专利名称：陶瓷电阻器及其制造方法
技术领域：
本发明涉及的是一种以陶瓷为电阻体材料的陶瓷电阻器及其制造方法。
这种陶瓷电阻器对高压脉冲或大电力波涌有耐久性，并且因为主要构成材料是陶瓷，具有能够耐高温等其它的电阻器所没有的优点。
在上述公报所记载的制造方法中，有将4种类以上的初始原料(各不相同的元素的化合物)在球形研磨机中经过20小时混合的工程。这里如果说是进行了充分的混合，理应说由初始原料大量生产所得的同一规格的电阻器的电阻值的偏差可以被抑制得很小。然而要抑制上述电阻值的偏差，仅通过球形研磨机的混合是不充分的。
为此本发明所要解决的课题是，对于由4种以上的金属元素及/或者半金属元素的化合物以及/或者复合化合物形成的以陶瓷为电阻体材料的陶瓷电阻器，以抑制其电阻值的偏差问题。
本发明的技术方案为解决上述课题，本发明的以陶瓷为电阻体材料的陶瓷电阻器制造方法，是由4种以上的金属以及/或者半金属(Si等，以下本发明说明书中为了方便将Si当做金属)的单体、化合物或者复合化合物作为初始原料，并混合该初始原料，然后经过成形、烧成过程的陶瓷电阻器的制造方法；其特征在于所说的混合过程包括使所说的使初始原料在混合容器1内遍布全体流动的手段、和解除混合容器1内的初始原料凝集的手段。
制造由4种以上的金属元素以及/或者半金属元素的化合物以及/或者复合化合物形成的陶瓷时，一般需要多种初始原料。通常初始原料呈粉状，被混合、成形、烧成制造成陶瓷。而制造由4种以上的金属元素以及/或者半金属元素的化合物以及/或者复合化合物所形成的陶瓷时，上述混合的过程成为重要的因素。其理由是，某种特定的元素(初始原料)在凝集状态时就供应到后续的成形、烧成工程的话，则很难得到所期待的陶瓷的机能。因此在利用以陶瓷作为电阻体材料的陶瓷电阻器以及陶瓷的电气特性时，所说的过程是特别重要的。
通过以往的球形研磨机的混合，很难得到所说的解除凝集的效果。其理由是有以下(1)(2)的2个理由可以考虑到。(1)干燥混合时，容易产生诱发凝集的静电，(2)一旦牢固地附着在混合容器内壁或者球形研磨机所使用的陶瓷等制成的球体上时，在此特定的初始原料发生凝集时，不容易解除这种凝集。
本发明所说的混合过程，其特征在于使初始原料在混合容器1内遍布全体流动的手段、和解除混合容器1内的初始原料的凝集的手段。使初始原料遍布混合容器1内全体流动的手段，如
图1所示，是使第1搅拌叶片2比较缓慢地边旋转(1～30rpm)边公转(20～50rpm)的手段。其中公转是指沿所说的旋转方向面来移动旋转轴。
解除在混合容器1内的所说的初始原料凝集的手段，如图1所示，是高速旋转(2000～6000rpm)第2搅拌叶片3，并局部地进行搅拌的手段。另外，所需要的混合时间虽然因其它各条件(旋转·公转速度、被混合物的粘度等)而改变，大体需要10～30分钟。当然花费这以上的混合时间也可。
通过上述使初始原料在混合容器1内遍布全体流动的手段，首先能够粗略地使容器内的初始原料均一分布，对于与此同时凝集的特定初始原料顺次地实施后述的解除凝集的手段。该手段也可存在于解除初始原料凝集的机能中但并不一定被要求。其次通过解除混合容器1内的初始原料凝集的手段，对于凝集的初始原料进行冲击等使之均匀地分散。这样，在实现在解除初始原料凝集的同时也使初始原料在混合容器1内遍布全体地均一分布，即能够实现非常均一的混合状态。
大量制造将由此得到的非常均一的混合状态的初始原料经过成形、烧成后而得的陶瓷电阻体材料时，它们的电阻值偏差能够得到抑制。其理由如下陶瓷电阻体的导电机构，可以说是通过因元素间共有结合的不完全性所产生的自由电子或载体(媒体)的移动而形成的。这种共有结合的不完全性，是在形成不同价数的化合物的元素化合物间进行共有结合时所产生的。所以如果仅将特定初始原料(同种金属或同种金属化合物)的凝集部分在不解除的情况下进行烧成、烧结后，因该部分基本上是完全的共有结合，载体难以移动，容易变成导电阻害部分。而且一般来说，自由电子比载体容易移动，因此如果能多数量地形成自由电子容易移动的部分的话，就能够成为导电促进部分。而载体根据其形成方式，其移动的容易性则不同。考虑这些所有因素后，可以理解为如果得不到上述非常均一的混合状态，陶瓷电阻体材料的电阻值偏差的抑制就会很困难。
