一种非易失性存储器的擦除方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体存储器技术领域，具体涉及一种非易失性存储器的擦除方法。
【背景技术】
[0002]非易失存储器中存在两种基本存储单元，即擦除存储单元(erase cell)和编程存储单元(program cell)，也即“ 1”和“0”，因此，对应存在着擦除和编程这两种非易失存储器单元的基本操作。其中，将“0”变为“1”的过程称为擦除，反之，则称为编程。
[0003]非易失性存储器的存储块(Block)通常包括多个扇区(Sector)，每一个扇区包括多个存储单元，当对存储单元的栅极加负压，衬底加负压时，扇区中存储单元中的数据被擦除，即将存储单元中的数据由“0”变为“1”。现有技术中，在对非易失性存储器进行存储块擦除时，首选对存储块中扇区的依次进行擦除验证(EV)，判断存储单元中存储的信息是“ 1 ”还是“0”，当存储的信息为“0”时，便对整个存储块进行擦除，再通过过擦除验证(0EV)检验是否存在擦除过深的存储单元，若存在擦除过深的存储单元，则对擦除过深的存储单元进行过擦除编程，将擦除过深的存储单元的电压进行校正，使其位于阈值电压或者大于阈值电压，当存储块中所有扇区都通过EV或对存储块的擦除次数达到最大擦除次数时，结束对存储块的擦除。
[0004]然而，利用上述现有技术进行存储块擦除时，对于已经全部存储单元都通过擦除验证的扇区仍需执行擦除流程，容易导致该扇区中的存储单元产生过擦除，在之后进行过擦除验证时需要花费大量时间对过擦除的存储单元的电压进行校正，从而导致擦除速度慢。
【发明内容】
[0005]有鉴于此，本发明实施例提供一种非易失性存储器的擦除方法，以加快非易失性存储器的擦除速度。
[0006]本发明实施例提供了一种非易失性存储器的擦除方法，所述非易失性存储器包括多个存储块，每一个存储块包含多个扇区，每一个扇区包含多个存储单元，所述方法包括:
[0007]S1依次判断存储块中每一个扇区是否通过擦除验证，若当前扇区通过擦除验证，则对通过擦除验证的当前扇区进行标记，对当前扇区的下一个扇区进行擦除验证；若当前扇区没有通过擦除验证，则对存储块中除通过擦除验证以外且包括当前扇区在内的剩余扇区进行擦除操作；
[0008]S2对擦除操作后的剩余扇区中的存储单元进行过擦除验证，对没有通过过擦除验证的存储单元进行过擦除编程。
[0009]进一步地，所述方法还包括:
[0010]重复执行上述步骤S1至S2，直至所有扇区都通过擦除验证或者对所述剩余扇区的擦除次数达到阈值擦除次数为止。
[0011]进一步地，所述依次判断存储块中每一个扇区是否通过擦除验证包括:
[0012]依次读取存储块中每一个扇区中各存储单元中的存储信息；
[0013]对于当前扇区，当该扇区中各存储单元的存储信息全部为1时，判断该扇区通过擦除验证；当该扇区中各存储单元的存储信息不全部为1时，判断该扇区没有通过擦除验证。
[0014]进一步地，所述对存储块中除通过擦除验证以外且包括当前扇区在内的剩余扇区进行擦除操作包括:
[0015]对通过擦除验证的扇区中的存储单元的字线加正电压，衬底加高电压；
[0016]对存储块中除通过擦除验证以外且包括当前扇区在内的剩余扇区中的存储单元的字线加负电压，衬底加高电压。
[0017]进一步地，所述高电压的范围为10V-15V。
[0018]进一步地，所述对擦除操作后的剩余扇区中的存储单元进行过擦除验证包括:
[0019]判断擦除操作后所述剩余扇区中各存储单元的阈值电压是否小于预定阈值电压，若是，则判断阈值电压小于预定阈值电压的存储单元没有通过过擦除验证。
[0020]进一步地，所述判断擦除操作后的剩余扇区中各存储单元的阈值电压是否小于预定阈值电压包括:
[0021]依次读取擦除操作后的剩余扇区中各存储单元中的存储信息，对于每一个存储单元，当该存储单元中存储信息为0时，判断该存储单元的阈值电压大于预定阈值电压；当该存储单元中存储信息为1时，判断该存储单元的阈值电压小于预定阈值电压。
[0022]进一步地，所述对没有通过过擦除验证的存储单元进行过擦除编程包括:对没有通过过擦除验证的存储单元进行过擦除编程时的编程电压为一固定电位的正电压。
