专利名称：具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法
技术领域：
本发明有关一种光罩式只读存储器(mask read-only-memory，mask ROM)制造方法；特别是有关于一种具有二极管存储胞的光罩式只读存储器制造方法。
(2)背景技术光罩式只读存储器通常使用通道晶体管作为其存储胞。藉由选择性植入离子于通道晶体管的通道区域，以写入数据于光罩式只读存储器中。藉植入离子于特定晶体管的通道区域，改变晶体管的启始电压，进而决定存储胞的″打开″或″关闭″状态。一光罩式只读存储胞形成方法是藉沉积多晶硅字元线于位元线上，之后，存储胞通道(memory cell channel)形成于两相邻位元线间的字元线下方区域。每一光罩式只读存储胞的″1″或″0″状态是决定于是否有离子植入通道区域。藉离子植入步骤将数据写入光罩式只读存储胞的好处是可事先做好光罩式只读存储器元件的半成品。一旦所需要的数据写入编码图案(program codes)决定之后，可制作其离子遮罩，以进行最后的离子植入步骤，进而缩短交货日期。然而，此种习知方法需要一个以上的光罩，以完成离子植入步骤。另外，此离子植入步骤对于光罩式只读存储器产品的可靠度有非常重要的影响。
图1A是一传统的光罩式只读存储器元件的顶视示意图。参照图1B，一栅氧化层102是形成于一P型基底100上。栅极104形成于P型基底100上方，以供做字元线。使用栅极104作为遮罩，执行一离子植入步骤，以形成N型源极/漏极作为位元线。位元线是垂直于字元线。通道区域形成于字元线下方。每一个存储胞的状态由通道区域决定，其中关闭通道区域的方法是植入P型离子于特定通道区域107，以形成编码区110，如图1C所示。
图1B及图1C是光罩式只读存储器的传统制造方法。参照图1B，提供一P型基底100。多个绝缘区101是形成于P型基底100中。一栅氧化层102及栅极104是依次形成于P型基底100上。使用P型离子作为掺质，执行一离子植入步骤，以形成多个源极/漏极106于P型基底100中。通道区域107是形成于两相邻源极/漏极106之间。
参照图1C，一光阻层108是形成于P型基底100上，以曝露出欲形成离子植入区的部份P型基底100。使用P-31作为掺质，执行一离子植入步骤，其植入能量约160仟电子伏特(Kev)，植入剂量约1×1014离子/每平方公分。离子植入步骤完成之后，在温度约850℃下，进行回火，以完成编码区(code ion implantregions)110的制作。
传统的光罩式只读存储器元件使用一通道晶体管作为一存储胞，其植入离子于通道晶体管中，以决定其二值化数据状态为″0″或″1″。然而，当光罩式只读存储器元件尺寸缩小时，编码图案解析度(code pattern resolution)的问题会更形突显出来，即不容易定义出准确的编码区位置。
据此，亟待提供一种改进的光罩式只读存储器制作方法，当元件尺寸逐渐缩小的情况下，其可克服传统制造方法所面临的缺失。
(3)发明内容本发明的主要目的是提供一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其是形成由一接触插塞/一PN二极管单元组成的构造取代一通道晶体管(channel transistor)，以供做一存储胞。此接触插塞/PN二极管单元构造的制程简单，并且即使在元件尺寸缩小的情况下，其仍可准确定义光罩式只读存储器元件的编码位置(code area)。
本发明的另一目的是提供一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其是形成由一接触插塞/一PN二极管单元组成的构造取代一通道晶体管(channel transistor)，以供做一存储胞。由于PN二极管所占据的基底面积小于通道晶体管占据的基底面积，因此本发明方法可提供高密度的光罩式只读存储器元件。
本发明的又一目的是提供一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其是以一简单制程形成一接触插塞/PN二极管单元构造取代一通道晶体管，以供做一存储胞，故可降低制造费用。
根据以上所述的目的，本发明提供一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法。提供一半导体基底并形成具有第一导电性的一埋置扩散层于半导体基底顶部。形成多个浅渠沟隔离区于半导体基底中，使得埋置扩散层形成多条位元线。形成一介电层于埋置扩散层及此些浅渠沟隔离区上方。形成具有一光罩式只读存储器编码图案(mask read-only-memory code pattern)的一光阻层于此介电层上。使用此光阻层作为一蚀刻罩幕，执行一非等向性蚀刻制程以形成多个开口于此介电层中，其中每一开口是位于埋置扩散层的一部份曝露区域上。移除光阻层。执行一离子植入步骤，以形成具有电性与第一导电性相反的一第二导电性的一扩散区于埋置扩散层的每一个部份曝露区域中。形成一接触插塞于每一开口中，并抵靠于扩散区。形成一导电层于此介电层上，以供形成字元线。据上述制程步骤，可获得由一接触插塞/二极管单元(diode cell)组成的构造，其是用以取代一通道晶体管，以供做光罩式只读存储器的存储胞。此二极管单元所占据的基底面积小于通道晶体管占据的基底面积。因此，本发明方法可获得高密度的光罩式只读存储器元件。另外，接触插塞/二极管单元(diode cell)构造的制程简单，即使在元件尺寸缩小情况下，仍可准确定义光罩式只读存储器元件的编码位置(code area)。本发明方法的制造费用亦可降低。