本发明者发现上述均一混合状态和陶瓷电阻体的电阻温度特性之间具有某种程度的相关关系。在此所说的电阻温度特性(TCR)是以JIS·C 5202 5.2.3为准的、其周围温度在25及125时的电阻值被测定时的每单位温度变化的电阻值变化量(单位ppm/)。在这里所得到的上述均一混合状态，和以往相比电阻温度特性值会变高(图4)(这里，电阻温度特性值向正值变化时，用「变高」表示)。
对于以由4种类以上的金属元素以及/或者半金属元素的化合物以及/或者复合化合物形成的陶瓷作为电阻体材料的陶瓷电阻器来说，能够到抑制电阻值偏差程度的所能得到的上述均一混合状态的电阻温度特性值，当电阻体材料的电阻率为1kΩcm以下时，为-1150ppm/以上；当电阻体材料的电阻率为1kΩcm～8kΩcm时，为-1300ppm/以上；当电阻体材料的电阻率为8kΩcm～30kΩcm时，为-1450ppm/以上；当电阻体材料的电阻率为30kΩcm～70kΩcm时，为-1530ppm/以上；当电阻体材料的电阻率为70kΩcm以上时，为-1620ppm/以上。这些电阻温度特性值，成为能否得到上述均一混合状态的一种指标。
即通过满足上述电阻率和电阻温度特性值之间的关系，对于由4种以上的金属元素以及/或者半金属元素的化合物以及/或者复合化合物所形成的以陶瓷作为电阻体材料的陶瓷电阻器来说，就能够抑制电阻值的偏差。
上述的电阻体材料，包含Mg以及Si。这些元素不仅都容易得到，而且一般这些元素和其它的金属元素以及/或者半金属元素的化合物以及/或者复合化合物，有能够制造具有广范围电阻率的电阻体材料的优点。
另外，Mg以及Si为必须元素，其它的2种以上的金属元素以及/或者半金属元素的化合物或复合化合物作为电阻体材料时的该金属元素，可以从Ca、Zn、Sr、Cd、Ba中至少选1种元素(第1类群)，从Sn、Al、Sb、Ga、Pb、Cr、Mn、Ge中至少选1种元素(第2类群)，以及从Bi、Nb、Ta、V、W、Mo中至少选1种元素(第3类群)。这些金属、半金属元素以外即使含有不纯物程度的元素或和其化合物以及/或者其它元素的复合化合物，只要这些不会给电阻温度特性或电阻值偏差抑制的效果带来很大影响程度的话，使用了这些而制作的陶瓷电阻器均在本发明范围内。
上述第1类群是碱土类金属类群。其中Cd的使用在环境调和性这一点上被视为有问题。如果考虑到得到的容易性的话，从Ca、Zn、Ba中选1种以上为佳。
上述第2类群是两性金属元素类群。其中Pb的使用在环境调和性这一点上被视为有问题。如果考虑到得到的容易性的话，从Sn、Al、Sb、Mn中选1种以上为佳。
上述第3类群是能够形成三价或五价的化合物的元素类群。考虑到得到的容易性的话，从Bi、V、W中选1种以上为佳。通过这些由第1～3类群以及Mg及Si的化合物以及/或者复合化合物形成的陶瓷制成的电阻体材料，对高压脉冲或大电力浪涌具有耐久性，可以得到具有很广电阻率范围的电阻体的陶瓷电阻器。
图2是本发明的陶瓷电阻器和现有的陶瓷电阻器的电阻值偏差的示意图。
图3是本发明的陶瓷电阻器和现有的陶瓷电阻器的电阻值偏差的示意图。
图4是根据以往的混合方法以及本发明所说的混合方法所示的陶瓷电阻材料的电阻率和电阻温度特性(TCR)的关系的示意图。
