中执行的操作，其中，存储单元阵列被包括在存储装置中。因此，参照图1至图24的描述也应用于根据本实施例的操作存储装置的方法。在下文中，将参照图1至图25来描述根据本实施例的操作存储装置的方法。
[0217]响应于正常读取命令，对被选择的存储单元执行正常读取操作(S220)。
[0218]然后，响应于读取重试命令和第一读取参考，对被选择的存储单元之中的与第一读取参考对应的第一单元区域来执行读取操作(S240)。而且响应于读取重试命令和第二读取参考，对被选择的存储单元之中的与第二读取参考对应的第二单元区域来执行读取操作(S260)。可以同时执行、顺序地执行或以相反的顺序执行操作S240和操作S260。
[0219]所述方法还可以包括根据第一读取参考设置第一读取条件的操作和根据第二读取参考设置第二读取条件的操作，第一读取条件包括施加到与第一单元区域连接的第一读取电路的电压、电流和控制信号中的至少一种，第二读取条件包括施加到与第二单元区域连接的第二读取电路的电压、电流和控制信号中的至少一种。第一读取参考和第二读取参考可以彼此不同。
[0220]图26是总结根据发明构思的另一实施例的操作存储系统装置的方法的流程图。
[0221]参照图26，根据本实施例的操作存储装置的方法是对包括在存储单元阵列中的被选择的存储单元执行读取操作的方法，并且可以包括在存储装置中执行的操作，其中，存储单元阵列被包括在存储装置中。因此，参照图1至图25的描述也应用于根据本实施例的操作存储装置的方法。在下文中，将参照图1至图26来描述根据本实施例的操作存储装置的方法。
[0222]这里，正常读取命令被发送至存储装置，使得执行针对被选择的存储单元的正常读取操作(S320)。根据实施例，被选择的存储单元可以共同地连接到同一第一信号线。例如，第一信号线可以是字线。
[0223]从存储装置接收从被选择的存储单元读取的数据(S340)。
[0224]如果数据中的错误的数量超过临界值，则确定分别与从被选择的存储单元划分而来的多个单元区域对应的多个不同的读取参考(S360)。
[0225]将读取重试命令和多个读取参考发送到存储装置，使得对被选择的存储单元执行读取重试操作(S380)。
[0226]根据另一实施例，所述方法还可以包括接收根据多个读取参考从存储装置读取的数据的操作和对读取数据进行分析以调整多个读取参考的操作。
[0227]图27A、图27B和图27C是示出根据发明构思的实施例的应用示例的框图。S卩，图27A、图27B和图27C是示出根据上面实施例的存储单元的各个区域存储信息的示例的框图。在图27A、图27B和图27C中，示出了实施例，在所述实施例中，在读取重试模式中根据不同的读取条件从页的单元区域中的每个单元区域读取数据，基于读取数据来选择可以使错误的数量最小化的读取条件，与被选择的读取条件相关的读取参考信息被存储在存储控制器中。当存储读取参考信息时，存储单元可以被限定为不同的区域。
[0228]参照图27A，存储单元阵列包括多个页PAGE 1至PAGE n，可以针对页PAGE 1至PAGE η分别设置不同的读取条件。例如，可以针对第一页PAGE 1设置第一读取条件REF1，可以针对第二页PAGE 2设置第二读取条件REF2。如上所描述的用于设置针对每个页的读取条件的读取参考信息被存储在存储控制器中，可以基于不同的读取条件在正常读取操作中根据读取参考信息来从每个页读取数据。
[0229]参照图27B，可以根据片(tile)来限定存储单元阵列。例如，片可以包括多个存储单元和连接到所述多个存储单元的字线和位线。此外，片可以包括共同连接到字线的行解码器和共同连接到位线的列解码器。在本实施例中，示出了片TILE A和片TILE B。
[0230]参照片TILE A，片TILE A可以包括根据上述实施例的多个页，可以通过利用不同的读取条件在读取重试模式中从包括在每个页中的多个单元区域读取数据。此外，可以通过利用数据确定操作来分析存储单元的电阻大小分布，并且可以预测电阻大小分布的谷。可以选择并存储针对片TILE A的多个页的参考条件REF1，随后，可以基于参考条件REF1在正常读取操作中读取数据，其中，通过参考条件REF1可以使错误产生共同地最小化。同样地，可以针对片TILE B来选择并存储参考条件REF2，并且在随后的正常读取操作中，可以基于参考条件REF2来读取数据。如果对于各个片而言电阻大小分布相似地变化，则本实施例可以是有利的。
[0231]参照图27C，可以根据块(block)来限定存储单元阵列，所述块可以包括多个片。在图27C中，示出了第一块BLK1和第二块BLK2，并且第一块BLK1和第二块BLK2可以均包括多个片。
[0232]参照第一块BLK1，可以通过利用不同的读取条件在读取重试模式中从包括在片的每个页中的多个单元区域读取数据。可以选择并存储相对于第一块BLK1的多个片的参考条件REF1，可以通过参考条件REF1使错误产生共同地最小化，并且在随后的正常读取操作中，可以基于参考条件REF1来读取第一块BLK1的数据。同样地，可以相对于第二块BLK2来选择并存储参考条件REF2，可以在随后的正常读取操作中基于参考条件REF2来读取第二块BLK2的数据。如果对于各个块而言电阻大小分布相似地变化，则本实施例可以是有利的。
