剂。例如，该研磨剂可以包括纳米金刚石、氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化锗、二氧化硅、二氧化铈及其混合物中的一种或多于一种。浆料的pH值在抛光过程中可以被保持在3和9之间。
[0027]根据主题公开的一个方面，该浆料还可以包括氧化剂、络合剂以及一种或多于一种有机氨基化合物。例如，该氧化剂可以包括一种或多于一种过氧化合物(例如过氧化氢)、尿素、高锰酸盐、硝酸盐和碘酸盐。例如，该络合剂可以包括柠檬酸、乳酸、酒石酸、琥珀酸、丙二酸、草酸、氨基酸或其盐类中的一种或多于一种。例如，该有机氨基化合物可以包括三乙醇胺等。
[0028]根据主题公开的一个方面，浆料还可以包括腐蚀抑制剂，该腐蚀抑制剂包括苯并三唑或苯甲酰苯基羟胺。根据主题公开的另一个方面，浆料还可以包括稳定剂，该稳定剂包括月桂基硫酸钱(ammonium lauryl sulfate)、十二烧基硫酸钠(sodium dodecylsulfate)和月桂基硫酸钠(sodium lauryl sulfate)中的一种或多于一种。
[0029]根据主题公开的一个实验实施例，使用示例性抛光工艺来抛光涂覆有厚度为大约10 μ m的N1-XfP涂层的AlMg磁盘，该示例性抛光工艺包括在pH值为大约2的条件下的酸性抛光步骤以及在pH值为大约9下的第二抛光步骤。在第二抛光步骤中使用胶态硅石和/或纳米金刚石作为研磨剂。为了避免化学侵蚀，第二步骤的抛光浆料并不包含活泼的氧化剂如H202。第二抛光步骤是以小于0.02 μπι/min的极低去除速率进行的且留下N1-XrP表面，该表面在利用常规表面活化剂的清洗步骤之后是光滑且无缺陷的(例如在10 μ mX 10 μ m面积上用AFM测得的艮为0.2nm)。未观察到对Ni_X rP涂层的侵蚀。
[0030]根据主题公开的各种实验实施例，经抛光的AlMg/N1-X^P (例如其中X1= Cu、CuMo或Culn)磁盘与常规NiP涂覆的AlMg磁盘相比倾向于表现出增加的热稳定性。对涂覆有N1-Cu-P的示例性AlMg磁盘进行的依赖温度的磁性测量显示出将Cu添加到涂层合金中有助于遏止Ni的磁性，该磁性由于Ni的结晶化和晶体成长而在高温(例如高于340°C )下的常规NiP层中形成。这在磁盘通过多模块制造类型的溅射机进行循环并且在真空(10 7至
108托)中加热到大约450°C的温度时表现出来。磁盘在0D处由弹簧加载的不锈钢针脚支撑。针脚将磁盘固定地保持在扁板上，该扁板通过溅射机驱动至随后的沉积、加热和冷却模块。加热器台装配有两个电阻加热器线圈，其通过辐射加热磁盘的每侧。为了测量，没有将额外的涂料施加到磁盘上。每个磁盘的表面温度由高温计测量，该高温计在磁盘被移出加热器腔室之后立即探查磁盘表面的温度。施加大约1300W的加热器功率大约10秒，以将磁盘温度提升到大约450°C。在加热之后，磁盘被移出溅射机而不经过冷却台。没有任何磁盘被弯曲或者表现出0D叮当声或加热导致的其他损伤。常规AlMg/N1-P磁盘上的涂层在测试之后具有模糊的外观，说明表面粗糙度具有显著的增加(随后由AFM确认)。具有N1-X^P涂层的磁盘的表面保持着像镜子一样闪亮。对这些磁盘进行的AFM Ra测量确认了该涂料在大约450°C的温度下也不退化。
[0031]本发明的说明书被提供以使得本领域的任何技术人员都能够实施在此描述的各种实施例。虽然通过参考各种附图和实施例特别描述了本发明，但应该理解的是这些仅是为了图示说明的目的，而不应视为是对本发明的限制。
[0032]可能存在很多其他方式来实施本发明。本文描述的各种功能和元件可以不同于所显示的那样被划分，而不偏离本发明的精神和范围。对于本领域技术人员来说，这些实施例的多种修改将是显而易见的，且本文限定的一般原理可以应用于其他实施例。因此，本领域技术人员可以对本发明做出很多变化和修改，而不偏离本发明的精神和范围。
[0033]除非有特别说明，以单数形式引用一元件并不意味着“一个且仅有一个”，而是“一个或多于一个”。术语“一些”指的是一个或多于一个。有下划线和/或斜体字的标题和子标题仅用于方便，而不限制本发明，且不涉及对本发明描述的解释。本公开通篇描述的本发明各种实施例的一些元件对于本领域技术人员来说是已知的或稍后知道的，其所有结构性和功能性等价物通过引用明确地合并于此并意欲被本发明所包含。此外，本文公开的所有内容都不意欲奉献给公众，不管这种公开是否被清楚地记载在前面的说明书中。
【主权项】