(4)
图1A是一传统的光罩式只读存储器的顶视示意图；图1B至图1C是一传统光罩式只读存储器制造方法的各种步骤截面示意图，其包括一编码步骤；及图2A至图2E是根据本发明一较佳具有体实施例的各种步骤的截面示意图。
(5)具有体实施方式本发明提供一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其是形成由一接触插塞/一PN二极管单元组成的构造取代一通道晶体管，以供做一存储胞。此接触插塞/PN二极管单元构造的制程简单，即使在元件尺寸缩小的情况下，其仍可准确定义光罩式只读存储器元件的编码位置(code area)。本发明方法的制造费用亦可降低。另外，PN二极管占据的基底面积小于通道晶体管占据的基底面积，故藉本发明方法，可获得高密度的光罩式只读存储器元件。
本发明的具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法将根据本发明一较佳具有体实施例，配合附图予以详细说明。
图2A至图2E是根据本发明一较佳实施例的各种步骤截面示意图。参照图2A，提供一半导体基底200。此半导体基底200可以是硅底材、锗底材、砷化锗底材或类似材质。执行一离子植入步骤201以形成具有一第一导电性的一埋置扩散层(buried diffusion layer)202于半导体基底200顶部，以供形成位元线，如图2B所示。第一导电性可以是N型或P型导电性之一。在此一较佳实施例中，埋置扩散层202为一N+埋置扩散层。参照图2B，接着，形成一具有第一导电性的掺杂导电层(doped conductive layer)203于埋置扩散层202上方。掺杂导电层203较佳为一N-掺杂多晶硅层，其可使用SiH4及PH3作为反应气体，在温度约600~650℃及压力约0.3~0.6托下，以临场掺杂低压化学气相沉积法(in-situ doped low pressure chemical vapordeposition)形成。此N-掺杂多晶硅层亦可在温度约900℃下，藉高温扩散方法将掺质，例如砷或POCl3，趋入埋置扩散层202上方的多晶硅层内而形成。此外，此N-掺杂多晶硅层可使用磷、砷、PH3及AsH3作为离子源，以离子植入步骤将掺质植入埋置扩散层202上方的多晶硅层内而形成。一氮化硅层204是形成于掺杂导电层203上，以供作一化学机械研磨终止层。氮化硅层204可使用SiH2Cl2及NH3作为反应气体，在温度约700~800℃下，以低压化学气相沉积法形成。
参照图2C，以传统的微影及蚀刻制程，形成多个渠沟区于半导体基底200中。然后，一二氧化硅层沉积于氮化硅层204上方，以填满此些渠沟区。此二氧化硅层可使用四乙基邻硅酸盐(tetra-ethyl-ortho-silicate，TEOS)作为反应气体，在温度约650~850℃及压力约0.1~5托下，以低压化学气相沉积方法形成。此二氧化硅层亦可使用SiH4作为反应气体，在温度约300~400℃及压力约1~10托下，以等离子体化学气相沉积方法形成。接着，以化学机械研磨方法平坦化此二氧化硅层直至氮化硅层204，以形成多个浅渠沟隔离区205于半导体基底200中，同时使埋置扩散层202形成多条位元线。然后，使用热磷酸水溶液作为蚀刻溶液，以湿蚀刻方式移除氮化硅层204。
参照图2D，一介电层206是形成于浅渠沟隔离区205上方。介电层206可以是以传统化学气相沉积方法形成的一二氧化硅层，或者是一硼磷硅玻璃(borophosphosilicate glass)，是使用四乙基邻硅酸盐(tetra-ethyl-ortho-silicate，TEOS)、O3、三乙基硼酸盐(tri-ethyl-borate，TEB)及三甲基磷酸盐(tri-methyl-phosphate，TMPO)作为反应气体，在温度约400~500℃及压力约10托下，以等离子体化学气相沉积法形成。介电层206亦可以是一磷硅玻璃(phosphosilicate glass)，是使用SiH4、N2O及PH3作为反应气体，以等离子体化学气相沉积法形成。此外，介电层206可以是一氮化硅层，使用SiH2Cl2及NH3作为反应气体，在温度约700~800℃下，以低压化学气相沉积法形成，或者是一氮氧化硅层，是使用SiH4、N2O及N2作为反应气体，以等离子体化学气相沉积法形成。接下来，一光阻层(未示出)形成于介电层206上，及具有一光罩式只读存储器编码图案(mask ROM code pattern)的光罩(未示出)放置于光阻层上方，以便将光罩式只读存储器编码图案转移至光阻层上。接着，使用此光阻层作为一蚀刻罩幕，进行一非等向性蚀刻制程，以形成多个开口207于介电层206中，并且每一开口207是抵靠掺杂导电层203的一曝露的部份区域。移除光阻层。接着，执行一离子植入步骤，以形成具有电性相反于第一导电性的一第二导电性的一扩散区208于掺杂导电层203的每一曝露的部份区域中，其中每一扩散区208是相应本发明光罩式只读存储胞的一编码区(code area)。在此较佳具体实施例中，扩散区208是为一P+扩散区，是使用硼或BF2+作为离子源，以离子植入方式形成。藉此，每一P+扩散区及一曝露的部份N-掺杂导电层203/一部份的N+埋置扩散层202构成一PN二极管单元(PN diode cell)，其可取代传统光罩式只读存储器的一通道晶体管，以供做一存储胞。截至目前为止，即完成本发明光罩式只读存储器的编码步骤(coding process)。
