高压p型mos管的制作方法

专利名称：高压p型mos管的制作方法
专利说明
一、技术领域本实用新型涉及一种高压P型MOS管。
二背景技术：
高压CMOS是一种较理想的高压器件，它具有开关特性好、功耗小等优点，因此它适用于高频、低功耗产品。这种结构能满足等离子平板显示选址驱动芯片的要求，目前HV-CMOS的单管结构主要有横向双扩散MOS、偏置栅结构以及它们的派生结构。在工艺实现，国外主要采用外延片来制备等离子平板显示选址驱动芯片，这种工艺成本较高，而且在国内难以批生产，且无法与体硅标准低压CMOS工艺兼容。高压P型MOS管的栅有时需要承受80伏的高压，所以该制备方法无法控制产品质量，成品率低。
三、技术方案、技术问题本实用新型提供一种能够控制产品质量且能提供产品成品率的低成本高压P型MOS管。
技术方案一种高压P型MOS管，包括P型衬底1，在P型衬底1上设有深N型阱2，在深N型阱2上设有P型漂移区3和P管源区81及漏区82，在P管漏区82的周围设有场区5，在场区5上设有场氧，在深N型阱上还设有栅氧6，在栅氧6上设有多晶硅栅7，在P管源区81、漏区82以及多晶硅栅7设有铝引线，在深N型阱2上的位于栅氧6左端的位置设有P型阱区4，栅氧6为厚栅氧。
有益效果①由于本实用新型在高压P型MOS管中设置了P型阱区，P型阱区可以克服因掩膜版套刻精度所带来的左、右误差而导致的高压P型MOS管的栅击穿或导不通的现象，从而提高了成品率，使产品质量与套刻精度的随机误差无关，实现了产品质量的有效控制。此外，由于本实用新型可以利用体硅来制取，故其成本低廉。②由于多晶硅栅的长度窄于栅氧且其左边界缩进不小于一倍光刻精度，这就避免了高压P型MOS管的栅击穿或导不通。
四

图1是本实用新型所述高压P型MOS管的结构示意图。
五、实施方案一种高压P型MOS管，包括P型衬底1，在P型衬底1上设有深N型阱2，在深N型阱2上设有P型漂移区3和P管源区81及漏区82，在P管漏区82的周围设有场区5，在场区5上设有场氧，在深N型阱上还设有栅氧6，在栅氧6上设有多晶硅栅7，在P管源区81、漏区82以及多晶硅栅7设有铝引线，在深N型阱2上的位于栅氧6左端的位置设有P型阱区4，栅氧6为厚栅氧，多晶硅栅7的长度窄于栅氧6，且左端缩进不小于一倍光刻精度。
权利要求1.一种高压P型MOS管，其特征在于包括P型衬底(1)，在P型衬底(1)上设有深N型阱(2)，在深N型阱(2)上设有P型漂移区(3)和P管源区(81)及漏区(82)，在P管漏区(82)的周围设有场区(5)，在场区(5)上设有场氧，在深N型阱上还设有栅氧(6)，在栅氧(6)上设有多晶硅栅(7)，在P管源区(81)、漏区(82)以及多晶硅栅(7)设有铝引线，在深N型阱(2)上的位于栅氧(6)左端的位置设有P型阱区(4)，栅氧(6)为厚栅氧。
2.根据权利要求1所述的高压P型MOS管，其特征在于多晶硅栅(7)的长度窄于栅氧(6)，且左端缩进不小于一倍光刻精度。
专利摘要本实用新型公开了一种高压P型MOS管，包括P型衬底，在P型衬底上设有深N型阱，在深N型阱上设有P型漂移区和P管源区及漏区，在P管漏区的周围设有场区，在场区上设有场氧，在深N型阱上还设有栅氧，在栅氧上设有多晶硅栅，在P管源区、漏区及多晶硅栅设有铝引线，在深N型阱上的位于栅氧左端的位置设有P型阱区，栅氧为厚栅氧。本实用新型的方法能够兼容标准体硅低压CMOS工艺，本实用新型具有能够控制产品质量，提高产品成品率的优点。
文档编号H01L29/66GK2645241SQ0221909
公开日2004年9月29日 申请日期2002年3月1日 优先权日2002年3月1日
发明者时龙兴, 吴建辉, 陆生礼, 孙伟锋 申请人:东南大学