1.一种形成用于硬盘驱动器的磁盘的方法，所述方法包括以下步骤: 提供含有铝的衬底； 在所述衬底上设置锌酸盐层；以及 在所述锌酸盐层上无电镀覆涂层，所述涂层包括N1、XjP X 2的合金，其中X i包括从由Ag、Au、B、Cr、Cu、Ga、In、Mn、Mo、Nb、Pb、Sb、Se、Sn、Te、W、Zn 和 Zr 构成的组中选择的一种或多于一种元素，且其中X2包括B或P，且其中X JP X 2不包括相同的元素。2.如权利要求1所述的方法，其中无电镀覆所述涂层的步骤包括: 将所述衬底置于镀液中，所述镀液包含: Ni和Χ:*的每一种的一种或多于一种金属源； 用于还原所述一种或多于一种金属源的还原剂，所述还原剂包括X2; 减少金属沉淀的一种或多于一种络合剂； 一种或多于一种稳定剂；以及 一种或多于一种pH值调节添加剂。3.如权利要求2所述的方法，其中所述镀液具有在大约5与大约9之间的pH值。4.如权利要求2所述的方法，其中当所述衬底被置于所述镀液中时所述镀液被保持在大约160° F与大约195° F之间的温度下。5.如权利要求2所述的方法，其中所述镀液具有小于6的金属循环MT0。6.如权利要求5所述的方法，其中所述镀液的所述MT0被保持在大约2.0与4.5之间。7.如权利要求2所述的方法，其中Ni的所述一种或多于一种金属源包括硫酸镍、氨基磺酸镍、醋酸镍、氯化镍、次亚磷酸镍和氟硼酸镍中的一种或多于一种。8.如权利要求2所述的方法，其中Xi的所述一种或多于一种金属源包括硫酸铜、碘酸铜、碘化铜、氯化铜、柠檬酸铟、硫酸铟、醋酸铟、钼酸、钼酸铵、钼酸钠、钨酸铵、钨酸钠和氯化铟中的一种或多于一种。9.如权利要求2所述的方法，其中所述还原剂包括次亚磷酸盐、次亚磷酸镍、二甲胺硼烷DMAB、二乙胺硼烷DEAB、硼烷胺和硼氢化钠中的一种或多于一种。10.如权利要求2所述的方法，其中所述一种或多于一种络合剂包括柠檬酸、苹果酸、乳酸、氨基酸、酒石酸、乙二胺四乙酸m)TA、羧酸及其任何盐中的一种或多于一种。11.如权利要求2所述的方法，其中所述一种或多于一种稳定剂包括扮工(1、(:11、!^、111、Mo、Pb、Sb和Sn的一种或多于一种阳离子、AsO 2、MoO 4、103、N03、马来酸、衣康酸、甲基丁炔醇、N, N- 二乙基-2-丙炔-1-胺和2- 丁炔-1，4- 二醇。12.如权利要求2所述的方法，其中所述一种或多于一种稳定剂包括碘或其化合物。13.如权利要求2所述的方法，其中所述一种或多于一种pH值调节添加剂包括K2C03、Na2C03、KHC03、NaHC03、NaOH、KOH、NH40H 和 N (CH2CH3) 3中的一种或多于一种。14.如权利要求2所述的方法，其中所述一种或多于一种pH值调节添加剂包括从由硼酸、硼砂、三乙醇胺、三亚乙基五胺、二亚乙基三胺、醋酸盐、丙酸盐、琥珀酸盐和己二酸盐构成的组中选择的缓冲剂。15.如权利要求2所述的方法，其中所述镀液还包括一种或多于一种分散剂、阴离子表面活性剂、非离子表面活性剂以及有机硫化合物。16.如权利要求2所述的方法，其还包括用浆料抛光所述涂层，所述浆料包括水溶液中的研磨剂。17.如权利要求16所述的方法，其中所述研磨剂包括纳米金刚石、氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化锗、二氧化硅、二氧化铈及其混合物中的一种或多于一种。18.如权利要求16所述的方法，其中所述浆料还包括氧化剂、络合剂以及一种或多于一种有机氨基化合物。19.如权利要求18所述的方法，其中所述氧化剂包括一种或多于一种过氧化合物、尿素、高锰酸盐、硝酸盐和碘酸盐。20.如权利要求18所述的方法，其中所述络合剂包括柠檬酸、乳酸、酒石酸、琥珀酸、丙二酸、草酸、氨基酸或其盐类中的一种或多于一种。21.如权利要求18所述的方法，其中所述一种或多于一种有机氨基化合物包括三乙醇胺。22.如权利要求16所述的方法，其中所述浆料还包括腐蚀抑制剂，所述腐蚀抑制剂包括苯并三唑或苯甲酰苯基羟胺。23.如权利要求16所述的方法，其中所述浆料还包括稳定剂，所述稳定剂包括月桂基硫酸铵、十二烷基硫酸钠和月桂基硫酸钠中的一种或多于一种。24.如权利要求16所述的方法，其中所述浆料的pH值在抛光过程中被保持在3和9之间。
【专利摘要】本发明涉及用于高温应用的无电涂覆磁盘及其制造方法。本发明提供一种用于硬盘驱动器的磁盘。该磁盘包括含有铝的衬底以及设置在该衬底上的涂层。该涂层包括Ni、X1和X2的合金，其中X1包括从由Ag、Au、B、Cr、Cu、Ga、In、Mn、Mo、Nb、Pb、Sb、Se、Sn、Te、W、Zn和Zr构成的组中选择的一种或多于一种元素，且其中X2包括B或P，且其中X1和X2不包括相同的元素。
【IPC分类】G11B5/65, G11B5/66, G11B5/858
【公开号】CN105405454
【申请号】CN201510738687
【发明人】A·J·鲁菲尼, L·A·汉密尔顿, D·布切尔-里默, J·M·拉普兰提, A·谢弗, F·K·洛斯
【申请人】西部数据传媒公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2011年8月2日
【公告号】CN102610241A, CN102610241B, US8404369, US8828482, US20120034492