本发明的最佳实施形态以下就本发明实施形态的一例予以说明。(样品A的制造方法)准备MgO、SiO2及Mg和Si的复合化合物的混合物(i)、CaCO3(ii)、BaCO3(iii)、Sn2O3(iv)、以及Sb2O3(v)，并将其重量配合比率设定为(i)∶(ii)∶(iii)∶(iv)∶(v)＝1 4∶78∶1∶2∶4。将这些金属化合物群设定为100重量单位时，分别加入CMC(羧化甲基纤维素)1重量单位、水21重量单位、乙二醇2重量单位，投入到图1所示的混合容器1中而成初始原料群。然后，使混合容器1内处于减压状态，在此状态下使第1搅拌叶片2以2～3rpm的速度旋转、以40rpm公转，使该初始原料群在混合容器1内呈遍布全体的流动。同时，以6000rpm的速度高速旋转第2搅拌叶片3，混合上述的初始原料群，解除初始原料群的凝集。并且，将第1搅拌器叶片2旋转状态时的最大直径设定为240mm，将第2搅拌叶片3旋转状态时的最大直径设定为40mm，公转的直径设定为60mm。此时，上述减压的程度为从被混合的糊状初始原料群能够脱泡的程度，并且其混合时间设为20分钟。这样初始原料即成为脱泡后的粘土状。
将混合工程完成后的上述糊状(粘土状)初始原料群成形为所定圆筒形状，自然干燥后，在最高1380℃的条件下烧2小时，同时在大气中烧成约16小时。这样，CMC及水分会完全挥发，变成金属化合物的烧结体——即陶瓷。此陶瓷作为电阻体在圆筒的两端涂有银涂料，固定后得到本发明的陶瓷电阻器。(样品B的制造方法)准备MgO、SiO2以及Mg和Si的复合化合物的混合物(i)、CaCO3(ii)、BaCO3(iii)、SnO2(iv)、Sb2O3(v)、和Bi2O3(vi)，其重量配合比率设定为(i)∶(ii)∶(iii)∶(iv)∶(v)∶(vi)＝66∶13∶4∶11∶1∶4。将这些金属化合物群设定为100重量单位时，加入CMC(羧化纤维素)2重量单位、水28重量单位，并投入到图1所示的混合容器1中而成初始原料群。然后通过与样品A完全相同的过程得到本发明的陶瓷电阻器。(样品a的制造方法)当金属化合物群为100重量单位，除了水的量约为100重量单位以外，将初始原料群及其配合比率设定为与样品A完全相同。然后把这些原料投入到圆筒型混合容器里，混入多个直径为30mm的陶瓷球，即在所谓的球形研磨机进行混合，混合时间为20小时。另外，混合后进行脱水干燥，当金属化合物为100重量单位时，分别加入CMCl重量单位、水21重量单位及乙二醇2重量单位，为了达到能够成形程度的粘度，把金属化合物和含水的CMC等混合在一起，在大气压下用搅拌机搅拌40～60分钟，然后在减压状态下进行脱泡处理，再经过与样品A完全相同的成形·烧成等的过程，得到样品a的陶瓷电阻器。(样品b的制造方法)
当金属化合物群为100重量单位时，除了水量约为100重量单位以外，将把初始原料群及其各配合比率设定为和样品B完全相同。然后，经过与样品a完全相同的过程，形成样品b的陶瓷电阻器。(各样品的评价)分别测定了样品A、B、a、B的电阻值(n＝100)。图2和图3所示的分别为对于样品A、a和样品B、b的各电阻值的偏差的柱状组织图。这些图清楚地表明，本发明的样品A和根据现有技术的制造方法的样品a、以及本发明的样品B和根据现有技术的制造方法而得的样品b相比，电阻率的偏差被明显地抑制。
另外本发明的样品A、B如上所述，其混合所需的时间约为20分钟；而现有技术的样品a、b如上所述，混合所需的时间为20小时。由此可知，本发明可以大幅度地缩短制造陶瓷电阻器所需要的时间。(其它样品的制造方法)在上述样品A的制造方法中，调整MgO、SiO2以及Mg和Si的复合化合物的混合物、CaCO3、BaCO3、Sn2O3、和Sb2O3的重量配合比率，分别制造拥有电阻率值为1.5Ωcm(通过样品A的制造方法可以得到)、10Ωcm、100Ωcm、1kΩcm电阻体的陶瓷电阻器。
在上述样品B的制造方法中，调整MgO、SiO2及Mg和Si的复合化合物的混合物、CaCO3、BaCO3、SnO2、Sb2O3、和Bi2O3的重量配合比率，分别制造了拥有电阻率值为8kΩcm、30kΩcm、70kΩcm、160kΩcm(通过样品B的制造方法可以得到)的电阻体的陶瓷电阻器。
