一种高介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法

文档序号:6802680阅读:180来源:国知局
专利名称:一种高介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种高介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法,属于材料科学技术领域。
背景技术
现代移动通信经过30多年,已在全球范围内日益普及,并朝着小型化、高频化、集成化、高可靠性和低成本化方向发展。为满足移动通信终端便携化、微型化的需要,最初的努力是在于减小谐振电路的尺寸,寻找高介电常数微波介质材料是人们的研究热点,但小型化程度有限,而采用微波频率下的多层整合电路技术(MLIC)使器件的小型化得到飞速发展。目前TDK、MURATA等公司利用叠层共烧技术将若干个L和C集成在一起,制出叠层型片式LC组合件,如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、陷波器、延迟线等。MURATA公司采用的多层技术生产的带通滤波器尺寸可减少为2.0mm×1.25mm×1.0mm;最近推出了专门用于蓝牙高频模块的LDAG2型叠层天线,工作频带0.8~2.4GHZ,尺寸减少为9.5mm×2.0mm×2.0mm。正是在微波器件日益小型化的前提下,能与高电导率的金属共烧结的低温烧结微波材料开发变得日益重要,而从经济性和环境保护角度考虑,使用熔点较低的Ag(td=960℃)或Cu(td=1060℃)等贱金属作为电极材料是作为理想的。因此,能与Ag或Cu或Ni共烧的低温烧结的微波介质陶瓷的研究和开发已提到了议事日程。
目前,国内外科技人员开展了大量的低温化的研究工作,如采用低熔点助烧剂、湿化学方法、降低原料的细度等方法降低材料的烧成温度。Chen-Liang Huang等对于掺加W(ZnO)的1%的ZST陶瓷,采用CuO助熔剂,形成CuO-Cu2O-TiO2(Cu3TiO4),可在1220℃烧成,其体积密度为5.12g/cm3,εr=38,Q.f=5×104GHz;Jean and Lin用ZnO-B2O3-SiO2和BCC(BaCO3+CuO)作为烧结助剂,获得εr=35~38,Q.f=2800~5000GHz。在研究低温化的同时,自身具有较低的烧结温度材料,如ZnTiO3系、BiNbO4系和(Pb,Ca)(Fe1/2Nb1/2)O3体系引起人们的兴趣,Wen-Cheng Tzou等人采用CuO、V2O5以及复合添加BiNbO4在875℃低温下获得了致密陶瓷,此外采用La3+、Nb3+等离子置换部分Bi3+,以Ta5+置换部分Nb5+,探讨了置换量对材料晶格崎变,斜方相与三斜相转变过程及介电性能的影响;Jong-Yoon等人利用Ca置换Pb(Fe1/2Nb1/2)O3使其材料的铁电相转化为顺电相,并掺加少量的CuO-Bi2O3,使材料的烧结温度降低到1000℃。
现有的微波介质陶瓷,大都均存在烧结温度偏高问题。虽然某些材料烧结温度降低到900℃以下,但由于频率温度系数偏大、品质因数低、与银电极发生界面反应等现象存在,真正能实用的低温烧结微波介质陶瓷材料很少,阻碍了多层微波器件的发展。

发明内容
本发明的目的,是从微波器件小型化对微波介质陶瓷材料的要求出发,提供一种高介电常数低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法,选择微波介电性能优良的Li2O-Nb2O5-TiO2系统,采用V2O5、ZBS为烧结助剂,降低烧结温度同时,保持良好的微波介电性能,并能与银电极共烧。此材料是一种极具发展前途的材料,已投入产业化生产。
本发明提出的一种低温烧结微波介质材料及制备方法,包括以下内容①按下列配比进行配料Li(1+a-b)∶Nb(1-a-3b)∶Ti(a+4b)O3,其中a=0.05~0.2;b=0.05~0.15添加剂与Li(1+a-b)∶Nb(1-a+3b)∶Ti(a+4b)O3的重量百分比五氧化二钒(V2O5)0~5wt%锌硼硅酸玻璃(ZnO-B2O3-SiO2)0~8wt%②将上述Li2CO3、Nb2O5、Nb2O5的配比称量,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为200~400r/min滚动磨混合16~24h,60~100℃烘干,装入高铝坩埚内,在800℃~900℃预烧2~8h。
③预烧后粉料加入0~5wt%V2O5、0~10wt%ZBS,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为200~400r/min滚动磨混合16~24h,60~100℃烘干,加5%PVA溶液,在4~10MPa的压力下压制成小圆片,在850℃~950℃烧结,保温1~6h,得到本发明材料。
采用上述配方及工艺组成的本发明,可得到ε在50~70之间可调,Q·f>4000~6000GHz(谐振频率f=2.0~3.0GHz),频率温度系数可调的微波介质陶瓷材料,性能达到与国外同类低温烧结微波介质材料的水平,可替代进口材料,促进我国多层微波频率器件的开发进程。本发明具有以下特点①采用V2O5、ZBS协同降低烧结温度,综合调控材料的频率温度系数;②特定的工艺制度改善了浆料特性,并与银电极得到较好的共烧匹配;③在900℃左右烧结具有较好的微波介电性能ε=50~70;Q.f>4000GHz,频率温度系数-10~+10ppm/℃内;④较高的介电常数,缩减了多层微波器件设计尺寸,满足器件小型化的目的;较高的品质因数,大大降低了微波频率器件的插入损耗;⑤材料工艺稳定、重现性好,已投入多层微波陶瓷滤波器产业化生产。
具体实施例方式
下面结合实施例对本发明作进一步描述。
表1是本发明的四个比例配方

