专利名称：在其表面上具有镀铜膜的稀土金属基永磁体的生产方法
技术领域：
本发明涉及通过在铜电镀处理中使用新的电镀液生产具有优异粘附性的在其表面上具有镀铜膜的稀土金属基永磁体的方法。
背景技术：
稀土金属基永磁体，例如由Nd-Fe-B基永磁体表示的R-Fe-B基永磁体，或由Sm-Fe-N基永磁体表示的R-Fe-N基永磁体等等，都利用资源丰富的便宜材料并拥有出众的磁特性；特别在其中，R-Fe-B基永磁体如今已经在多种领域中使用。然而，由于稀土金属基永磁体含有高反应性的稀土金属R，所以它们易于在周围环境中被氧化和被腐蚀，在它们没有应用任何表面处理而使用的情况中，在少量酸性或碱性物质或水存在时从表面就发生腐蚀倾向，产生铁锈，而这就导致了磁特性的降低和波动。此外，在这样一个生锈了的磁体被植入磁路和类似装置的情况中，就会担心扩散的铁锈污染外围组分。根据这样的情况，已经应用在稀土金属基永磁体表面上形成镀铜膜的方法，该镀铜膜是具有出众的抗腐蚀性的膜。
一般来说，形成镀铜膜的方法可以粗略分为铜电镀处理和铜无电镀处理；然而在通过铜无电镀处理在稀土金属基永磁体表面上形成镀铜膜的情况中，控制电镀液是很重要的，以阻止问题的发生，因为作为磁体的金属成份的稀土金属和铁洗脱进入电镀液并与电镀液中的还原试剂反应，镀铜膜的形成就发生在了洗脱进入电镀液的稀土金属和铁的表面。然而，这并不总是那么容易实现的。此外，在铜无电镀处理中使用的电镀液一般都很贵。因此，在稀土金属基永磁体表面上形成镀铜膜的情况中，通常应用简单且低成本的铜电镀处理。
在通过铜电镀处理的方式在稀土金属基永磁体表面上形成镀铜膜的情况中，考虑到在酸性条件下稀土金属基永磁体的强腐蚀性质，优选使用碱性电镀液。因此，一般而言，已经使用含有氰化铜的电镀液(氰化铜电镀浴)。然而，尽管考虑到氰化铜电镀浴提供具有优异性质的镀铜膜而具有较高的使用价值，并且是容易可控的电镀液，然而其环境影响是不可忽略的，因为它含有高毒性氰基。因此，近来更频繁地使用含有焦磷酸铜的电镀液(焦磷酸铜电镀浴)代替氰化铜电镀浴；然而，由于焦磷酸铜电镀浴含有大量自由铜离子，在试图通过使用焦磷酸铜电镀浴在稀土金属永磁体表面直接形成镀铜膜的情况中，在构成磁体表面的电基底金属如铁和类似物与电贵金属铜之间发生置换电镀反应，从而在磁体表面导致铜的置换沉淀。这些因素影响具有优异粘附性的镀铜膜的形成，这是有问题的。
根据这类情况，本发明的发明人在专利文献1中已经提议在稀土金属基永磁体表面上形成镀铜膜的方法，该方法包含通过使用具有pH值调到11.0-13.0之间且含有0.03mol/L-0.5mol/L硫酸铜、0.05mol/L-0.7mol/L乙二胺四乙酸、0.02mol/L-1.0mol/L硫酸钠和0.1mol/L-1.0mol/L选自酒石酸盐和柠檬酸盐中至少一种的电镀液进行铜电镀处理。根据此方法，可以在稀土金属基永磁体的表面形成与通过使用焦磷酸铜电镀浴应用铜电镀处理的情况相比具有非常出众的粘附性的镀铜膜。然而，即使是用此方法也仍然难以实施在稀土金属基永磁体表面上形成能够确保在恶劣环境下使用的稀土金属基永磁体所需要的足够高的抗腐蚀粘附性的镀铜膜。
在这样的情况中，镀铜膜的粘附性可以通过如在专利文献1中所公开的方法来补偿，该方法包含在稀土金属基永磁体表面上形成镍触击电镀膜，然后形成镀铜膜(关于在稀土金属基永磁体表面上形成镍触击电镀膜的方法，可以参考例如专利文献2)。这样的方法能够在稀土金属基永磁体表面上形成具有非常出众的粘附性的层压膜，然而，镀镍膜容易在电镀过程中共沉淀氢。因此，在稀土金属基永磁体表面上形成镍触击电镀膜的情况中，担心由于氢的共沉淀而导致磁体脆化，共沉淀氢导致磁体磁特性的降低。因此，开发能够通过铜电镀处理方式在稀土金属基永磁体表面直接形成具有优异粘附性的镀铜膜的方法是极为需要的。
