专利名称：脱水干燥方法和装置,以及衬底处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及脱水干燥方法、脱水干燥装置和用于脱水和干燥用在半导体制作工艺等等中，在湿处理中处理过的衬底的衬底处理装置。
背景技术：
迄今为止，在半导体制做中，已经习惯通过旋转-干燥处理或N2气流处理来脱水和干燥在湿处理中处理过的衬底，在该旋转-干燥处理中，由旋转式脱水机以高速旋转衬底以便在离心力的作用下去除附着在衬底表面的水分将N2气体吹到衬底上以便干燥衬底。
近年来，当半导体设备的处理速度变得更高时，已经将所谓的低k薄膜用作将形成在衬底上的绝缘膜。由于它们的生产工艺，许多这样的低k薄膜具有多孔结构以及亲水性和吸水特性。在半导体制作工艺中，当在湿处理，诸如使用超纯水等等的清洗处理中处理其上具有这种低k薄膜的衬底，然后通过如上所述的旋转-干燥工艺或N2气流工艺进行脱水和干燥，水分子易于留在低k膜中。
留在低k膜中的这种水分子的问题在于剩余的水分子使得低k薄膜膨胀，因此变形。另外，当在高真空或超真空的情况下执行衬底的后续处理时，由于留在低k薄膜中的水分子，不能实现在后续处理中所需的真空度。
发明内容
鉴于上述缺陷，而提出了本发明。因此，本发明的目的是提供能去除留在用作为在衬底上形成的绝缘膜的具有吸水性的薄膜，诸如低k薄膜中的水、且干燥这种薄膜和衬底的脱水干燥方法、脱水干燥装置以及衬底处理装置。
为实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供一种用于脱水和干燥衬底的脱水干燥方法，包括脱水和干燥衬底，同时将衬底容纳在用来承载衬底的载体中。
在本发明的优选方面中，在不旋转的情况下，脱水和干燥容纳在载体中的衬底。
在本发明的优选方面中，载体用来在用于执行一些处理的装置间承载衬底。
由于在不旋转的情况下脱水和干燥衬底，在这种情况下，衬底容纳在用来在装置间承载衬底的载体中，与衬底的其他处理分开地，脱水和干燥衬底，因此，通过这种脱水和干燥处理，不影响衬底处理装置的衬底处理时间。另外，在衬底其上包括具有吸水性的多孔膜，诸如低k膜的情况下，例如，能充分地去除存在于多孔膜中的水，因此，能防止多孔膜膨胀从而变形。另外，当在高真空或超高真空的情况下，执行衬底的后续处理，由于充分脱水和干燥衬底，能实现在这一过程中所需的真空度。
在本发明的优选方面中，通过暴露于真空，脱水和干燥容纳在载体中的衬底。
在本发明的优选方面中，通过暴露于干燥气体，脱水和干燥容纳在载体中的衬底。
在本发明的优选方面中，通过加热，或通过暴露于真空和/或干燥气体并结合加热，脱水和干燥容纳在载体中的衬底。
由于通过暴露于真空，或暴露于干燥气体，或暴露于真空和/或干燥气体结合加热，脱水和干燥容纳在载体中的衬底，能有效地移除存在于衬底上形成的、具有吸水性的多孔膜诸如低k膜中的水。
在本发明的优选方面中，脱水干燥方法进一步包括在将衬底容纳在载体中前，初步干燥衬底。
在本发明的优选方面中，通过旋转干燥处理初步干燥衬底。
由于在将衬底容纳在载体中前，初步干燥(例如旋转干燥)衬底，通过初步干燥过程去除附着在衬底的表面上的水。其余的水，例如存在于形成在衬底上、具有吸水性的多孔膜诸如低k膜中的水被有效地去除，同时衬底在载体中被脱水和干燥。另外，由于通过初步干燥过程，已经从衬底去除大多数水，能降低载体中的脱水和干燥负担。
在本发明的优选方面中，衬底包含具有吸水性的薄膜。
在具有吸水性的薄膜形成在衬底上的情况下，特别是在具有吸水性的薄膜暴露在衬底的表面上的情况下，通过旋转干燥过程，不能易于去除存在于这种薄膜中的水。在本发明中，由于脱水和干燥衬底同时衬底容纳在用来承载装置间的衬底的载体中，在不影响衬底处理装置的衬底处理时间的情况下，能脱水和干燥衬底，因此能有效地去除存在于具有吸水性的薄膜中的水。另外，当在高真空或超高真空的情况下执行衬底的后续处理时，由于已经充分地脱水和干燥衬底，能实现这一过程中所需的真空度。
