专利名称：静磁场发生装置和磁共振成像装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及采用了由形成磁路的柱磁轭(columnar yoke)和底磁轭(baseyoke)支撑的永磁体的一种静磁场发生装置和一种磁共振成像装置。
背景技术：
近年来，其中由永磁体来产生静磁场的磁共振成像装置变得普及起来了。因为在这样的装置中需要高的精度，所以已经主要采用了一种通过在永磁体本身上或在连接在永磁体上的底磁轭上使用铁片或类似物的修正静磁场的技术。
另一种技术涉及围绕用于支撑永磁体的柱磁轭缠绕线圈来电学地产生磁通量，从而修正静磁场(例如，见专利文献1)。
日本专利申请公开第2002-238872号(第1页，附图10)。
不过，传统的技术并不能实现静磁场的简便修正。特别是，例如由于永磁铁的重量，修正永磁体本身上或连接在永磁体上的底磁轭上的静磁场的工艺必须在磁共振成像装置的组装过程中就已完成。另一方面，因为使用了线圈和用于线圈的控制装置，所以利用电学方法修正静磁场的工艺需要额外的装置。
尤其是，永磁体与超导磁体相比，更加容易受到诸如温度变化这样的环境条件的影响，并且，实际情况是，在诸如医院这样的安装地点，无法简便地实现用于保持静磁场的精度的修正，从性能和服务效率的角度来讲，这一实际情况是不令人满意的。
因此，找出一种途径来实现允许静磁场的简单修正的使用永磁铁的静磁场发生装置和磁共振成像装置是具有重要意义的。
发明内容
本发明的一个目的是，提供一种允许静磁场简单地修正的使用永磁体的静磁场发生装置和磁共振成像装置。
为了解决前面提到的问题和达到这一目的，按照本发明的第一方面，一种静磁场发生装置的特征在于包括一对永磁体，这对永磁体跨过其中放置测试对象的空间相对设置；一对底磁轭，用于支撑所述永磁体；以及柱磁轭，用于磁连接所述底磁轭并且在结构上支撑它们，所述柱磁轭具有磁阻调节装置(magnetic resistance modifying means)。
在第一方面的发明中，永磁体跨过其中放置测试对象的空间相对设置，这些永磁体由一对底磁轭支撑，并且底磁轭与具有磁阻调节装置的柱磁轭磁连接并在结构上由后者支撑；并因此，通过调节柱磁轭的磁阻，可以轻易地改变并修正由永磁体在该空间中产生的磁通量，并由此改变和修正等于每单位面积磁通量的静磁场。
按照本发明的第二个方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括在至少一个所述柱磁轭的侧面上的沟槽，所述侧面位于所述柱磁轭的纵向上。
在本发明的第二个方面中，由于位于柱磁轭的纵向上的柱磁轭侧面上设置沟槽作为调节装置，因此在沟槽处减小了垂直于纵向的柱磁轭的横截面积，从而增大了磁阻。
按照本发明的第三方面，静磁场发生装置的特征在于所述沟槽具有矩形横截面。
在本发明的第三个方面中，由于沟槽具有矩形横截面，因此可以容易地加工。
按照本发明的第四方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括形状与所述沟槽大致相一致的插入件。
在本发明的第四方面中，由于调节装置的插入件具有与沟槽大致相一致的形状，因此通过将插入件插入到沟槽中/从沟槽中拔出，可以改变沟槽处的磁阻。
按照本发明的第五方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括穿过至少一个所述柱磁轭的侧面的通孔，所述侧面处于与所述柱磁轭的纵轴平行。
在本发明的第五方面中，由于通孔被设置成穿过处于与柱磁轭的纵轴平行的柱磁轭侧表面来作为调节装置，因此在通孔处减小了垂直于纵轴的柱磁轭的横截面积，从而增大了磁阻。
