专利名称：太阳电池背电极的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种太阳电池的背电极。
背景技术：
单晶硅太阳电池的原料为高纯度(99.999％)的单晶硅。目前大部分利用制备半导体器件所用的单晶切除的头尾料或废次单晶硅，经过单晶炉的复拉，生产专供太阳电池使用的单晶硅。国外也有用较纯硅材料直接拉制单晶硅供太阳能电池使用的。制造单晶硅太阳电池，首先将单晶硅经滚圆和切边然后切成约0.3毫米的薄片。在硅片上进行减薄和绒面制作。扩散是在高温扩散炉中进行。在硅片浅层上形成P-n结。采用银浆、铝浆丝网印刷法制作上电极栅线，和背电极、背场，经过烧结而成牢固的电极。此外，还要在硅片表面涂覆一层减反射膜，以防止大量太阳光被光滑的硅片表面反射掉。多晶硅太阳电池的制备程序基本与单晶硅太阳电池相同，只是具体工艺有所差异。
随着太阳电池大量生产，为了降低生产成本，开展改进工艺节省原材料成本以及提高光电转换效率的研究。电池工艺的优劣往往以电池的填充因子参数来衡量。影响填充因子的大小的一个重要因素是金属与半导体接触的欧姆性能。如果接触附近区域由于应力引起的缺陷减少，接触电阻较小且欧姆性能良好，则填充因子就能增大。因此改善电池电极接触性能引起电池工作者的重视。有科研工作者比较了几种不同图形的背电极形状，对同一种性能的硅材料做太阳电池，结果发现不同形状带来不同的填充因子数值。如I.S.MOON等在PVSEC-12(2001)国际会议上发表的论文中，比较了长方形直线、长方形虚线、圆点(如图1-3所示)接触对单晶硅电池的填充因子的影响。在电池工艺和材料相同的情况下，得到电池的填充因子值分别为71％，79.5％和80.7％。从较高的填充因子数据说明该工艺较先进(电池效率在18-20％)。因此，填充因子值的差异能反映电极形状带来的差异。
近几年，太阳电池背电极已有所改进，形状五花八门，但基本上均属长方形虚线类型。只是在长方形虚线图形边缘引出不同形状的线，以便释放应力。电极性能的优劣反映在极小的接触电阻和欧姆性能上。要达到这一点，除了选择能与硅接触产生良好欧姆性能的金属材料外，减小高温处理后金半接触的热应力和形成的热缺陷，也是主要方面。从MOON的三种图形的填充因子比较，为什么长方形直线比长方形虚线的填充因子小得多，就是因为长方形直线的接触应力不易释放。由于应力造成填充因子的减小。
实用新型内容本实用新型的目的是提出一种填充因子比现有技术的长方形直线、长方形虚线和圆点接触更大的太阳电池的背电极。
本实用新型的目的是通过下述技术方案得以实现的一种太阳电池的背电极，其特点是该背电极是闭环的，且该背电极截面为圆环形排列。
圆形接触是现有技术中三种图形中接触最好的。本实用新型提出的圆环形的背电极的接触优于圆形接触，其接触应力低于圆形接触的应力。
图1是现有技术中太阳电池背电极的结构示意图(长方形直线接触)；图2是现有技术中太阳电池背电极的结构示意图(长方形虚线接触)；图3是现有技术中太阳电池背电极的结构示意图(圆形接触)；图4是本实用新型太阳背电极的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图4所示，本实用新型一较佳实施例提出的太阳电池背电极是闭环的，其用圆环形代替现有技术的长方形直线、长方形虚线和圆点接触，有助于提高填充因子，改善太阳电池的光电转换效率。在电池工艺和材料相同的情况下，经测定电池的填充因子值大于现有技术的长方形直线、长方形虚线和圆点接触。
权利要求1.一种太阳电池背电极，其特征是该背电极是闭环的，且该背电极截面为圆环形排列。
专利摘要本实用新型公开了一种太阳电池背电极，其特点是该背电极是闭环的，且该背电极截面为圆环形排列。本实用新型背电极的接触优于圆形接触和方形接触，其接触应力低于现有技术中方形接触的应力。
文档编号H01L31/0224GK2862328SQ20052004748
公开日2007年1月24日 申请日期2005年12月13日 优先权日2005年12月13日
发明者汪乐 申请人:上海太阳能科技有限公司