[0026]图3为根据一些实例实施例且如上文所描述的共享漏极选择线的块的群组310-1到310-n的框图。群组310-1中的块320-1到320_n共享漏极选择线300-1。群组310-2中的块322-1到322-n共享漏极选择线300-2。类似地，群组310_n中的块324-1到324_n共享漏极选择线300-n。
[0027]如图4A及4B所展示，在实例实施例中，两个晶体管可与由块群组共享的每一 S⑶线相关联，且两个晶体管可与所述块群组中的每一块相关联。举例来说，在图4A中，可将子块选择晶体管blken通电以选择由块群组共享的对应SGD线，以偏置SGD线到blken晶体管的偏置电压。可将子块取消选择晶体管blken_通电以取消选择由所述块群组共享的对应SGD线。在说明性实例中，可将经取消选择的SGD线偏置到接地。
[0028]类似地，在图4B中，可将第一块的块选择晶体管blken通电以选择第一块的SGS线，借此偏置第一块的SGS线到blken的偏置电压，且可将其它块的块取消选择晶体管blken_通电以取消选择其它块。可将经取消选择的SGS线偏置到非选择偏置，如图4B中所展示。或者，可类似于图4A中展示的经取消选择的SGD线的情况，将经取消选择的SGS线偏置到接地。此外，可将经取消选择的SGD线偏置到非选择偏置，类似于图4B中展示的经取消选择的SGS线的情况。
[0029]可相对于用于此类常规系统中的晶体管的总数目而减少用于实例实施例的晶体管的总数目。举例来说，在至少一个实施例中，用于选择SGD的漏极选择线可在四个块之间共享，其中所述四个块组成块群组。因此，一组子块选择及取消选择晶体管(blken及blken_，图4A)可用以选择及取消选择对应多个子块的多个对应SGD。因此，在说明性实例中，子块选择晶体管的数目及/或子块取消选择晶体管的数目可相对于常规系统而减少到四分之一。其它实例实施例可将块分组成(举例来说)两个、八个、或十六个块的群组。因此，在这些实例实施例中，子块选择晶体管的数目及/或子块取消选择晶体管的数目将分别减少到二分之一、八分之一及十六分之一。
[0030]图5为根据本发明的各种实施例的呈存储器装置500形式的设备的框图。存储器装置500可耦合到控制总线504以越过控制信号线505接收多个控制信号。存储器装置500可进一步耦合到地址总线506以接收地址信号线507上的地址信号Α0_Αχ，及耦合到数据总线508以传输及接收数据信号。尽管被描绘为在单独物理总线上接收数据信号，但也可在相同物理总线上多路传输及接收数据信号。存储器装置500可耦合到系统中的处理器(未展示)。
[0031]存储器装置500可包含可布置成行及列的存储器单元的一或多个阵列510。根据本发明的各种实施例，阵列510的存储器单元可包括非易失性存储器单元(举例来说，电荷存储装置，例如，浮动栅极晶体管或电荷陷阱晶体管)。存储器装置500可为NAND存储器装置。存储器装置可为3D NAND存储器装置。阵列510可包含驻留在作为存储器装置500的部分的单一裸片上或多个裸片上的存储器单元的多个存储体及块。根据本发明的各种实施例，阵列510可包含块110-1到110-n(图1)中的一或多者。阵列510可包含两个或两个以上群组的块110-1到110-n。
[0032]数据输入及输出(I/O)电路526可实施经由耦合到数据总线508的外部(举例来说，数据I/O)节点528的双向数据通信。根据各种实施例，I/O电路526可包含N个驱动器及接收器电路540。存储器装置500可包含经配置以支持存储器装置500的操作(例如，写入数据到阵列510及/或从阵列510擦除数据)的控制器。所述控制器可包括(举例来说)与包含阵列510及/或存储器装置500的其它组件中的任何或所有组件的裸片相同或不同的裸片上的控制电路542 (举例来说，经配置以实施状态机)。所述控制器可包括控制电路542、固件、软件或前述的任何或所有者的组合。可经由N条信号线546在感测/高速缓存电路522与I/O电路526之间传送数据。可使用所述控制器实施使用存储器装置的操作。