在这样的情况下，在专利文献3中提出“磁体的表面处理方法，特征在于在含有稀土金属的磁体表面形成包含铜膜的第一保护膜，使用含有至少一种铜盐化合物、磷化合物、脂肪族膦酸化合物和氢氧化物的铜电镀液电镀。”作为通过铜电镀处理方式在稀土金属基永磁体表面上形成具有优异粘附性的镀铜膜的方法。然而，关于脂肪族膦酸化合物，其是电镀液的构成组分，专利文献3仅仅提及膦酸碱金属化合物、膦酸过渡金属化合物等等作为实例；在其说明书中参见段落0039，但是由于没有列举具体化合物，所以很遗憾，不能知道实际过程。
专利文献1JP-A-2004-137533专利文献2JP-A-6-13218专利文献3JP-A-2001-295091本发明的公开本发明要解决的问题 本发明的一个目的是提供通过使用能够在稀土金属基永磁体表面上形成具有优异粘附性的用于铜电镀处理的新的电镀液生产在其表面上具有镀铜膜的稀土金属基永磁体的方法。
解决问题的方法 根据前面所述的几点，在通过铜电镀处理在稀土金属基永磁体表面上形成镀铜膜方面，本发明的发明人已经设置为基本原则，即使用对Cu2+离子有高螯合稳定常数的螯合剂和调节至碱性区域的电镀液，从而阻止在磁体表面发生的由于在构成磁体表面的电基底金属如铁和类似物与电贵金属铜之间发生的置换电镀反应而在磁体表面导致的铜置换沉淀；因此使用对Cu2+离子有高螯合稳定常数的螯合剂如乙二胺四乙酸(在下文中表示为“EDTA”)、1-羟基亚乙基-1，1-二膦酸(在下文中表示为“HEDP”)、氨基三亚甲基膦酸(在下文中表示为“ATMP”)等等。其中HEDP是本领域长期已知的螯合剂，自从在JP-A-59-136491中公开了通过使用含有Cu2+离子和HEDP的电镀液进行铜电镀处理的方法以来(尽管其没有公开在稀土金属基永磁体上应用该电镀方法)，就已经预期这一方法能够在稀土金属基永磁体表面上形成具有优异粘附性的镀铜膜。然而，出乎意料地，在对由此形成的镀铜膜根据JIS K5400标准进行横切剥离试验时，发现该膜具有很差的粘附性，很容易将该膜从磁体表面剥离下来。
因此，本发明的发明人搜寻为什么不可能通过JP-A-59-136491中公开的方法在稀土金属基永磁体表面上形成具有优异粘附性的镀铜膜，然后，已经发现在将稀土金属基永磁体浸入调节至碱性区域的电镀液中以抑制对磁体的腐蚀的情况下，由于在磁体表面产生由氢氧化铁和源自磁体构成金属的类似物组成的钝化膜(passive film)而发生了磁体的表面劣化。结果，已经证实因为镀铜膜在磁体劣化的表面上形成，所以镀铜膜对于磁体表面的粘附性降低。于是，为了抑制这类钝化膜在稀土金属基永磁体表面产生，向电镀液中加入对Fe3+具有高螯合稳定常数的螯合剂，以这种方式，已经发现可以在稀土金属基永磁体表面上形成具有优异粘附性的镀铜膜。
基于上述发现已经完成的根据本发明的在其表面上具有镀铜膜的稀土金属基永磁体的生产方法在权利要求1中描述，特征在于其包括通过使用电镀液的铜电镀处理在稀土金属基永磁体表面上形成镀铜膜，该电镀液具有调节至9.0-11.5的pH值且含有至少下述三种组分(1)Cu2+离子，(2)对Cu2+离子的螯合稳定常数为10.0或更高的螯合剂，和(3)对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂(其中前述稳定常数限于pH9.0-11.5的条件)。
此外，在权利要求2中描述的生产方法是如在权利要求1中描述的生产方法，特征在于对Cu2+离子的螯合稳定常数为10.0或更高的螯合剂是选自EDTA、HEDP或其盐和ATMP或其盐中的至少一种。
并且，在权利要求3中描述的生产方法是如在权利要求1或2中描述的生产方法，特征在于对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂是选自焦磷酸、多磷酸、偏磷酸及其盐中的至少一种。
另外，在权利要求4中描述的生产方法是如在权利要求3中描述的生产方法，特征在于焦磷酸钾用作对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂。
