阵列402为不包含存储单元的SRAM阵列。在测试电路400中，待测SRAM阵列401的第一端口 A可以位于其位线(BL)或字线(WL)处。与前面所述的测试电路200的原理相同，在测试电路400中，待测SRAM阵列电容C = Q/U，其中电量Q = (IA1_IA2)/X，电压U = Vdd，其中IA1为可通过电流表A1测量的通过第一 PM0S管403的漏极的电流，并且IA2为可通过电流表A2测量的通过第二 PM0S管405的漏极的电流。
[0040]该测试电路400仅在测试结构中添加若干器件(2个PM0S管和2个NM0S管)，结构简单，易于实现，并且通过该测试电路400，可以通过测量电流而非直接测量电容来间接测得电容，测量速度更快，测量精度更高。此外，在测试时，待测SRAM阵列和比较SRAM阵列中的外围电路的电容是彼此并联的，因此可以被简单地移除，这就避免了外围电路对待测SRAM阵列的干扰。
[0041]根据本发明的一个实施例，待测SRAM阵列和比较SRAM阵列的区别可以在于所包含的工序阶段不同。示例性地，待测SRAM阵列可以为包含前段工序的SRAM阵列，而比较SRAM阵列可以为不包含前段工序的SRAM阵列。示例性地，待测SRAM阵列可以为包含后段工序(BE0L)的SRAM阵列，而比较SRAM阵列可以为不包含后段工序的SRAM阵列。图5示出了根据本发明的一个实施例的、用于测量SRAM阵列电容的测试电路500的结构图。
[0042]如图5所示，在测试电路500中，待测SRAM阵列501为包含前段工序的SRAM阵列，比较SRAM阵列502为不包含前段工序的SRAM阵列。与前面所述的测试电路200的原理相同，在测试电路500中，待测SRAM阵列电容C = Q/U，其中电量Q = (IA1_IA2)/X，电压U =Vdd，其中IA1为可通过电流表A1测量的通过第一 PM0S管503的漏极的电流，并且IA2为可通过电流表A2测量的通过第二 PM0S管505的漏极的电流。
[0043]该测试电路500仅在测试结构中添加若干器件(2个PM0S管和2个NM0S管)，结构简单，易于实现，并且通过该测试电路500，可以通过测量电流而非直接测量电容来间接测得电容，测量速度更快，测量精度更高。此外，该测试电路500可以用于区分前段工序和后段工序并联电容。
[0044]根据本发明的一个实施例，用于测量SRAM阵列电容的测试电路可以包括多个比较SRAM阵列，并且多个比较SRAM阵列中的每一个对应于一个第二 PM0S管和一个第二 NM0S管。示例性地，用于测量SRAM阵列电容的测试电路可以包括2个比较SRAM阵列。可选地，待测SRAM阵列和比较SRAM阵列的区别在于存储容量不同。示例性地，待测SRAM阵列和比较SRAM阵列可以包含不同个数的存储单元。图6示出了根据本发明的一个实施例的、用于测量SRAM阵列电容的测试电路600的结构图。
[0045]如图6所示，在测试电路600中，包括待测SRAM阵列601以及比较SRAM阵列602和比较SRAM阵列603。其中，待测SRAM阵列601的存储容量为5K，比较SRAM阵列602的存储容量为10K，比较SRAM阵列603的存储容量为20K。其中，比较SRAM阵列602与第二 PM0S管606和第二 NMOS管607相对应；比较SRAM阵列603与第二 PM0S管608和第二 NM0S管609相对应。S卩，比较SRAM阵列602的第一端口连接第二 PM0S管606的源极和第二 NM0S管607的漏极，第二端口连接Vss ；比较SRAM阵列603的第一端口连接第二 PM0S管608的源极和第二 NM0S管609的漏极，第二端口连接Vss。与前面所述的测试电路200的原理相同，在测试电路600中，待测SRAM阵列电容C = Q/U，其中电量Q = (IA3-1A2)/(X*10K)或者(ΙΑ3-ΙΑ1)/(Χ*15Κ)，电压U = Vdd，其中IA1为可通过电流表A1测量的通过第一 PM0S管604的漏极的电流，IA2为可通过电流表A2测量的通过第二 PM0S管606的漏极的电流，并且IA3为可通过电流表A3测量的通过第二 PM0S管608的漏极的电流。
[0046]该测试电路600仅在测试结构中添加若干器件(3个PM0S管和3个NM0S管)，结构简单，易于实现，并且通过该测试电路600，可以通过测量电流而非直接测量电容来间接测得电容，测量速度更快，测量精度更高。
[0047]实施例二
[0048]另一方面，本发明提供一种使用上述测试电路测量SRAM阵列电容的方法。所述方法包括:当所述测试电路工作时，在第一 PM0S管、第一 NM0S管、第二 PM0S管以及第二 NM0S管上加脉冲，以使其导通或关闭；测量通过第一 PM0S管的漏极的第一电流和通过第二 PM0S管的漏极的第二电流；以及基于第一电流和第二电流、脉冲的频率以及使测试电路工作的第一电源和第二电源的电压计算待测SRAM阵列的电容。示例性地，在PM0S管和NM0S管上所加的脉冲的频率为X，所测得的第一电流为IA1、第二电流为IA2，使测试电路工作的第一电源和第二电源的电压均为Vdd，则待测SRAM阵列电容C = Q/U，其中电量Q = (IA1-1A2)/X，电压 U = Vdd。
