专利名称：排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法
技术领域：
本发明是有关于一种半导体工艺的监控方法，且特别是有关于一种排除不影响合格率的重复性缺陷(Repeating Defect)来监控真正缺陷(True Defect)的方法。
特别是，在一光罩制作过程中，可能会有一些异常图案形成在光罩上，但这些异常图案却不容易被发现。然而，这些异常图案在后续微影工艺中将会同时被转移至晶圆上，而于晶圆上形成缺陷。特别是当利用重复且步进(Step and Repeat)曝光技术而进行光罩图案的转移时，这些由光罩上所转移来的缺陷便会重复的出现在晶圆上。因此，这些重复出现在晶圆上的缺陷又称为重复性缺陷。
有的时候，这些重复性缺陷并不会影响合格率。然而，利用一监控机台以进行晶圆缺陷的监控时，监控机台会将这些重复性缺陷也列入欲监控的缺陷中。如此，将会降低了找出真正影响合格率的缺陷的几率。这主要是由于监控机台监测晶圆缺陷的方式，是随机的挑选晶圆上的部分的缺陷来进行分析。而当晶圆上存在有不影响合格率的重复性缺陷时，监控机台也可能会挑选到不影响合格率的重复性缺陷，而使晶圆上真正影响合格率的缺陷被分析到的机会降低。
另外，若晶圆上已有重复性缺陷存在，当有新的重复性缺陷出现时，就无法轻易的且立即的发现有新的重复性缺陷出现。特别是，在有些时候，新的重复性缺陷可能是来自于工艺机台或工艺环境发生了异常的现象所造成。倘若无法立即发现有新的重复性缺陷出现，便无法立刻进行检视或修复的动作，如此，将会严重影响产品的合格率。
本发明的另一目的是提供一种排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，以使当晶圆上有新的重复性缺陷出现时，能够立即的发现。
本发明提出一种排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，此方法是首先提供一晶圆，其中晶圆上已形成有数个晶粒。接着，进行一第一扫描步骤，以确认晶圆上是否有一重复缺陷存在。其中，此重复性缺陷包括来自一微影工艺中一光罩上的异常图案所转移而来的。倘若晶圆上并无重复性缺陷存在，则直接找出晶圆上真正影响合格率的缺陷。倘若晶圆上有重复性缺陷存在，则确认此重复性缺陷是否会影响合格率。在通过一测试步骤确认后，倘若此重复性缺陷会影响合格率，则表示先前微影工艺所使用的光罩无法使用而必须将其退回。然而，倘若此重复性缺陷并不会影响合格率，则将晶圆上重复性缺陷所存在的区域定义为一排除区域(Non Care Region)。之后，进行一第二扫描步骤，以扫描晶圆上此排除区域以外的部分，而找出晶圆上真正影响合格率的缺陷。
本发明的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，由于其先将不影响合格率的重复性缺陷排除，因此可提高找出真正影响合格率的缺陷的几率。
本发明的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，由于其先将光罩所引起的不影响合格率的重复性缺陷排除，因此当有新的重复性缺陷产生时，便可轻易且立即的发现。
本发明的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，由于所定义的排除区域的面积仅是每一晶粒面积的1/250000，因此，此排除步骤并不会影响监控机台监控缺陷的能力。
200晶圆202晶粒204重复性缺陷206排除区域请参照
图1，本发明的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，首先进行一扫描步骤100，此扫描步骤100利用一监控机台对一晶圆进行一扫描步骤。在扫描晶圆之后，确认晶圆上是否有重复性缺陷存在(步骤102)。
在本实施例中，此重复性缺陷来自先前微影工艺过程中，因光罩上有异常图案存在，经过重复且步进的曝光工艺后而转移至晶圆上。然而，有的时候，这些重复性缺陷并不会影响合格率。因此，对于不影响合格率的重复性缺陷可以不用予以理会。
继之，在步骤102中，倘若晶圆上并无重复性缺陷存在，则可以直接对晶圆进行分析，以找出一真正的缺陷(步骤104)。其中，所谓真正的缺陷意即真正会影响合格率的缺陷。而在步骤102中，倘若晶圆上有重复性缺陷存在，则接着进行一测试步骤，以确认此重复性缺陷是否会影响合格率(步骤106)。
在步骤106中，倘若此重复性缺陷会影响合格率，意即此重复性缺陷会使合格率下降，则可直接将先前微影工艺中所使用的光罩退回(步骤108)。这是因为在本实施例中，由于重复性缺陷来自先前微影工艺中光罩上的异常图案所转移过来的，因此若是由光罩所造成的重复性缺陷会影响合格率时，则表示此光罩显然有严重的缺陷而无法使用。
在步骤106中，倘若此重复性缺陷并不会影响合格率，则接着进行步骤110，即排除此重复性缺陷。而排除此重复性缺陷的方法如图2所示，图2为一晶圆200的俯视图，其中晶圆200上已形成有数个晶粒202，且在晶圆200上发现有重复性缺陷204存在。而当于确认此重复性缺陷204并不会影响合格率之后，则可以将此重复性缺陷204排除。在本实施例中，排除不影响合格率的重复性缺陷204的方法，是利用一监控机台一现有的功能，而将晶圆200上存在有不影响合格率的重复性缺陷204的一区域定义成一排除区域206。以使后续于进行真正缺陷的扫描步骤时，将此排除区域206不列入扫描的范围内。
在本实施例中，所定义出的排除区域206的面积仅约是每一晶粒202面积的1/250000。而由于所定义的排除区域206的面积仅是每一晶粒面积的1/250000，因此，此排除的动作并不会影响后续监控机台监控晶圆缺陷的能力。