另外，在上述样品a的制造方法中，调整MgO、SiO2以及Mg和Si的复合化合物的混合物、CaCO3、BaCO3、Sn2O3、Sb2O3的重量配合比率，分别可以制造拥有电阻率值为1.5Ωcm(通过样品a的制造方法仅可得到少量)、10Ωcm、100Ωcm、1kΩcm的电阻体的陶瓷电阻器。
在上述样品b的制造方法中，调整MgO、SiO2以及Mg和Si的复合化合物的混合物、CaCO3、BaCO3、SnO2、Sb2O3、和Bi2O3的重量配合比率，分别可以制造拥有电阻率值为8kΩcm、30kΩcm、70kΩcm、160kΩcm(在样品b的制造方法中仅得到少许)的电阻体的陶瓷电阻器。
现将上述重量配合比率的调整基准以同业者能够实施的程度予以说明。即，如果增加MgO、SiO2以及Mg和Si的复合化合物的混合物、CaCO3、BaCO3、Bi2O3的总配合比率的话，就会提高电阻体的电阻率值；而如果增加其他初始原料的总配合比的话，反而会有降低电阻体的电阻率值的作用。通过调整这些配合比率，可以得到所期待的电阻率值的电阻体。(其它样品的电阻温度特性)对于所制造的上述其它样品，分别测定了25℃～100的电阻温度特性(TCR)值，其结果如图4所示(n＝10)。
对于具相同电阻率值的样品，用本发明的初始原料混合方法制造的电阻体和用现有技术的初始原料混合方法制造的电阻体相比，可以知道，用本发明的初始原料混合方法制造的电阻体的值，较用现有的初始原料混合方法制造的电阻体的值均高出150～300ppm/的值。
如图4所示，用本发明的混合方法制造的电阻体，具有以下(1)～(5)所示的电阻率和电阻温度特性的关系。(1)电阻体材料的电阻率为1kΩcm以下时TCR在-1150ppm/以上；(2)电阻体材料的电阻率为1kΩcm～8kΩcm时，TCR在-1300ppm/以上；(3)电阻体材料的电阻率为8kΩcm～30kΩcm时，TCR在-1450ppm/以上；(4)电阻体材料的电阻率为30kΩcm～70kΩcm时，TCR在-1530ppm/以上；(5)电阻体材料的电阻率为70kΩcm以上时，TCR在-1620ppm/以上。(本发明实施形态的补充说明)在上述实施例中，只说明了作为初始原料群，将MgO、SiO2以及Mg和Si的复合化合物的混合物、CaCO3、BaCO3、Sn2O3、Sb2O3按所定配合比率进行混合、烧成后所得的陶瓷电阻体，以及，将MgO、SiO2、Mg和Si的复合化合物的混合物、和CaO、BaO、SnO2、Sb2O3、Bi2O3按所定配合比率进行混合、烧成后所得的陶瓷电阻体。但是，除实施例以外，还可以通过本发明的陶瓷电阻器的制造方法制造含4种以上的金属或半金属元素的陶瓷电阻体，其也具有降低电阻值偏差的效果。
作为含4种以上金属或半金属元素的陶瓷电阻体的例子，可以是分别从Mg和Si、以及Ca、Zn、Sr、Cd、Ba中至少选一种的元素，从Sn、Al、Sb、Ga、Pb、Cr、Mn、Ge中至少选一种的元素，以及，从Bi、Nb、Ta、V、W、Mo中至少选一种的元素为主要成分的化合物以及/或者复合化合物来形成陶瓷电阻体。
例如对于上述样品B，可以把微量的WO3添入至初始原料中，也可以把微量的WO3为初始原料的一种代替Bi2O3。在这种情况，增加WO3的配合比率的话，就可以增加所制造的电阻体的电阻率。
还有，在本发明实施例中，初始原料混合时混合容器设定为减压状态，且混合物中含有水和CMC，故呈糊状，这样在混合时容易起泡。上述的减压状态的主要目的是为了脱泡，但是不一定必须在混合时进行脱泡，也可以在混合工序完成后设置脱泡工序，或者在成形装置上设减压机能，是其在成形的同时能够进行脱泡。像这样将脱泡工序和混合工序等同时进行，可以缩短制造时间，故更为理想。