根据本发明的另一方面，提供一种用于脱水和干燥衬底的脱水干燥装置，包括脱水干燥设备，用于脱水和干燥衬底，同时将衬底容纳在用来承载衬底的载体中。
在本发明的优选方面中，在不旋转的情况下，脱水和干燥容纳在载体中的衬底。
在本发明的优选方面中，载体用来在用于执行一些处理的装置间承载衬底。
在本发明的优选方面中，脱水干燥设备通过使衬底暴露于真空，脱水和干燥容纳在载体中的衬底。
在本发明的优选方面中，脱水干燥设备通过使衬底暴露于干燥气体，脱水和干燥容纳在载体中的衬底。
在本发明的优选方面中，脱水干燥设备通过加热衬底，或通过使衬底暴露于真空和/或干燥气体并结合加热衬底，脱水和干燥容纳在载体中的衬底。
由于在不旋转的情况下，由脱水干燥设备脱水和干燥衬底，同时衬底容纳在用来承载装置间的衬底的载体中，能与衬底的其他处理分开地脱水和干燥衬底，因此，通过这种脱水和干燥过程，能不影响衬底处理装置的衬底处理时间。另外，在衬底其上包含具有吸水性的多孔膜，诸如低k膜的情况下，例如，能充分地去除存在于多孔膜中的水，因此，能防止多孔膜膨胀，从而变形。另外，当在高真空或超高真空的情况下执行衬底的后续处理时，由于充分地脱水和干燥衬底，能实现这一过程中所需的真空度。因为通过暴露于真空，或通过暴露于干燥气体，或加热，或暴露于真空和/或干燥气体结合加热，能脱水和干燥容纳在载体中的衬底，能有效地去除存在于在衬底上形成的、具有吸水性的多孔膜中，诸如低k膜中的水。
根据本发明的另一方面，提供一种用于处理衬底的衬底处理装置，包括脱水干燥装置，用于脱水和干燥在一过程中处理过的衬底；其中，脱水干燥装置包括脱水干燥设备，用于脱水和干燥衬底。同时衬底容纳在用来承载衬底的载体中。
在本发明的优选方面中，在不旋转的情况下，脱水和干燥容纳在载体中的衬底。
在本发明的优选方面中，载体用来在用于执行一些处理的装置间承载衬底。
在本发明的优选方面中，脱水干燥设备通过使衬底暴露于真空，脱水和干燥容纳在载体中的衬底。
在本发明的优选方面中，脱水干燥设备通过使衬底暴露于干燥气体，脱水和干燥容纳在载体中的衬底。
在本发明的优选方面中，脱水干燥设备通过加热衬底，或通过使衬底暴露于真空和/或干燥气体并结合加热衬底，脱水和干燥容纳在载体中的衬底。
如上，由于通过脱水干燥装置脱水和干燥已经处理过的衬底，通过这种脱水和干燥过程不影响衬底处理装置的衬底处理时间。另外，能有效地去除残留在具有吸水性的多孔膜，诸如低k膜中的水以便脱水和干燥衬底。
根据本发明的另一方面，提供一种抛光方法，包括抛光衬底以便形成抛光的衬底；清洗和干燥所抛光的衬底以便形成清洁和干燥的衬底；以及通过真空干燥设备，脱水和干燥清洁和干燥的衬底。
在本发明的优选方面中，衬底包含具有吸水性并用作绝缘材料的薄膜。
根据本发明的另一方面，提供一种抛光方法，包括抛光衬底以形成抛光的衬底；清洗和干燥所抛光的衬底以便形成清洁和干燥的衬底；以及通过加热干燥设备，脱水和干燥清洁和干燥的衬底。
在本发明的优选方面中，衬底包含具有吸水性并用作绝缘材料的薄膜。
根据本发明的另一方面，提供一种抛光方法，包括抛光包含具有吸水性并用作绝缘材料的薄膜的衬底以便形成抛光的衬底；清洗和干燥所抛光的衬底以便形成清洁和干燥的衬底；以及去除残留在薄膜中的水以便脱水和干燥清洁和干燥的衬底。
图1A是根据本发明的第一实施例，通过止回阀将其载体本体连接到真空源以便在载体中逐渐形成真空的脱水干燥装置的示意横截面图；图1B是根据本发明的第一实施例，从真空源断开其载体本体同时在载体中维持所形成的真空的脱水干燥装置的示意横截面图；图2是根据本发明的第二实施例的脱水干燥装置的示意横截面图；图3是根据本发明的第三实施例的脱水干燥装置的示意横截面图；图4是具有根据本发明的第四实施例的脱水干燥装置的衬底处理装置的示意图；图5是具有根据本发明的第五实施例的脱水干燥装置的衬底处理装置的示意图；图6是具有根据本发明的第六实施例的脱水干燥装置的衬底处理装置的示意图。
