一种新型塑料封装散热型mos三极管的制作方法

专利名称:一种新型塑料封装散热型mos三极管的制作方法
【专利摘要】一种新型塑料封装散热型MOS三极管，其特征在于：包括控制极、漏极、塑料封装外壳体和散热硅胶片，塑料封装外壳体下方设置有控制极，控制极一侧设置有漏极，漏极一侧设置有源极，塑料封装外壳体内部中央设置有内置芯片，塑料封装外壳体外表面上设置有散热硅胶片，散热硅胶片两侧对称设置有抓取槽，塑料封装外壳体上部设置有固定金属板，固定金属板上设置有两个固定螺钉孔。有益效果在于：安装更加方便，工作性能更好，散热性能更加良好，结构更小，更加省电，传导损耗小，制造简单，造价低，便于大批量生产，使用寿命更长。
【专利说明】
一种新型塑料封装散热型MOS三极管
技术领域
[0001 ]本实用新型属于MOS三极管设备领域，具体涉及一种新型塑料封装散热型MOS三极管。
【背景技术】
[0002]三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属一绝缘体(insulator) —半导体。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。MOS三极管的作用很多，做电源设计，或者做驱动方面的电路，难免要用到MOS管。MOS管有很多种类，也有很多作用。做电源或者驱动的使用，就是用它的开关作用。但是现在使用的MOS三极管存在散热不良，导致容易损坏使用寿命短等缺点。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种新型塑料封装散热型MOS
三极管。
[0004]本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:
[0005]—种新型塑料封装散热型MOS三极管，包括控制极、漏极、塑料封装外壳体和散热硅胶片，塑料封装外壳体下方设置有控制极，控制极一侧设置有漏极，漏极一侧设置有源极，塑料封装外壳体内部中央设置有内置芯片，塑料封装外壳体外表面上设置有散热硅胶片，散热硅胶片两侧对称设置有抓取槽，塑料封装外壳体上部设置有固定金属板，固定金属板上设置有两个固定螺钉孔。
[0006]上述结构中，将控制极、漏极和源极通过焊锡焊接在需要的电路板上，将螺钉通过固定螺钉孔将三极管安装固定，便可以工作。
[0007]作为本实用新型的优选方案，塑料封装外壳体在注塑成型时形成抓取槽，塑料封装外壳体与散热硅胶通过粘接相连接。
[0008]作为本实用新型的优选方案，控制极与内置芯片通过焊锡焊接相连接，漏极与内置芯片通过焊锡焊接相连接。
[0009]作为本实用新型的优选方案，源极与内置芯片通过焊锡焊接相连接，固定金属板与塑料封装外壳体通过粘接相连接，固定螺钉孔通过在固定金属板上冲孔形成。
[0010]有益效果在于:安装更加方便，工作性能更好，散热性能更加良好，结构更小，更加省电，传导损耗小，制造简单，造价低，便于大批量生产，使用寿命更长。
【附图说明】

[0011 ]图1是本实用新型所述一种新型塑料封装散热型MOS三极管的主视图；
[0012]图2是本实用新型所述一种新型塑料封装散热型MOS三极管的左视图。
[0013]附图标记说明如下:
[0014]1、控制极;2、漏极;3、塑料封装外壳体;4、散热硅胶片;5、固定金属板;6、固定螺钉孔;7、源极;8、抓取槽;9、内置芯片。
【具体实施方式】
[0015]为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
[0016]如图1-图2所示，一种新型塑料封装散热型MOS三极管，包括控制极1、漏极2、塑料封装外壳体3和散热硅胶片4，塑料封装外壳体3下方设置有控制极I，控制极I一侧设置有漏极2，漏极2—侧设置有源极7，塑料封装外壳体3内部中央设置有内置芯片9，电路集成在内置芯片9上，三极管功能的实现依托于内置芯片9塑料封装外壳体3外表面上设置有散热硅胶片4，能够起到良好的散热作用，防止内置芯片9烧毁而引发事故，散热硅胶片4两侧对称设置有抓取槽8，便于安装时抓取，也便于更换，塑料封装外壳体3上部设置有固定金属板5，固定金属板5上设置有两个固定螺钉孔6。
[0017]上述结构中，将控制极1、漏极2和源极7通过焊锡焊接在需要的电路板上，将螺钉通过固定螺钉孔6将三极管安装固定，便可以工作。
[0018]作为本实用新型的优选方案，塑料封装外壳体3在注塑成型时形成抓取槽8，塑料封装外壳体3与散热硅胶片4通过粘接相连接，控制极I与内置芯片9通过焊锡焊接相连接，漏极2与内置芯片9通过焊锡焊接相连接，源极7与内置芯片9通过焊锡焊接相连接，固定金属板5与塑料封装外壳体3通过粘接相连接，固定螺钉孔6通过在固定金属板5上冲孔形成。
[0019]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其效物界定。
【主权项】
1.一种新型塑料封装散热型MOS三极管，其特征在于:包括控制极、漏极、塑料封装外壳体和散热硅胶片，塑料封装外壳体下方设置有控制极，控制极一侧设置有漏极，漏极一侧设置有源极，塑料封装外壳体内部中央设置有内置芯片，塑料封装外壳体外表面上设置有散热硅胶片，散热硅胶片两侧对称设置有抓取槽，塑料封装外壳体上部设置有固定金属板，固定金属板上设置有两个固定螺钉孔。2.根据权利要求1所述的一种新型塑料封装散热型MOS三极管，其特征在于:塑料封装外壳体在注塑成型时形成抓取槽，塑料封装外壳体与散热硅胶通过粘接相连接。3.根据权利要求1所述的一种新型塑料封装散热型MOS三极管，其特征在于:控制极与内置芯片通过焊锡焊接相连接，漏极与内置芯片通过焊锡焊接相连接。4.根据权利要求1所述的一种新型塑料封装散热型MOS三极管，其特征在于:源极与内置芯片通过焊锡焊接相连接，固定金属板与塑料封装外壳体通过粘接相连接，固定螺钉孔通过在固定金属板上冲孔形成。
【文档编号】H01L23/373GK205723546SQ201620363164
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年4月27日
【发明人】文全, 陈永晚
【申请人】深圳市华科半导体有限公司