[0023]本发明通过依次判断存储块中每一个扇区是否通过擦除验证，若当前扇区通过擦除验证，则对通过擦除验证的当前扇区进行标记，对当前扇区的下一个扇区进行擦除验证，若当前扇区没有通过擦除验证，则对存储块中除通过擦除验证以外且包括当前扇区在内的剩余扇区进行擦除操作，对擦除操作后的剩余扇区中的存储单元进行过擦除验证，对没有通过过擦除验证的存储单元进行过擦除编程。在擦除过程中，不需要对通过擦除验证的扇区施加擦除电压，防止发生过擦除，且随着擦除次数的增加，所述存储块中通过擦除验证的扇区的数目也在逐渐增加，因而需要进行擦除操作的剩余扇区的数目越来越少，从而节省了通过擦除验证的扇区进行过擦除编程的时间，提高了非易失性存储器的擦除速度。
【附图说明】
[0024]下面将通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，使本领域的普通技术人员更清楚本发明的上述及其他特征和优点，附图中:
[0025]图1是本发明实施例提供的非易失性存储器的擦除方法流程图；
[0026]图2是本发明实施例的非易失性存储器的擦除方法进行擦除操作时的示意图。
【具体实施方式】
[0027]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
[0028]图1是本发明实施例的非易失性存储器的擦除方法流程图，该方法可适用于非易失性存储器中进行数据擦除，该实现流程详述如下:
[0029]步骤S1、依次判断存储块中每一个扇区是否通过擦除验证，若当前扇区通过擦除验证，执行步骤Sla，对通过擦除验证的当前扇区进行标记，对当前扇区的下一个扇区进行擦除验证；若当前扇区没有通过擦除验证，执行步骤Slb，对存储块中除通过擦除验证以外且包括当前扇区在内的剩余扇区进行擦除操作。
[0030]具体地，所述依次判断存储块中每一个扇区是否通过擦除验证可包括:
[0031]步骤S11、依次读取存储块中每一个扇区中各存储单元中的存储信息。
[0032]在本步骤中，可以依次向存储块中每一个扇区发送读取信息的指令，对于存储块中的当前扇区，该扇区根据所述读取信息指令读取该扇区中每一个存储单元中的存储信肩、Ο
[0033]步骤S12、对于当前扇区，当该扇区中各存储单元的存储信息全部为1时，判断该扇区通过擦除验证；当该扇区中各存储单元的存储信息不全部为1时，判断该扇区没有通过擦除验证。
[0034]根据当前扇区中各存储单元中的存储信息判断该扇区是否通过擦除验证，当该扇区中每一个存储单元的存储信息都为1时，判断该扇区通过擦除验证，当该扇区中一部分存储单元的存储信息为1，另一部分存储单元的存储信息为0时，判断该扇区没有通过擦除验证。
[0035]步骤Sla、对通过擦除验证的当前扇区进行标记，对当前扇区的下一个扇区进行擦除验证。
[0036]在本步骤中，当存储块中当前扇区通过擦除验证时,对该通过擦除验证的当前扇区进行标记，对下一个扇区进行擦除验证，具体地，可将通过擦除验证的扇区存储于锁存器中，以便对通过擦除验证的扇区中的信息暂存，以维持通过擦除验证的扇区中各存储单元中的信息全部为1电平状态。
[0037]步骤Slb、对存储块中除通过擦除验证以外且包括当前扇区在内的剩余扇区进行擦除操作。
[0038]图2是本发明实施例的非易失性存储器的擦除方法进行擦除操作时的示意图，如图2所示，所述对存储块中除通过擦除验证以外且包括当前扇区在内的剩余扇区进行擦除操作可包括:
[0039]步骤Slbl、对通过擦除验证的扇区中的存储单元的字线加正电压，衬底加高电压。
[0040]所述存储单元通常也是一个M0S管，拥有一个源极、一个漏极、一个栅极，另外还有一个浮动栅极，可见，它的构造和一般的M0S管略有不同，多了一个浮动栅极，存储单元的字线与M0S管的栅极连接，对通过擦除验证的扇区的存储单元的字线加正电压Vros，衬底加高电压，其中，所述正电压Vros可以是3V，所述高电压的范围可以为10V-15V，如图2所示，图中扇区2里面各存储单元的存储信息全部为1，因此对扇区2中各存储单元的字线加正电压，衬底加高电压，将0电压施加到通过擦除验证的扇区中的存储单元的位线、源极和衬底上，防止通过擦除验证的扇区发生过擦除。
[0041]步骤Slb2、对存储块中除通过擦除验证以外且包括当前