平板显示的驱动芯片用高压器件结构的制作方法

专利名称：平板显示的驱动芯片用高压器件结构的制作方法
专利说明
一、技术领域本实用新型涉及一种平板显示的驱动芯片用高压器件结构，尤其是等离子平板显示的驱动芯片用高压器件结构。
二背景技术：
等离子平板显示的选址驱动芯片是由低压逻辑控制实现高压输出。随着显示屏技术的不断提高，对选址芯片的高压要求已由最初的150V、120V降到100V、80V甚至。更低(50V)，饱和电流为40mA，高压晶体管设计的好坏将直接影响芯片性能的优劣。高压CMOS是一种较理想的高压器件，它具有开关特性好、功耗小等优点，因此它适用于高频、低功耗产品。这种结构能满足PDP选址驱动芯片的要求。目前，高压CMOS的单管结构主要在LDMOS(LatrealDouble-diffused MOSFET)、偏置栅结构以及它们的派生结构。在工艺实现上，国外主要采用外延片来制备PDP选址驱动芯片，这种工艺成本较高，而且在国内难以批量生产。由于工艺条件限制，目前尚无适合在国内批量生产的PDP选址驱动芯片的器件结构。缺乏可兼容标准体硅低压CMOS工艺的平板显示驱动芯片用高压器件。
三、技术方案技术问题本实用新型提供一种制造成本低、可靠性高的平板显示的驱动芯片用高压器件结构。
技术方案一种平板显示的驱动芯片用高压器件结构，由高压二极管、高压P型MOS管和高压N型横向双扩散MOS管组成，高压N型横向双扩散MOS管设在P型衬底上，在P型衬底上位于高压N型横向双扩散MOS管的源区下方位置设有P型阱，在P型衬底上设有N型深阱，高压二极管和高压P型MOS管设在N型深阱内。有益效果①本实用新型将高压二极管、高压P型MOS管及高压N型横向双扩散MOS管与体硅组合形成高压器件结构，使其具有制造成本低、性能优的优点；位于高压N型横向双扩散MOS管下方的P型衬底上的P型阱提高了栅击穿电压，解决了选择偏置栅高压N型MOS管所存在穿通问题，使本实用新型具有可靠性高的优点。②P型阱区的设置可以保证采用掩模、刻蚀方法制备的本实用新型所述高压器件中的高压P型MOS管栅不易被击穿并避免其不导通。
四

图1是本实用新型的高压器件的纵向剖视图。
图2是本实用新型的高压器件结构的实施例剖视图。
图3是本实用新型的高压器件结构中高压N型横向双扩散MOS管的纵向等电位图，其中Vs为源电压；Vg为栅电压；Vd为漏电压；Vsub为衬底电压。
五、实施方案一种平板显示的驱动芯片用高压器件结构，由高压二极管1、高压P型MOS管2和高压N型横向双扩散MOS管3组成，高压N型横向双扩散MOS管3设在P型衬底5上，在P型衬底5上位于高压N型横向双扩散MOS管3的源区32下方位置设有P型阱51，在P型衬底5上设有N型深阱4，高压二极管1和高压P型MOS管2设在N型深阱4内，高压N型横向双扩散MOS管3的P型衬底接触孔31设在P型阱51内，在N型深阱4上的位于高压P型MOS管2的源区21及厚栅氧22的下方区域设有P型阱区52，在P型衬底5上设有低压CMOS管6。
权利要求1.一种平板显示的驱动芯片用高压器件结构，由高压二极管(1)、高压P型MOS管(2)和高压N型横向双扩散MOS管(3)组成，其特征在于高压N型横向双扩散MOS管(3)设在P型衬底(5)上，在P型衬底(5)上位于高压N型横向双扩散MOS管(3)的源区(32)下方位置设有P型阱(51)，在P型衬底(5)上设有N型深阱(4)，高压二极管(1)和高压P型MOS管(2)设在N型深阱(4)内。
2.根据权利要求1所述的平板显示的驱动芯片用高压器件结构，其特征在于高压N型横向双扩散MOS管(3)的P型衬底接触孔(31)设在P型阱(51)内。
3.根据权利要求1或2所述的平板显示的驱动芯片用高压器件结构，其特征在于在P型衬底(5)上设有低压CMOS管(6)。
4.根据权利要求3所述的平板显示的驱动芯片用高压器件结构，其特征在于在N型深阱(4)上的位于高压P型MOS管(2)的源区(21)及厚栅氧(22)的下方区域设有P型阱区(52)。
专利摘要本实用新型公开了一种平板显示的驱动芯片用高压器件，由高压二极管、高压P型MOS管和高压N型横向双扩散MOS管组成，高压N型横向双扩散MOS管设在P型衬底上，在P型衬底上位于高压N型横向双扩散MOS管的源区下方位置设有P型阱，在P型衬底上设有N型深阱，高压二极管和高压P型MOS管设在N型深阱内。本实用新型具有制造成本低，高压器件可靠性高的优点，其制造工艺可采用可兼容标准体硅低压CMOS工艺。
文档编号H01L27/04GK2522970SQ0221909
公开日2002年11月27日 申请日期2002年3月1日 优先权日2002年3月1日
发明者孙伟锋, 易扬波, 时龙兴 申请人:东南大学