具体实施例方式
下面，将参考附图，描述根据本发明的实施例的脱水干燥方法、脱水干燥装置和衬底处理装置。图1A和1B是表示根据本发明的第一实施例，用于执行脱水和干燥衬底的方法的脱水干燥装置的示意横截面图。如图1A和1B所示，载体10用来在半导体制作设备的装置间容纳和承载衬底15。载体10包括具有在其侧壁中限定的开口的载体本体(本体构件)11，以及用来密封地关闭载体本体11的开口的盖12。盖12具有用于允许载体本体11的内部空间与真空源14连通的止回阀13。载体本体11能在其中以预定垂直间隔容纳多个衬底15。
如图1A所示，衬底15容纳和位于载体10的载体本体11中。通过止回阀13，将载体本体11连接到真空源14。由真空源14抽空载体本体11的内部空间以便在其中逐渐形成高真空，因此，使容纳在载体本体11中的衬底15暴露于高真空。因此，例如，在执行使用超纯水等等的湿处理，诸如清洗处理后，去除留在衬底15的表面上形成的、具有亲水性和/或吸水性的多孔膜，诸如低k膜中的水以便干燥薄膜和衬底15。在使具有亲水性和/或吸水性的这种薄膜暴露在衬底15的每一个的表面上时，由于在湿处理期间，薄膜俘获水分子，要求衬底15充分地脱水和干燥。因此，在执行湿处理后，在将衬底15容纳在载体10中前，最好通过初步干燥处理，诸如旋转干燥处理初步干燥衬底15，以便能降低用于脱水和干燥衬底15的载体10上的任何负担，以及充分地脱水和干燥衬底15。初步干燥处理可以是N2气流处理、Marangoni干燥处理、使用IPA(异丙醇)的吸引(pull-up)干燥处理等等。
在脱水和干燥衬底15后，从止回阀13断开真空源14，如图1B所示，以及将所形成的真空维持在载体10中。尽管在本实施例中，在盖12中设置止回阀13，可以在载体本体11的侧壁中设置止回阀13。
尽管在这些图中未示出，通过将高温N2气体等等引入载体10中，或将辐射热从辐射热源施加到衬底15上，可以加热衬底15。另外，可以将辐射热施加到衬底15上以便加热衬底15同时将真空维持在载体10中。另外，可以使衬底15暴露于真空、干燥气体或高温气体，或可以加热，或可以经受这种暴露和这种加热组合。特别地，使载体本体11连接到真空源14以便在载体10中逐渐形成真空，以及在载体10中的真空下，脱水和干燥衬底15。此后，将干燥气体或高温气体诸如高温N2气体引入到载体本体11以便加热衬底15。用这种方式，能有效地脱水和干燥衬底15。在上述实施例中，通过盖12关闭载体本体11的开口以便使载体10的内部空间气密。另外，可以用盖完全覆盖载体11以便使载体10的内部空间气密。
图2表示根据本发明的第二实施例，用于执行脱水和干燥衬底的方法的脱水干燥装置的示意横截面图。如图2所示，载体10用来在半导体制作设备的装置间容纳和承载衬底15。载体10包括具有在其侧壁中限定的开口的载体本体11，以及用来关闭载体本体11的开口以便使载体10的内部空间气密的盖12。载体本体11在其中具有衬底存储室16，用于以预定垂直间隔容纳多个衬底15。在衬底存储室16的侧壁17和载体本体11的内壁表面间设置一气体循环通道18。气体循环通道18在其中容纳一风扇19、脱水过滤器20和HEPA过滤器21。脱水过滤器20用作为用于去除气体中的水的过滤器，以及HEPA过滤器21用作为用于捕获和去除气体中的粒子的空气过滤器。