[0049]根据本发明的一个实施例，在第一 NM0S管和第二 NM0S管上所加的脉冲的宽度小于在第一 PM0S管和第二 PM0S管上所加的脉冲的宽度。示例性地，在NM0S管上所加的脉冲的宽度可以为在PM0S管上所加的脉冲的宽度的0.8倍，用表达式可表示为:N脉s= 0.8*P脉to若PMOS管的延时Pew为0，则NMOS管的延时用表达式可表示为:New= (ΡΜ_ΝΜ)/2。
[0050]本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
【主权项】
1.一种用于测量SRAM阵列电容的测试电路，其特征在于，所述测试电路包括: 待测SRAM阵列、用于与所述待测SRAM阵列进行比较的比较SRAM阵列、与所述待测SRAM阵列相对应的第一 PMOS管和第一 NMOS管、以及与所述比较SRAM阵列相对应的第二PMOS管和第二 NMOS管，其中， 所述第一 PMOS管的漏极连接第一电源，所述第二 PMOS管的漏极连接第二电源； 所述第一 NMOS管的源极连接第三电源，所述第二 NMOS管的源极连接所述第三电源； 所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极相连接，所述第一 NMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的栅极相连接； 所述待测SRAM阵列的第一端口连接所述第一 PMOS管的源极和所述第一 NMOS管的漏极，所述待测SRAM阵列的第二端口连接所述第三电源； 所述比较SRAM阵列的第一端口连接所述第二 PMOS管的源极和所述第二 NMOS管的漏极，所述比较SRAM阵列的第二端口连接所述第三电源。2.如权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述测试电路包括多个所述比较SRAM阵列，并且多个所述比较SRAM阵列中的每一个均对应于一个所述第二 PMOS管和一个所述第二 NMOS管。3.如权利要求1或2所述的测试电路，其特征在于，所述待测SRAM阵列和所述比较SRAM阵列的区别在于存储容量不同。4.如权利要求3所述的测试电路，其特征在于，所述待测SRAM阵列和所述比较SRAM阵列包含的存储单元的个数不同。5.如权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述待测SRAM阵列和所述比较SRAM阵列的区别在于是否包含存储单元。6.如权利要求5所述的测试电路，其特征在于，所述待测SRAM阵列包含存储单元，所述比较SRAM阵列不包含存储单元。7.如权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述待测SRAM阵列和所述比较SRAM阵列的区别在于所包含的工序阶段不同。8.如权利要求7所述的测试电路，其特征在于，所述待测SRAM阵列包含前段工序，所述比较SRAM阵列不包含前段工序。9.如权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述第一电源和所述第二电源相同，均为 VdcL10.如权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述第三电源为Vss。11.一种使用如权利要求1所述的测试电路测量SRAM阵列电容的方法，其特征在于，当所述测试电路工作时， 在所述第一 PM0S管、所述第一 NM0S管、所述第二 PM0S管以及所述第二 NM0S管上加脉冲，以使其导通或关闭； 测量通过所述第一 PM0S管的漏极的第一电流和通过所述第二 PM0S管的漏极的第二电流；以及 基于所述第一电流和所述第二电流、所述脉冲的频率以及使所述测试电路工作的所述第一电源和所述第二电源的电压计算所述待测SRAM阵列的电容。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述第一NM0S管和所述第二 NM0S管上 所加的脉冲的宽度小于在所述第一 PMOS管和所述第二 PMOS管上所加的脉冲的宽度。
【专利摘要】本发明提供一种用于测量SRAM阵列电容的测试电路及测量SRAM阵列电容的方法。所述测试电路包括：待测SRAM阵列、用于与待测SRAM阵列进行比较的比较SRAM阵列、与待测SRAM阵列相对应的第一PMOS管和第一NMOS管、以及与比较SRAM阵列相对应的第二PMOS管和第二NMOS管。本发明所提供的用于测量SRAM阵列电容的测试电路仅在测试结构中添加若干器件，结构简单，易于实现，并且通过该测试电路，可以通过测量电流而非直接测量电容来间接测得电容，测量速度更快，测量精度更高。
【IPC分类】G11C29/56
【公开号】CN105489248
【申请号】CN201410537903
【发明人】张弓
【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2014年10月13日