此外，在权利要求5中描述的生产方法是如在权利要求1中描述的生产方法，特征在于该方法使用的电镀液具有调节至9.0-11.5的pH值且至少含有(1)0.03mol/L-0.15mol/L Cu2+离子，(2)0.1mol/L-0.5mol/L对Cu2+离子的螯合稳定常数为10.0或更高的螯合剂，和(3)0.01mol/L-0.5mol/L对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂。
并且，在权利要求6中描述的生产方法是如在权利要求1-5中的一项描述的生产方法，特征在于通过使用电镀浴温度为40℃-70℃的电镀液进行铜电镀处理。
接着，如在权利要求7中公开的根据本发明的在其表面上具有镀铜膜的稀土金属基永磁体，特征在于它由如在权利要求1-6中要求的一种生产方法生产。
此外，如在权利要求8中公开的根据本发明在铜电镀处理中使用的电镀液，特征在于其具有调节至9.0-11.5的pH值且至少含有(1)0.03mol/L-0.15mol/L Cu2+离子，(2)0.1mol/L-0.5mol/L对Cu2+离子的螯合稳定常数为10.0或更高的螯合剂，和(3)0.01mol/L-0.5mol/L对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂(其中前述稳定常数限于pH9.0-11.5的条件)。
发明效果 根据本发明，可以提供一种在其表面上具有镀铜膜的稀土金属基永磁体的生产方法，该方法使用用于铜电镀处理中的能够在稀土金属基永磁体表面上形成具有优异粘附性的镀铜膜的新的电镀液。
实施本发明的最佳方式 根据本发明的在其表面上具有镀铜膜的稀土金属基永磁体的生产方法，特征在于，它包含通过使用电镀液的铜电镀处理在稀土金属基永磁体表面上形成镀铜膜，该电镀液具有调节至9.0-11.5的pH值且含有至少下述三种组分(1)Cu2+离子，(2)对Cu2+离子的螯合稳定常数为10.0或更高的螯合剂，和(3)对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂(其中前述稳定常数限于pH9.0-11.5的条件)。
在本发明中，在铜电镀处理中使用的构成电镀液的Cu2+供应源没有特别的限制，可用的是例如硫酸铜、氯化铜、焦磷酸铜、氢氧化铜、硝酸铜、碳酸铜等等。
在pH值9.0-11.5下作为对Cu2+离子的螯合稳定常数为10.0或更高的螯合剂，除了前述EDTA、HEDP和ATMP外，可以使用例如乙二胺、次氮基三乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、环己烷二胺四乙酸、羟乙基亚乙基二胺三乙酸等等。还可以使用的是盐形式的螯合剂，如钠盐、钾盐等等。从多功能性的角度考虑，优选的是使用选自EDTA、HEDP或其盐和ATMP或其盐中的至少一种。在pH值9.0-11.5下螯合剂对Cu2+的螯合稳定常数可以简单地通过将本领域已知的螯合剂的螯合稳定常数乘以浓度分数来计算，该浓度分数通过使用螯合剂的酸解离常数和pH值来计算。例如，在pH值9.0-11.5下EDTA对Cu2+的螯合稳定常数为16.4-17.5，HEDP对Cu2+的螯合稳定常数为11.3-11.9。这里例举的所有螯合剂在pH值9.0-11.5下产生的对Fe3+离子的螯合稳定常数低于16.0。
在pH值9.0-11.5下作为对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂，可以使用的是焦磷酸、多磷酸、偏磷酸等等。还可以使用的是盐形式的螯合剂，如钠盐、钾盐等等。从多功能性的角度考虑，优选的是使用焦磷酸或其盐，更具体的是焦磷酸钾。在pH值9.0-11.5下对Fe3+离子的螯合稳定常数可以简单地通过将本领域已知的螯合剂的螯合稳定常数乘以浓度分数来计算，该浓度分数通过使用螯合剂的酸解离常数和pH值来计算。例如，在pH值9.0-11.5下焦磷酸钾对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.2-21.7。这里例举的所有螯合剂在pH值9.0-11.5下产生的对Cu3+的螯合稳定常数低于10.0。
