施例中。该公开方法不应被解释为限制权利要求书。因此，所附权利要求书特此并入到【具体实施方式】中，其中每一权利要求独立作为单独实施例。
【主权项】
1.一种设备，其包括: 存储器单元的多个块，其包含第一块及第二块，其中块包含两个或两个以上子块，所述两个或两个以上子块包含第一子块及第二子块，子块包含垂直存储器单元串，所述垂直串包含相应多个存储器单元、相应源极选择晶体管及相应漏极选择晶体管；以及 两个或两个以上漏极选择线，其包含第一漏极选择线及第二漏极选择线，所述第一漏极选择线耦合到所述第一块的所述第一子块中的所述漏极选择晶体管且所述第一漏极选择线耦合到所述第二块的所述第一子块中的所述漏极选择晶体管，且所述第二漏极选择线耦合到所述第一块的所述第二子块中的所述漏极选择晶体管且所述第二漏极选择线耦合到所述第二块的所述第二子块中的所述漏极选择晶体管。2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括: 两个或两个以上源极选择线，其包含第一源极选择线及第二源极选择线，所述第一源极选择线耦合到存储器单元的所述第一块的所述第一子块及所述第二子块中的所述源极选择晶体管，且所述第二源极选择线耦合到存储器单元的所述第二块的所述第一子块及所述第二子块中的所述源极选择晶体管。3.根据权利要求1所述的设备，其中每一垂直串的所述存储器单元与包括半导体材料的相应柱相关联。4.根据权利要求1所述的设备，其中每一存储器单元块与至少四条存取线相关联，所述至少四条存取线中的每一者定位于半导体构造的不同层中。5.根据权利要求4所述的设备，其中，针对每一块 所述第一子块的每一垂直串耦合到定位于第一层中的第一存取线且耦合到定位于第二层中的第二存取线；以及 所述第二子块的每一垂直串耦合到所述第一存取线且耦合到所述第二存取线。6.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括耦合到所述多个块中的每一者的每一垂直串的共同源极。7.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括用以选择所述第一漏极选择线的第一子块选择晶体管及用以选择所述第二漏极选择线的第二子块选择晶体管，其中所述第一及第二子块选择晶体管由所述第一及第二块共享。8.根据权利要求2所述的设备，其进一步包括用以选择所述第一源极选择线的第一块选择晶体管及用以选择所述第二源极选择线的第二块选择晶体管。9.一种设备，其包括: 存储器单元的多个块，其包含存储器单元的第一块及存储器单元的第二块； 两个或两个以上源极选择线； 两个或两个以上漏极选择线；以及 块选择开关， 所述多个块中的每一块包含两个或两个以上子块，所述两个或两个以上子块包含第一子块及第二子块，每一子块包含 垂直存储器单元串，每一垂直串包含相应多个存储器单元、相应源极选择晶体管及相应漏极选择晶体管， 所述两个或两个以上漏极选择线包含第一漏极选择线及第二漏极选择线，所述第一漏极选择线耦合到所述多个存储器单元块的每一存储器单元块的所述第一子块中的所述漏极选择晶体管且所述第二漏极选择线耦合到所述多个存储器单元块的每一存储器单元块的所述第二子块中的所述漏极选择晶体管。10.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括: 耦合到所述第一块的每一垂直存储器单元串中的对应存储器单元的第一组存取线；以及 耦合到所述第二块的每一垂直存储器单元串中的对应存储器单元的第二组存取线。11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第一组存取线的所述存取线中的每一者定位于半导体构造的不同层中且所述第二组存取线的所述存取线中的每一者定位于所述半导体构造的不同层中。12.根据权利要求10所述的设备，其中每一垂直串的所述存储器单元与包括半导体材料的相应柱相关联。13.根据权利要求9所述的设备，其中 所述多个存储器单元块包括第一块群组； 所述块选择开关耦合到所述第一块群组；以及 所述设备进一步包括耦合到第二块群组的第二块选择开关。14.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括: 两个或两个以上源极选择线，其包含第一源极选择线及第二源极选择线，所述第一源极选择线耦合到存储器单元的所述第一块中的所述源极选择晶体管且所述第二源极选择线耦合到存储器单元的所述第二块中的所述源极选择晶体管。15.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括耦合到所述多个块中的每一者的每一垂直串的共同源极。16.