按照本发明的第六方面，静磁场发生装置的特征在于所述通孔具有圆形截面。
在本发明的第六方面中，由于通孔具有圆形截面，因此用于支撑永磁体的柱磁轭的强度的降低可以得到缓解。
按照本发明的第七方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括形状大体上与所述通孔相一致的填充件，所述填充件是可插入到所述柱磁轭中的/可从所述柱磁轭中拔出的。
在本发明的第七方面中，由于调节装置包括形状大体上与通孔相一致以便可插入到所述柱磁轭中/可从所述柱磁轭中拔出的填充件，因此可以通过将填充件插入到通孔中/将填充件从通孔中拔出来调节通孔处的磁阻。
按照本发明的第八方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括设置在至少一个所述柱磁轭的侧面上的螺纹孔，所述侧面处于与所述柱磁轭的纵轴平行。
在本发明的第八方面中，由于调节装置包括设置在平行于柱磁轭的纵轴的柱磁轭的侧面上的螺纹孔，因此在螺纹孔处，减小了垂直于纵轴的柱磁轭的横截面积，从而增大了磁阻。
按照本发明的第九方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括形状大体上与所述螺纹孔相一致的螺钉，所述螺钉是可插入到所述柱磁轭中的/可从所述柱磁轭中拔出的。
在本发明的第九方面中，由于将用作调节装置的形状大体上与螺纹孔相一致的螺钉插入到柱磁轭中/将其从柱磁轭中拔出，因此通过将螺钉插入通孔/将螺钉从通孔中拔出，可以调节在螺纹孔处的磁阻。
按照本发明的第十方面，静磁场发生装置的特征在于所述沟槽、所述通孔或所述螺纹孔被设置在所述空间所处的那一侧的柱磁轭的侧面上。
在本发明的第十方面中，由于沟槽、通孔或螺纹孔被设置在所述空间所处的那一侧的柱磁轭的侧面上，因此从沟槽、通孔或螺纹孔中泄漏的磁通量被有效地返回到永磁体中，从而有效地调节了从永磁体中产生的磁通量。
按照本发明的第十一方面，静磁场发生装置的特征在于所述沟槽、所述通孔或所述螺纹孔被设置在所述永磁体与所述柱磁轭接合处的弯折部分中。
在本发明的第十一方面中，由于沟槽、通孔或螺纹孔被设置在永磁体与柱磁轭接合处的弯折部分中，因此通过沟槽、通孔或螺纹孔，可以有效地调节于此集中了磁通量的弯折部分内的磁通量。
按照本发明的第十二方面，静磁场发生装置的特征在于所述调节装置包括设置在至少一个所述柱磁轭中并且由具有与所述柱磁轭的材料不同的磁导率的材料构成的不同材料部分。
在本发明的第十二方面中，由于调节装置包括设置在柱磁轭中并且由具有与柱磁轭的材料不同的磁导率的材料构成的不同材料部分，因此柱磁轭的磁阻可以大幅度调节，以进行修正。
按照本发明的第十三方面，静磁场发生装置的特征在于所述不同材料部分具有与所述柱磁轭的垂直相交于纵轴的截面相同的横截面形状。
在本发明的第十三方面中，由于不同材料部分的横截面形状与柱磁轭的垂直相交于纵轴的横截面相同，因此磁通量的泄漏可以被最小化。
按照本发明的第十四方面，静磁场发生装置的特征在于在相应柱磁轭的关于测试对象位置对称的位置处设置有多个所述沟槽、所述通孔、所述螺纹孔或所述不同材料部分。
在本发明的第十四方面中，由于在相应柱磁轭的关于测试对象位置对称的位置处设置有多个沟槽、通孔、螺纹孔或不同材料部分，因此可以使各柱磁轭之间的磁阻相等，并且可以使在该空间中所产生的磁通量均匀，而没有方向性。