在本发明实施例中，为使初始原料在混合容器里遍布全体地流动，虽然使用了较慢旋转、公转的搅拌叶片(图1中的第1搅拌叶片2)，但并不限定于此，也可以通过使用例如做年糕时用的大锤子，反复敲打并翻转糊状初始原料群，使得初始原料在混合容器内遍布全体地流动。
在本发明实施例中，作为解除混合容器内的初始原料凝集的手段，使用了旋转直径较小、高速旋转的搅拌叶片(图1中的第2搅拌叶片3)。但并不限定于此，也可以通过例如由混合容器内部或外部向初始原料赋予超音波来解除混合容器内初始原料的凝集。
在本发明实施例中，电阻材料的成形形状设定为圆筒状，也可以是平板状，电阻器自身也可为是峰状，或者也可以是用于面装配用的便于安装的形状。
在本发明实施例中，虽然成形前的初始原料设定为粘土状，但也可以呈薄片状——即初始原料为很多的片状状态，这可以通过减少水分，通过本发明的混合过程来得到。设定为薄片状的优点在于，可以回避呈粘土状时的后工程成形时作业的不利点，例如难以对成形装置的供给量进行调整，难以使供给作业顺利进行，以谋求自动化等。
另外，在本发明实施例中，从混合过程初期开始向混合容器中加入水分，但也并不一定必须如此。例如，在本发明实施例中的样品A及样品B的初始原料中，可以明确的是在混合过程初期(20分钟左右)，不向混合容器内加入水分的话，反而可以抑制各个初始原料的凝集。此时的混合条件是，在混合过程的初期使第1搅拌叶片2以2～3rpm进行旋转、以40rpm进行公转，并使第2搅拌叶片3以6000rpm进行高速旋转，促使上述初始原料群进行混合，然后，向混合容器内加入与样品A、样品B相应量的水分，并维持10分钟的搅拌。之后，停止第2搅拌叶片，仅用第1搅拌叶片搅拌10分钟。在此条件下，没有观测到因静电发生而使初始原料的凝集(多少有发生的可能性，但为可忽略不计的程度)，能得到更好的混合状态。这里所说的混合状态的好坏，是根据烧成工程后的陶瓷电阻体的切断断面的元素分析来确认的。样品A、样品B的初始原料，被确认有极少的CaCO3、BaCO3和Sn氧化物的凝集，但与经过所说的不导入水分状态下的混合工程相比，这些凝集几乎观测不到。
观察到极少的凝集、和几乎观测不到凝聚的差异在于，是否能观测到烧成工程后的陶瓷中的微细空隙。前者观测得到微细空隙，后者完全观测不到该空隙。其理由虽然尚不很明确，但可以认为与凝集部分和其它部分的热收缩率的不同等有关。此差异的有无，并没有给上述电阻温度特性(图4)及电阻值的偏差(图2、图3)带来影响，这是因为凝集的部分在数量上是极少的。但是即使是极少量也有空隙存在，常常被认为会降低由陶瓷制成的电阻体强度，但强度试验的结果却没有差异，这是因为空隙的存在比率极低。但即使没有这些差异，为了使电阻器的提供者以及使用者能放心地对待该电阻器，毫无疑问还是以没有空隙的存在为更佳。
作为更加良好的混合状态——即更进一步减少特定的初始原料的凝集的方法，对于样品A、样品B的初始原料来说，可以通过预先缩小BaCO3的粒径来实现。虽然这个理由也不明确，但可以认为是与其它相比较，BaCO3的粒径略大的原因。能观察到极少凝集、和几乎观测不到凝聚的差异在于，能否观测得到烧成工程后的陶瓷有局部且微细的变色部份。前者可以观测到变色部份，后者完全观测不到该变色部份。根据元素分析可以确认该变色部份主要是由Ba化合物形成的。像这样变色部份的有无，当然不会给上述电阻温度特性(图4)、以及电阻值的偏差(图2、图3)带来影响，这是因为凝集的部份在数量上极少。
产业上的利用可能性综上所述，本发明是以由4种类以上的金属元素以及/或者半金属元素的化合物以及/或者复合化合物形成的陶瓷来作为电阻体材料的陶瓷电阻器，可以大幅度地抑制电阻值的偏差。而且，通过本发明的陶瓷电阻器的制造方法，与现有技术相比，可以大幅度地缩短制造时所需要的时间。
权利要求