在排除重复性缺陷的步骤110之后，才利用监控机台进行一扫描步骤112。此扫描步骤112是利用监控机台随机的挑选晶圆上部分的缺陷来进行分析。在此，由于先前步骤已将不影响合格率的重复性缺陷排除，因此，在此扫描步骤中，监控机台便不会挑选到上述的重复性缺陷。
之后，由挑选出的缺陷中进行分析，以找出真正影响产品合格率的缺陷(步骤114)。
特别值得一提的是，由于本发明的方法已事先将不影响合格率的重复性缺陷排除，因此当有新的重复性缺陷产生时，便可以轻易且立即发现。由于这些新的重复性缺陷可能是来自工艺机台或工艺环境异常现象所造成，因此若能立即发现到新的重复性缺陷产生，便可以马上进行检视或修复的工作，以确保产品的合格率。
本发明的方法，由于其是先将不影响合格率的重复性缺陷排除，因此当监控机台随机的选取晶圆上的缺陷以进行分析时，便不会挑选到上述的重复性缺陷，如此便可以提高监控机台找出真正影响合格率的缺陷的几率。而且，在本发明中，由于先前已将由光罩转移来的重复性缺陷排除，因此当有新的重复性缺陷产生时，便可轻易且立即的发现。再者，本发明的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，由于其所定义的排除区域的面积仅是每一晶粒面积的1/250000，因此，此排除的动作并不会影响监控机台监控晶圆缺陷的能力。
综合以上所述，本发明具有下列优点1.本发明的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，可提高找出真正影响合格率的缺陷的几率。
2.本发明的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，当有新的重复性缺陷产生时可立即的发现。
3.本发明的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，并不会影响监控机台监控晶圆缺陷的能力。
权利要求
1.一种排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，其特征是，该方法包括提供一晶圆，该晶圆上已形成有数个晶粒，且在该晶圆上发现有一重复性缺陷存在；确认该重复性缺陷是否为一影响合格率的缺陷；倘若该重复性缺陷并非该影响合格率的缺陷，则定义该重复性缺陷所存在的一区域为一排除区域；以及扫描该晶圆上该排除区域以外的部分，以找出一真正缺陷。
2.如权利要求1所述的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，其特征是，该排除区域的面积为该晶圆上每一晶粒面积的1/250000。
3.如权利要求1所述的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，其特征是，该重复性缺陷来自一微影工艺中的一光罩上的异常图案。
4.如权利要求3所述的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，其特征是，倘若该重复性缺陷会为该影响合格率的缺陷，则退回该光罩。
5.一种排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，其特征是，该方法包括提供一晶圆，该晶圆上已形成有数个晶粒；进行一第一扫描步骤，以确认该晶圆上是否有一重复性缺陷存在；倘若该晶圆上并无该重复性缺陷存在，则立即找出一真正的缺陷，倘若该晶圆上有该重复性缺陷存在，则确认该重复性缺陷是否为一影响合格率的缺陷；在确认该重复性缺陷是否为该影响合格率的缺陷之后，倘若该重复性缺陷并非该影响合格率的缺陷，则将该重复性缺陷排除；以及进行一第二扫描步骤，以扫描该晶圆上的该重复性缺陷以外的区域，以找出该真正的缺陷。
6.如权利要求1所述的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，其特征是，将该重复性缺陷排除，之后进行该第二扫描步骤，以找出该真正的缺陷的步骤包括定义该重复性缺陷所存在的一区域为一排除区域；以及进行该第二扫描步骤，以扫描该排除区域以外的部分，以找出该真正的缺陷。
7.如权利要求6所述的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，其特征是，该排除区域的面积为该晶圆上每一晶粒面积的1/250000。
8.如权利要求5所述的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，其特征是，该重复性缺陷来自一微影工艺中的一光罩上的异常图案。
9.如权利要求8所述的排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，其特征是，倘若该重复性缺陷会为该影响合格率的缺陷，则退回该光罩。
全文摘要
一种排除不影响合格率的重复性缺陷来监控真正缺陷的方法，此方法首先提供一晶圆，其中晶圆上已形成有数个晶粒，且在晶圆上发现有一重复性缺陷存在。接着，确认此重复性缺陷是否为一影响合格率的缺陷。倘若此重复性缺陷并非影响合格率的缺陷，则定义此重复性缺陷所存在之一区域为一排除区域。之后，扫描晶圆上此排除区域以外的部分，以找出一真正的缺陷。
文档编号H01L21/66GK1479360SQ02142190
公开日2004年3月3日 申请日期2002年8月30日 优先权日2002年8月30日
发明者陈功益, 陈威铭, 古淑玲, 丁茂益, 何濂泽 申请人:旺宏电子股份有限公司