按照本发明的第十五方面，一种磁共振成像装置包括静磁场发生装置，用于利用永磁体产生静磁场；梯度磁场发生装置，用于产生梯度磁场；发射/接收装置，用于在所述静磁场中发射/接收射频磁场；以及控制部分，用于控制所述梯度磁场发生装置、所述发射装置和所述接收装置，所述磁共振成像装置的特征在于所述静磁场发生装置，在磁连接并且在结构上支撑底磁轭的柱磁轭中包括用于调节所述柱磁轭的磁阻的调节装置，其中所述底磁轭支撑一对相对设置的所述永磁体。
在本发明的第十五方面中，静磁场发生装置在磁连接并且在结构上支撑底磁轭的柱磁轭中包括用于调节所述柱磁轭的磁阻的调节装置，其中底磁轭支撑一对相对设置的永磁体；并因此，通过调节柱磁轭的磁阻，可以轻易地改变并修正由永磁体在该空间中产生的磁通量，并由此改变并修正等于每单位面积磁通量的静磁场。
按照本发明的第十六方面，磁共振成像装置的特征在于所述调节装置包括在至少一个所述柱磁轭的侧面上的沟槽，所述侧面处于与所述柱磁轭底纵轴平行、所述侧面的通孔、或设置在所述侧面上的螺纹孔；以及形状大体上与所述沟槽相一致的插入件、形状总体上与所述通孔相一致的填充件、或形状大体上与所述螺纹孔相一致的螺钉。
在本发明的第十六方面中，调节装置包括在柱磁轭中的平行于柱磁轭的纵轴的侧面上的沟槽、穿过该侧面的通孔、或在该侧面上的螺纹孔；似及形状大体上与沟槽相一致的插入件、形状大体上与通孔相一致的填充件或形状大体上与螺纹孔相一致的螺钉；并因此，可以通过将插入件、填充件和螺钉插入沟槽、通孔和螺纹孔中/将插入件、填充件和螺钉从槽、通孔和螺纹孔中拔出，以高精度轻易地调节在所述空间中的磁通量。
按照本发明，形成一对的永磁体跨过其中放置测试对象的空间相对设置，永磁体由一对底磁轭支撑，并且永磁体由具有磁阻调节装置的柱磁轭磁连接并在结构上支撑；并因此，通过改变柱磁轭的磁阻，可以轻易地调节和修正由永磁体在该空间中产生的磁通量，由此调节和修正等于每单位面积磁通量的静磁场。
由下面的对如附图中所示的本发明的优选实施例的说明中，本发明的其它的目的和优点将是显而易见的。
图1是示出磁共振成像装置的总体结构的框图；图2示出根据实施例1的磁体部分的横截面；图3示出根据实施例1的柱磁轭周围的磁体部分的局部结构；图4A和4B分别示出根据实施例1的磁体部分中的磁路；图5示出根据实施例2的柱磁轭周围的磁体部分的局部结构(第一种结构)；图6示出根据实施例2的柱磁轭周围的磁体部分的局部结构(第二种结构)；图7示出根据实施例3的柱磁轭周围的磁体部分的局部结构。
具体实施例方式
在下文中，将参照附图对根据本发明的静磁场发生装置和磁共振成像装置的优选实施例进行说明。
(实施例1)将首先描述根据实施例1的磁共振成像装置的总体结构。图1示出根据实施例1的磁共振成像装置的总体结构。在图1中，磁共振成像装置由磁体部分100、平台部分500、机柜部分200和一个操作控制台部分300构成。这些装置通过电缆彼此连接，以彼此进行电力、控制信息或数据的通信。
磁体部分100在一对竖直且相对地设置的永磁体之间的空间中产生均匀静磁场、梯度磁场和RF磁场。测试对象被放置在相对设置的永磁体之间。
平台部分500装备有一个台床(cradle)(未示出)，它移动穿过永磁体之间的空间，测试对象被放置在这个台床上。对台床进行控制以使其移动，以使测试对象的被成像部位被放置在磁体部分100的中央部位。
机柜部分200由用于控制磁体部分100和平台部分500的电子器件构成，并且主要对测试对象的定位控制、梯度磁场的产生、RF磁场的传输和RF磁场的接收进行管理。
操作控制台部分300响应于由操作者的操作而对控制信息的输入输出、输出图像的显示等进行管理。操作者输入控制信息被发送给机柜部分200，并且被用作对磁体部分100和平台部分500的控制信息。