[0033]参考图6到8说明根据实例实施例的使用设备的操作。参看图6，存储器系统600可包含存储器单元的多个块。在说明性实例中，存储器系统600包含存储器单元610-0到610-3的四个块。存储器系统600进一步包含块选择开关620及耦合到对应存储器单元的全局字线 GWL0_0、GWL2_0、GffL0_U GffL2_U GWL0」5、GWL2」5、GWL1_0、GWL3_0、GWL1_UGWL3_1、G2L1_15及GWL3_15。全局字线可耦合到每一块610-0到610-3中的局部字线。在说明性实例中，每一块610-0到610-3可包含16条局部字线LWLO到LWL15。存储器系统600可包括额外组件，举例来说，存储器系统100(图1)中说明的组件，为了简洁及清楚起见，图6中省略了所述组件。
[0034]图7说明根据实例实施例的用于存取存储器单元的方法。在操作700中，将第一电压提供到包含待存取存储器单元的块群组的块选择开关620。在操作710中，将第二电压提供到其它块群组的块选择开关。第二电压可约为O伏特。在操作720中，将第三电压提供到第一组全局字线中的至少一条字线。第一组全局字线可对应于待存取的存储器单元及/或包含待存取的存储器单元的块。在操作730中，将第四电压提供到第二组全局字线。第二组全局字线可对应于块群组中的未经选择的块。
[0035]可经由对应源极选择线(图1)将包含待存取存储器单元的存储器块的子块中的每一者的源极选择晶体管(图1)通电。可经由对应的漏极选择线(图1)将包含待存取存储器单元的子块的漏极选择晶体管(图1)通电。
[0036]下文提供根据各种实施例的读取、写入及擦除操作的实施方案的进一步细节。
[0037]参看图8，在编程存储器单元的操作中，可将电压V_—sw提供800到包含待编程存储器单元的块群组的块选择开关620。在操作810中，可将第二电压(举例来说，约O伏特)提供到对应于不包含待编程存储器单元的其它块群组的其它块选择开关645。在操作820中，可将Vpgni电压提供到对应于待编程存储器单元的全局字线。在操作830中，可将Vpass电压提供到包含待编程存储器单元的块的其它全局字线。在操作840中，可将约O伏特提供到群组中的不包含待编程存储器单元的块的全局字线。在至少一个实施例中，V_电压与Vpass电压不同。
[0038]可通过将对应于包含待编程存储器单元的子块的子块选择晶体管(图4A)通电来选择对应于那个子块的漏极选择线(图1)。可将对应于不包含待编程存储器单元的子块的漏极线的子块取消选择晶体管通电。可通过将相应SGS的块选择晶体管通电来选择对应于包含待编程存储器单元的块的源极选择线(图1)。可通过将相应源极选择线的块取消选择晶体管通电来取消选择对应于不包含待编程存储器单元的其它块的源极选择线。
[0039]在读取存储器单元的操作中，可将Vpass—sw提供到包含待读取存储器单元的块的群组的块选择开关620。可将约O伏特提供到对应于不包含待读取的存储器单元的块的其它群组的其它块选择开关。可通过将对应于包含待读取存储器单元的子块的子块选择晶体管(图4A)通电来选择对应于那个子块的漏极选择线(图1)。可将对应于不包含待读取存储器单元的子块的漏极线的子块取消选择晶体管通电。可将相应SGS的块选择晶体管通电来选择对应于包含待读取存储器单元的块的源极选择线(图1)。可通过将相应源极选择线的块取消选择晶体管通电来取消选择对应于不包含待读取存储器单元的其它块的所述源极选择线。可将Vwl?电压提供到对应于待读取存储器单元的全局字线，且可将Vpass电压提供到包含待读取存储器单元的块的其它全局字线。可将约O伏特提供到群组中的不包含待读取存储器单元的块的全局字线。在至少一个实施例中，Vwl?电压及Vpass电压不同。
[0040]在擦除存储器单元的操作中，可将擦除电压(举例来说，3到4伏特)提供到包含待擦除存储器单元的块的群组的块选择开关620。可将约O伏特提供到对应于不包含待擦除存储器单元的块的其它群组的其它块选择开关645。可将擦除电压提供到包含待擦除块的块的共源极145 (图1)。可将约O伏特提供到耦合到待擦除块的全局字线，而可允许耦合到群组中的其它块的全局字线浮动。
[0041]已将垂直存储器单元串的实例结构及操作垂直存储器单元串的块的方法描述为特定实施例，但在阅读及理解本发明的内容之后对所属领域的技术人员来说显而易见，可做出多种修改及改变。因此，应将本说明书及图式视为具有说明性意义而非限制意义。
[0042]提供本发明的摘要以遵守要求提供摘要以允许读者快速确定本技术公开内容的性质的37C.F.R.§ 1.72(b) ο应理解，其将不用以解释或限制权利要求书。另外，在前述的【具体实施方式】中可看出，为了简化本公开的目的，将多种特征集中在单一实