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括用以选择所述第一漏极选择线的第一子块选择晶体管及用以选择所述第二漏极选择线的第二子块选择晶体管，其中所述第一及第二子块选择晶体管由所述第一及第二块共享。17.—种设备，其包括: 与第一存储器块的两个或两个以上垂直存储器单元串相关联的存取线的多个层，所述第一存储器块的子块包含垂直存储器单元串，所述垂直串包括源极选择晶体管及漏极选择晶体管； 漏极选择线，其耦合到所述第一存储器块的所述子块的所述漏极选择晶体管，所述漏极选择线进一步耦合到与第二存储器块的子块相关联的漏极选择晶体管，所述第一存储器块及所述第二存储器块组成存储器块群组。18.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括用以选择所述漏极选择线的子块选择晶体管及用以取消选择所述漏极选择线的子块取消选择晶体管，其中所述子块选择及取消选择晶体管由所述第一及第二块共享。19.根据权利要求17所述的设备，其中所述存储器块群组包括第一存储器块群组且所述漏极选择线包括第一漏极选择线，所述设备进一步包括: 第二存储器块群组，其包含第三存储器块及第四存储器块，所述第三存储器块的子块包含垂直存储器单元串，所述垂直串包括源极选择晶体管及漏极选择晶体管；以及 不同于所述第一漏极选择线的第二漏极选择线，所述第二漏极选择线耦合到所述第三存储器块的所述子块的所述漏极选择晶体管且进一步耦合到与所述第四存储器块的子块相关联的漏极选择晶体管。20.根据权利要求17所述的设备，其中所述设备包括存储器装置。21.根据权利要求20所述的设备，其中所述设备包括“与非”NAND存储器装置。22.根据权利要求17所述的设备，其中与一个垂直存储器单元串相关联的存取线的所述多个层中的每一者定位于半导体构造的不同层中。23.根据权利要求17所述的设备，其进一步包括: 两个或两个以上源极选择线，其包含第一源极选择线及第二源极选择线，所述第一源极选择线耦合到存储器单元的所述第一块的所述子块的所述源极选择晶体管且所述第二源极选择线耦合到存储器单元的所述第二块的所述子块的源极选择晶体管。24.根据权利要求17所述的设备，其中每一垂直串的所述存储器单元与包括半导体材料的相应柱相关联。25.一种存取包括存储器单元的多个块的设备中的存储器单元的第一块的存储器单元的方法，存储器单元的所述多个块包含存储器单元的所述第一块及第二块，所述第一块及所述第二块包含于第一块群组中，所述第一块群组具有相关联的第一块选择开关，所述设备进一步包括耦合到所述第一块的第一组全局存取线及耦合到所述第二块的第二组全局存取线，所述设备进一步包括第二块群组，所述第二块群组具有相关联的第二块选择开关，所述方法包括: 将第一电压提供到所述第一块选择开关； 将第二电压提供到所述第二块选择开关； 将第三电压提供到第一组全局字线中的至少一者；以及 将第四电压提供到第二组全局字线。26.根据权利要求25所述的方法，其进一步包括: 经由源极选择线将存储器单元的所述第一块的源极选择晶体管通电；以及 经由漏极选择线将所述存储器单元所属的所述第一块的子块的漏极选择晶体管通电，所述漏极选择线进一步经布置以将存储器单元的所述第二块中的对应子块的漏极选择晶体管通电。27.根据权利要求26所述的方法，其中将漏极选择晶体管通电包括将耦合到所述漏极选择线的子块选择晶体管通电，其中所述子块选择晶体管由所述第一块群组共享。28.根据权利要求26所述的方法，其中将第三电压提供到所述第一组全局存取线中的至少一者包括将编程电压提供到所述第一组全局存取线中的一者。29.根据权利要求28所述的方法，其进一步包括将通过电压提供到所述第一组全局存取线中的其它全局存取线。30.根据权利要求29所述的方法，其中将第四电压提供到所述第二组全局字线包括将约O伏特提供到所述第二组全局字线。
【专利摘要】一些实施例涉及与存储器单元的块相关联的设备及方法。存储器单元的所述块可包含存储器单元的两个或两个以上子块。子块可包括垂直存储器单元串，所述垂直串包含源极选择晶体管及漏极选择晶体管。一种设备可包含两个或两个以上漏极选择线，其中第一漏极选择线耦合到第一块的第一子块中的漏极选择晶体管及第二块的第一子块中的漏极选择晶体管。所述设备中的第二漏极选择线可耦合到所述第一块的第二子块中的漏极选择晶体管及所述第二块的第二子块中的漏极选择晶体管。描述其它设备及方法。
【IPC分类】G11C16/08
【公开号】CN105009220
【申请号】CN201480010165
【发明人】何昌万
【申请人】美光科技公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2014年2月27日
【公告号】US9001584, US20140241060, WO2014134325A1