图2示出磁体部分100的详细结构。图2示出穿过磁体部分100的中心的x-z横截面。磁体部分100包括一对底磁轭10和11、一对永磁体30和31、一对梯度线圈50和51、一对NMR探针70和71和一对发射线圈60和61，每一对中的元件都是竖直且相对设置的。接收线圈80被定位在两个相对设置的发射线圈60和61之间的中央成像区域内。测试对象被放置在接收线圈80之内。发射线圈60和61由未示出的装置固定在离梯度线圈一定距离处。
相对设置的底磁轭10和11由柱磁轭12和13固定地支撑着。由此，底磁轭10和11在它们的中央部分限定了一个具有较高静磁场均匀度的成像区域，在该成像区域内放置测试对象。
永磁体30和31被固定在底磁轭10和11上。底磁轭10和11以及柱磁轭12和13形成了一个由永磁体30和31产生的磁场的磁路，以减小磁场向外部的泄漏，并且提高了中央成像区域内的磁场均匀度。
磁场调节板40和41固定到永磁体30和31上，并进一步提高了由永磁体30和31形成的中央成像区域内的磁场均匀度。
梯度线圈50和51在中央成像区域内产生一个线性梯度磁场。发射线圈60和61在中央成像区域内产生一个RF磁场。
NMR探针70和71各自包括一个包含例如硫化铜溶液的小模具(phantom)，和围绕小模具的小线圈，并作用为用来检测由永磁体形成的中央成像区域内的静磁场强度的传感器。由该传感器的输出经由机柜部分200例如被显示在操作控制台部分300上。
接下来，图3示出在柱磁轭12周围的磁体部分100的局部结构图。图3示为构成图2中所示的磁体部分100的大体上四分之一的组成部分90。磁体部分100形成一个关于其中放置测试对象的接收线圈80对称的结构，并且在z方向上的柱磁轭的上半部分和柱磁轭13具有与组成部分90完全相同的结构。发射线圈61从该图中略去了。
柱磁轭12在其平行于支撑底磁轭10和11的纵向的侧表面上设置有沟槽310和320。沟槽310和320使它们的底面朝向永磁体31所在的一侧。特别地，沟槽310设置于在底磁轭11和柱磁轭12的连接部分处产生的弯折部分。沟槽的数量不仅限于两个，可以是三个或更多；而且，沟槽也可以设置在不是永磁体所在的那一侧的柱磁轭12的表面上。
此外，使用了形状与沟槽310和320相一致的插入件312和322。为了修正静磁场强度，插入件312和322适当地与沟槽310和320相一致。与柱磁轭12类似，插入件312和322所采用的典型材料是铁，尽管出于对静磁场强度的修正效果的考虑，也可以采用具有较高或较低磁导率的磁性材料。虽然插入件312和322被构造为具有与沟槽310和320相一致的形状，但是对静磁场强度的修正效果也可以通过在x方向上改变它们的厚度和在y方向上改变它们的长度来进行调整。
接下来将参照图4中示出的磁路对采用了具有由沟槽310和320所代表的沟槽部分的柱磁轭12和13的磁体部分100的作用进行说明。图4示意性地示出了磁路和磁体部分100的静磁场分布。
现在考虑磁路中的磁通量φ、磁动势F和磁阻R之间的关系。类似于电学中的欧姆定律，在磁通量φ、磁动势F和磁阻R中，存在由下式表示的关系φ＝F/R (1)此外，磁阻R由下式表示R＝(1/μ)×(L/A)(2)在该公式中，μ是磁导率，L是磁路的长度，而A是磁路的横截面积；并且对于磁体部分100中的柱磁轭12和13来说，μ是铁的磁导率，L是纵向的长度(z方向)，而A是垂直于纵轴的横截面面积。