如表1所示配方中,要求用高纯度原料。
1、按上述比例配方,称量LiCO3、Nb2O5、TiO2,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为300r/min滚动磨混合24h,烘干,装入刚玉坩埚内,在850℃煅烧4h,煅烧料加入2wt%的V2O5,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为300r/min滚动磨混合24h,烘干,球磨至平均粒径<1um,在4MPa的压力下压制成直径25mm、厚度为10~13mm的小圆片,在900℃烧结4h,即得到本发明材料。
2、按上述比例配方,称量LiCO3、Nb2O5、TiO2,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为350r/min滚动磨混合24h,烘干,装入刚玉坩埚内,在850℃煅烧4h,煅烧料加入1wt%的V2O5,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为350r/min滚动磨混合24h,烘干,球磨至平均粒径<1um,在4MPa的压力下压制成直径25mm、厚度为10~13mm的小圆片,在895℃烧结2h,即得到本发明材料。
3、按上述比例配方,称量LiCO3、Nb2O5、TiO2,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为300r/min滚动磨混合18h,烘干,装入刚玉坩埚内,在850℃煅烧6h,煅烧料加入1wt%V2O5、2wt%ZBS,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为300r/min滚动磨混合18h,烘干,球磨至平均粒径<1um,在4MPa的压力下压制成直径25mm、厚度为10~13mm的小圆片,在915℃烧结2h,即得到本发明材料。
4、按上述比例配方,称量LiCO3、Nb2O5、TiO2,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为300r/min滚动磨混合24h,烘干,装入刚玉坩埚内,在850℃煅烧4h,煅烧料加入1wt%V2O5、5wt%ZBS,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为300r/min滚动磨混合24h,烘干,球磨至平均粒径<1um,在4MPa的压力下压制成直径25mm、厚度为10~13mm的小圆片,在896℃烧结4h,即得到本发明材料。
用本发明四个配方压成的圆片,测试的介电性能如下表所示。

权利要求
1.一种高介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法,其特征在于①配方组成式Li(1+a-b)∶Nb(1-a-3b)∶Ti(a+4b)O3,其中a=0.05~0.2;b=0.05~0.15添加剂与Li(1+a-b)∶Nb(1-a-3b)∶Ti(a+4b)O3的重量百分比五氧化二钒(V2O5)0~5wt%锌硼硅酸玻璃(ZnO-B2O3-SiO2,简称ZBS)0~8wt%②按上述Li2CO3、Nb2O5、Nb2O5的配比称量,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为200~400r/min滚动磨混合18~24h,60~100℃烘干,装入高铝坩埚内,在800℃~900℃预烧2~8h。③预烧后粉料加入0~5wt%V2O5、0~10wt%ZBS,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为200~400r/min滚动磨混合18~24h,60~100℃烘干,加5%PVA溶液,在4~10MPa的压力下压制成小圆片,在850℃~950℃烧结,保温1~6h,得到本发明材料。
2.根据权利要求1所述的一种高介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法,其特征在于①原料按下列配比进行配料Li(1+a-b)∶Nb(1-a-3b)∶Ti(a+4b)O3,其中a=0.15,b=0.075;②将上述Li2CO3、Nb2O5、Nb2O5的配比称量,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为300r/min滚动磨混合24h,60~100℃烘干,装入高铝坩埚内,在850℃~900预烧3~6h。③预烧后粉料加入2wt%V2O5,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为300r/min滚动磨混合24h,60~100℃烘干,加5%PVA溶液,在4~10MPa的压力下压制成小圆片,在850℃~950℃烧结,保温1~6h,得到本发明材料。
3.根据权利要求1所述的一种高介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法,其特征在于①原料按下列组成配料Li(1+a-b)∶Nb(1-a-3b)∶Ti(a+4b)O3,其中a=0.15,b=0.1;②将上述Li2CO3、Nb2O5、Nb2O5的配比称量,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为300r/min滚动磨混合24h,60~100℃烘干,装入高铝坩埚内,在850℃~900℃预烧3~6h。③预烧后粉料加入2wt%V2O5,按混合料与乙醇的重量比为1∶1.5,加入乙醇,在转速为300r/min滚动磨混合24h,60~100℃烘干,加5%PVA溶液,在4~10MPa的压力下压制成小圆片,在850℃~950℃烧结,保温1~6h,得到本发明材料。
全文摘要
本发明涉及是一种高介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法,将原料Li
文档编号H01B3/12GK1609049SQ200310104210
公开日2005年4月27日 申请日期2003年10月23日 优先权日2003年10月23日
发明者杨辉, 张启龙, 王家邦, 刘兴元, 黄伟, 尤源 申请人:浙江大学, 浙江正原电气股份有限公司
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