1.一种陶瓷电阻器，其是以由4种类以上的金属元素以及/或者半金属元素的化合物以及/或者复合化合物组成的陶瓷来作为电阻体材料，其特征在于所说的电阻体材料的电阻率值在1kΩcm以下，且该电阻器具有-1150ppm/℃以上的电阻温度特性。
2.一种陶瓷电阻器，其是以由4种类以上的金属元素以及/或者半金属元素的化合物以及/或者复合化合物组成的陶瓷来作为电阻体材料，其特征在于所说的电阻体材料的电阻率值为1～8kΩcm，且该电阻器具有-1300ppm/℃以上的电阻温度特性。
3.一种陶瓷电阻器，其是以由4种类以上的金属元素以及/或者半金属元素的化合物以及/或者复合化合物组成的陶瓷来作为电阻体材料，其特征在于所说的电阻体材料的电阻率值为8～30kΩcm，且该电阻器具有-1450ppm/℃以上的电阻温度特性。
4.一种陶瓷电阻器，其是以由4种类以上的金属元素以及/或者半金属元素的化合物以及/或者复合化合物组成的陶瓷来作为电阻体材料，其特征在于所说的电阻体材料的电阻率值为30～70kΩcm，且该电阻器具有-1530ppm/℃以上的电阻温度特性。
5.一种陶瓷电阻器，其是以由4种类以上的金属元素以及/或者半金属元素的化合物以及/或者复合化合物组成的陶瓷来作为电阻体材料，其特征在于所说的电阻体材料的电阻率值为70kΩcm以上，且该电阻器具有-1620ppm/℃以上的电阻温度特性。
6.如权利要求1～5中任意一项所述的陶瓷电阻器，其特征在于所说的电阻体材料是含有Mg和Si的化合物以及/或者复合化合物。
7.如权利要求1～5中任意一项所述的陶瓷电阻器，其特征在于所说的电阻体材料是由从Mg和Si、以及Ca、Zn、Sr、Cd、Ba中选择出的至少1种元素，从Sn、Al、Sb、Ga、Pb、Cr、Mn、Ge中选择的至少1种元素，以及从Bi、Nb、Ta、V、W、Mo中选择的至少1种元素为主要成份的化合物以及/或者复合化合物组成的陶瓷。
8.一种陶瓷电阻器的制造方法，其是以由4种类以上的金属以及/或者半金属的单体、化合物或者复合化合物作为初始原料，并混合该初始原料，然后经过成形、烧成过程所得的陶瓷来作为电阻体材料；其特征在于所说的混合过程，包括使所说的使初始原料能够在混合容器内遍布全体地流动的手段、和解除该混合容器内的初始原料凝集的手段。
9.如权利要求8所述的陶瓷电阻器的制造方法，其特征在于所说的解除混合容器内的初始原料凝集的手段是高速旋转叶片。
10.如权利要求8或9所述的陶瓷电阻器的制造方法，其特征在于所说的混合过程是使所说的混合容器内处于减压的状态下实施的。
11.如权利要求8～10中任意一项所述的陶瓷电阻器的制造方法，其特征在于在所说的混合过程的初期，所说的混合容器内在不导入水分的情况下进行混合，经过所定时间后，再将水分加入该混合容器内进行混合。
12.如权利要求8～11中任意一项所述的陶瓷电阻器的制造方法，其特征在于所说的混合过程结束后，成形前的初始原料呈片状或粘土状。
13.如权利要求8～11中任意一项所述的陶瓷电阻器的制造方法，其特征在于所说的初始原料是由从Mg和Si、以及Ca、Zn、Sr、Cd、Ba中选择出的至少1种元素，从Sn、Al、Sb、Ga、Pb、Cr、Mn、Ge中选择的至少1种元素，以及，从Bi、Nb、Ta、V、W、Mo中选择的至少1种元素为主要成份的化合物以及/或者复合化合物组成的。
全文摘要
由4种以上的金属以及/或者半金属单体、化合物或者复合化合物作为初始原料，混合该初始原料，之后通过成形、烧成所得的陶瓷作为电阻体材料而制造的陶瓷电阻器，抑制其电阻的偏差。为此，通过上述混合过程根据作为使上述初始原料在混合容器(1)内遍布全体流动手段的搅拌叶片(2)、和解除混合容器1内的上述初始原料凝集手段的第2搅拌叶(3)进行。
文档编号H01C17/00GK1466767SQ01816343
公开日2004年1月7日 申请日期2001年11月7日 优先权日2000年11月27日
发明者高谷茂树 申请人:K-技术设备株式会社