图4A示出传统的磁体部件，其中柱磁轭42和43在x-y平面内各自具有一个均匀一致的横截面积A2。磁动势F具有由永磁体30和31决定的某一确定值。总磁阻R0由磁阻R1和磁阻R2之和表示，其中磁阻R1是在永磁体30和31之间的放置测试对象或接收线圈80的空间中的磁阻，磁阻R2是由底磁轭10和11以及柱磁轭42和43形成的磁通量的回路中的磁阻，其由下式给出R0＝R1+R2因此，在永磁体30和31之间的放置接收线圈的空间中的产生了由公式(1)确定的磁通量φ0。
图4B示出其中采用了实施例1中的柱磁轭12和13的磁体部分100。在这种情况下，柱磁轭12和13具有由沟槽310和320表示的八个沟槽。在x-y平面内包含这些槽的横截面的横截面积A3为A3＜A2因此，根据公式(2)，图4B中所示的由底磁轭10和11以及柱磁轭12和13形成的磁通量的回路具有这样的磁阻R3＞R2由于对于附图4B来讲，总磁阻R4为R4＝R1+R3，因此由公式(1)确定的磁通量φ1为φ1＜φ0这意味着磁通量φ1小于附图4A的磁通量，导致减小的静磁通量或较小的等于每单位面积磁通量的静磁场B0。
此外，由于由沟槽310和320所代表的八个沟槽处呈现出高磁阻，因此磁通量从柱磁轭12和13泄漏出来，由此形成由最近的永磁体30或31闭合的磁力线的闭合环路。因此，减小了在永磁体30和31之间放置接收线圈80的空间中所产生的磁通量φ，结果产生了较小静磁场B0。
此外，通过在柱磁轭12或13上的沟槽310和320或其它沟槽中适当地装配插入件312和322，可以在R3和R2之间改变柱磁轭12或13的磁阻，以在φ1和φ2之间改变或调节磁通量。此外，通过调整或改变插入件312和322的厚度、长度或材料，可以更加细微地调整磁阻，以高精度地微调磁通量。
可选地，可以为插入件312和322选择具有比柱磁轭12或13高的磁导率的材料，以减小总磁阻R4，以致R4＜R2以获得磁通量φ1，使得φ1＞φ0。
在这种情况下，在所述空间内形成的磁通量φ被增大了，导致一个较大的静磁场B0。
如上面所述的，在实施例1中，在柱磁轭12和13上设置有由沟槽310和320所表示的八个沟槽，并且在装配插入件312和322时，改变插入件312和322的形状和材料，以改变柱磁轭12和13的磁阻；因此，可以容易地调节形成在永磁体30和31之间的空间中的磁通量，并因此，可以容易地修正静磁场B0。
虽然在实施例1中柱磁轭12和13的磁阻是相等的，但是通过插入件312和313的调节，它们也可以是存在差异，以调节在所述空间中产生的磁通量的均匀度。
(实施例2)虽然在实施例1中使用具有矩形截面的沟槽310和320和形状大体上与沟槽310和320相一致的插入件312和322来改变柱磁轭12和13的磁阻以调节磁通量，但也可以在柱磁轭中设置通孔或螺纹孔来调节磁共振。在实施例2中，将对在柱磁轭内设置通孔或螺纹孔来改变柱磁轭的磁阻的情况进行介绍。
图5示出在设置有通孔的柱磁轭512周围的磁体部分的局部结构图。图5示为构成图2中所示的磁体部分100的总体上四分之一的组成部分90，并与图3相对应。除了柱磁轭12和13以外，图5中所示的具有柱磁轭512的磁体部分具有与磁体部分100完全相同的结构，因此将省略对它的详细说明。
带有设置有通孔的柱磁轭512的磁体部分具有关于其中放置测试对象的接收线圈80对称的结构，并且在z方向上的柱磁轭512的上半部分和在x方向上位于对称位置的柱磁轭都具有完全一样的结构。
柱磁轭512具有通孔521-523。通孔521-523具有圆形的横截面，并且从永磁体31所在那一侧的柱磁轭512的侧表面上沿x方向穿过柱磁轭512。此外，形状大体上与通孔521-523相一致的填充件531-533被示出并适当地插入到通孔521-523中。虽然，例如，填充件531-533所采用的材料与柱磁轭512相同，但是，取决于磁通量的调整范围，也可以适当地使用具有不同磁导率的材料。通孔的数量并不仅限于三个，而是取决于磁阻上的变化量可以对其进行增/减，并且穿通方向也可以被改变。