[0233]尽管如参照图27A至图27C所描述的在大多数情况下通过利用参考条件REF1和REF2并且通过读取操作会产生ECC可纠正的错误，但是在一些页中，会产生无法纠正的错误。在这种情况下，可以对相应的页执行读取重试模式，并且根据发明构思的实施例的方法，可以减少读取重试模式所需要的时间。此外，当基于预测电阻大小分布的谷的结果来预先存储读取参考信息时，可以减少进入读取重试模式的次数。
[0234]图28是示出应用于存储卡系统1000的根据发明构思的实施例的存储系统的框图。
[0235]参照图28，存储卡系统1000可以包括主机1100和存储卡1200。主机1100可以包括主机控制器1110和主机接触件1120。存储卡1200可以包括卡接触件1210、卡控制器1220和存储装置1230。存储卡1200可以通过利用图1至图27中示出的实施例来实现。
[0236]主机1100可以将数据写入存储卡1200或读取存储在存储卡1200中的数据。主机控制器1110可以通过主机接触件1120向存储卡1200发送命令CMD、主机1100中的时钟发生器(未示出)产生的时钟信号CLK以及数据DATA。
[0237]响应于通过利用卡接触件1210接收的命令CMD，卡控制器1220可以与卡控制器1220中的时钟发生器(未示出)产生的时钟信号同步地在存储装置1230中存储数据。存储装置1230可以存储从主机1100发送的数据。
[0238]存储卡1200可以是紧凑型闪存卡(CFC)、微硬盘、智能媒体卡(SMC)、多媒体卡(MMC)、安全数字卡(SDC)、记忆棒或通用串行总线(USB)闪存驱动器。
[0239]图29是示出包括根据发明构思的实施例的存储系统的计算系统2000的框图。
[0240]参照图29，计算系统2000可以包括存储系统2100、处理器2200、RAM2300、输入/输出装置(I/o) 2400和电源装置2500，存储系统2100包括存储器2110和存储控制器2120。同时，尽管图29中未示出，但是计算系统2000还可以包括经由其与视频卡、声卡、存储卡或USB装置或其他电子产品进行通信的端口。计算系统2000可以是个人计算机或诸如膝上型计算机、移动电话、个人数字助理(PDA)或照相机的便携式电子装置。
[0241]处理器2200可以执行具体的计算或任务。根据实施例，处理器2200可以是微处理器或中央处理单元(CPU)。处理器2200可以经由诸如地址总线、控制总线或数据总线的总线2600执行与RAM 2300、输入/输出装置2400以及存储系统2100的通信。存储系统2100可以通过利用在图1至图28中示出的实施例来实现。
[0242]根据实施例，处理器2200还可以连接到诸如外围组件互连(PCI)总线的外延总线。
[0243]RAM 2300可以存储在操作计算系统2000中需要的数据。例如，RAM 2300可以是DRAM、移动 DRAM、SRAM、PRAM、FRAM、RRAM 和 / 或 MRAM。
[0244]输入/输出装置2400可以包括诸如键盘、小型键盘或鼠标的输入单元和诸如打印机或显示器的输出单元。电源装置2500可以供应在操作计算系统2000中需要的操作电压。
[0245]图30是示出应用于固态盘(SSD)系统3000的根据发明构思的实施例的存储系统的框图。
[0246]参照图30，SSD系统3000可以包括主机3100和SSD 3200。SSD 3200可以经由信号连接器SGL向主机3100发送信号或者从主机3100接收信号，并且可以经由电力连接器PWR接收电力。SSD 3200可以包括SSD控制器3210、辅助电源装置3220、多个存储装置3230,3240和3250。SSD 3200可以通过利用在图1至图29中示出的实施例来实现。
[0247] 尽管已经参照发明构思的示例性实施例具体地示出并描述了发明构思，但是将理解的是，可以在不脱离权利要求的范围的情况下在这里做出形式和细节上的各种改变。
【主权项】
1.一种操作存储系统的方法，所述存储系统包括在存储单元阵列中共同连接到第一信号线的存储单元，所述方法包括下述步骤: 根据单元区域来划分存储单元；以及 利用从多个读取参考中选择的并且分别与每个单元区域对应的读取参考来对设置在每个单元区域中的存储单元独立地执行读取操作。2.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括: 在独立地执行读取操作之前，通过正常读取参考对存储单元执行正常读取操作， 其中，独立地执行读取操作是在正常读取操作之后对存储单元执行的读取重试操作的一部分。3.如权利要求2所述的方法，所述方法还包括: 确定通过正常读取操作返回的读取数据中的错误的数量， 其中，仅当读取数据中的错误的数量超过临界值时，执行读取重试操作。