图2所示的脱水干燥操作如下衬底15容纳和位于在载体本体11中提供的衬底存储室16中，以及用盖12关闭载体本体11的开口以便气密地密封载体10的内部空间。将干燥气体诸如干燥N2气体引入到载体10中，以及驱动风扇19以便通过气体循环通道18，在衬底存储室16中循环干燥气体。用这种方式，循环干燥气体有效地去除每个衬底15的水，特别是留在每个衬底15上形成的、具有亲水性和/或吸水性的多孔膜中的水，从而脱水和干燥多孔膜和衬底15。由脱水过滤器20去除包含在循环气体中的水，以及由HEPA过滤器21去除包含在循环气体中的粒子。在第二实施例中，由盖12关闭载体本体11的开口以便使载体10的内部空间气密。另外，可以用一盖完全覆盖载体10以便使载体10的内部空间气密。
图3表示根据本发明的第三实施例，用于执行脱水和干燥衬底的方法的脱水干燥装置的示意横截面图。如图3所示，载体10用来在半导体制作设备的装置间容纳和承载衬底15。载体10包括具有在其侧壁中限定的开口的的载体本体11，以及用于关闭载体本体11的开口以便使载体10的内部空间密封的盖12。载体本体11在其中具有衬底存储室16，用于以预定垂直间隔容纳多个衬底15。在衬底存储室16上设置一气体引入室22。在气体引入室22中设置有风扇19、脱水过滤器20和HEPA过滤器21，它们在其中连续地排列。载体本体11具有在气体引入室22上，在其上侧壁中限定的开口11a以及在衬底存储室16下，在其底壁中限定的开口11b。
图3所示的脱水干燥装置操作如下衬底15容纳和位于载体10的衬底存储室16中，以及通过盖12关闭载体本体11的开口以便气密地密封载体10的内部空间。此后，驱动风扇19以便通过开口11a将干燥气体或高温气体引入气体引入室22中。通过脱水过滤器20和HEPA过滤器21去除包含在气体中的水和粒子。通过气体引入室22将气体引入衬底存储室16中，然后从开口11b排出。用这种方式，能有效地去除容纳在衬底存储室16中的每个衬底15上的水，特别是存在于在每个衬底15上形成的、具有亲水性和/或吸水性的多孔膜中的水，从而脱水和干燥衬底15。
图4表示根据本发明的第四实施例，具有用于执行脱水和干燥衬底的方法的脱水干燥装置的衬底处理装置的示意图。如图4所示，衬底处理装置30包括衬底处理室31，其中执行各种处理包括湿处理，诸如清洗，以及与衬底处理室31相邻放置的加载/卸载(L/UL)室32，用于加载和卸载在其中容纳衬底15的载体10。
加载/卸载室32包括载体基座33，在其上放置在其中容纳衬底15的载体10。加载/卸载室32还包括气体引入通道34，用于将干燥气体或高温气体输送(吹)到容纳在放在载体基座33上的载体10中的衬底15上。在气体引入通道34中提供风扇19、脱水过滤器20和HEPA过滤器21。
衬底处理装置30操作如下在衬底处理室31中执行各种处理，以及由机器人等等(未示出)将已经清洗和旋转干燥过的衬底15传送并放置在载体10中。在这种情况下，驱动位于气体引入室34中的风扇19以便使干燥气体或高温气体引导到气体引入通道34中。通过脱水过滤器20和HEPA过滤器21去除包含在气体中的水和粒子，以及使干燥气体或高温气体吹到容纳在载体10中的衬底15上。因此，能有效地去除每个衬底15上的水，特别是存在于形成在每个衬底15上的、具有亲水性和/或吸水性的多孔膜中的水，从而脱水和干燥衬底15。
如图4所示，如由箭头A所示，能向上和向下移动气体引入通道34。当将衬底15移动到位于载体基座33上的载体10或从其移离衬底15时，向下移动气体引入通道34。当将干燥气体或高温气体吹到衬底15，将气体引入通道34向上移动到气体引入通道34的气体出口与载体10的开口对准的位置。
在图1A到4所示的实施例中，脱水和干燥衬底15同时将衬底15容纳在载体10中而不旋转衬底15和载体10。因此，由于不需要用于旋转衬底15和/或载体10的任何机构，能简化脱水干燥装置的结构。