由于柱磁轭512在包括任一个通孔521-523的x-y剖面上具有较小的横截面积，因此增大了磁阻，从而根据公式(1)，减小了磁通量。此外，通过改变填充件531-533的长度、长度等，可以更细微地对柱磁轭512的磁阻进行调节，以高精度地微调磁通量。
图6示出在设置有螺纹孔621的柱磁轭612周围的磁体部分的局部结构图。图6示出的构成图2中所示的磁体部分100的总体上四分之一的组成部分90，并且与图3相对应。图6中所示的带有柱磁轭612的磁体部分具有与磁体部分100完全相同的结构，只是除了柱磁轭12和13之外，因此将省略对其的详细说明。
带有设置有螺纹孔621的柱磁轭612的磁体部分具有关于其中放置测试对象的接收线圈80对称的结构，并且在z方向上柱磁轭612的上半部分和在x方向上位于对称位置处的柱磁轭都具有完全一样的结构。
柱磁轭612具有螺纹孔621和多个具有与螺纹孔621完全相同结构的螺纹孔。螺纹孔621和其它的螺纹孔自永磁体31所在的那一侧的柱磁轭612的侧面沿x方向上设置在柱磁轭上。此外，提供至少一个具有能够接合在螺纹孔621和其它螺纹孔中的形状的螺钉631，并且该螺钉631被适当地插入到螺纹孔621和其它螺纹孔中。
由于柱磁轭612在包含螺纹孔621和其它螺纹孔中的任一个的x-y剖面内具有较小的横截面积，因此增大了磁阻，从而根据公式(1)，减小了磁通量。此外，通过改变螺钉631的长度、材料等，可以更加细微地对柱磁轭612的磁阻进行调节，以高精度地微调磁通量。
如上面所述，在实施例2中，在柱磁轭中设置有通孔或螺纹孔，并且在装配填充件和螺钉时，改变填充件或螺钉的形状和材料来调节柱磁轭的磁阻；从而，可以轻易地改变形成在永磁体30和31之间的空间内的磁通量，并且因此，可以轻易地修正静磁场B0。
(实施例3)虽然在实施例2中是通过在柱磁轭内设置通孔或螺纹孔来改变磁阻的，但是也可以通过在柱磁轭内设置不同材料部分来改变磁阻。在实施例3中，将会对在柱磁轭内设置不同材料部分来改变磁阻的情况进行说明。
图7示出在设置有不同材料部分721的柱磁轭712周围的磁体部分的局部结构图。图7所示的构成图2中所示的磁体部分100的总体上四分之一组成部分90，并且与图3相对应。图7所示的带有柱磁轭712的磁体部分具有与磁体部分100完全相同的结构，除了柱磁轭12和13之外，因此将省略对它的详细说明。
带有设置有不同材料部分721的柱磁轭712的磁体部分具有关于其中放置测试对象的接收线圈80对称的结构，并且在z方向上柱磁轭712的上半部分和在x方向上位于对称位置的柱磁轭都具有完全一样的结构。
柱磁轭712具有不同材料部分721。该不同材料部分721位于底磁轭11与柱磁轭712相接合处的弯折部分。该不同材料部分721由具有不同于柱磁轭712的磁导率的材料构成，例如坡莫合金，并且它减小柱磁轭712的磁阻，尤其是抑制在弯折部分发生的磁阻增大，并减小泄漏磁通量。此外，通过在制作过程中调节不同材料部分721的厚度，可以对由永磁体30和31所引起的磁通量的变化进行控制。
如上面所述，由于在实施例3中，在柱磁轭中设置了不同材料部分来调节柱磁轭的磁阻，因此在制造过程中，可以调节永磁体30和31之间的空间内形成的磁通量，并因此，可以对静磁场B0进行修正。
在不背离本发明的精髓和范围的前提下，可以构成本发明的许多不同的实施例。应当明白，本发明并不局限于说明书中所介绍的特定实施例，而是如所附的权利要求书中所限定的。
权利要求