将在铜电镀处理中使用的电镀液的pH值设定在9.0-11.5之间的原因是因为，如果pH值低于9.0，则混合在电镀液中的用于形成对铜离子的配合物的螯合剂的螯合力降低，于是电镀液中自由铜离子增多，并且这很可能在磁体表面导致铜的置换沉淀；另一方面，如果pH值高于11.5，在进行铜电镀处理时倾向于发生阳极钝化，这很可能导致由于在电镀液中产生了铜的羟基配合物以及类似物而难于控制电镀液或不利地影响镀铜膜的膜质量。作为优选的在pH值9.0-11.5下对Cu2+离子的螯合稳定常数为10.0或更高的螯合剂和在pH值9.0-11.5下对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂的结合，可以提及的是HEDP和焦磷酸钾的结合。在采用这种结合的情况中，具有非常致密的膜质量和由精细电沉积粒子组成的镀铜膜就可以在磁体表面形成，具有优异粘附性。
作为优选的在铜电镀处理中使用的电镀液，可以提及具有调节至9.0-11.5的pH值且至少含有(1)0.03mol/L-0.15mol/L Cu2+离子，(2)0.1mol/L-0.5mol/L对Cu2+离子的螯合稳定常数为10.0或更高的螯合剂，和(3)0.01mol/L-0.5mol/L对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂(其中前述稳定常数限于pH9.0-11.5的条件)的电镀液。Cu2+的含量设定在0.03mol/L-0.15mol/L。这是因为如果该含量低于0.03mol/L，就会担心相当地降低临界电流密度；另一方面，如果该含量超过0.15mol/L，则担心电镀液中自由铜离子增多，这会在磁体表面导致铜的置换沉淀。对Cu2+离子的螯合稳定常数为10.0或更高的螯合剂的含量设定在0.1mol/L-0.5mol/L范围内。这是因为，如果该含量低于0.1mol/L，很可能在电镀液中铜离子没有充分螯合；另一方面，含量超过0.5mol/L仅仅导致成本增加，但是没有预期影响。对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂的含量设定在0.01mol/L-0.5mol/L范围内。这是因为，如果该含量低于0.01mol/L，担心会导致难以抑制磁体的表面劣化，该劣化是由于在磁体表面上产生了由氢氧化铁和源自磁体构成金属的类似物组成的钝化膜，或使得不可能达到充分高的电流效率；另一方面，如果含量超过0.5mol/L，则很可能从磁体表面发生强有力的磁体金属构成物如铁等的洗脱，从而使得镀铜膜难以实施。如果需要，可以使用氢氧化钠等来调节pH。
此外，在铜电镀处理中使用的电镀液可以含有已知的组分，如氨基醇、亚硫酸盐、羧酸盐、硫酸盐等作为阳极的去极化试剂、传导试剂等。
基本上，铜电镀处理可以根据常规采用的铜电镀处理条件来进行，但是优选的是将电镀液的电镀浴温度设定在40℃-70℃范围内。如果该温度低于40℃，则担心会相当地降低临界电流；另一方面，如果该温度超过70℃，在阳极和自由铜之间很可能发生不均匀反应，导致难以控制电镀浴。电镀可以通过任何方式进行，例如架镀(rackplating)、滚镀等。阴极电流密度优选设定在0.05A/dm2-4.0A/dm2范围内。如果电流密度低于0.05A/dm2，则膜形成效率变差，并且可能存在其中电镀沉积电压不能达到的情况，从而导致没有膜的形成。另一方面，如果电流密度超过4.0A/dm2，则很可能产生很多氢气，并且在所形成的镀铜膜表面上产生凹陷或污点。
根据本发明，可以在稀土金属基永磁体表面上形成具有优异粘附性的镀铜膜；涂层膜具有非常高的剥离强度，例如在根据JIS K5400标准进行横切剥离测试时不会发生剥离。此外，在稀土金属基永磁体表面上形成的根据本发明的镀铜膜具有较好的光泽，且非常致密。优选地，在稀土金属基永磁体表面上形成的镀铜膜厚度在0.5μm-30μm范围内。如果该厚度少于0.5μm，则担心不能给予磁体足够高的抗腐蚀性；另一方面，如果厚度超过30μm，则担心难以获得有效量的磁体，或者降低生产效率。