如图4所示，半导体制作装置通常包括用于处理衬底的衬底处理室31，以及用于将衬底15移向或移离衬底处理室31以及移动容纳在半导体制作装置和该装置的外部之间的载体中的衬底15的加载/卸载室32。具有这种结构的装置的一个例子是CMP(化学机械抛光)装置。在CMP装置中，通常，在抛光单元中逐个抛光衬底15，以及清洗和干燥(例如旋转干燥)已经在抛光单元中抛光的衬底15，然后返回到载体10。在CMP装置中，采用将具有干燥衬底15的载体10引入加载/卸载室32以及从加载/卸载室321移出具有处理过的干燥衬底15的载体10的干进(dry-in)和干出(dry-out)方法。
如上所述，通过旋转干燥处理等等，已经干燥从衬底处理室31移进载体10中的衬底15。然而，最好应当进一步脱水和干燥具有多孔膜诸如低k膜的衬底15以便去除包含在多孔膜中的水。因此，最好通过图5所示的处理脱水和干燥衬底15。
如图5所示，衬底处理装置40包括用于执行第一处理41和第二处理42的装置，以及用于在第二处理42后，执行后续脱水和干燥处理的真空干燥设备43。如第一处理41，通过抛光处理抛光衬底15，然后通过如第二处理42的清洗和干燥(例如旋转干燥)处理清洗和干燥衬底15。此后，通过真空干燥设备43，脱水和干燥衬底15，然后传送到载体10中。
真空干燥设备43具有用于容纳衬底15的真空室。真空室容纳已经在第二处理42中清洗和干燥过的衬底15，并且抽空以便在其中逐渐形成高真空，以便使真空室中的衬底15暴露于高真空，由此用于真空干燥衬底15。用这种方式，能去除留在已经在第二处理42中通过旋转干燥等等清洗和干燥过的衬底15上形成的具有吸水性和/或亲水性的多孔膜中的水。
尽管在图中未示出，可以用具有用于加热和干燥衬底的加热室的热干燥设备替换真空干燥设备43。在使用热干燥设备的情况下，已经在第二处理42中清洗和干燥过的衬底15容纳在加热室中，以及加热该加热室的内部空间以便干燥衬底15。在这种情况下，由于加热，使衬底15的氧化加速，要求用惰性气体代替加热室中的空气。不管是否使用真空干燥设备或加热干燥设备，由于必须保持室气密以便抽空室或用惰性气体替换室中的大气，干燥设备最好应当包括用于逐个处理衬底的单个衬底处理机构，因为这种机构要求小容积室。
使用真空干燥设备43的上述方法在真空室中逐渐形成真空中要求长的处理时间，以及使用加热干燥设备的方法在加热该加热室的内部空间以及冷却加热室的加热的内部空间中需要长的处理时间。因此，最好使用图6所示的方法。
如图6所示，衬底处理装置40包括用于执行第一处理41和第二处理42的装置，以及位于第二处理42的下游的三个真空干燥设备43-1、43-2和43-3。分将已经由第二处理42清洗和干燥过的衬底15分布并容纳在三个真空干燥设备43-1、43-2和43-3中，然后由三个真空干燥设备43-1、43-2和43-3同时脱水和干燥。
通过图6所示的衬底处理装置40，如果第一处理(抛光处理)41和第二处理(清洗和干燥处理)42的间歇时间很短，那么能在不降低衬底处理装置40的处理速度的情况下处理衬底15。然而，在这种情况下，具有三个真空干燥设备43-1、43-2和43-3的衬底处理装置40易于尺寸大。可以用具有分别用于加热和干燥衬底的加热室的加热干燥设备代替真空干燥设备43-1、43-2和43-3。
如图5所示，其中单个真空干燥设备43或单个加热干燥设备位于第二处理(清洗和干燥处理)42的下游的衬底处理装置40要求长的处理时间。如图6所示，其中三个真空干燥设备43-1、43-2和43-3或三个加热干燥设备位于第二处理(清洗和干燥处理)的下游的衬底处理装置40易于大尺寸。如图1A至3所示，用于脱水和干燥容纳在载体10中的衬底15的装置能在不增加处理时间和装置大小的情况下，脱水和干燥衬底。
根据本发明的衬底处理装置可以应用于具有温处理的装置，诸如湿蚀刻装置、清洗装置等等，以及CMP装置。