1.一种静磁场发生装置，包括一对永磁体，它们跨过其中放置测试对象的空间相对地设置；一对底磁轭，用于支撑所述永磁体；以及柱磁轭，用于磁连接所述底磁轭并在结构上支撑它们，所述柱磁轭具有磁阻调节装置。
2.如权利要求1所述的静磁场发生装置，其中，所述调节装置包括在至少一个所述柱磁轭的一个侧面上的构槽，所述侧面处于与所述柱磁轭的纵轴平行。
3.如权利要求2所述的静磁场发生装置，其中，所述构槽具有矩形截面。
4.如权利要求2所述的静磁场发生装置，其中，所述调节装置包括形状大体上与所述构槽相一致的插入件，所述插入件插入到所述柱磁轭中/从所述柱磁轭中拔出。
5.如权利要求1所述的静磁场发生装置，其中，所述调节装置包括穿过至少一个所述柱磁轭的一个侧面的通孔，所述侧面处于与所述柱磁轭的纵轴平行。
6.如权利要求5所述的静磁场发生装置，其中，所述通孔具有圆形截面。
7.如权利要求5所述的静磁场发生装置，其中，所述调节装置包括形状大体上与所述通孔相一致的填充件，所述填充件插入到所述柱磁轭中/从所述柱磁轭中拔出。
8.如权利要求1所述的静磁场发生装置，其中，所述调节装置包括设置在至少一个所述柱磁轭的一个侧面上的螺纹孔，所述侧面处于与所述柱磁轭的纵轴平行。
9.如权利要求8所述的静磁场发生装置，其中，所述调节装置包括具有可接合在所述螺纹孔中的形状的螺钉，所述螺钉插入到所述柱磁轭中/从所述柱磁轭中拔出。
10.如权利要求2所述的静磁场发生装置，其中，所述沟槽、所述通孔或所述螺纹孔设置在所述空间所在那一侧上的所述柱磁轭的侧面上。
11.如权利要求10所述的静磁场发生装置，其中，所述沟槽、所述通孔或所述螺纹孔设置在所述底磁轭与所述柱磁轭相接合处的弯折部分内。
12.如权利要求1所述的静磁场发生装置，其中，所述调节装置包括设置在至少一个所述柱磁轭内并由具有不同于所述柱磁轭的磁导率的材料构成的不同材料部分。
13.如权利要求12所述的静磁场发生装置，其中，所述不同材料部分具有与所述柱磁轭的垂直相交于纵轴的横截面相同的横截面形状。
14.如权利要求2所述的静磁场发生装置，其中，多个所述沟槽、所述通孔、所述螺纹孔或所述不同材料部分设置在相应柱磁轭关于测试对象位置对称的位置处。
15.一种磁共振成像装置，包括静磁场发生装置，用于利用永磁体产生静磁场；梯度磁场发生装置，用于产生梯度磁场；发射/接收装置，用于在所述静磁场中发射/接收射频磁场；以及控制部分，用于控制所述梯度磁场发生装置、所述发射装置和所述接收装置，其中所述静磁场发生装置在磁连接并在结构上支撑底磁轭的柱磁轭中包括用于改变所述柱磁轭的磁阻的调节装置，其中所述底磁轭支撑一对相对设置的所述永磁体
16.如权利要求15所述的磁共振成像装置，其中，所述调节装置包括在至少一个所述柱磁轭侧面上的一个沟槽，所述侧面处于与柱磁轭的纵轴平行、穿过所述侧面的通孔、或者设置在所述侧面上的螺纹孔；以及形状大体上与所述槽相一致的插入件、形状大体上与所述通孔相一致的填充件或具有接合在所述螺纹孔中的形状的一个螺钉。
全文摘要
为了提供一种允许静磁场的轻易修正的使用永磁体的静磁场发生装置，由沟槽(310和320)表示的八个沟槽被设置在柱磁轭(12)和其它对应的柱磁轭内，并在装配插入件(312和322)时，改变插入件(312和322)的形状或材料，来调节柱磁轭(12)和其它对应的柱磁轭的磁阻；从而，可以简便地调节在永磁体(30和31)之间的空间内形成的磁通量，并由此，可以简便地修正静磁场。
文档编号H01F3/00GK1500441SQ20031011496
公开日2004年6月2日 申请日期2003年11月13日 优先权日2002年11月14日
发明者渡边毅 申请人:Ge医药系统环球科技公司