参照图2E，形成一接触插塞209于每一开口207中，并抵靠于掺杂导电层203的一曝露的部份区域上，以构成一接触插塞209/一PN二极管单元组合构造。此一接触插塞209/PN二极管单元组合构造是取代一通道晶体管，以供作一存储胞。接触插塞209可包含钨，可使用WF6及SiH4作为反应气体，在温度约300~550℃及压力约1~100托下，以低压化学气相沉积法形成。然后，形成一导电层210于介电层206及接触插塞209上方，以供形成字元线。导电层210较佳为一多晶硅层，可使用SiH4作为反应气体，在温度约600~650℃下，以低压化学气相沉积方法形成。
本发明的另一较佳具体实施例中，是省略N-掺杂导电层203，而直接形成一P+扩散区于一曝露的部份N+埋置扩散层202中，以构成一PN二极管单元。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非以限定本发明的申请专利范围；凡其它未脱离本发明所揭示的精神下所完成的等效改变或等效替换，均应包含在下述的权利要求所限定的范围内。
权利要求
1.一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其包括提供一半导体基底；于该半导体基底形成一具有第一导电性的埋置扩散层；于该半导体基底中形成多个隔离区，使得该埋置扩散层形成多条位元线；于该埋置扩散层及该隔离区上方形成一介电层；于该介电层中形成多个开口；于该开口中形成一具有第二导电性的扩散区，该第二导电性的电性与该第一导电性的电性相反；于每一该开口中形成一接触插塞；及于该介电层及该接触插塞上形成一导电层，以供形成字元线。
2.如权利要求1所述的具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其特征在于，该半导体基底是选自硅底材、锗底材及砷化锗底材之一。
3.如权利要求1所述的具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其特征在于，该第一导电性为N型导电性及P型导电性之一。
4.如权利要求1所述的具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其特征在于，该接触插塞包含钨，是使用WF6及SiH4作为反应气体，在温度约300～550℃及压力约1～100托下，以低压化学气相沉积法形成。
5.如权利要求1所述的具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其特征在于，该导电层包含多晶硅，是使用SiH4作为反应气体，在温度约600～650℃及压力约0.3～0.6托下，以低压化学气相沉积法形成。
6.一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其包括提供一半导体基底；于该半导体基底形成一具有第一导电性的埋置扩散层；于该埋置扩散层上形成具有该第一导电性的一掺杂导电层，该掺杂导电层的掺质浓度是低于该埋置扩散层的掺质浓度；于该半导体基底中形成多个隔离区；于该掺杂导电层及该隔离区上方形成一介电层；于该介电层中形成多个开口；于该开口中形成一具有第二导电性的扩散区，该第二导电性与该第一导电性的电性相反；于每一该开口中形成一接触插塞；及于该介电层及该接触插塞上形成一导电层，以供形成字元线。
7.如权利要求6所述的具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其特征在于，该第一导电性为N型导电性及P型导电性之一。
8.如权利要求6所述的具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其特征在于，该掺杂导电层包含经掺杂多晶硅，是使用SiH4及PH3作为反应气体，在温度约600～650℃及压力约0.3～0.6托下，以临埸掺杂低压化学气相沉积法形成。
9.如权利要求6所述的具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其特征在于，该接触插塞包含钨，是使用WF6及SiH4作为反应气体，在温度约300～550℃及压力约1～100托下，以低压化学气相沉积法形成。
10.如权利要求6所述的具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法，其特征在于，该导电层包含多晶硅，是使用SiH4作为反应气体，在温度约600～650℃及压力约0.3～0.6托下，以低压化学气相沉积法形成。
全文摘要
一种具有二极管存储胞光罩式只读存储器的制作方法。一具有第一导电性的掺杂导电层是形成于位元线上。一具有光罩式只读存储器编码图案的光阻层形成于掺杂导电层上方的一介电层上，以供作一蚀刻罩幕，藉以形成多个开口于此介电层中掺杂导电层曝露的部分区域上方。执行一离子植入步骤，以形成具有电性与第一导电性相反的第二导电性的一扩散区于掺杂导电层的每一曝露的部分区域中。藉此，曝露的部分掺杂导电层与形成于其中的扩散层构成一二极管单元(diode cell)，以供做一存储胞。一接触插塞形成于每一开口中，并抵靠一二极管单元。一导电层形成于接触插塞上方，以供形成字元线。
文档编号H01L21/822GK1581466SQ0315304
公开日2005年2月16日 申请日期2003年8月7日 优先权日2003年8月7日
发明者吴俊沛, 陈辉煌, 蔡文彬, 高瑄苓 申请人:旺宏电子股份有限公司