尽管在上述实施例中，已经描述了具有薄膜诸如低k薄膜的衬底，本发明可应用于不具有薄膜的衬底、具有互连的衬底和其他衬底。
根据本发明，能获得下述良好的优点1)由于在衬底容纳在可用来承载用于执行某些处理的装置间的衬底的载体中的情况下，衬底被脱水和干燥而不被旋转，能与衬底的其他处理分离地脱水和干燥衬底，因此，通过这些脱水和干燥处理，不影响衬底处理装置的衬底处理时间。另外，在衬底具有吸水性的多孔膜，诸如低k薄膜的情况下，例如，能充分地去除存在于多孔膜中的水，因此，能防止多孔膜膨胀从而变形。另外，当在高真空或超高真空的情况下，执行衬底的后续处理时，由于充分地脱水和干燥衬底，能实现在这一处理中所需的真空度。
2)由于通过暴露于真空，或暴露于干燥气体，或暴露于真空和/或干燥气体并与加热组合地进行，脱水和干燥容纳在载体中的衬底，能有效地去除存在于形成在衬底上、具有吸水性的多孔膜，诸如低k膜中的水。
3)由于在将衬底容纳在载体中前，初步干燥(例如旋转干燥)衬底，通过初步干燥过程去除附着到衬底的表面上的水。有效地去除存在于在衬底上形成的、具有吸水性的多孔膜诸如低k膜中的水同时在载体中脱水和干燥衬底。另外，由于通过初步干燥处理，已经从衬底上去除大部分水，能降低载体中的脱水和干燥负担，因此，能充分地脱水和干燥衬底。
4)在衬底上形成具有吸水性属性的薄膜的情况下，特别是在将具有吸水性的薄膜暴露在衬底的表面上的情况下，通过旋转干燥处理等等不能易于去除存在于这种薄膜中的水。在本发明中，由于脱水和干燥衬底同时衬底容纳在用来承载装置间的衬底的载体中，能在不影响衬底处理装置的衬底处理时间的情况下，脱水和干燥衬底，因此，能充分地去除存在于具有吸水性的薄膜中的水。另外，当在高真空或超真空的情况下执行衬底的后续处理时，由于已经充分地脱水和干燥衬底，能实现在这一处理中需要的真空度。
5)在根据本发明的脱水干燥装置中，由于在不旋转的情况下，通过脱水干燥装置脱水和干燥衬底同时衬底容纳在用来承载装置间的衬底的载体中，能与衬底的其他处理分开地脱水和干燥衬底，因此，通过这种脱水和干燥处理，不影响衬底处理装置的衬底处理时间。另外，在衬底具有吸水性的多孔膜，诸如低k膜的情况下，例如，能充分地去除多孔膜中的水，因此，能防止多孔膜膨胀从而变形。另外，当在高真空或超高真空下执行衬底的后续处理时，由于充分地脱水和干燥衬底，能实现在这一过程中所需的真空度。因为通过暴露于真空，或暴露于干燥气体，或暴露于真空和/或干燥气体并结合加热，脱水和干燥容纳在载体中的衬底，能有效地去除形成在衬底上、具有吸水性的多孔膜，诸如低k膜中的水。
6)在根据本发明的衬底处理装置中，由于通过脱水干燥装置脱水和干燥已经处理过的衬底，这种脱水和干燥处理不影响衬底处理装置的后续处理时间。另外，能充分地去除残存在衬底上形成的、具有吸水性的多孔膜，诸如低k膜中的水以便脱水和干燥衬底。另外，不必安装用于在衬底处理装置中脱水和干燥衬底的机构，从而能防止衬底处理装置尺寸大。
工具应用性本发明可用于能脱水和干燥已经在用在半导体制作过程等等中的湿处理中处理过的衬底的脱水干燥方法、脱水干燥装置和衬底处理装置。
权利要求
1.一种用于脱水和干燥衬底的脱水干燥方法，包括脱水和干燥衬底，同时将衬底容纳在用来承载衬底的载体中。
2.如权利要求1所述的脱水干燥方法，其特征在于，在不旋转的情况下，脱水和干燥容纳在所述载体中的衬底。
3.如权利要求1或2所述的脱水干燥方法，其特征在于，所述载体用来在用于执行一些处理的装置间承载衬底。
4.如权利要求1至3的任何一个所述的脱水干燥方法，其特征在于，通过暴露于真空，脱水和干燥容纳在所述载体中的衬底。
5.如权利要求1至3的任何一个所述的脱水干燥方法，其特征在于，通过暴露于干燥气体，脱水和干燥容纳在所述载体中的衬底。
