专利名称：铜板与铝板连接减小接触电阻方法
技术领域：
本发明涉及一种铜铝板连接时，减小其接触电阻新方法。
背景技术：
目前，电力线路的功能是传输和分配电能，常用的母导线主要是铜母线和铝母线。当铜、铝导体直接连接时，这两种金属的接触面在空气中水分、二氧化碳和其他杂质的作用下极易形成电解液，从而形成的以铝为负极、铜为正极的原电池，使铝产生电化腐蚀，造成铜、铝连接处的接触电阻增大。另外，由于铜、铝的弹性模量和热膨胀系数相差很大，在运行中经多次冷热循环(通电与断电)后，会使接触点处产生较大的间隙而影响接触，也增大了接触电阻。接触电阻的增大，运行中就会引起温度升高。高温下腐蚀氧化就会加剧，产生恶性循环，使连接质量进一步恶化，最后导致接触点温度过高甚至会发生冒烟、烧毁等事故。现今采用减小铜铝连接接触电阻的方法是在接触面上涂一层0.2mm厚的导电膏(电力复合脂)或采用铜铝过渡板，以降低连接处的接触电阻，减少接头发热。但其工作温度低，使用年限短，造价昂贵。
发明内容
本发明提供一种铜板与铝板连接减小接触电阻方法，对铜板与铝板的接头处进行处理，使得铜板与铝板的接头处电阻大大降低，减少接头发热，延长使用年限。
本发明的技术方案如下铜板与铝板连接减小接触电阻的方法，其特征在于对铜板与铝板的接头处分别进行以下处理(1)、铜板的表面进行烫锡处理；(2)、铝板的表面处理1)、采用机械抛光方法除去铝板表面的氧化层；
2)、采用除油方法对其铝板表面进行二次处理；3)、喷涂不锈钢喷剂；4)、表面干燥。
铝板喷涂不锈钢层厚度为2-5微米，表面干燥时间为5-10分钟。(处理后的表面应该光亮，涂层均匀，颜色成灰白色)所述的烫锡是指将铜板放入熔融的锡液中再拿出。
所述的除油方法是指用酒精或丙酮擦拭铝板表面。
本发明通过多次试验与测量，发现处理后的接触电阻阻值比处理前的接触电阻阻值小4-6倍。
本发明处理过的铝板表面耐热性能好，适用温度范围-30℃-+320℃。
本发明处理过的铝板表面与处理后的铜板连接，不受年限影响。
本发明处理过的铝板表面具有强抗酸抗碱特性；本发明适合铝板与铝板的连接；工作原理说明1、利用不锈钢的耐高温与导热系数大特性，使得处理后的铝板表面工作温度升高；2、利用不锈钢的强抗酸抗碱特性，使得处理后的铝板表面不产生电化腐蚀；3、利用不锈钢的抗氧化特性，使得处理后的铝板表面不氧化；4、虽然不锈钢的电阻率较大，但是其电阻值与长度成正比，与面积成反比，而表面不锈钢厚度为微米级单位，因此其表层不锈钢的自身电阻值很小，可忽略不计；5、利用喷剂的强粘附性和不锈钢膨胀系数小特性，使得铝板处理表面长时间不变形、不断裂、不起层。
本发明利用不锈钢喷剂，此不锈钢喷剂是一种耐摩和防腐涂层，干膜不锈钢含量达75％的不锈钢喷剂，其中还含有金属与塑料成分，表面完全防腐和抗氧化，同时具有强抗酸碱性及粘附性特性，杜绝铜铝连接处金属的电化腐蚀，降低接头处的接触电阻，确保接头接触良好，减少接头发热。
本发明若与导电脂配合使用，其效果更佳。
本发明还有其他一些优点
1、操作简单，加工方便；2、加工后的铝板表面不怕划、耐撞击；3、加工后的铝板表面具有很强的防锈耐腐蚀性；4、无氟利昂，安全无副作用。
5、性价比高；具体实施方式
铜板与铝板连接减少接触电阻的方法，其特征在于对铜板与铝板的接头处分别进行以下处理(1)、铜板的表面进行烫锡处理；指将铜板放入300-400℃熔融的锡液中再拿出。
(2)、铝板的表面处理1、用机械抛光方法除去铝板表面的氧化层；2、用丙酮或酒精擦拭铝板表面进行二次处理；3、喷涂不锈钢喷剂，喷涂采用雾状喷涂，不锈钢层厚度为2-5微米；4、表面干燥处理干燥时间为5-10分钟即可。(处理后的表面应该光亮，涂层均匀，颜色成灰白色)
权利要求
1.铜板与铝板连接减小接触电阻的方法，其特征在于对铜板与铝板的接头处分别进行以下处理(1)、铜板的表面进行烫锡处理；(2)、铝板的表面处理1)、采用机械抛光方法除去铝板表面的氧化层；2)、采用除油方法对其铝板表面进行二次处理；3)、喷涂不锈钢喷剂；4)、表面干燥。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于铝板喷涂不锈钢层厚度为2-5微米，表面干燥时间为5-10分钟。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的烫锡是指将铜板放入熔融的锡液中再拿出。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的除油方法是指用酒精或丙酮擦拭铝板表面。
全文摘要
本发明提供一种铜板与铝板连接减小接触电阻方法，对铜板与铝板的接头处进行处理，将铜板进行烫锡处理，铝板抛光除去氧化层后，喷涂一层超薄不锈钢，使得铜板与铝板的接头处电阻大大降低，减少接头发热，延长使用年限。
文档编号H01R4/62GK1929205SQ20061009606
公开日2007年3月14日 申请日期2006年9月14日 优先权日2006年9月14日
发明者汤伦军, 李定, 付鹏 申请人:中国科学院等离子体物理研究所