实施例 下面通过实施例和比较例的方式更详细地解释本发明，但是应该理解本发明并不限于此。在下面的实施例和比较例中，首先，通过按照预先确定的磁体组成混合初始原料如电解铁、铁硼合金和Nd作为R来制备磁性主体，在熔融和浇铸后将所得产物用机械粉碎方法粗粉碎和精细研磨，得到具有粒度在3μm-10μm的精细粉末。然后，将由此得到的精细粉末在10kOe的磁场下成形，在氩气氛围下1100℃烧结1小时，并将所得的烧结产物在600℃下进行老化处理2小时，得到具有组成为15Nd-7B-78Fe(at％)的磁性主体。从这一磁性主体切下三个试样，即尺寸为3mm×20mm×40mm的试样(在下文中表示为“试样A”)，尺寸为1mm×1.5mm×2mm的试样(在下文中表示为“试样B”)和尺寸为4mm×2.9mm×2.9mm的试样(在下文中表示为“试样C”)，每个都使用0.1mol/L的硝酸和清水进行表面活化。
实施例1通过使用用于铜电镀处理中的电镀液对试样A进行滚筒(barrel)类型的铜电镀处理，该电镀液具有通过使用氢氧化钠调节至10.0的pH，且含有(1)0.06mol/L五水合硫酸铜，(2)0.15mol/L HEDP，和(3)0.2mol/L焦磷酸钾，且电镀液的电镀浴温度控制在60℃，同时施加1.0A/dm2的阴极电流密度30分钟。由此在试样A表面上形成了镀铜膜。在试样A表面上形成的镀铜膜的厚度为5.0μm(平均值n＝10)。发现该镀铜膜具有优异的粘附性，即便是根据JIS K5400标准进行横切剥离测试也不会剥离。此外，该镀铜膜显示出较好的光泽，且非常致密(经过表面SEM观测证实)。
实施例2通过使用如在实施例1中描述的用于铜电镀处理中的电镀液，将试样B进行滚筒类型的铜电镀处理，同时控制电镀液的电镀浴温度在60℃，施加0.3A/dm2的阴极电流密度80分钟。由此在试样B表面上形成了镀铜膜。在试样B表面上形成的镀铜膜的厚度为5.0μm(平均值n＝10)。该镀铜膜显示出较好的光泽，且非常致密(经过表面SEM观测证实)。评价由此在其表面上形成了镀铜膜的试样B的磁特性，得到0.98iHc/Hk(平均值n＝10)，且即便是在80℃下加热20小时后，也保持出众的磁特性而不降低。
比较例1通过使用用于铜电镀处理中的电镀液对试样A和B进行滚筒类型的铜电镀处理，该电镀液具有通过使用氢氧化钠调节至10.0的pH，且含有(1)0.16mol/L五水合硫酸铜，(2)0.07mol/L三羧酸二氧磷基丁烷(在pH值9.0-11.5下对Cu2+离子的螯合稳定常数低于10.0的螯合剂)，和(3)0.1mol/L二水合磷酸二氢钠，且电镀液的电镀浴温度控制在60℃，同时施加1.0A/dm2的阴极电流密度30分钟。然而在电镀液中产生了氢氧化铜，在试样A和B表面上没有形成镀铜膜。
比较例2通过使用用于铜电镀处理中的电镀液对试样A和B进行滚筒类型的铜电镀处理，该电镀液具有通过使用氢氧化钠调节至10.0的pH，且含有(1)0.30mol/L五水合硫酸铜，(2)0.07mol/L三羧酸二氧磷基丁烷，和(3)0.05mol/L焦磷酸钾，且电镀液的电镀浴温度控制在60℃，同时施加1.0A/dm2的阴极电流密度30分钟。然而在电镀液中产生了氢氧化铜，在试样A和B表面上没有形成镀铜膜。
实施例3通过使用用于铜电镀处理中的电镀液对试样C进行滚筒类型的铜电镀处理，该电镀液具有通过使用氢氧化钠调节至11.0的pH，且含有(1)0.06mol/L五水合硫酸铜，(2)0.15mol/L HEDP，和(3)0.05mol/L焦磷酸钾，且电镀液的电镀浴温度控制在50℃，同时施加0.3A/dm2的阴极电流密度80分钟。由此在试样C表面上形成了镀铜膜。在试样C表面上形成的镀铜膜的厚度为4.6μm(平均值n＝10)。该镀铜膜显示出较好的光泽，且非常致密(经过表面SEM观测证实)。