6.如权利要求1至3的任何一个所述的脱水干燥方法，其特征在于，通过加热，或通过暴露于真空和/或干燥气体并结合加热，脱水和干燥容纳在所述载体中的衬底。
7.如权利要求1至6的任何一个所述的脱水干燥方法，进一步包括在将衬底容纳在所述载体中前，初步干燥衬底。
8.如权利要求7所述的脱水干燥方法，其特征在于，通过旋转干燥处理初步干燥衬底。
9.如权利要求1至8的任何一个所述的脱水干燥方法，其特征在于，衬底包含具有吸水性的薄膜。
10.一种用于脱水和干燥衬底的脱水干燥装置，包括脱水干燥设备，用于脱水和干燥衬底同时将衬底容纳在用来承载衬底的载体中。
11.如权利要求10所述的脱水干燥装置，其特征在于，在不旋转的情况下，脱水和干燥容纳在所述载体中的衬底。
12.如权利要求10或11所述的脱水干燥装置，其特征在于，所述载体用来在用于执行一些处理的装置间承载衬底。
13.如权利要求10至12的任何一个所述的脱水干燥装置，其特征在于，所述脱水干燥设备通过使衬底暴露于真空，脱水和干燥容纳在所述载体中的衬底。
14.如权利要求10至12的任何一个所述的脱水干燥装置，其特征在于，所述脱水干燥设备通过使衬底暴露于干燥气体，脱水和干燥容纳在所述载体中的衬底。
15.如权利要求10至12的任何一个所述的脱水干燥装置，其特征在于，所述脱水干燥设备通过加热所述衬底，或通过使所述衬底暴露于真空和/或干燥气体并结合加热所述衬底，脱水和干燥容纳在所述载体中的衬底。
16.一种用于处理衬底的衬底处理装置，包括脱水干燥装置，用于脱水和干燥在一过程中已处理过的衬底；其特征在于，所述脱水干燥装置包括脱水干燥设备，用于脱水和干燥衬底，同时衬底容纳在用来承载衬底的载体中。
17.如权利要求16所述的衬底处理装置，其特征在于，在不旋转的情况下，脱水和干燥容纳在所述载体中的衬底。
18.如权利要求16或17所述的衬底处理装置，其特征在于，所述载体用来在用于执行一些处理的装置间承载衬底。
19.如权利要求16至18的任何一个所述的衬底处理装置，其特征在于，所述脱水干燥设备通过使衬底暴露于真空，脱水和干燥容纳在所述载体中的衬底。
20.如权利要求16至18的任何一个所述的衬底处理装置，其特征在于，所述脱水干燥设备通过使衬底暴露于干燥气体，脱水和干燥容纳在所述载体中的衬底。
21.如权利要求16至18的任何一个所述的衬底处理装置，其特征在于，所述脱水干燥设备通过加热所述衬底，或通过使所述衬底暴露于真空和/或干燥气体并结合加热所述衬底，脱水和干燥容纳在所述载体中的衬底。
22.一种抛光方法，包括抛光衬底以便形成一抛光的衬底；清洗和干燥所抛光的衬底以便形成清洁和干燥的衬底；以及通过真空干燥设备，脱水和干燥清洁和干燥的衬底。
23.如权利要求22所述的抛光方法，其特征在于，衬底包含具有吸水性并用作为绝缘材料的薄膜。
24.一种抛光方法，包括抛光衬底以形成抛光的衬底；清洗和干燥所抛光的衬底以便形成清洁和干燥的衬底；以及通过加热干燥设备，脱水和干燥清洁和干燥的衬底。
25.如权利要求24所述的抛光方法，其特征在于，衬底包含具有吸水性并用作为绝缘材料的薄膜。
26.一种抛光方法，包括抛光包含具有吸水性并用作为绝缘材料的薄膜的衬底以便形成一抛光的衬底；清洗和干燥所抛光的衬底以便形成清洁和干燥的衬底；以及去除残留在所述薄膜中的水以便脱水和干燥清洁和干燥的衬底。
全文摘要
脱水干燥方法脱水和干燥衬底。在不旋转的情况下脱水和干燥衬底(15)同时衬底(15)容纳在用来在用于执行一些处理的装置间承载衬底(15)的载体(10)中。
文档编号H01L21/3105GK1639849SQ0380556
公开日2005年7月13日 申请日期2003年3月5日 优先权日2002年3月8日
发明者阿藤浩司, 户川哲二 申请人:株式会社荏原制作所