除非另外指出，否则相同的参考标号在各个图中始终表示相同的部件，其中：[0015]图1是示意性示出电荷撷取闪存单元的垂直结构的示图；[0016]图2是示出由于快速电荷损耗现象而导致的CTF单元的阈值电压的变化的示图；[0017]图3是示出根据快速电荷损耗现象变化的阈值电压分布的示图；[0018]图4是示意性示出根据本发明构思的实施例的存储器系统的框图；[0019]图5是示意性示出根据本发明构思的实施例的在图4中示出的存储器控制器的时标表（timemarktable)的不图；[0020]图6是示意性示出根据本发明构思的实施例的在图4中示出的存储器控制器的框图；[0021]图7是示意性示出根据本发明构思的实施例的在图4中示出的存储介质的框图；[0022]图8A是示意性示出根据本发明构思的实施例的存储器系统的写入流程的示图；[0023]图8B是示意性示出根据本发明构思的实施例的存储器控制器的编程控制方法的流程图；[0024]图8C示出了示意性示出根据本发明构思的实施例的存储器控制器的编程控制方法的流程图；[0025]图9示出随时间改变的时标表的示例；[0026]图10是示意性示出根据本发明构思的实施例的存储器系统的读取流程的示图；[0027]图11是示意性示出根据本发明构思的实施例的存储器控制器的读取控制方法的流程图；[0028]图12是示出由于快速电荷损耗现象变化的CTF单元的阈值电压的曲线图；[0029]图13是示意性示出根据本发明构思的实施例的存储器块的三维结构的透视图；[0030]图14是示意性示出在图13中示出的存储器块的等效电路的电路图；[0031]图15是示意性示出根据本发明构思的实施例的计算系统的框图；[0032]图16是示意性示出根据本发明构思的实施例的固态驱动器的框图；[0033]图17是示意性示出使用图16中的固态驱动器的存储器的框图；[0034]图18是示意性示出使用图16中的固态驱动器的存储服务器的框图；[0035]图19是示意性示出根据本发明构思的实施例的嵌入式存储器的框图；[0036]图20是示意性示出根据本发明构思的实施例的通信装置的框图；[0037]图21是示意性示出应用了根据本发明构思的实施例的固态驱动器装置的系统的示图；[0038]图22是示意性示出根据本发明构思的实施例的存储卡的框图；[0039]图23是示意性示出根据本发明构思的实施例的数字静态相机的框图；[0040]图24是示意性示出应用了图22中的存储卡的各种系统的示图。【具体实施方式】[0041]将参照附图详细描述实施例。然而，本发明构思可以以多种不同形式实施，并且不应被解释为仅受限于所示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例使得本公开将是彻底和完整的，并且这些实施例将把本发明构思的构思完全传达给本领域技术人员。因此，针对本发明构思的一些实施例，不描述公知的处理、元件和技术。除非另外标注，否则相同的参考标号在整个附图和撰写的说明书中表示相同的元件，并因此将不重复描述。在附图中，为了清楚，可夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。[0042]将理解，虽然在此可使用术语"第一"、"第二"、"第三"等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部件，但是这些元件、组件、区域、层和/或部件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部件与另一元件、组件、区域、层或部件区分开来。因此，在不脱离本发明构思的教导的情况下，以下讨论的第一元件、组件、区域、层或部件可被命名为第二元件、组件、区域、层或部件。[0043]为了易于描述，在此可使用诸如"在…之下"、"在…下面"、"下面"、"在…下方"、"在…上面"、"上面"等的空间相对术语，以描述如附图中示出的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解，空间相对术语意在包含除了附图中描绘的方位以外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为"在其它元件或特征下面"或"在其它元件或特征之下"或"在其它元件或特征下方"的元件将被导向为"在所述其它元件或特征上面"。因此，示例性术语"在…下面"和"在…下方"可包含上面和下面两个方位。装置可位于其它方位（旋转90度或处于其它方位），并且在此使用的空间相对描述符将被相应地解释。此外，还将理解，当层被称为在两个层"之间"时，该层可以是该两个层之间仅有的层，或还可以存在一个或更多个中间层。[0044]在此使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不意在限制本发明构思。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式也意在包括复数形式。还将理解，当在本说明书中使用时，术语"包括"和/或"包含"指定所叙述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合的存在或添加。如这里所使用的，术语"和/或"包括关联列出项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。此外，术语"示例性"意在表示示例或说明。[0045]将理解，当元件或层被称为"在"另一元件或层"上"、"连接到"另一元件或层、"耦接到"另一元件或层或者与另一元件或层"相邻"时，该元件或层可直接在该另一元件或层上、直接连接到该另一元件或层、直接耦接到该另一元件或层或者与该另一元件或层直接相邻，或者可存在中间元件或层。相反，当元件被称为"直接在"另一元件或层"上"、"直接连接到"另一元件或层、"直接耦接到"另一元件或层或者"紧邻"另一元件或层时，不存在中间当前第1页1 2 3 4 5 6