然后，通过使用已知的Watt镍电镀液对在其表面上具有镀铜膜的试样C进行滚筒类型的镍电镀处理，同时控制电镀液的电镀浴温度在50℃，施加0.2A/dm2的阴极电流密度70分钟。由此在镀铜膜表面上形成了镀镍膜。在镀铜膜表面上形成的镀镍膜的厚度为2.4μm(平均值n＝10)。将所得的在其表面上具有包含镀镍膜和镀铜膜的层压膜的试样C在450℃下加热10分钟。结果，在层压膜上没有观测到如起泡、破裂、剥离等现象，因而显示关于磁性主体C表面的层压膜优异的粘附性。此外，评价了在其表面上具有包含镀镍膜和镀铜膜的层压膜的试样C的磁特性，得到0.95iHc/Hk(平均值n＝10)，且即便是在80℃下加热20小时后，也保持出众的磁特性而不降低。
工业实用性 本发明在它提供了在其表面上具有镀铜膜的稀土金属基永磁体的生产方法这一点上是具有工业实用性的，该方法是通过使用用于铜电镀处理中的能够在稀土金属基永磁体表面上形成具有优异粘附性的镀铜膜的新的电镀液而在稀土金属基永磁体表面上形成镀铜膜。
权利要求
1.在其表面上具有镀铜膜的稀土金属基永磁体的生产方法，特征在于其包括通过使用电镀液的铜电镀处理在稀土金属基永磁体表面上形成镀铜膜，该电镀液具有调节至9.0-11.5的pH值且含有至少下述三种组分(1)Cu2+离子，(2)对Cu2+离子的螯合稳定常数为10.0或更高的螯合剂，和(3)对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂(其中前述稳定常数限于pH9.0-11.5的条件)。
2.权利要求1的生产方法，特征在于对Cu2+离子的螯合稳定常数为10.0或更高的螯合剂是选自乙二胺四乙酸，1-羟基亚乙基-1，1-二膦酸或其盐，氨基三亚甲基膦酸或其盐中的至少一种。
3.权利要求1或2的生产方法，特征在于对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂是选自焦磷酸、多磷酸、偏磷酸及其盐中的至少一种。
4.权利要求3的生产方法，特征在于焦磷酸钾用作对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂。
5.权利要求1的生产方法，特征在于该方法使用的电镀液具有调节至9.0-11.5的pH值且至少含有(1)0.03mol/L-0.15mol/L Cu2+离子，(2)0.1mol/L-0.5mol/L对Cu2+离子的螯合稳定常数为10.0或更高的螯合剂，和(3)0.01mol/L-0.5mol/L对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂。
6.权利要求1-5之一的生产方法，特征在于通过使用电镀浴温度为40℃-70℃的电镀液进行铜电镀处理。
7.在其表面上具有镀铜膜的稀土金属基永磁体，特征在于其通过权利要求1-6之一的生产方法生产。
8.在铜电镀处理中使用的电镀液，特征在于其具有调节至9.0-11.5的pH值且至少含有(1)0.03mol/L-0.15mol/L Cu2+离子，(2)0.1mol/L-0.5mol/L对Cu2+离子的螯合稳定常数为10.0或更高的螯合剂，和(3)0.01mol/L-0.5mol/L对Fe3+离子的螯合稳定常数为16.0或更高的螯合剂(其中前述稳定常数限于pH9.0-11.5的条件)。
全文摘要
提供在其表面上具有镀铜膜的稀土金属基永磁体的生产方法，该方法通过使用用于铜电镀处理中的能够在稀土金属基永磁体表面上形成具有优异粘附性的镀铜膜的新的电镀液而完成。根据本发明的在其表面上具有镀铜膜的稀土金属基永磁体的生产方法，特征在于其包括通过使用电镀液的铜电镀处理在稀土金属基永磁体表面上形成镀铜膜，该电镀液具有调节至9.0－11.5的pH值且含有至少下述三种组分(1)Cu
文档编号H01F41/02GK101023205SQ20058003118
公开日2007年8月22日 申请日期2005年8月9日 优先权日2004年8月10日
发明者新苗稔展 申请人:株式会社新王磁材