4.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括: 在连接到存储单元的页缓冲器中存储通过独立地执行的读取操作中的每个来返回的读取数据， 其中，设置在单元区域中的每个单元区域中的存储单元的数量小于页缓冲器的大小。5.如权利要求1所述的方法，其中，针对单元区域中的与第一信号线交叉的各个第二信号线来不同地确定所述多个读取参考中的每个读取参考。6.如权利要求5所述的方法，所述方法还包括: 根据所述多个读取参考中的每个读取参考来设置不同的读取条件， 其中，每个读取条件的设置包括限定施加到与第二信号线连接的读取电路的电压、电流和控制信号中的至少一种。7.如权利要求6所述的方法，其中，所述电压包括读取电压、预充电电压、钳位电压和参考电压中的至少一种， 所述电流包括参考电流，以及 控制信号包括预充电使能信号和感测放大器使能信号中的至少一种。8.如权利要求1所述的方法，其中，独立地执行读取操作的步骤包括针对设置在单元区域中的至少两个单元区域中的存储单元同时执行至少两个读取操作。9.如权利要求1所述的方法，其中，独立地执行读取操作的步骤包括针对设置在单元区域中的至少两个单元区域中的存储单元顺序地执行至少两个读取操作。10.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括: 基于来自单元区域的读取数据来调整所述多个读取参考。11.如权利要求10所述的方法，所述方法还包括: 通过利用经调整的所述多个读取参考中的一个来对每个单元区域的存储单元独立地执行读取重试操作；以及 确定通过读取重试操作返回的读取数据中的错误的数量是否超过临界值。12.如权利要求1所述的方法，其中，第一信号线是字线，第二信号线是位线。13.如权利要求1所述的方法，其中，根据纠错码单元来执行根据单元区域划分存储单元的步骤。14.如权利要求1所述的方法，其中，根据单元区域划分存储单元的步骤包括根据物理地址或逻辑地址来划分存储单元。15.一种操作存储系统的方法，所述存储系统包括存储装置和存储控制器，所述存储装置包括在存储单元阵列中设置在第一信号线和第二信号线分别交叉的区域中的多个存储单元，所述多个存储单元被设置在多个单元区域中，所述方法包括: 针对从所述多个存储单元选择的目标存储单元，将正常读取命令从存储控制器传送到存储装置； 针对目标存储单元执行正常读取操作，并将正常读取结果数据存储在与第二信号线连接的页缓冲器中； 确定分别与所述多个单元区域中的每个单元区域对应的不同的读取参考；以及如果正常读取结果数据中错误的数量超过了临界值，则将读取重试命令以及限定所述不同的读取参考的信息一起传送到存储装置，并对目标存储单元执行读取重试操作。16.如权利要求15所述的方法，其中，目标存储单元共同地连接到同一第一信号线，并且 所述不同的读取参考的确定包括对于第二信号线中的每条信号线分别确定读取参考。17.如权利要求15所述的方法，所述方法还包括: 针对目标存储单元执行读取重试操作； 响应于读取重试操作而在页缓冲器中存储读取重试结果数据， 其中，读取重试操作包括分别针对设置在单元区域中的每个单元区域中的存储单元的多个读取操作，并且利用所述不同的读取参考中的一个读取参考来执行所述多个读取操作中的每个读取操作。18.如权利要求17所述的方法，所述方法还包括: 通过分析读取重试结果数据来调整所述多个读取参考。19.一种存储装置，所述存储装置包括: 存储单元阵列，包括设置在多条第一信号线与多条第二信号线彼此交叉的区域中的多个存储单元； 写入/读取电路，被配置成对从所述多个存储单元中选择的存储单元执行写入操作和读取操作，并包括临时存储读取数据的页缓冲器；以及 控制逻辑器，被配置成在读取重试部分中通过利用分别与多个单元区域对应的多个不同的读取参考来控制对被选择的存储单元的读取操作，所述多个单元区域是从被选择的存储单元划分而来的。20.如权利要求19所述的存储装置，其中，被选择的存储单元共同地连接到同一第一信号线，并且 所述多个读取参考对于分别连接到所述多个单元区域的各个第二信号线而言是不同的。
【专利摘要】提供了一种操作存储系统的方法和一种存储装置，所述存储系统包括在存储单元阵列中共同连接到第一信号线的存储单元，所述方法包括下述步骤：根据单元区域来划分存储单元；以及利用从多个读取参考中选择的并且分别与每个单元区域对应的读取参考来对设置在每个单元区域中的存储单元独立地执行读取操作。
【IPC分类】G11C7/12, G11C7/22, G11C8/08
【公开号】CN105304114
【申请号】CN201510451618
【发明人】朴贤国, 李永宅, 边大锡, 尹治元
【申请人】三星电子株式会社
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2015年7月28日
【公告号】US20160027485